互補式金屬傳輸線結構的製作方法

2023-06-05 22:15:16

專利名稱：互補式金屬傳輸線結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及傳輸線結構，特別是有關於電容性區域(c即acitive region)具有狹 縫(slit)的互補式金屬傳輸線(complementary-conducting-striptransmission line ; CCS TL)結構。
背景技術：
近來，許多文獻顯示在單晶(monolithic)積體化技術中由疊層印刷電路板 (laminated PCB)所組成的微波/毫米波(microwave/millimeter-wave)傳輸線混合電 路設計的實現，已又再度引起人們研究的興趣(T. Hirota， A. Minakawa， and M.Muraguchi， "Reduced-size branch-line and rat_race hybridsfor皿iplanar畫ICs， "IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. ， vol.38， no.3， pp. 270—275， March 1990. ;I.Toyoda， T. Hirota， T. Hiraoka， and T.Tokumitsu，"Multilayer匪IC branch-line coupler and broad-side coupler,〃 IEEE 1992Microwave and millimeter-wave monolithic circuit s卿.，pp. 79_82， 1992. ;K. Hettak， G. A. Morin， and M. G. Stubbs， "Compact MMICCPW and asymmetric CPS b:ranch-Line couplers and Wilkinson dividers usingsh皿t and series stub loading, ，， IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. ， vol. 53， no. 5， pp. 1624-1635， May 2005. ;Y. Y皿，"A novel microstrip-linestructure employing a periodically perforated ground metal and its即plicationto highly miniaturized and low-impedance passive components fabricated onGaAs MMIC， ，， IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. ， vol.53， no. 6， pp. 1951—1959， June 2005. ;K. Hettak， G.A. Morin， and M. G. Stubbs，"A newminiaturized type of three-dimensional SiGe 90° hybrid coupler at 20GHzusing the meandering TFMS and stripline shunt stub loading, " IEEE MTT—SInt. Microwave symp. Dig. ， pp. 33—36， 2007)。據此，上述這些使用 多層化(multilayer)技術最小化混合電路可輕易達成尺寸積體化的要求。
但另 一 方面，卻少有研究著力在標準互補式金氧半導體(complementary metal-oxide-semiconductor ;CM0S)工藝中實現最小化混合電路，因所製成的被動元件 具有較低的質量係數(quality-factor)，進而限制其可用性(availability)範圍。然 而，近來研究提出的近橫向電磁合成傳輸線(synthetic quasi-transverse-electro magnetic (quasi-TEM) transmission line ;或禾爾互補式金屬傳輸線(complementary-conducting-striptra固ission line;以下簡稱CCS TU)的概念已可解決上述的問 題並可同時達到信號低損耗與電路最小化的要求(M. -J. Chiang, H. _S. Wu and C. _K. C. Tzimng，"Design of synthetic qimsi-TEM transmission line for CMOScompact integrated circuit, ，， IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. ， vol. 55， no. 12， part 1， pp. 2512-2520， Dec. 2007. ;M. _J. Chiang, H. _S. Wu and C. _K. C. Tzuang， "A Ka_band CMOS Wilkinson power divider using syntheticquasi_TEM transmission lines, "IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. ， vol. 17， no. 12， pp. 837—839， Dec. 2007.; 4S. Wang， H. _S. Wu， and C. _K. C. Tzuang， "Compacted Ka_band CMOS rat-race hybrid using synthesized transmissionline， ，， IEEE MTT-S Int. Microwave symp. Dig.， pp. 1023-1026,2007.)。 CCSTL技術的所以能成功解決上述的問題，在於其將信號傳輸線 有效地以蜿蜒形式(meandered-form)設計布局進而達到高度積體化的要求。而金屬密度 (metal density,總金屬布局面積對電路面積的比值)是晶片代工(foundry)強烈要求遵 守的規格，用以在晶片製造過程中控管化學機械研磨(chemical-mechanical polishing ; CMP)等所產生的異動，並維持晶片質量(wafer yield)以及設計的可靠度(reliability) (A. B. Kahng， G. Robins, A. Singh， and Zelikovsky， "New and exact filling algorithms for layout densitycontrol， "Proceedings of the 12th International Conference on VLSIDesign(VLSID， 99)， pp. 106-110， Jan. 1999.)，因而此由晶片代工廠所制定的工 藝參數亦攸關CM0S電路設計製造的質量。截至目前為止，僅M,J. Chiang, H,S.Wu and C. _K. C. Tzuang，"Design of synthetic quasi-TEMtransmission line for CMOS compact integrated circuit, ，， IEEE Trans. Microwave Theory and Tech. ， vol. 55， no. 12， part 1， pp. 2512-2520， Dec. 2007.開始著力於金屬密度並應用於信號傳輸線的設計，而其餘的 單晶集成電路在其金屬密度未符晶片代工的要求時，僅能以額外的晶片區域填入虛擬金屬 (dummy metal)以確保集成電路生產的質量以及電路設計的可靠度，如此並無法真正最小 化單晶集成電路。

發明內容
有鑑於上述的缺點，本發明提供一種互補式金屬傳輸線結構，可改進現有的混合 電路設計金屬密度不足的缺點、解決現有的需額外晶片區域填入虛擬金屬的問題，並確保 集成電路生產的質量以及電路設計的可靠度。 本發明的目的之一，是提供一符合晶片代工所要求金屬密度的互補式金屬傳輸線 結構，由此減少晶片額外區域的需求與虛擬金屬的使用，並提高集成電路的製造質量與電 路設計的可靠度。 本發明的目的之一，是在互補式金屬傳輸線結構的電容性區域(c即acitive region)產生至少一狹縫(slit)，並以狹縫的大小(或稱面積)改變互補式金屬傳輸線的 寬度，由此提高金屬傳輸線的布局面積以增加金屬密度。 本發明為公開一種互補式金屬傳輸線結構，其包含一基板；至少一第一網目金 屬層；m層第二網目金屬層，此m層第二網目金屬層之間與此至少一第一網目金屬層之間分 別與m層第一介電層交錯疊接，由此形成一堆疊結構於此基板之上，其中此m層第一介電 層分別具有多個金屬連接孔連接此至少一第一網目金屬層與此m層第二網目金屬層，其中 m^2且m為自然數；一第二介電層，位於此堆疊結構之上；以及一信號傳輸線，位於此第二 介電層之上；其中，此信號傳輸線正下方的此m層第二網目金屬層具有至少一狹縫結構。
本發明還公開一種互補式金屬傳輸線結構，其包含一基板；一第一網目金屬層； 一第二網目金屬層，其與此第一網目金屬層之間疊接一第一介電層，由此形成一堆疊結構 於此基板之上，其中此第一介電層具有多個金屬連接孔連接此第一 網目金屬層與此第二網 目金屬層；一第二介電層，位於此堆疊結構之上；以及一信號傳輸線，位於此第二介電層之 上；其中，此信號傳輸線的正下方的此第二網目金屬層具有至少一狹縫結構。


圖1為本發明之一較佳實施例的立體結構透視圖； 圖2A為本發明的另一較佳實施例的立體結構透視圖； 圖2B為本發明的又一較佳實施例的立體結構透視圖； 圖3A為本發明之一較佳實施例的俯視圖； 圖3B為本發明的另一較佳實施例的俯視圖； 圖3C為本發明的又一較佳實施例的俯視圖4為圖l所示實施例的複數特性阻抗(complex characteristicimpedance ;Zc) 及慢波係數(slowiave factor ;SWF)與頻率的關係曲線圖；以及
圖5為本發明的多個較佳實施例所組成的應用電路布局示意圖。主要元件符號說明
100 本發明的一較佳實施例 110、210、270 基板120 堆疊結構
Ml 第一網目金屬層
M2、M3、M4、M5
MD12、 MD23、 MD34、 MD45
頂DT
第二介電層
第二網目金屬層
第一介電層
金屬連接孔
vial2、 via23、 via34、 via45 TL、M6 信號傳輸線 P 單元尺寸 Wh 網目尺寸
t、 tl、 t2、 t3、 t4、 t5、 t6、 t7、 t8、 t9 狹縫尺寸 S、 Sl、 S2、 S3、 S4、 S5、 S6、 S7、 S8、 S9信號傳輸線的線寬
200 260 310 320 330 A、B、
C、D
本發明的另一較佳實施例 本發明的又一較佳實施例 本發明的再一較佳實施例 本發明的又另一較佳實施例 本發明的又再一較佳實施例
本發明的應用電路的接點
具體實施例方式
本發明將詳細描述一些實施例如下。然而，除了所公開的實施例外，本發明亦可以 廣泛地運用在其它的實施例施行。本發明的範圍並不受該多個實施例的限定，乃以其後的 權利要求為準。而為提供更清楚的描述及使熟悉該技術者能理解本發明的發明內容，圖示 內各部分並沒有依照其相對的尺寸而繪圖，某些尺寸與其它相關尺度的比例會被突顯而顯 得誇張，且不相關的細節部分亦未完全繪出，以求圖示的簡潔。 請參照圖l，其為本發明的一較佳實施例100的立體結構透視圖。 一基板 110 (substrate)，具有一單元尺寸P (或稱為周期)的大小。至少一第一網目金屬層Ml (mesh ground plane)與m層第二網目金屬層M2、M3、M4及M5，此M1、M2、M3、M4及M5之間分別與m層第一介電層IMD12、 IMD23、 IMD34及IMD45 (inter-media-dielectric ;IMD)交錯疊接 (其中m > 2且m為自然數，在本實施例中m = 4)，亦即第一網目金屬層Ml與第二網目金 屬層M2之間疊夾第一介電層MD12 ;第二網目金屬層M2與M3之間疊夾第一介電層MD23 ; 第二網目金屬層M3與M4之間疊夾第一介電層MD34 ;以及第二網目金屬層M4與M5之間疊 夾第一介電層頂D45，由此形成一堆疊結構120於基板110之上。其中第一介電層MD12、 MD23、MD34及MD45分別具有多個金屬連接孔vial2、via23、via34及via45連接第一網 目金屬層Ml、第二網目金屬層M2、M3、M4及M5，亦即第一介電層MD12具有多個金屬連接孔 vial2連接第一網目金屬層M1與第二網目金屬層M2 ;第一介電層MD23具有多個金屬連接 孔via23連接第二網目金屬層M2與M3 ;第一介電層MD34具有多個金屬連接孔via34連 接第二網目金屬層M3與M4 ;以及第一介電層MD45具有多個金屬連接孔via45連接第二 網目金屬層M4與M5，由此增加網目金屬層的厚度。在本發明中，第一網目金屬層Ml、第二 網目金屬層M2、M3、M4及M5分別為一金屬層具有中間簍空區域(或稱槽孔(slot))，故稱 這些金屬層為網目金屬層，且此中間簍空區域的大小由一網目尺寸Wh(或稱網目寬度)所 決定。 —第二介電層MDT，位於堆疊結構120之上。 一信號傳輸線TL，位於第二介電層 MDT之上。其中信號傳輸線TL正下方的第二網目金屬層M2、M3、M4及M5分別具有至少一 缺口以形成至少一具有狹縫尺寸t(或稱狹縫寬度)的狹縫(slit)結構。在本實施例中， 信號傳輸線TL為直線形狀通過第一網目金屬層Ml、第二網目金屬層M2、 M3、 M4及M5之上 方，因而其正下方的第二網目金屬層M2、M3、M4及M5形成2個狹縫結構，而每一狹縫結構的 面積包含((單元尺寸P-網目尺寸Wh) +2) X狹縫尺寸t的大小。由此，利用改變第二網 目金屬層M2、M3、M4及M5中間簍空區域(或稱電容性區域(c即acitive region))狹縫尺 寸t的大小(或是狹縫結構面積的大小)，即可改變信號傳輸線TL的特性阻抗與線寬S，進 而改變信號傳輸線TL在金屬層M6的布局(layout)面積以調整金屬密度。
然而，發明人在此要強調的是，在本實施例中，基板110、第一網目金屬層M1、第二 網目金屬層M2、 M3、 M4及M5、第一介電層MD12、 MD23、 MD34及MD45以及第二介電層 MDT等的外形是以正方形的幾何形狀呈現，但它們的幾何形狀變化並不受限於本實施例的 限制，它們的幾何形狀亦可包含其它多邊形的幾何形狀。此外，在本實施例中，第一網目金 屬層M1為僅以一層且其位於堆疊結構120的底端(基板110之上)作為說明，然而在其它 較佳實施例中，亦可以是多層第一網目金屬層，且此多層第一網目金屬層的位置亦可以是 位於堆疊結構的頂端或是堆疊結構的中與第二網目金屬層交錯疊接。而在本實施例中，第 二介電層MDT亦是以一層作為說明，然而在實際應用上，第二介電層亦可以包含一多層介 電層結構。再者，本發明所有實施例中的第一、第二網目金屬層的中間簍空區域以及第二網 目金屬層的狹縫結構亦均填有介電質。 請參照圖2A，其為本發明的另一較佳實施例200的立體結構透視圖。 一基板210， 具有一單元尺寸p (或稱為周期)的大小。 一第一網目金屬層Ml與一第二網目金屬層M2之 間疊接一第一介電層頂D12，由此形成一堆疊結構於基板210之上。其中第一介電層MD12 具有多個金屬連接孔連接第一網目金屬層Ml與第二網目金屬層M2，由此增加網目金屬層 的厚度。在本發明中，第一網目金屬層Ml與第二網目金屬層M2分別為一金屬層具有一中 間簍空區域，故稱這些金屬層為網目金屬層，且此中間簍空區域的大小由一網目尺寸Wh所
7決定。 一第二介電層MDT，位於上述的堆疊結構之上。 一信號傳輸線TL，位於第二介電層 MDT之上。其中信號傳輸線TL正下方的第二網目金屬層M2具有至少一缺口以形成至少一 具有狹縫尺寸t的狹縫結構。在本實施例中，信號傳輸線TL為直線形狀通過第一網目金屬 層Ml與第二網目金屬層M2的上方，故其正下方的第二網目金屬層M2形成2個狹縫結構， 而每一狹縫結構的面積包含((單元尺寸P-網目尺寸Wh) +2) X狹縫尺寸t的大小。
請參照圖2B，其為本發明的又一較佳實施例260的立體結構透視圖。其中圖2B 與圖2A的不同處在於信號傳輸線TL僅橫跨第一網目金屬層M1與第二網目金屬層M2的一 邊上方，因此在圖2B中，信號傳輸線TL正下方的第二網目金屬層M2僅有一缺口以形成一 具有狹縫尺寸t的狹縫結構，而此僅具有一狹縫結構的構造亦可實施於本發明的其它實施 例。至於基板270與其它標示符號同於圖2A的基板210與相同標示符號的說明，故在此不 再贅述。 請參照圖3A、圖3B與圖3C，其分別為本發明的三較佳實施例310、320與330的俯 視圖。在圖3A中，信號傳輸線TL為L型形狀且其線寬分別為Sl及S2，而信號傳輸線TL正 下方的2個狹縫結構分別具有狹縫尺寸tl及t2的大小(在本實施例中，可以是Sl = S2， 即相同線寬；亦可以是Sl # S2，即不同線寬)。在圖3B中，信號傳輸線TL為T型形狀且 其線寬分別為S3、 S4及S5(在本實施例中，可以是S3 = S4 = S5 ;或是S3 # S4 # S5 ;或 是S3 = S4 ^ S5 ;或是S3 ^ S4 = S5 ;或是S3 = S5 ^ S4)，而信號傳輸線TL正下方的3 個狹縫結構分別具有狹縫尺寸t3、 t4及t5的大小。在圖3C中，信號傳輸線TL為十字型 形狀且其線寬分別為S6、 S7、 S8及S9 (可為相同線寬或不同線寬的排列組合，不再贅述)， 而信號傳輸線TL正下方的4個狹縫結構分別具有狹縫尺寸t6、 t7、 t8及t9。至於單元尺 寸P與網目尺寸Wh已於上述的實施例說明，在此不再贅述。而發明人在此要說明的是，本 發明利用狹縫尺寸大小改變信號傳輸線的特性阻抗與線寬，因此，狹縫尺寸可依實際需求 作調整，未必如圖3A、圖3B與圖3C所示一定大於信號傳輸線的線寬。此外，本發明所有實 施例的狹縫結構亦可配合信號傳輸線的布局而偏左或偏右，並不限定須在1/2單元尺寸之 處，亦即狹縫結構並不一定在中間，再者，信號傳輸線亦可以是由相鄰兩金屬層的信號傳輸 線通過多個金屬連接孔加以連接，由此增加信號傳輸線的厚度。 請參照圖4，其為圖1所示實施例的複數特性阻抗(complexcharacteristic impedance ;Zc)及慢波係數(slow-wave factor ;SWF)與頻率的關係曲線圖。發明人在此 要強調的是，以下為測試所設定的數據以及測試所得的數據僅用以說明本發明實施例的測 試過程與結果，並非用以限定本發明實施例的實行。測試所設定的數據包含單元尺寸(P) 為30. Oiim;網目金屬層厚度(M1 M5)為6. 35iim;網目尺寸(Wh)為21. 0 y m ;狹縫尺寸 (t)分別為14.0iim與9.0iim且厚度為5.8iim;信號傳輸線的寬度(S)分別為13.0ym與 7. 0 y m且厚度為2. 0 ii m ;上述各介電層的介電常數為4. 0且厚度為0. 9 y m ;基板的介電常 數為11.9 ;以及基板厚度為482.6 iim且導電度(conductivity)為11. OS/m(西門斯/米)。 並且，上述的測試說明為輔以商業化三維結構電磁場仿真軟體(Ansoft HFSS)加以仿真，而 仿真所得的數據分別呈現在圖4。 在圖4中，TL 1曲線表示信號傳輸線在狹縫尺寸(t)為14.0iim且線寬為13.0iim 時所作的模擬；而TL 2曲線表示信號傳輸線在狹縫尺寸(t)為9.0iim且線寬為7.0iim時 所作的模擬。TL 1與TL 2的特性阻抗Zc在Ka頻帶(Ka-band ;約26 40GHz)模擬測試中的實數部分分別為35.3Q (歐姆)與49.7Q (歐姆)，而虛數部分幾乎相同。TL 1與TL 2 的慢波係數SWF在Ka頻帶模擬測試中分別為2.0與2.07。此測試結果顯示，狹縫尺寸(t) 會使信號傳輸線的特性阻抗Zc增加，因此為了維持相同特性阻抗設計，在具有較大狹縫尺 寸(t)的互補式金屬傳輸線結構中，必須以較寬的信號傳輸線布局，由此增加信號傳輸線 層(最上層金屬層)的金屬密度。 請參照圖5，其為本發明的多個較佳實施例所組成的應用電路400布局示意圖。應 用電路400為一 90度耦合器(Branch-Line Coupler)，端點A、 B、 C及D分別表應用電路 400的輸出/入端點。在圖5中，信號傳輸線的寬度是根據其正下方的狹縫尺寸大小作調 整，因此它們的寬度並不相同，而較粗的信號傳輸線亦增加最上層金屬層的金屬密度，由此 改進混合電路設計金屬密度不足的缺點、解決需額外晶片區域填入虛擬金屬的問題，並且 確保集成電路生產的質量以及電路設計的可靠度 以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並非用以限定本發明的申請專利範圍； 凡其它為脫離本發明所公開的精神下所完成的等效改變或修飾，均應包含在所述的權利要 求。
權利要求
一種互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，包含一基板；至少一第一網目金屬層；m層第二網目金屬層，該m層第二網目金屬層之間與該至少一第一網目金屬層之間分別與m層第一介電層交錯疊接，由此形成一堆疊結構於該基板之上，其中該m層第一介電層分別具有多個金屬連接孔連接該至少一第一網目金屬層與該m層第二網目金屬層，其中m≥2且m為自然數；一第二介電層，位於該堆疊結構之上；以及一信號傳輸線，位於該第二介電層之上；其中，該信號傳輸線正下方的該m層第二網目金屬層具有至少一狹縫結構。
2. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一狹縫結構 的面積包含((P-Wh)/2) Xt，其中P表該基板的單元尺寸，Wh表該m層第二網目金屬層的 網目尺寸，t表該至少一狹縫結構的狹縫尺寸。
3. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的信號傳輸線包含 直線形狀。
4. 如權利要求3所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一狹縫結構 包含2個狹縫結構。
5. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的信號傳輸線包含L 型形狀。
6. 如權利要求5所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一狹縫結構 包含2個狹縫結構。
7. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的信號傳輸線包含T 型形狀。
8. 如權利要求7所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一狹縫結構 包含3個狹縫結構。
9. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的信號傳輸線包含 十字型形狀。
10. 如權利要求9所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一狹縫結構 包含4個狹縫結構。
11. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一第一網目 金屬層位於該堆疊結構的底端。
12. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一第一網目 金屬層位於該堆疊結構的頂端。
13. 如權利要求1所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，所述的至少一第一網目 金屬層位於該堆疊結構之間。
14. 一種互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，包含一基板；一第一網目金屬層；一第二網目金屬層，其與該第一網目金屬層之間疊接一第一介電層，由此形成一堆疊結構於該基板之上，其中該第一介電層具有多個金屬連接孔連接該第一網目金屬層與該第 二網目金屬層；一第二介電層，位於該堆疊結構之上；以及一信號傳輸線，位於該第二介電層之上；其中，該信號傳輸線的正下方的該第二網目金屬層具有至少一狹縫結構。
15. 如權利要求14所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該至少一狹縫結構的 面積包含((P-Wh)/2) Xt，其中P表該基板的單元尺寸，Wh表該第二網目金屬層的網目尺 寸，t表該至少一狹縫結構的狹縫尺寸。
16. 如權利要求14所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該信號傳輸線包含直 線形狀。
17. 如權利要求16所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該至少一狹縫結構包 含2個狹縫結構。
18. 如權利要求14所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該信號傳輸線包含L型 形狀。
19. 如權利要求18所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該至少一狹縫結構包 含2個狹縫結構。
20. 如權利要求14所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該信號傳輸線包含T型 形狀。
21. 如權利要求20所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該多個狹縫結構包含3 個狹縫結構。
22. 如權利要求14所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該信號傳輸線包含十 字型形狀。
23. 如權利要求22所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該至少一狹縫結構包 含4個狹縫結構。
24. 如權利要求14所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該第一網目金屬層位 於該堆疊結構的底端。
25. 如權利要求14所述的互補式金屬傳輸線結構，其特徵在於，該第一網目金屬層位 於該堆疊結構的頂端。
全文摘要
本發明公開一種互補式金屬傳輸線結構，其包含一基板；至少一第一網目金屬層；m層第二網目金屬層，此m層第二網目金屬層之間與此至少一第一網目金屬層之間分別與m層第一介電層交錯疊接，由此形成一堆疊結構於此基板之上，其中此m層第一介電層分別具有多個金屬連接孔連接此至少一第一網目金屬層與此m層第二網目金屬層，其中m≥2且m為自然數；一第二介電層，位於此堆疊結構之上；以及一信號傳輸線，位於此第二介電層之上；其中，此信號傳輸線正下方的此m層第二網目金屬層具有至少一狹縫結構。
文檔編號H01L23/522GK101783336SQ20091000268
公開日2010年7月21日 申請日期2009年1月19日 優先權日2009年1月19日
發明者吳憲順, 莊晴光, 蔣孟儒 申請人:莊晴光;益芯科技股份有限公司