半導體雷射裝置及其製造方法
2023-05-26 05:47:41
專利名稱：半導體雷射裝置及其製造方法
專利說明半導體雷射裝置及其製造方法 [發明所屬的技術領域]本發明涉及半導體雷射裝置及其製造方法，尤其涉及用作光信息處理的半導體雷射裝置及其製造方法。近年來為了實現CD-R/RW的高速化，希望為此而使用的780nm波段的半導體雷射器有大的輸出功率。限制半導體雷射器實現大輸出功率的主要原因之一是半導體雷射器出射端面的退化，這種退化稱之為COD(破壞性光學損傷)，起因於在出射端面附近存在缺陷而引起光吸收。
為了抑制這種出射端面的COD退化，正在實現在出射端面形成無光吸收的區域，亦即帶隙大的區域的窗口結構的雷射器。例如，此事在Sharp技報1991年9月第50號第33～36頁上作了說明。
圖14是具有現有窗口結構的半導體雷射器的局部斜視圖。圖15是示出具有現有窗口結構的半導體雷射器的製造工序的半導體雷射器的局部斜視圖。
在圖14中，代號100是半導體雷射器，102是n型GaAs襯底(以下將n導電類型記作「n-」、將p導電類型記作「p-」、將本徵半導體記作「i-」)。104是n-Al0.5Ga0.5As下包覆層，106是具有i-Al0.1Ga0.9As阱層的MQW有源層，108是p-Al0.5Ga0.5As第1上包覆層，110是n-AlGaAs電流阻擋層，112是p-AlGaAs第2上包覆層，114是p-GaAs接觸層，116是其帶隙比MQW有源層106大的i-Al0.5Ga0.5As窗口層，118是電極。
製造方法大致如下。
在圖15(a)中，在n-GaAs襯底102上用外延生長法層疊下包覆層104、MQW有源層106、第1上包覆層108，在用刻蝕法留脊後，再用選擇生長法形成電流阻擋層110，在脊和電流阻擋層110上形成第2上包覆層112和接觸層114。這些工序的結果如圖15(a)所示。
其後，將n-GaAs襯底102的背面研磨至100μm左右，將雷射器端面解理，通過晶體生長形成窗口層116。這些工序的結果如圖15(b)所示。
接著形成電極118，完成圖14所示的半導體雷射器。現有的半導體雷射器100按上述方式構成，然而，這種半導體雷射器100存在的問題是，必須採取在將雷射器端面解理後在解理面上生長窗口層116的窗口結構的製造方法，在解理之後形成窗口層116和電極118，因而製造工藝變得很複雜。
還有，在特許2827919號公報上，記述了下述發明在MQW有源層上設置第1上包覆層，在第1上包覆層表面上形成離子注入掩模圖形，用低能雜質注入使雷射器端面附近的MQW有源層無序化，以此形成窗口結構。然而，如無法正確控制這種無序化的程度，往往會因不當的無序化程度而產生不了窗口效果，在實際使用中造成退化等問題。
本發明就是為了消除上述問題而提出的，第1個目的在於，提供COD退化的分散度小並且可靠性高的半導體雷射裝置，第2個目的在於，提供工序簡單並且成品率高的製造方法以製造COD退化的分散度小的半導體雷射裝置。本發明的半導體雷射裝置包括第1導電類型的半導體襯底，在該半導體襯底上設置的第1導電類型的第1包覆層，在該第1包覆層上設置的量子阱結構的有源層，在該有源層上設置的第2導電類型的第1個第2包覆層，位於雷射諧振腔端面附近的、包含有源層的、從第1個第2包覆層的表面將雜質摻入半導體襯底一側的疊層內而設置的無序化區域，以及經第1個第2包覆層與該無序化區域的有源層相對、包含在第1個第2包覆層的表面上設置的第2導電類型的第2個第2包覆層、同時在諧振腔長邊方向延伸的光波導，在激射波長為770～810nm的半導體雷射器中，若以激發光照射無序化區域時所產生的光螢光的波長記作λdp1(nm)，以激發光照射有源層時所產生的光螢光的波長記作λap1(nm)，並將藍移量λb1(nm)定義為λb1＝λap1-λdp1，則λb1≥20成立，由此可斷定這是通過使有源層無序化形成窗口層，使COD水平得以提高的半導體雷射器。
此外，在將雷射器的COD水平記作Pcod(mW)時，藍移量λb1(nm)進而滿足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，能夠通過求得藍移量λb1來預測產品的COD水平Pcod。
此外，除光波導的頂部外，還具有在含有光波導側面的第1個第2包覆層上敷設的絕緣膜，由此可斷定，這是在簡單條形結構半導體雷射器中通過使有源層無序化形成窗口層，使COD水平得以提高的一種半導體雷射器。
還有，進而從具有以掩埋第1個第2包覆層上的光波導周圍的方式敷設的第1導電類型的電流阻擋層而得到的掩埋結構的半導體雷射器可斷定，這是通過使有源層無序化形成窗口層，使COD水平得以提高的一種半導體雷射器。
還有，本發明的半導體雷射裝置的製造方法包括依次形成在第1導電類型的半導體襯底上的第1導電類型的第1包覆層、量子阱結構的有源層及第2導電類型的第1個第2包覆層的第1工序；在第1個第2包覆層的表面上，形成在半導體雷射器的諧振腔端面的一定區域有開口的、摻入雜質用的掩模圖形的第2工序；以摻入雜質用的掩模圖形作為掩模摻入雜質，使諧振腔端面附近的有源層無序化的第3工序；以激發光照射無序化區域使之產生光螢光，並根據該光螢光波長的測量預測COD退化水平的第4工序；去除摻入雜質用的掩模圖形、在第1個第2包覆層的表面上形成第2導電類型的第2個第2包覆層的第5工序；在第2個第2包覆層的表面上形成經第1和第2個第2包覆層與無序化有源層相對，在諧振腔長邊方向延長的條形掩模圖形的第6工序；以條形掩模圖形作掩模、形成具有第2個第2包覆層的光波導的第7工序，由此可以在製造工藝中預測半導體雷射器的COD退化水平。
此外，在第4工序中，將以激發光照射無序化區域時所產生的光螢光的波長記作λdp1(nm)，以激發光照射有源層時所產生的光螢光的波長記作λap1(nm)，藍移量λb1(nm)定義為λb1＝λap1-λdp1，由λb1≥20成立，可斷定COD水平因使激射波長為770～810nm的半導體雷射器的有源層無序化形成窗口層而得到提高。
此外，當將雷射器的COD水平記作Pcod(mW)時，由藍移量λb1(nm)進而滿足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，可預測產品的COD水平Pcod。[圖1]本發明的半導體雷射器的雷射出射端面的正視圖。半導體雷射器沿圖1的II-II截面的截面圖。按照本發明的半導體雷射器的製造工序示出的雷射出射端面的正視圖。圖3的IV-IV截面的截面圖。按照本發明的半導體雷射器的製造工序示出的雷射出射端面的正視圖。圖5的VI-VI截面的截面圖。示出本發明半導體雷射器的光螢光測量的原理圖。按照本發明的半導體雷射器的製造工序示出的雷射出射端面的正視圖。圖8的IX-IX截面的截面圖。按照本發明的半導體雷射器的製造工序示出的雷射出射端面的正視圖。按照本發明的半導體雷射器的製造工序示出的雷射出射端面的正視圖。示出本發明的半導體雷射器窗口層的PL光的波長(nm)與該半導體雷射器的COD水平(mW)的關係圖。示出本發明的半導體雷射器的COD水平與藍移量的關係圖。具有現有窗口結構的半導體雷射器的局部斜視圖。示出具有現有窗口結構的半導體雷射器的製造工序的半導體雷射器的局部斜視圖。實施例在本實施例的激射波長為770～810nm的半導體雷射器中，將雜質摻入(注入或擴散)半導體雷射器端面附近的MQW有源層，形成無序化區域，並以此為窗口層，以激發光照射該窗口層，測量窗口層的光螢光的波長λdp1(nm)，以激發光照射不具有窗口層的有源層時所產生的光螢光的的波長λap1(nm)與窗口層光螢光的波長λdp1(nm)之差定義為藍移量λb1(nm)，根據工藝過程中各階段的藍移量λb1可以預測產品的COD水平。
圖1是本發明的半導體雷射器的雷射出射端面的正視圖。還有，圖2是本發明的半導體雷射裝置沿圖1的II-II截面的截面圖。
在圖1和圖2中，10是半導體雷射器，是激射波長為770～810nm的半導體雷射器。12是n-GaAs襯底，14是作為在n-GaAs襯底12上敷設的第1包覆層的n-Al0.5Ga0.5As的下包覆層，16是在下包覆層14上敷設的、具有i-Al0.1Ga0.9As的阱層以及Al0.3Ga0.7As的阻擋層和引導層的MQW有源層，18是在該MQW有源層上敷設的作為第1個第2包覆層的p-Al0.5Ga0.5As的第1上包覆層。
20是在半導體雷射器10的諧振腔端面附近的發光區域敷設的無序化區域的窗口層，亦即從第1上包覆層18的表面通過離子注入或擴散摻入雜質使MQW有源層無序化以增大帶隙，從而對雷射透明的區域。
即，由於原來的MQW有源層16的阱層以及阻擋層和引導層的無序化，相對地增大了阱層所在部分的Al組分的比例，從而增大了帶隙。
22是在第1上包覆層18和窗口層20上敷設的、作為第2個第2包覆層的p-Al0.5Ga0.5As的第2上包覆層，24是在該第2上包覆層22上敷設的p-GaAs的接觸層。用第2上包覆層22和接觸層24形成一個脊25，作為沿光波導方向的光波導。接觸層24敷設在脊25的頂部。
26是諸如SiON膜之類的絕緣膜，它敷設在該脊25的兩側以及脊25的周邊部分的第2上包覆層25的表面上，用來阻擋電流。28是敷設在半導體雷射器表面的p側電極，30是敷設在n-GaAs襯底12背面的n側電極。
下面對本實施例的半導體雷射器的製造方法加以說明。
圖3、圖5、圖8、圖10和圖11是按照本實施例的半導體雷射器的製造工序所示的半導體雷射器的雷射出射端面的正視圖。
另外，圖4是圖3的IV-IV截面的截面圖，圖6是圖5的VI-VI截面的截面圖，圖9是圖8的IX-IX截面的截面圖。
圖10的X-X截面和圖11的XI-XI截面與圖9所示的截面相同。
圖7是示出本實施例中半導體雷射器的光螢光測量的原理圖。
首先，參照圖3和圖4，用外延生長法在n-GaAs襯底12上形成下包覆層14、MQW有源層16、第1上包覆層18。
其次，參照圖5和圖6，在第1上包覆層18的表面上塗敷抗蝕劑，形成有開口42的掩模圖形40，以便在雷射諧振腔的端面形成窗口層20。從該掩模圖形40的上方採用擴散或離子注入等方法從開口處摻入雜質，進而退火，以使MQW有源層16無序化，形成窗口層20。圖5和圖6的箭頭表示擴散或離子注入。在離子注入的場合，離子注入的加速電壓約為50keV～150keV，劑量約為1×1013～1×1015/cm2。
退火後，去除抗蝕劑，從晶片上方照射激發光，測量從窗口層20發射的光螢光。這種測量示於圖7。在圖7中，44是激發光，46是從窗口層20發射的光螢光，48是測量光螢光的測量儀器。
其後，在第1上包覆層18和窗口層20上形成第2上包覆層22，並在第2上包覆層22上形成接觸層24。圖8和圖9示出了這種情況。
下面，在發光區域的諧振腔長邊方向形成抗蝕劑之類的條形掩模圖形(圖中未示出)，以該掩模圖形作為掩模對第2上包覆層22進行刻蝕，使之留下預定的厚度，形成脊25。圖10示出了這種情形。
其次，去除脊25的頂部，在脊25的側面和脊25周圍的第2上包覆層22上形成絕緣膜26以阻擋電流。圖11示出了這種情形。
其後，在脊25頂部的接觸層24上和絕緣膜上形成p側電極28，將n-GaAs襯底12的背面研磨至100μm左右，在該n-GaAs襯底的背面形成n側電極30，最後進行解理，完成圖1和圖2所示的半導體雷射器。
採用這樣的工藝流程形成窗口結構的雷射器比起解理後形成窗口層的結構，其特點為，可通過晶片工藝流程形成窗口層和形成電極，從而易於批量生產。
其次，就從晶片上方照射激發光並測量從窗口層20發射的光螢光(以下稱為PL光)加以說明。
圖12是該實施例中的半導體雷射器的窗口層20的PL光的波長(nm)和該半導體雷射器的COD水平(mW)的關係圖。即，圖12示出了半導體雷射器端面破壞後的光輸出功率和PL光的波長之間的關係。
樣品A、樣品B和樣品C是具有同樣結構的半導體雷射器，只是改變了部分製造條件而已。
從該圖12可知，在同樣的一組樣品中，PL光的波長越短，COD水平就越高。這可解釋為由於對窗口層進行了無序化處理後，增寬了帶隙，因而在諧振腔端面附近被吸收的光也隨之減少的緣故。
在圖12中，如將COD水平記作Pcod(mW)，窗口區域的PL光波長記作λdp1(nm)，則Pcod對λdp1有線性比例關係。即，Pcod＝f1(λdp1) ……(1)式中，f1(x)為一次函數。
因此，如果是這樣的半導體雷射器，λdp1也對Pcod有線性比例關係，所以從(1)式很容易求得下式λdp1＝g1(Pcod) ……(2)如果將Pcod解釋為由所要求的雷射器輸出功率P0和功率餘量P1構成的值，則Pcod＝P0+P1 ……(3)從(2)式可求得選擇具有Pcod的半導體雷射器的PL光的波長λdp1，以這個值為指標，可以在形成窗口層20的時刻的有關COD水平來鑑別半導體雷射器優良與否。
亦即，通過測量窗口層20的PL光的波長λdp1(nm)，可分散性小而成品率高地製造由窗口層20的作用而抗COD退化的高可靠性半導體雷射器。
另外，與示出圖12結果的半導體雷射器有同樣結構、但無窗口層的半導體雷射器，其COD水平已知為200mW左右。從圖12可知，當COD水平在200mW以上時，PL光的波長在750nm以下。
因此，在具有激射波長為770～810nm的MQW有源層的半導體雷射器中，通過製成具有窗口層20從而使PL光的波長在750nm以下的半導體雷射器，可以得到至少因窗口層20的作用而使COD水平得到改善的半導體雷射器。
圖13是示出本實施例的半導體雷射器的COD水平與藍移量之間的關係曲線。
將以激發光照射未經無序化的有源層時所發射的PL光的波長λap1(nm)與窗口層20的PL光的波長λdp1(nm)之差定義為藍移量λb1(nm)，對圖12中的數據歸納整理後得到圖13的關係。
已知至少在激射波長為770～810nm的半導體雷射器中，不具有窗口層的MQW有源層的COD水平為200mW左右，因此，圖13的曲線示出了藍移量達何種程度時窗口層的COD水平可望得到改善。
在圖13中，在樣品A、B和C中的藍移量λb1和COD水平Pcod分別有線性關係，對樣品A而言，用虛線表示的直線A可表示為Pcod＝1.3λb1+178.7 ……(4)對樣品B而言，用雙點點劃線表示的直線B可表示為Pcod＝5.6λb1+50.3 ……(5)對樣品C而言，用單點點劃線表示的直線C可表示為Pcod＝1.3λb1+153.0 ……(6)另外，直線B左側的直線D可表示為Pcod＝5.6λb1+85 ……(7)直線C右側的直線E可表示為Pcod＝1.3λb1+135……(8)圖13中示出的測量點的坐標點，包含分散度在內，分布於直線D和直線E圍成的範圍內。
考慮到不具有窗口區域的MQW有源層的COD水平為200mW左右，因直線D與Pcod＝200交點處的坐標為λb1＝20左右，所以在藍移量λb1≥20的區域，將MQW有源層無序化形成窗口層20，可使COD水平得到提高。
亦即，使諧振腔端面附近的MQW有源層16無序化形成窗口層20後，以激發光照射窗口層20，測量從窗口層20發射的PL光的波長，再考慮不具有窗口區域的MQW有源層的PL光的波長，求得藍移量λb1，如λb1滿足λb1≥20的條件，則可判斷至少藉助於形成窗口層20使COD水平得到提高。
再有，在直線D和直線E圍成的區域內，即使在製造條件不同的各種樣品中，也可認為藍移量λb1與COD水平Pcod呈線性比例關係。
因此，至少在激射波長為770～810nm、在各種條件下形成的半導體雷射器中，通過建立藍移量λb1和COD水平Pcod之間的線性比例關係，在半導體雷射器形成最終形式的產品前，在使諧振腔端面附近的MQW有源層16無序化以形成窗口層20的工藝過程中的各階段，可以通過以激發光照射窗口層20，測量從窗口層20發射的PL光的波長，再考慮到未經無序化的MQW有源層的PL光的波長，求得藍移量λb1，來預測產品的COD水平Pcod。
亦即，當根據(7)式和(8)式用Pcod表示λb1時，在λb1滿足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3的範圍內，通過建立藍移量λb1與COD水平Pcod之間的線性比例關係，即能以高精確度預測COD水平Pcod，從而能製成COD退化的分散度小並且可靠性高的半導體雷射器。另外，由於通過採用這種製造方法，可以在製造工序的過程中用簡單的方法預測COD退化的水平，所以其結果是可提供成品率高、COD退化水平一致、可靠性高並且廉價的半導體雷射器。由於本發明的半導體雷射裝置及其製造方法包括上述結構或工序，因而有以下的效果。
本發明的半導體雷射裝置包括第1導電類型的半導體襯底；在該半導體襯底上設置的第1導電類型的第1包覆層；在該第1包覆層上設置的量子阱結構的有源層；在該有源層上設置的第2導電類型的第1個第2包覆層；從位於雷射器諧振腔端面附近的、包含有源層的第1個第2包覆層的表面將雜質摻入半導體襯底一側的疊層內而設置的無序化區域；以及經第1個第2包覆層與該無序化區域的有源層相對、包含在第1個第2包覆層的表面上設置的第2導電類型的第2個第2包覆層、同時在諧振腔長邊方向延伸的光波導，在激射波長為770～810nm的半導體雷射器中，若將以激發光照射無序化區域時所產生的光螢光的波長記作λdp1(nm)，以激發光照射有源層時所產生的光螢光的波長記作λap1(nm)，並將藍移量λb1(nm)定義為λb1＝λap1-λdp1，則λb1≥20成立，由此可斷定這是通過使有源層無序化形成窗口層、使COD水平得以提高的半導體雷射器。進而可提供COD退化少並且COD退化的分散度小的半導體雷射裝置。
此外，在將雷射器的COD水平記作Pcod(mW)時，由藍移量λb1(nm)進而滿足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，能夠通過求得藍移量λb1來預測產品的COD水平Pcod。進而可提供抗COD退化的高可靠性並且廉價的半導體雷射裝置。
此外，除光波導的頂部外，還具有在含有光波導側面的第1個第2包覆層上敷設的絕緣膜，由此可斷定，這是在簡單條形結構半導體雷射器中通過使有源層無序化形成窗口層，使COD水平得以提高的一種半導體雷射器。進而可提供COD退化少並且COD退化的分散度小的簡單條形結構半導體雷射裝置。
還有，對具有以掩埋第1個第2包覆層上的光波導周圍的方式敷設的第1導電類型的電流阻擋層而得到的掩埋結構的半導體雷射器，可斷定通過使有源層無序化形成窗口層，使COD水平得以提高的一種半導體雷射器。進而可提供COD退化少並且COD退化的分散度小的掩埋結構半導體雷射裝置。
還有，本發明的半導體雷射裝置的製造方法包括依次形成在第1導電類型的半導體襯底上的第1導電類型的第1包覆層、量子阱結構的有源層及第2導電類型的第1個第2包覆層的第1工序；在第1個第2包覆層的表面上形成在半導體雷射器的諧振端面的一定區域設有開口的、摻入雜質用的掩模圖形的第2工序；以摻入雜質用的掩模圖形作為掩模摻入雜質，使諧振腔端面附近的有源層無序化的第3工序；以激發光照射無序化區域使之產生光螢光，並根據該光螢光波長的測量預測COD退化水平的第4工序；去除摻入雜質用的掩模圖形、在第1個第2包覆層的表面上形成第2導電類型的第2個第2包覆層的第5工序；在第2個第2包覆層的表面上形成經第1和第2個第2包覆層與無序化有源層相對，在諧振腔長邊方向延長的條形掩模圖形的第6工序；以及以條形掩模圖形作掩模、形成有第2個第2包覆層的光波導的第7工序，由此可以在製造過程中預測半導體雷射器的COD退化水平。進而能採取簡單的工序提高半導體雷射器的成品率，從而可廉價地製造半導體雷射裝置。
此外，在第4工序中，將以激發光照射無序化區域時所產生的光螢光的波長記作λdp1(nm)，以激發光照射有源層時所產生的光螢光的波長記作λap1(nm)，藍移量λb1(nm)定義為λb1＝λap1-λdp1，由λb1≥20成立，可推斷，COD水平因使激射波長為770～810nm的半導體雷射器的有源層無序化形成窗口層而得到提高。進而能以高成品率廉價地製造COD退化少並且COD退化的分散度小的半導體雷射裝置。
此外，在將雷射器的COD水平記作Pcod(mW)時，由藍移量λb1(nm)進而滿足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3，可預測產品的COD水平Pcod。進而能以高成品率廉價地製造抗COD退化的高可靠性的半導體雷射裝置。
權利要求
1.一種激射波長為770～810nm的半導體雷射器，包括第1導電類型的半導體襯底；在該半導體襯底上設置的第1導電類型的第1包覆層；在該第1包覆層上設置的量子阱結構的有源層；在該有源層上設置的第2導電類型的第1個第2包覆層；位於雷射諧振腔端面附近的、包含上述有源層的從上述第1個第2包覆層的表面將雜質摻入半導體襯底一側的疊層內而設置的無序化區域；以及經上述第1個第2包覆層與該無序化區域的有源層相對、包含在上述第1個第2包覆層的表面上設置的第2導電類型的第2個第2包覆層、同時在上述諧振腔長邊方向延伸的光波導，其特徵在於若將以激發光照射上述無序化區域時所產生的光螢光的波長記作λdp1(nm)，以激發光照射有源層時所產生的光螢光的波長記作λap1(nm)，並將藍移量λb1(nm)定義為λb1＝λap1-λdp1，則λb1≥20成立。
2.如權利要求1中所述的半導體雷射裝置，其特徵在於當將雷射器的COD水平記作Pcod(mW)時，藍移量λb1(nm)進而滿足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.3
3.如權利要求1或2中所述的半導體雷射裝置，其特徵在於除了光波導的頂部外，還具有在含有光波導側面的第1個第2包覆層上敷設的絕緣膜。
4.如權利要求1或2中所述的半導體雷射裝置，其特徵在於進而包括以掩埋第1個第2包覆層上的光波導周圍的方式敷設的第1導電類型的電流阻擋層。
5.一種半導體雷射裝置的製造方法，其特徵在於，包括依次形成在第1導電類型的半導體襯底上的第1導電類型的第1包覆層、量子阱結構的有源層及第2導電類型的第1個第2包覆層的第1工序；在第1個第2包覆層的表面上形成在半導體雷射器的諧振腔端面的一定區域有開口的、摻入雜質用的掩模圖形的第2工序；以摻入雜質用的掩模圖形作為掩模摻入雜質，使諧振腔端面附近的有源層無序化的第3工序；以激發光照射無序化區域使之產生光螢光，並根據該光螢光波長的測量，預測COD退化水平的第4工序；去除摻入雜質用的掩模圖形、在第1個第2包覆層的表面上形成第2導電類型的第2個第2包覆層的第5工序；在第2個第2包覆層的表面上形成經第1和第2個第2包覆層與無序化有源層相對，在諧振腔長邊方向延長的條形掩模圖形的第6工序；以及以條形掩模圖形作掩模、形成具有第2個第2包覆層的光波導的第7工序。
6.如權利要求5中所述的半導體雷射裝置的製造方法，其特徵在於半導體雷射裝置的激射波長為770～810nm，在第4工序中，將以激發光照射無序化區域時所產生的光螢光的波長記作λdp1(nm)，以激發光照射有源層時所產生的光螢光的波長記作λap1(nm)，藍移量λb1(nm)定義為λb1＝λap1-λdp1，則λb1≥20成立。
7.如權利要求6中所述的半導體雷射裝置的製造方法，其特徵在於在將雷射器的COD水平記作Pcod(mW)時，則藍移量λb1(nm)進而滿足(Pcod-85)/5.6≤λb1≤(Pcod-135.0)/1.全文摘要
本發明的課題是,提供COD退化分散度小的高可靠性半導體雷射裝置。在激射波長為770～810nm的半導體雷射器10中,將雜質摻入半導體雷射器端面附近的MQW有源層16,形成無序化區域,並以此作為窗口層20,以激發光照射該窗口層20,測量窗口層20的光螢光波長λdp1(nm),將以激發光照射有源層16時所產生的光螢光的波長λap1(nm)同以激發光照射窗口層20時所產生的光螢光的波長λdp1(nm)之差定義為藍移量λb1(nm),藉助於該藍移量λb1可在製造過程的各階段預測產品的COD水平。
文檔編號H01S5/16GK1359179SQ0112555
公開日2002年7月17日 申請日期2001年8月14日 優先權日2000年12月14日
發明者田代賀久, 川津善平, 西口晴美, 八木哲哉, 島顯洋 申請人:三菱電機株式會社