低電阻值片狀電阻器及其製造方法
2023-06-06 03:16:26 1
專利名稱：低電阻值片狀電阻器及其製造方法
技術領域：
本發明涉及例如具有1Ω以下的低電阻值的片狀電阻器及其製造方法。
背景技術：
作為先行技術的特開2001-118701號公報，提出了如圖1所示結構的片狀電阻器1。
即，此先行技術的片狀電阻器1用由金屬構成的厚度為T0的金屬板將其電阻體2形成為長度為L、寬度為W的長方形，所述金屬例如是對如銅等具有低電阻值的基材金屬添加鎳等電阻值高於所述基材金屬的金屬後而成的合金等。另外，通過在此電阻體2的背面中間部位由切削加工刻制長度為L0、深度為S的凹部3，在所述電阻體2的背面的左右兩端部分設置了連接端子電極4、5。而且，為了方便在印刷電路板等錫焊連接，在兩連接端子電極4、5形成了鍍層6、7。
又，所述的特開2001-118701號公報中公開了以下這種製造方法，即，在製造所述結構的片狀電阻器之際，通過在排列多個電阻體成為一體化的原料金屬板的背面實施部分鍍層用抗蝕劑掩模(resist mask)的狀態下，進行鍍層處理，在所述各連接端子電極4、5的部分形成錫焊用鍍層6、7。接著，在所述原料金屬板的背面，由切削加工刻制所述凹部3之後，將所述原料金屬板按所述各電阻體切斷。
可是，此先行技術的片狀電阻器1在錫焊連接於印刷電路板等之際，熔化的焊錫越過兩連接端子電極4、5而附著到電阻體2的兩連接端子電極4、5之間的部分，因此，電阻值變化的可能性很大。要避免此現象，加深所述電阻體2背面的凹部3的深度S為好，但若不改變連接端子電極之間電阻體的厚度T而加大凹部3的深度S，就存在片狀電阻器1的總高度變高並且重量增加的問題。
另外，所述先行技術的製造方法，通過在原料金屬板的背面實施部分鍍層用抗蝕劑掩模的狀態下進行鍍層處理，由此只在所述各連接端子電極4、5部分形成錫焊用金屬鍍層6、7。換言之，在形成所述錫焊用鍍層6、7的鍍層工序之前，需要進行在原料金屬板的背面預先形成部分鍍層用抗蝕劑掩模的工序，以及在鍍層工序之後剝離去除所述部分鍍層用抗蝕劑掩模的操作，因此，還出現了製造成本大幅度提高的問題。
發明內容
本發明把消除這些問題作為技術課題。
為了解決這種技術課題，本發明之1的低電阻值片狀電阻器，即權利要求1具有以下特徵由金屬板構成的電阻體的背面中在左右兩端部分設置凹部，在此凹部內設置由電阻值低於所述電阻體的金屬構成的連接端子電極，此外，所述電阻體中至少將背面的所述兩個連接端子電極之間的部分用絕緣體覆蓋。
此外，權利要求2具有以下特徵使所述兩個連接端子電極的表面與絕緣體表面大體上為同一平面，或者，使兩連接端子電極的表面突出於絕緣體表面。
此外，權利要求3具有以下特徵在所述兩個連接端子電極形成金屬鍍層。
另外，製造本發明之1的低電阻值片狀電阻器的方法，即權利要求5其特徵在於包括以下工序製作排列多個構成一個片狀電阻器的電阻體、一體化而成的原料金屬板的工序；在所述原料金屬板中至少將其背面用絕緣體覆蓋的工序；所述原料金屬板的背面中在所述各電阻體的左右兩端部分，切除所述絕緣體中的對應於所述各電阻體左右兩端部分的部分而刻製作為凹部的凹槽的工序；在所述原料金屬板的背面中在所述各凹槽內部，用電阻值低於所述原料金屬板的金屬形成作為連接端子電極的金屬鍍層的工序；將所述原料金屬板，按所述各電阻體進行分割的工序。
這樣，在由金屬板構成的電阻體中，通過至少將背面的所述兩個連接端子電極之間的部分用絕緣體覆蓋，當在印刷電路板等上錫焊連接時，可用所述絕緣體阻止熔化的焊錫接觸電阻體的兩連接端子電極之間部分的問題。從而，沒有必要為避免熔化的焊錫的接觸而加大連接端子電極的高度，僅此處理就可以減少片狀電阻器的整體高度，同時可達到輕型化的目的。
又，至於兩連接端子電極之間的電阻值，即片狀電阻器的電阻值，在圖1所示的先行技術結構中，是由構成所述電阻體2的金屬的電阻率及所述電阻體2的寬度W0、在所述電阻體2的背面刻制的凹部3部分的長度L0、和刻制深度為S的凹部3之後剩餘的厚度T來決定的。因此，在所述電阻體2的背面刻制的凹部3的長度L0及深度S的偏差，表現為所述片狀電阻器1的電阻值的偏差。可是，如權利要求1構成中所述，在該電阻體背面中於左右兩端部分設置了凹部，在此凹部內設置有由電阻值低於所述電阻體的金屬構成的連接端子電極，所以在所述電阻體中的背面刻制的凹部的深度對兩連接端子電極之間的電阻值即片狀電阻器的電阻值不構成影響，或影響變小。因而，在刻制凹部時，其深度的加工精度可以不高，只對長度保持高的加工精度就可以了。因此，能減輕對電阻體刻制凹部所需的麻煩，其結果可減少製造成本。
此外，將所述兩個連接端子電極之間的部分用絕緣體覆蓋的情況下，通過對所述兩個連接端子電極，如權利要求2所述將其表面與絕緣體表面大體上為同一平面或者突出於絕緣體表面，當在印刷電路板等上錫焊連接時，可以把所述兩個連接端子電極從印刷電路板的突出部分變小或使之沒有突出部分，因此，具有可提高錫焊的可靠性和強度的優點。
另外，通過將所述兩個連接端子電極，如權利要求3所述用金屬鍍層構成，能進一步減小片狀電阻器的高度，能進一步輕型化。
而且，根據權利要求5所述的方法，可以由一塊原料金屬板製造多個所述構成的片狀電阻器，並且，在凹部內形成金屬鍍層連接端子電極時，在所述原料金屬板的背面所形成的絕緣體作為用於僅在所述凹部內形成所述金屬鍍層的掩模而起作用。換言之，沒有必要對所述原料金屬板的背面進行掩蔽處理，而可以利用所述絕緣體僅在所述凹部內形成金屬鍍層，因此，鍍層工序變得簡單，能大幅度地減少製造成本。
下面，本發明之2的低電阻值片狀電阻器，即權利要求4具有以下特徵在由金屬板構成的電阻體背面的中間部位設置凹部，把所述電阻體背面兩端部分作為一對連接端子電極，在該兩連接端子電極形成金屬鍍層而得到片狀電阻器，並用絕緣體覆蓋所述凹部內部。
而且，製造本發明之2的低電阻值片狀電阻器的方法，其特徵在於包括以下工序製作排列多個構成一個片狀電阻器的電阻體、使之一體化而成的原料金屬板的工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各電阻體的中間部位刻製作為凹部的凹槽的工序；用絕緣體覆蓋所述原料金屬板的背面的所述凹槽內部的工序；在所述原料金屬板的背面形成金屬鍍層的工序；將所述原料金屬板，按所述各電阻體進行分割的工序。
另外，權利要求7的特徵在於，包括製作排列多個構成一個片狀電阻器的電阻體、使之一體化的原料金屬板的工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各電阻體的中間部位刻製作為凹部的凹槽的工序；用絕緣體分別覆蓋所述原料金屬板的表面及所述原料金屬板的背面的所述凹槽內部的工序；在所述原料金屬板的背面形成金屬鍍層的工序；將所述原料金屬板，按所述各電阻體進行分割的工序。
這樣，通過用絕緣體覆蓋電阻體背面的凹部內部，在印刷電路板等上錫焊連接時，可用所述絕緣體阻止熔化的焊錫附著在電阻體中兩連接端子電極之間的部分的問題。因而，沒有必要為了避免所述附著而加大連接端子電極的高度，僅此處理就可以減少片狀電阻器的整體高度，同時可達到輕型化的目的。
此外，至於這種情況的製造方法，如權利要求6以及權利要求7所述，在原料金屬板刻制凹部，用絕緣體覆蓋凹部內部之後，為在各連接端子電極上形成錫焊用鍍層而進行鍍層處理。為此，在該鍍層工序之前覆蓋了所述凹部內部的絕緣體，便充當僅對所述連接端子電極形成錫焊用鍍層的部分鍍層用掩模的功能。從而，可以省略如所述先行技術的，在鍍層工序之前，預先形成部分鍍層用抗蝕劑掩模的工序，以及在鍍層工序之後剝離去除所述部分鍍層用抗蝕劑掩模的工序，因此，隨之製造工序變得簡單，在製造具有所述效果的片狀電阻器時，能大幅度地減少製造成本。
特別是，如權利要求7所述，通過將原料金屬板的表面也用絕緣體覆蓋，在於所述原料金屬板的背面形成錫焊用鍍層的鍍層工序中，可以用該覆蓋在該表面的絕緣體阻止在所述的原材料基板表面形成鍍層。換言之，可以把覆蓋片狀電阻器中的電阻體表面的絕緣體當作為了阻止在鍍層工序中其表面形成金屬鍍層而在該表面預先形成的掩模，因此具有鍍層工序變得簡單，能進一步降低製造成本的優點。
圖1是表示先行技術中的片狀電阻器的立體圖。
圖2是表示本發明第1實施形態的片狀電阻器的立體圖。
圖3是圖2的III-III向剖視圖。
圖4是圖2的仰視圖。
圖5是圖2的V-V向剖視圖。
圖6是圖2的VI-VI向剖視圖。
圖7是表示片狀電阻器製造方法的第1工序的立體圖。
圖8是表示所述製造方法的第2工序的立體圖。
圖9是表示所述製造方法的第3工序的立體圖。
圖10是圖9的X-X向放大剖視圖。
圖11是表示所述製造方法中的第4工序的立體圖。
圖12是圖11的XII-XII向放大剖視圖。
圖13是表示另一製造方法的第1工序的剖視圖。
圖14是表示另一製造方法的第2工序的剖視圖。
圖15是由另一製造方法製造的片狀電阻器的縱剖面主視圖。
圖16是表示本發明第2實施形態的片狀電阻器的立體圖。
圖17是圖16的XVII-XVII向剖視圖。
圖18是圖16的仰視圖。
圖19是表示片狀電阻器製造方法中的第1工序的立體圖。
圖20是表示所述製造方法中的第2工序的立體圖。
圖21是圖20的XXI-XXI向放大剖視圖。
圖22是表示所述製造方法中的第3工序的立體圖。
圖23是圖22的XXIII-XXIII向放大剖視圖。
圖24是表示所述製造方法中的第4工序的立體圖。
圖25是圖24的XXIV-XXIV向放大剖視圖。
具體實施例方式
下面，參照圖2～圖6說明本發明的第1實施形態。在圖中，符號11表示本發明實施形態的片狀電阻器。
此片狀電阻器11具有長度為L、寬度為W的長方形電阻體12。
此電阻體12是由厚度為T的金屬板構成，該金屬是在如銅·鎳合金、鎳·鉻合金或鐵·鉻合金等具有低電阻的基材金屬(以下稱低電阻金屬)中添加電阻比這種基材金屬高的金屬(以下稱高電阻金屬)而形成的合金。
所述電阻體12的表面和背面12a、12b中，在背面12b兩端部分，在距該電阻體12的兩端面12c、12d的長度各為L1、L2的位置，刻制有深度為S的凹部13、14。
又，所述電阻體12的表面12a以及背面12b被耐熱性合成樹脂或玻璃等絕緣體15、16所覆蓋。
此外，在所述電阻體12的背面12b的兩端部分凹部13、14內部，以金屬鍍層形成有銅等純金屬的連接端子電極17、18。
關於該兩個連接端子電極17、18的厚度，其表面與覆蓋所述電阻體12的背面12b的絕緣體16的表面大體上是同一平面，或以相對突出的尺寸設置。
又，在所述兩個連接端子電極17、18的表面，為了容易進行其向印刷電路板等的錫焊，形成有錫或者軟釺料等的鍍層19、20。
另外，在所述片狀電阻器11的側面，視必要性，通過刻制如圖4中用2點虛劃線表示的切(trimming)槽21，調整該片狀電阻器11的電阻值達到設定值。
在此構成狀態的片狀電阻器11中，對印刷電路板等錫焊所述片狀電阻器11時，用覆蓋在所述電阻體12的背面12b的絕緣體16，能夠可靠地阻止熔化的焊錫接觸電阻體12中的兩連接端子電極17、18之間部分的現象。
又，在此構成中，其兩連接端子電極17、18之間的電阻值，即該片狀電阻器11的電阻值，是由構成所述電阻體12的金屬的電阻率、所述電阻體12的寬度W及電阻體12中所述兩個連接端子電極17、18之間的長度L3(L3＝L-L1+L2)決定的。為此，如所述先行技術，可以使所述兩個凹部13、14的深度S對片狀電阻器11的電阻值不構成影響，或使之影響很小。
此外，可以通過以下所述①～⑦各工序來製造此構成的片狀電阻器11。
①如圖7所示，排列多個構成所述一個片狀電阻器11的電阻體12，製作一體的原料金屬板A。這裡，符號B1和B2是對所述原料金屬板A按所述各電阻體12進行分區的縱向切線和橫向切線。
②如圖8所示，將所述原料金屬板A的表面A1以及背面A2，用耐熱性合成樹脂或玻璃等絕緣體15、16覆蓋。
③如圖9及圖10所示，為了在所述電阻體12的兩端部分形成凹部13、14，在所述原料金屬板A的背面A2，通過切削或磨削等機械加工，或者通過雷射照射加工，或者通過壓印加工等，去除該背面A2的絕緣體16中所述兩個凹部13、14部分的絕緣體16，而刻制沿著所述縱向切線B1延伸的凹槽A3。
這裡刻制的凹槽A3的深度是S(參考圖2)，而該凹槽A3的寬度是L4，L4＝L1+L2+α(L1及L2是所述兩個凹部13及14的長度)。按每個電阻體12分割原料金屬板A時，用切割機等沿著縱向切線B1切斷的情況下，把所述α值設置成所述切割機等的切斷幅度即切斷值。另外，用剪斷加工(Shearing加工)進行所述分割操作的情況下，使α＝0，把所述寬度設置為L4＝L1+L2。由此，把各凹槽A3相互之間的距離定為所述片狀電阻器11的兩凹部13、14(兩連接端子電極17、18)之間的長度L3，即，L3是得到所定電阻值的長度。
④如圖11及圖12所示，通過對刻制所述凹槽A3之後的原料金屬板A整體進行鍍敷處理，就在所述各凹槽A3內部形成金屬鍍層A4。這樣，把該金屬鍍層A4作為所述連接端子電極17、18。
⑤如圖11及圖12所示，通過對形成所述金屬鍍層A4之後的原料金屬板A整體進行另一鍍敷處理，在所述金屬鍍層A4的表面形成鍍層A5，把該鍍層A5作為錫焊用鍍層19、20。
⑥然後，通過用切割機等沿著縱向切線B1及橫向切線B2切斷所述原料金屬板A，按各個電阻體12進行分割。並且，可用剪斷加工(Shearing加工)來代替基於切割機等的切斷進行這種分割。
⑦根據需要，通過一邊測定兩連接端子電極17、18之間的電阻值，一邊用雷射照射等方法在側面刻制切槽21，調整所述兩個連接端子電極17、18之間的電阻值，使之達到設定值。
經過上述這些工序，可用一塊原料金屬板A製造多個上述圖2～圖6所示構成的片狀電阻器11。
在該製造中，只在所述凹槽A3內部進行鍍敷處理而形成連接端子電極17、18的情況，以及只在此連接端子電極17、18的表面進行鍍敷處理而形成錫焊用鍍層19、20的情況下，覆蓋所述原料金屬板A的表面和背面A1、A2的絕緣體15、16就充當掩模。
下面，圖13和圖14是表示另一種實施形態的製造方法。
在該另一種實施形態的製造方法中，將所述凹槽A3，如圖13所示，在電阻體12中分為用於形成一側凹部13′的凹槽A3′和用於形成另一側凹部14′的凹槽A3″，把該兩個凹槽A3′、A3″之間的距離(沒有切線B1側凹槽A3′、A3″之間的相互距離)作為得到所定電阻值的長度L3。
然後，在所述各凹槽A3′、A3″內部，如圖14所示，通過鍍敷處理形成金屬鍍層A4′、A4″，就把這個金屬鍍層A4′、A4″作為連接端子電極17′、18′。其他與所述①～⑦的製造方法相同，用該製造方法，可以得到圖15所示構成的片狀電阻器11′。
總而言之，本發明第1實施形態中所謂『在電阻體的背面中的左右兩端部分製作凹部』，包含兩種情況，一種情況如圖3所示，兩凹部13，14連接到電阻體12的兩端面12c、12d；另一種情況如圖15所示，形成各連接端子電極17′、18′的兩凹部13′、14′沒有連接到電阻體12′的兩端面12c′、12d′，而是接近。
下面參照圖16～圖20說明本發明的第2種實施形態。
在這些圖中，符號111表示本發明的第2種實施形態的片狀電阻器。
此片狀電阻器111有長度為L、寬度為W的長方形電阻體112。
此電阻體112是由厚度為T的金屬板構成，該金屬是在如銅·鎳合金、鎳·鉻合金或鐵·鉻合金等低電阻基材金屬(以下稱低電阻金屬)中添加電阻比該基材金屬高的金屬(以下稱高電阻金屬)而形成的合金。
在所述電阻體112的表面和背面兩個面中的背面中，通過在其中間部刻制長度為L0、深度為S的凹部113，從而在其兩端部分形成連接端子電極117、118。
為了容易錫焊連接在印刷電路板等的，在該兩個連接端子電極117、118形成有如以鍍銅為底進行鍍錫而形成的鍍層119、120。
然後，將所述電阻體112的表面用耐熱性合成樹脂或玻璃等絕緣體115覆蓋，再將背面的凹部13內部用耐熱性合成樹脂或玻璃等絕緣體116覆蓋。
此外，根據需要，在所述片狀電阻器111的側面，刻制了如圖18中用2點虛劃線表示的切槽121，從而調整該片狀電阻器111的電阻值使之達到設定值。
將此構成狀態的片狀電阻器111，錫焊連接在印刷電路板等時，可用覆蓋所述電阻體112的背面中凹部113內部的絕緣體116，可靠地阻止熔化的焊錫接觸電阻體112中的兩連接端子電極117、118之間部分的現象。
此外，可以通過以下所述①～⑥各工序來製造此構成的片狀電阻器111。
①如圖19所示，排列多個構成所述一個片狀電阻器111的電阻體112，製作一體的原料金屬板C。這裡，符號D1和D2是對所述原料金屬板C按所述各電阻體112進行分區的縱向切線和橫向切線。
②在所述原料金屬板C的表面C1以及背面C2中，把背面C2朝上，在此背面C2中各電阻體112的中間部，如圖20及圖21所示，通過切削或磨削等機械加工，或者通過雷射照射加工，或者通過壓印加工等，刻制平行於所述縱向切線D1而延伸的凹部113。
這裡刻制的凹部113的深度是S，而該凹部113的寬度是L0(參考圖16)。
③接著，如圖22及圖23所示，在所述原料金屬板C的表面，覆蓋耐熱性合成樹脂或玻璃等絕緣體18，再將背面C2的各凹部113內部用耐熱性合成樹脂或玻璃等絕緣體116覆蓋。
④接著，通過對所述原料金屬板C在鍍敷溶液中進行鍍敷處理，如圖24及圖25所示，在此原料金屬板C的背面C2中除了覆蓋所述凹部113內部的絕緣體116的部分，即在各電阻體112的兩連接端子電極117、118部分形成鍍層119、120。
⑤然後，通過用切割機等沿著縱向切線D1及橫向切線D2切斷所述原料金屬板C，按各個電阻體112進行分割。此外，將此原料金屬板C切斷成各電阻體112的操作，可以通過剪斷加工(Shearing加工)進行。
⑥接著，根據需要，一邊測定兩連接端子電極117、118之間的電阻值，一邊在側面用雷射照射等方法刻制切槽121，從而調整所述兩個連接端子電極117、118之間的電阻值，使之達到設定值。
經過這些工序，可用一塊原料金屬板C製造多個上述圖16～圖18所示構成的片狀電阻器111。
該製造中，只在所述原料金屬板C的背面C2的各連接端子電極117、118的部分進行鍍敷處理而形成鍍層119、120的情況下，覆蓋所述原料金屬板C的表面和背面C1、C2的絕緣體115、116就充當鍍敷用掩模。
權利要求書(按照條約第19條的修改)1.一種低電阻值片狀電阻器，其特徵在於，在由金屬板構成的電阻體背面的左右兩端部分設置凹部，在此凹部內用電阻值低於所述電阻體的金屬設置連接端子電極，同時所述電阻體中至少將背面的所述兩個連接端子電極之間的部分用絕緣體覆蓋。
2.根據權利要求1所述的低電阻值片狀電阻器，其特徵在於，使所述兩個連接端子電極的表面與絕緣體表面大體上為同一平面，或者使所述兩連接端子電極的表面突出於絕緣體表面。
3.根據權利要求1或2所述的低電阻值片狀電阻器，其特徵在於，在所述兩個連接端子電極形成金屬鍍層。
4.(修改)一種低電阻值片狀電阻器的製造方法，包括製作排列多個構成一個片狀電阻器的電阻體、一體化而成的原料金屬板的工序；在所述原料金屬板中至少將其背面用絕緣體覆蓋的工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各電阻體的左右兩端部分，邊切除所述絕緣體中的對應於所述各電阻體左右兩端的部分，邊刻製作為凹部的凹槽的工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各凹槽內部，用電阻值低於所述原料金屬板的金屬形成作為連接端子電極的金屬鍍層的工序；對所述原料金屬板，按所述各電阻體進行分割的工序。
5.(刪除)6.(刪除)7.(刪除)
權利要求
1.一種低電阻值片狀電阻器，其特徵在於，在由金屬板構成的電阻體背面左右兩端部分設置凹部，在此凹部內用電阻值低於所述電阻體的金屬設置連接端子電極，同時所述電阻體中至少將背面的所述兩個連接端子電極之間的部分用絕緣體覆蓋。
2.根據權利要求1所述的低電阻值片狀電阻器，其特徵在於，使所述兩個連接端子電極的表面與絕緣體表面大體上為同一平面，或者使兩連接端子電極的表面突出於絕緣體表面。
3.根據權利要求1或2所述的低電阻值片狀電阻器，其特徵在於，在所述兩個連接端子電極形成金屬鍍層。
4.一種低電阻值片狀電阻器，在由金屬板構成的電阻體背面的中間部位設置凹部，把所述電阻體背面兩端部分作為一對連接端子電極，在該兩個連接端子電極上形成鍍層，其特徵在於，用絕緣體覆蓋所述凹部內部。
5.一種低電阻值片狀電阻器的製造方法，包括製作排列多個構成一個片狀電阻器的電阻體、一體化而成的原料金屬板的工序；在所述原料金屬板中至少將其背面用絕緣體覆蓋的工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各電阻體的左右兩端部分，邊切除所述絕緣體中的對應於所述各電阻體左右兩端的部分，邊刻製作為凹部的凹槽的工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各凹槽內部，用電阻值低於所述原料金屬板的金屬形成作為連接端子電極的金屬鍍層的工序；對所述原料金屬板，按所述各電阻體進行分割的工序。
6.一種低電阻值片狀電阻器的製造方法，包括製作排列多個構成一個片狀電阻器的電阻體、一體而成的原料金屬板的工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各電阻體的中間部位刻製作為凹部的凹槽的工序；用絕緣體覆蓋所述原料金屬板的背面的所述凹槽內部的工序；在所述原料金屬板的背面形成鍍層的工序；對所述原料金屬板，按所述各電阻體進行分割的工序。
7.一種低電阻值片狀電阻器的製造方法，包括製作排列多個構成一個片狀電阻器的電阻體、一體而成的原料金屬板的作工序；在所述原料金屬板的背面中於所述各電阻體的中間部位刻製作為凹部的凹槽的工序；用絕緣體分別覆蓋所述原料金屬板的表面及所述原料金屬板的背面的所述凹槽內部的工序；在所述原料金屬板的背面形成鍍層的工序；對所述原料金屬板，按所述各電阻體進行分割的工序。
全文摘要
在由金屬板構成的電阻體背面的兩端部分，通過設置對應於該電阻體的連接端子電極，作為低電阻值的電阻器中，降低其高度而達到輕型化的目的，同時減少成本。在所述的電阻體背面兩端部分設置凹部，在此凹部內設置所述的連接端子電極，同時所述的電阻體中至少在背面的所述兩個連接端子電極之間的部分覆蓋絕緣體，或者在所述電阻體背面中間部位設置凹部，把背面兩端部分作為一對連接端子電極，在所述中間部位的凹部內覆蓋絕緣體。
文檔編號H01C7/00GK1524274SQ0380062
公開日2004年8月25日 申請日期2003年6月12日 優先權日2002年6月19日
發明者塚田虎之, 田虎之 申請人:羅姆股份有限公司