一種石斛種植培養的配比方法
2023-05-26 14:56:06 3
一種石斛種植培養的配比方法
【專利摘要】本發明公開了一種石斛種植培養的配比方法，其主要成分為粒徑為1-2mm的石子；面積為2-5cm2，含水量為50%左右的松樹皮以及花生殼。其中石子在託盤底部鋪厚度為1-2cm，松樹皮鋪厚度為2-4cm，花生殼蓋滿至石斛根部。其中大量的石子給石斛模擬了野生石斛生長的石縫，使石斛肉質更加肥厚，藥效更加顯著，而且松樹皮具有高有機質含量、穩定的pH值、使用時間長等特點，含水量為50%左右的松樹皮保證了石斛對環境的溼度溫度的要求，花生殼非常透氣，腐爛後的花生殼很有營養，還為石斛留出了新根的生長空間，促進石斛生長，是長效、無汙染、無公害、無殘留的、理想的綠色肥料，並且本介紹中所屬材料均為易得品，便於獲得，降低了石斛種植的困難。
【專利說明】-種石斛種植培養的配比方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及植物種植材料領域，特別是涉及一種石斛的種植培養基配比方法。
【背景技術】
[0002] 石斛，莖直立，肉質狀肥厚，稍扁的圓柱形，長10?60釐米，粗達1. 3釐米。藥用植 物，性味甘淡微鹹，寒，歸胃、腎，肺經。益胃生津，滋陰清熱。用於陰傷津虧，口乾煩渴，食少 乾嘔，病後虛熱，目暗不明。石斛喜在溫暖、潮溼、半陰半陽的環境中生長，以年降雨量1000 毫米以上、空氣溼度大於80%、1月平均氣溫高於8°C的亞熱帶深山老林中生長為佳，對土 肥要求不甚嚴格，野生多在疏鬆且厚的樹皮或樹幹上生長，有的也生長於石縫中。申請號為 200810233727. 9的石斛種植方法主要敘述的為石斛的種植方法，對石斛的種植原料介紹過 於簡單，並且其選擇的材料多為化學藥劑，對於普通種植者並不容易得到。
【發明內容】
[0003] 本發明主要解決的技術問題是提供一種石斛種植培養基的配比方法，不僅能提高 石斛的產量及質量的問題，而且其所需材料為常見物品，也降低了石斛的種植難度。
[0004] 為實現本發明的目的，本發明的技術方案如下：
[0005] -種石斛種植培養基的配比方法，所述培養基的基質包括在託盤底部鋪厚度為 l-2cm的石子，在石斛種植的託盤底部平均平鋪，其上鋪滿厚度為2-4cm的松樹皮以及花生 殼填於其上蓋滿至石斛根部，種植位置須夏季遮光40-60 %，春秋冬三季遮光25-35 %，種 植溫度為18-30度，生長期時，每十天施肥一次，直至冬季或假球莖成熟。
[0006] 優選的，所述石子為粒徑為l_2mm的石子。
[0007] 優選的，所述花生殼為腐爛後的花生殼碎。
[0008] 優選的，所述松樹皮面積為2_5cm2,且含水量為50%左右。
[0009] 優選的，所述種植溫度晝夜須有溫差，晝夜溫差為10-15度。
[0010] 優選的，所述石斛所施肥料為腐熟的液體有機肥料或化肥。
[0011] 有益效果：本發明提供了一種石斛種植培養基的配比方法，即在託盤底部鋪 l_2cm的石子，鋪2_4cm的松樹皮。其中石子粒徑為l_2mm的，松樹皮大小為2_5cm ;松樹 皮含水量為50%左右。其中大量的石子給石斛模擬了野生石斛生長的石縫，使石斛肉質 更加肥厚，藥效更加顯著，而且松樹皮具有高有機質含量、高空隙率、總截流面廣、良好的 吸附效果、穩定的PH值、使用時間長等特點，含水量為50%左右的松樹皮保證了石斛對環 境的溼度溫度的要求，花生殼主要成分中乾物質佔90. 3%，其中粗蛋白質4. 8% -7. 2%， 粗脂肪1 %" I. 1 %，粗纖維素65. 7 % -79. 3 %，半纖維素10. 1 %，可溶性碳水化合物為 10. 6% -21. 2%，粗灰分 L 9% -4. 6%，含鈣 0? 24% -0? 27%，磷 0? 08% -0? 09%，花生 殼含有鈣、磷等元素有助於植物的生長，並且本介紹中所屬材料均為易得品，便於獲得，降 低了石斛種植的困難。
【具體實施方式】
[0012] 為使本發明實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白了解，下面結合
【具體實施方式】，進一步闡述本發明。
[0013] 實施例1
[0014] 一種石斛種植培養基的配比方法，所述培養基的基質包括在託盤底部鋪厚度為 I. 5cm的石子，在石斛種植的託盤底部平均平鋪，其上鋪滿厚度為2cm的松樹皮以及花生殼 填於其上蓋滿至石斛根部，種植位置須夏季遮光50 %，春秋冬三季遮光30 %，種植溫度為 25度，生長期時，每十天施肥一次，直至冬季或假球莖成熟。石子為粒徑為1-2_的石子。 花生殼為腐爛後的花生殼碎。松樹皮面積為4-5cm 2，且含水量為50%。種植溫度晝夜須有 溫差，晝夜溫差為12度。石斛所施肥料為腐熟的液體有機肥料。
[0015] 實施例2
[0016] 一種石斛種植培養基的配比方法，所述培養基的基質包括在託盤底部鋪厚度為 2cm的石子，在石斛種植的託盤底部平均平鋪，其上鋪滿厚度為3cm的松樹皮以及花生殼填 於其上蓋滿至石斛根部，種植位置須夏季遮光45 %，春秋冬三季遮光32 %，種植溫度為20 度，生長期時，每十天施肥一次，直至冬季或假球莖成熟。石子為粒徑為l_2mm的石子。花 生殼為腐爛後的花生殼碎。松樹皮面積為3-4cm 2，且含水量為52%。種植溫度晝夜須有溫 差，晝夜溫差為10度。石斛所施肥料為腐熟的液體有機肥料。
[0017] 實施例3
[0018] 一種石斛種植培養基的配比方法，所述培養基的基質包括在託盤底部鋪厚度為 2cm的石子，在石斛種植的託盤底部平均平鋪，其上鋪滿厚度為4cm的松樹皮以及花生殼填 於其上蓋滿至石斛根部，種植位置須夏季遮光55%，春秋冬三季遮光30 %，種植溫度為29 度，生長期時，每十天施肥一次，直至冬季或假球莖成熟。石子為粒徑為l_2mm的石子。花 生殼為腐爛後的花生殼碎。松樹皮面積為2-4cm 2，且含水量為48%。種植溫度晝夜須有溫 差，晝夜溫差為13度。石斛所施肥料為化肥。
【權利要求】
1. 一種石斛種植培養基的配比方法，其特徵在於：所述培養基的基質包括在託盤底 部鋪厚度為l_2cm的石子，在石斛種植的託盤底部平均平鋪，其上鋪滿厚度為2-4cm的松 樹皮以及花生殼填於其上蓋滿至石斛根部，種植位置須夏季遮光40-60%，春秋冬三季遮光 25-35%，種植溫度為18-30度，生長期時，每十天施肥一次，直至冬季或假球莖成熟。
2. 根據權利要求1所述的一種石斛種植培養基的配比方法，其特徵在於：所述石子為 粒徑為l_2mm的石子。
3. 根據權利要求1所述的一種石斛種植培養基的配比方法，其特徵在於：所述花生殼 為腐爛後的花生殼碎。
4. 根據權利要求1所述的一種石斛種植培養基的配比方法，其特徵在於：所述松樹皮 面積為2-5cm2,且含水量為50%左右。
5. 根據權利要求1所述的一種石斛種植培養基的配比方法，其特徵在於：所述種植溫 度晝夜須有溫差，晝夜溫差為1〇_15度。
6. 根據權利要求1所述的一種石斛種植培養基的配比方法，其特徵在於：所述石斛所 施肥料為腐熟的液體有機肥料或化肥。
【文檔編號】A01G31/00GK104303972SQ201410545765
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月15日 優先權日:2014年10月15日
【發明者】杜月英 申請人:霍山縣祥英中藥材有限公司