威騰電子推出新款3D NAND iNAND 嵌入式快閃記憶體盤
2023-07-02 21:07:45 1
今天，威騰電子公司在京舉辦了一場發布會，宣布推出全新先進的iNAND嵌入式快閃記憶體盤 (EFD) ，採用了威騰電子的64層3D NAND技術和先進的UFS與e.MMC接口技術。可以為智慧型手機用戶帶來更好的使用體驗。
兩款新品的型號分別是閃迪iNAND8521和iNAND 7550嵌入式快閃記憶體盤，兩款新品在容量上達到了256GB的高容量，可以為以數據為中心的大量應用加速，包括增強現實（AR）、高解析度視頻捕捉和豐富的社交媒體體驗，當然還有新興的終端人工智慧 (AI) 和物聯網 (IoT)體驗。
威騰電子公司 嵌入式及集成解決方案(EIS) 產品市場管理總監-包繼紅女士
據介紹，iNAND 8521嵌入式快閃記憶體盤是專為大量數據的用戶需求設計，採用UFS 2.1接口和威騰電子新型第五代SmartSLC 技術。相比上一代的iNAND 7232嵌入式快閃記憶體而言，新品在速度上也得到了極大的提升，順序寫入速度翻倍，而隨機寫入更是過去的十倍，用戶在玩AR遊戲或者下載數據的時候，都可以得到更好體驗。
另一款iNAND 7550嵌入式快閃記憶體盤則基於e.MMC 5.1規範，是目前威騰電子基於廣為使用的e.MMC接口的高性能iNAND嵌入式解決方案，可提供高達260 MB/秒的順序寫入性能以及20K IOPS和15K IOPS的隨機讀/寫性能，更有助於同時加快自身和應用啟動的速度。
Counterpoint Research智能設備及生態系統研究總監閆佔孟先生預計到2018年末，智慧型手機的平均存儲容量將超過60GB，用以支持由設備上人工智慧和增強現實所帶來的日益增多的豐富多媒體內容和數據驅動體驗。將大大推動了產品向先進的3D NAND嵌入式快閃記憶體解決方案演進。■
本文編輯：宋陽
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