一種可編程熔絲結構的製作方法

2023-06-19 06:22:31 1

本發明涉及一種半導體器件，尤指涉及一種可編程熔絲結構。

背景技術：

常規的多晶矽熔絲的形成方法，包括：提供一襯底，所述襯底具有隔離結構；在所述襯底表面熱氧化一層氧化矽；在所述氧化矽及隔離結構表面沉積多晶矽，對所述多晶矽進行摻雜；刻蝕所述多晶矽形成兩頭寬中間窄的熔絲結構.。該方法形成的熔絲結構，首先，不利於控制熔斷的具體位置，可能會導致在襯底上的熔斷，由於過熱會影響襯底上其他器件的正常工作；其次，熔絲佔用的襯底表面積較大，不利於高密度化的器件集成，且多個平行的熔絲間的電容電感較大，容易互相串擾。

技術實現要素：

基於解決上述問題，本發明提供了一種可編程熔絲結構，包括：

襯底；

在所述襯底上表面的淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構的頂面高於所述襯底的上表面；

位於淺溝槽隔離結構中的一可編程熔絲，所述可編程熔絲包括兩第一電極、分別連接兩第一電極的兩個第一垂直部分以及連接兩個第一垂直部分的第一水平部分；

其中，兩第一電極位於所述淺溝槽隔離結構的上表面的兩端，兩個第一垂直部分沿著所述淺溝槽隔離結構的深度方向具有第一長度，所述第一水平部分被淺溝槽隔離結構的隔離材料覆蓋，且在所述淺溝槽隔離結構中具有第一深度。

根據本發明的實施例，所述熔絲結構為多晶矽熔絲結構。

根據本發明的實施例，所述兩電極的寬度大於所述垂直部分和所述水平部分的寬度。

根據本發明的實施例，所述垂直部分和所述水平部分的寬度相同。

根據本發明的實施例，所淺溝槽隔離結構的隔離材料為氧化矽。

根據本發明的實施例，還包括在所述淺溝槽隔離結構中的另一熔絲結構。

根據本發明的實施例，所述另一可編程熔絲包括兩第二電極、分別連接兩第二電極的兩個第二垂直部分以及連接兩個第二垂直部分的第二水平部分；其中，兩第二電極位於所述淺溝槽隔離結構的上表面的另一兩端，兩個第二垂直部分沿著所述淺溝槽隔離結構的深度方向具有第二長度，所述第二水平部分被淺溝槽隔離結構的隔離材料覆蓋，且在所述淺溝槽隔離結構中具有第二深度。

根據本發明的實施例，所述第二深度大於所述第一深度，所述第二長度大於所述第一長度。

根據本發明的實施例，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夾角。

根據本發明的實施例，還包括在淺溝槽隔離結構中的多個其他熔絲結構，所述多個其他熔絲結構與所述熔絲結構相同。

本發明的技術方案，利用淺溝槽隔離結構中設置熔絲結構，節省襯底表面的佔用面積，且利用淺溝槽隔離結構的隔離結構進行多個熔絲結構的互相隔離，簡單易行；此外，多個熔絲結構在投影上具有一定的夾角，不會平行，幹擾較小，並且，利用垂直部分的多晶矽的厚度較薄，電阻較大的特性，控制在此進行電熔斷，實現精確控制熔斷位置，避免對襯底的高溫影響。

附圖說明

圖1為本發明可編程熔絲結構的剖面圖；

圖2為本發明可編程熔絲結構的俯視圖。

具體實施方式

參見圖1和2，本發明提供了一種可編程熔絲結構，包括：襯底1，一般而言，該襯底1為矽襯底，當然也可能是其他半導體襯底；在所述襯底1上表面的淺溝槽隔離結構2，所述淺溝槽隔離結構2具有氧化物隔離材料，且所述淺溝槽隔離結構2的頂面高於所述襯底1的上表面；位於淺溝槽隔離結構2中的一可編程熔絲，所述熔絲結構為多晶矽熔絲結構；所述可編程熔絲包括兩第一電極3a和4a、分別連接兩第一電極3a和4a的兩個第一垂直部分6a和7a以及連接兩個第一垂直部分6a和7a的第一水平部分5a；其中，兩第一電極3a和4a位於所述淺溝槽隔離結構2的上表面的兩端，兩個第一垂直部分6a和7a沿著所述淺溝槽隔離結構2的深度方向具有第一長度，所述第一水平部分5a被淺溝槽隔離結構的隔離材料覆蓋，且在所述淺溝槽隔離結構2中具有第一深度。

還包括另一熔絲結構，所述述另一可編程熔絲包括兩第二電極3b和4b、分別連接兩第二電極3b和4b的兩個第二垂直部分6b和7b以及連接兩個第二垂直部分6b和7b的第二水平部分5b；其中，兩第二電極3b和4b位於所述淺溝槽隔離結構2的上表面的另一兩端，兩個第二垂直部分6b和7b沿著所述淺溝槽隔離結構2的深度方向具有第二長度，所述第二水平部分5b被淺溝槽隔離結構2的隔離材料覆蓋，且在所述淺溝槽隔離結構2中具有第二深度。其中，所述第二深度大於所述第一深度，所述第二長度大於所述第一長度，所述第二水平部分和所述第一水平部分呈一非零的夾角，優選為90度。所述兩第一和第二電極的寬度大於所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的寬度。所述第一和第二垂直部分和所述第一和第二水平部分的寬度相同。

根據本發明的實施例，根據本發明的實施例，還包括在淺溝槽隔離結構中的多個其他熔絲結構，所述多個其他熔絲結構與所述熔絲結構相同，與之不同的是，水平部分的深度不同，具有不同在溝槽隔離結構中的深度。

最後應說明的是：顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明本發明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見的變化或變動仍處於本發明的保護範圍之中。