一種CdSe/CdS納米棒、偏振薄膜及其製備方法與流程

2023-07-31 02:48:06

本發明涉及量子點技術領域，尤其涉及一種CdSe/CdS納米棒、偏振薄膜及其製備方法。

背景技術：

由於液晶顯示技術具有產生大幅圖片、佔據空間小、低能耗、平面直角顯示以及影像穩定不閃爍等優點，其逐漸取代了陰極管技術。液晶顯示技術採用背光源，同時採用偏振片、液晶及濾光片進行堆疊，實現光輸出。其中，偏振片用來調整光的振動方向，濾光片用來過濾白光背光源從而產生其他顏色，然而這樣的液晶堆疊結構會產生大量的熱量，並導致能量損失。

近年來，量子點由於具有發射波長可通過尺寸調節、發射帶窄、發光效率高、色純度高以及穩定性好等特點，已成為具有巨大應用前景的新一代顯示材料。目前市場上已經開始售賣量子點電視，這種量子點電視是採用藍光LED和量子點作為背光源。與傳統的液晶電視相比，雖然量子點的使用提高了電視的色域、亮度、色純度、顯色性以及發光部件的穩定性，但是其仍然需要採用偏振片、液晶及濾光片來控制光的輸出，這樣的堆疊結構不僅複雜且會導致大量的能量損失。

因此，現有技術還有待於改進和發展。

技術實現要素：

鑑於上述現有技術的不足，本發明的目的在於提供一種CdSe/CdS納米棒、偏振薄膜及其製備方法，旨在解決現有的量子點電視仍然採用偏振片、液晶及濾光片來控制光的輸出，這樣的堆疊結構不僅複雜且會導致大量的能量損失的問題。

本發明的技術方案如下：

一種CdSe/CdS納米棒的製備方法，其中，包括步驟：

A、按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺、油酸以1：5~18：2~12：的比例攪拌混勻並加熱，製備油酸鎘的前驅溶液，備用；

B、 將與氧化鎘按摩爾比計為0.5~2：1的Se粉溶解在TOP溶液中得到Se-TOP溶液，再將所述Se-TOP溶液加入到所述油酸鎘的前驅溶液中，加熱反應生成CdSe籽晶，離心清洗，將所述CdSe籽晶溶於TOP中得到CdSe籽晶溶液，備用；

C、將S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液，再將所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中，攪拌混勻後備用；

D、按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1：5~24：2 ~16：2~8的比例攪拌混勻並加熱預定時間後，再加入S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液，加熱反應4~10min後得到最終溶液，所述最終溶液經過冷卻、離心、乾燥處理後製得CdSe/CdS納米棒。

較佳地，所述的CdSe/CdS納米棒的製備方法，其中，所述步驟A具體包括：

A1、將氧化鎘、三辛胺及油酸攪拌均勻，在160~180℃下抽真空30~90min，隨後在Ar氣環境下加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解，得到無色透明溶液；

A2、向所述無色透明溶液中加入Se粉和TOP的混合溶液，在280~350℃的溫度條件下反應4~10min，得到中間混合溶液；

A3、將所述中間混合溶液冷卻至80~120℃後，加入甲苯和甲醇離心1~3次後得到CdSe籽晶，將所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中，得到CdSe籽晶溶液，備用。

較佳地，所述的CdSe/CdS納米棒的製備方法，其中，所述步驟D具體包括：

D1、將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸攪拌混勻，在130~160℃下抽真空30~90min，隨後在Ar氣環境下加熱到320~380℃，得到初步混合溶液；

D2、將S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在330~380℃條件下反應4~10min後得到最終溶液；

D3、將所述最終溶液冷卻80~120℃後，加入甲苯和甲醇離心1~3次後得到沉澱物，將所述沉澱物乾燥4~8h後，得到CdSe/CdS納米棒。

較佳地，所述的CdSe/CdS納米棒的製備方法，其中，所述

一種CdSe/CdS納米棒，其中，採用上述任意一種方法製備得到。

一種偏振薄膜的製備方法，其中，包括步驟：

將上述的CdSe/CdS納米棒溶解在氯仿、甲苯、正己烷或者正辛烷等溶劑中，得到CdSe/CdS納米棒溶液；

將所述CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上，得到旋塗樣品；

將所述旋塗樣品進行乾燥後，製得偏振薄膜。

較佳地，所述的偏振薄膜的製備方法，其中，還包括：

預先將ITO玻璃片襯底依次放入去離子水和丙酮中清洗10~30min後，再將所述ITO玻璃片襯底放入異丙醇中超聲清洗20~30min，清洗完成後烘乾。

較佳地，所述的偏振薄膜的製備方法，其中，採用勻膠機將CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上，所述勻漿機的轉速為800~1400r/min。

較佳地，所述的偏振薄膜的製備方法，其中，旋塗時間為4~8s，旋塗樣品的乾燥時間為20~28h。

一種偏振薄膜，其中，採用上述任意一種方法製備得到。

一種顯示器件，其中，採用上述的偏振薄膜製備而成。

有益效果：本發明製備的基於CdSe/CdS納米棒的偏振薄膜，具有量子產率高、發光效率高以及穩定性好等優點，並且CdSe/CdS納米棒的過度偶極子沿著納米棒的長軸排列，能使光產生偏振發射，因而可作為一種較佳的偏振光源，通過採用本發明的基於CdSe/CdS納米棒的偏振薄膜來作為背光源，使得量子點電視可有效實現光輸出，不需要通過增加偏振片來控制光的輸出，從而避免能量損失並且簡化背光源組件結構。

附圖說明

圖1為本發明一種CdSe/CdS納米棒的的製備方法較佳實施例的流程圖。

圖2為本發明CdSe/CdS納米棒的合成過程結構示意圖。

圖3為本發明一種偏振薄膜的製備方法較佳實施例的流程圖。

具體實施方式

本發明提供一種CdSe/CdS納米棒、偏振薄膜及其製備方法，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，並不用於限定本發明。

請參閱圖1，圖1為本發明一種CdSe/CdS納米棒的製備方法較佳實施例的流程圖，如圖所示，其包括步驟：

S100、按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺、油酸以1：5~18：2~12：的比例攪拌混勻並加熱，製備油酸鎘的前驅溶液，備用；

S200、將與氧化鎘按摩爾比計為0.5~2：1的Se粉溶解在TOP溶液中得到Se-TOP溶液，再將所述Se-TOP溶液加入到所述油酸鎘的前驅溶液中，加熱反應生成CdSe籽晶，離心清洗，將所述CdSe籽晶溶於TOP中得到CdSe籽晶溶液，備用；

S300、將S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液，再將所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中，攪拌混勻後備用；

S400、按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1：5~24：2 ~16：2~8的比例攪拌混勻並加熱預定時間後，再加入S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液，加熱反應4~10min後得到最終溶液，所述最終溶液經過冷卻、離心、乾燥處理後製得CdSe/CdS納米棒。

通過本發明方法製備的CdSe/CdS納米棒如圖2所示，所述CdSe/CdS納米棒具有核殼結構；所述核殼結構中，核為橢圓形或棒形結構，殼為棒形結構。介電限域效應使得CdSe/CdS納米棒的過度偶極子沿著納米棒的長軸排列，並且單向排列的納米晶陣列能產生偏振發射，使其能作為近乎完美的偏振光源。

進一步，在本發明實施例中，所述步驟S100具體包括：

S110、將氧化鎘、三辛胺及油酸攪拌均勻，在160~180℃下抽真空30~90min，隨後在Ar氣環境下加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解，得到無色透明溶液；

較佳地，將氧化鎘、三辛胺及油酸按摩爾比計以1：5~18：2~12的比例加入燒瓶中，以300r/min的攪拌速度混合均勻，先在170℃條件下抽真空60min，然後在Ar氣環境下加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解形成無色透明的溶液，備用。

S120、向所述無色透明溶液中加入Se粉和TOP的混合溶液，在280~350℃的溫度條件下反應4~10min，得到中間混合溶液；

具體地，先將適量三辛基膦（Trioctylphosphine, TOP）快速加入到所述無色透明溶液中，待溫度重新恢復到300℃時，再向所述無色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液，並維持在280~350℃的溫度條件下反應4~10min，得到中間混合物。較佳地，將所述無色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液後，維持在300℃的溫度條件下反應7min，可得到效果更佳的中間混合物。

S130、將所述中間混合溶液冷卻至80~120℃後，加入甲苯和甲醇離心1~3次後得到CdSe籽晶，將所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中，得到CdSe籽晶溶液，備用。

較佳地，將所述中間混合溶液冷卻至100℃後倒入離心管中，首先向離心管中加入乙酸乙酯和甲醇得到沉澱物，隨後加入甲苯和甲醇反覆離心2次後得到CdSe籽晶，將所述述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中，得到CdSe籽晶溶液，備用。

進一步，在本發明實施例中，所述步驟S300具體包括：

S410、將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸攪拌混勻，在130~160℃下抽真空30~90min，隨後在Ar氣環境下加熱到320~380℃，得到初步混合溶液；

較佳地，將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸按摩爾比計以1：5~24：2 ~16：2~8的比例加入燒瓶中，以100r/min的攪拌速度混合均勻，先在150℃下抽真空60min，隨後在Ar氣環境下加熱到360℃，得到初步混合溶液。

S420、將S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在330~380℃條件下反應4~10min後得到最終溶液；

較佳地，將S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在360℃條件下反應6min後得到最終溶液。

S430、將所述最終溶液冷卻至80~120℃後倒入離心管中，並加入甲苯和甲醇反覆離心1~3次後得到沉澱物，將所述沉澱物乾燥4~8h後，得到CdSe/CdS納米棒。

較佳地，將所述將所述最終溶液冷卻至100℃後倒入離心管中，首先向離心管中加入乙酸乙酯和甲醇得到沉澱物，隨後加入甲苯和甲醇反覆離心2次後得到沉澱物，再將所述沉澱物放置在真空乾燥箱中乾燥6h後，得到CdSe/CdS納米棒。

基於上述方法，本發明還提供一種CdSe/CdS納米棒，其中，採用上述任意一種方法製備得到。

進一步，本發明還提供一種偏振薄膜的製備方法，其中，如圖3所示，包括步驟：

S1、將上述的CdSe/CdS納米棒溶解在氯仿、甲苯、正己烷或者正辛烷等溶劑中，得到CdSe/CdS納米棒溶液；

S2、將所述CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上，得到旋塗樣品；

具體來說，本發明採用勻漿機將CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上，所述勻膠機的轉速為800~1400r/min，旋塗時間為4~8s。

優選地，將CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上的過程中，設置勻漿機的轉速為1000 r/min，旋塗時間為6s，通過這種方式製得的偏振薄膜厚度均勻，且發光效率高。

S3、將所述旋塗樣品進行乾燥後，製得偏振薄膜。

具體地，旋塗樣品在真空乾燥箱中的乾燥時間為20~28h，優選乾燥時間為24h，在此條件下可使得溶劑揮發完全，製得發光效率高、穩定性較佳的偏振薄膜。

進一步，在本發明實施例中，所述步驟S1之前還包括：

預先將ITO玻璃片依次放入去離子水和丙酮中清洗10~20min後，再將所述ITO玻璃片放入異丙醇中超聲清洗20~30min，清洗完成後放入烘箱中烘乾。

優選地，預先將ITO玻璃片依次放入去離子水和丙酮中清洗20min後，再將所述ITO玻璃片放入異丙醇中超聲清洗30min，清洗完成後放入120℃的烘箱中烘乾。通過上述方法處理後可使得ITO玻璃片與偏振薄膜貼合緊密，更有利於製備出厚度均勻、發光效率高、穩定性強的偏振薄膜。

基於上述方法，本發明還提供一種偏振薄膜，其中，採用上述任意一種方法製備得到。

進一步，本發明還提供一種顯示器件，其中，採用上述的偏振薄膜製備而成。

下面通過具體實施例來對本發明上述方案做進一步的講解：

實施例1

1. CdSe/CdS核殼結構納米棒製備：

(1) CdSe籽晶的製備：60 mg氧化鎘（Cadmium oxide, CdO）、2.8 g三辛胺（Trioctylamine, TOA）、1.2 g油酸（Oleic acid, OA）在50 mL三口燒瓶中混合攪拌均勻，真空下加熱到170 ℃並脫氣1 h。在Ar氣氛下，將溶液加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解，形成無色透明的溶液。隨後將1.5 g三辛基膦（Trioctylphosphine, TOP）快速注入燒瓶中，溶液溫度稍有降低。待溶液溫度回升到300 ℃時，往燒瓶中注入40 mg Se和2 mL TOP的混合溶液，使反應維持在300℃下維持5 min。反應完成後，將溶液冷卻至100 ℃倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，隨後用甲苯和甲醇反覆2次離心得到CdSe籽晶。最後將CdSe籽晶溶解在TOP中配置濃度為0.4 mmol/mL的溶液備用。

(2) CdSe/CdS納米棒的製備。稱取128 mg S粉溶解在TOP中得到S-TOP溶液，再將S-TOP加入到100 μL上述CdSe溶液中備用。稱量96.3 mg CdO、3.0 g三辛胺、1.2 g油酸、360 mg丙基膦酸混合在三口燒瓶中，溶液在150℃下抽真空1 h。隨後將溶液在Ar氣氛下加熱到360 ℃，注入1.5 g TOP，待溫度回升到360℃，將S-TOP與CdSe的混合溶液迅速注入三口燒瓶中，反應持續6 min後，去除加熱套使溶液冷卻。加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，隨後用甲苯和甲醇反覆離心得到沉澱，將沉澱的甲苯溶液置於真空乾燥箱中乾燥6 h，得到CdSe/CdS納米棒晶體。

2. 納米棒的增強薄膜的製備方法如下：

CdSe/CdS薄膜是通過在商用ITO鍍膜玻璃基板上旋塗CdSe/CdS溶液得到的。具體過程為：將4*4 cm2的ITO玻璃片分別放入去離子水、丙酮中清洗20 min，然後放入異丙醇中超聲清洗30 min，取出在120℃烘箱中烘乾。配置20 mg/mL的CdSe/CdS納米棒的氯仿溶液，採用旋塗法將溶液旋塗在已經清洗烘乾的ITO玻璃片襯底上旋塗過程中設置勻膠機的轉速為1000 r/min，旋轉時間為5 s，將剛旋塗好的樣品放置在真空乾燥箱中，在室溫下乾燥24 h使溶劑揮發完全。

實施例2

1. CdSe/CdS核殼結構納米棒製備：

(1) CdSe籽晶的製備：128.4 mg氧化鎘（Cadmium oxide, CdO）、3.53 g三辛胺（Trioctylamine, TOA）、2.06 g油酸（Oleic acid, OA）在50 mL三口燒瓶中混合攪拌均勻，真空下加熱到170 ℃並脫氣1 h。在Ar氣氛下，將溶液加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解，形成無色透明的溶液。隨後將1.5 g三辛基膦（Trioctylphosphine, TOP）快速注入燒瓶中，溶液溫度稍有降低。待溶液溫度回升到320 ℃時，往燒瓶中注入79 mg Se和2 mL TOP的混合溶液，使反應維持在320℃下維持5 min。反應完成後，將溶液冷卻至100 ℃倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，隨後用甲苯和甲醇反覆2次離心得到CdSe籽晶。最後將CdSe籽晶溶解在TOP中配置濃度為0.8 mmol/mL的溶液備用。

(2) CdSe/CdS納米棒的製備：稱取128 mg S粉溶解在TOP中得到S-TOP溶液，再將S-TOP加入到200 μL上述CdSe溶液中備用。稱量128.4 mg CdO、3.0 g三辛胺、1.5 g油酸、744 mg丙基膦酸混合在三口燒瓶中，溶液在150℃下抽真空1 h。隨後將溶液在Ar氣氛下加熱到320 ℃，注入1.5 g TOP，待溫度回升到320℃，將S-TOP與CdSe的混合溶液迅速注入三口燒瓶中，反應持續6 min後，去除加熱套使溶液冷卻。加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，隨後用甲苯和甲醇反覆離心得到沉澱，將沉澱的甲苯溶液置於真空乾燥箱中乾燥6 h，得到CdSe/CdS納米棒晶體。

2. 納米棒的增強薄膜的製備方法如下：

CdSe/CdS薄膜是通過在商用ITO鍍膜玻璃基板上旋塗CdSe/CdS溶液得到的。具體過程為：將4*4 cm2的ITO玻璃片分別放入去離子水、丙酮中清洗20 min，然後放入異丙醇中超聲清洗30 min，取出在120℃烘箱中烘乾。配置10 mg/mL的CdSe/CdS納米棒的甲苯溶液，採用旋塗法將溶液旋塗在已經清洗烘乾的ITO玻璃片襯底上，旋塗過程中設置勻膠機的轉速為1000 r/min，旋轉時間為5 s，將剛旋塗好的樣品放置在真空乾燥箱中，在室溫下乾燥24 h使溶劑揮發完全。

實施例3

1、一種CdSe/CdS納米棒的製備方法：

按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺及油酸以1：5：2的比例加入燒瓶中攪拌均勻，在160℃下抽真空50min，隨後在Ar氣環境下加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解，得到無色透明溶液；向所述無色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液，在280℃的溫度條件下反應4min，得到中間混合溶液；將所述中間混合溶液冷卻至80℃後倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，並加入甲苯和甲醇離心1次後得到CdSe籽晶，將所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中，得到CdSe籽晶溶液，備用；將S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液，再將所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中，攪拌混勻後備用；按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1：5：2：2的比例加入燒瓶中攪拌混勻，在130℃下抽真空50min，隨後在Ar氣環境下加熱到360℃，得到初步混合溶液；將S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在330℃條件下反應4min後得到最終溶液；將所述最終溶液冷卻80℃後倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，並加入甲苯和甲醇反覆離心1次後得到沉澱物，將所述沉澱物放置在真空乾燥箱中乾燥4h後，得到CdSe/CdS納米棒；

2、一種偏振薄膜的製備方法：

預先將ITO玻璃片依次放入去離子水和丙酮中清洗10min後，再將所述ITO玻璃片放入異丙醇中超聲清洗20min，清洗完成後放入烘箱中烘乾；將上述的CdSe/CdS納米棒溶解在正辛烷中，得到CdSe/CdS納米棒溶液；採用勻漿機將CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上，所述勻漿機的轉速為800r/min，得到旋塗樣品；旋塗時間為4s；將所述旋塗樣品放在真空乾燥箱中進行乾燥後，乾燥時間為20h，製得偏振薄膜。

實施例4

1、一種CdSe/CdS納米棒的製備方法：

按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺及油酸以1：12：7的比例加入燒瓶中攪拌均勻，在170℃下抽真空60min，隨後在Ar氣環境下加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解，得到無色透明溶液；向所述無色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液，在320℃的溫度條件下反應6min，得到中間混合溶液；將所述中間混合溶液冷卻至100℃後倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，並加入甲苯和甲醇反覆離心2次後得到CdSe籽晶，將所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中，得到CdSe籽晶溶液，備用；將S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液，再將所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中，攪拌混勻後備用；按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1：14：9：5的比例加入燒瓶中攪拌混勻，在145℃下抽真空60min，隨後在Ar氣環境下加熱到360℃，得到初步混合溶液；將S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在360℃條件下反應7min後得到最終溶液；將所述最終溶液冷卻100℃後倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，並加入甲苯和甲醇反覆離心2次後得到沉澱物，將所述沉澱物放置在真空乾燥箱中乾燥6h後，得到CdSe/CdS納米棒；

2、一種偏振薄膜的製備方法：

預先將ITO玻璃片依次放入去離子水和丙酮中清洗15min後，再將所述ITO玻璃片放入異丙醇中超聲清洗25min，清洗完成後放入烘箱中烘乾；將上述的CdSe/CdS納米棒溶解在正己烷中，得到CdSe/CdS納米棒溶液；採用勻漿機將CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上，所述勻漿機的轉速為1100r/min，得到旋塗樣品；旋塗時間為6s；將所述旋塗樣品放在真空乾燥箱中進行乾燥後，乾燥時間為24h，製得偏振薄膜。

實施例5

1、一種CdSe/CdS納米棒的製備方法：

按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺及油酸以1：18：12的比例加入燒瓶中攪拌均勻，在180℃下抽真空90min，隨後在Ar氣環境下加熱到300℃，使氧化鎘充分溶解，得到無色透明溶液；向所述無色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液，在350℃的溫度條件下反應10min，得到中間混合溶液；將所述中間混合溶液冷卻至120℃後倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，並加入甲苯和甲醇反覆離心3次後得到CdSe籽晶，將所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中，得到CdSe籽晶溶液，備用；將S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液，再將所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中，攪拌混勻後備用；按摩爾比計，將氧化鎘、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1：24：16：8的比例加入燒瓶中攪拌混勻，在160℃下抽真空90min，隨後在Ar氣環境下加熱到360℃，得到初步混合溶液；將S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在380℃條件下反應10min後得到最終溶液；將所述最終溶液冷卻120℃後倒入離心管中，加入乙酸乙酯和甲醇使之沉澱，取出沉澱物，並加入甲苯和甲醇反覆離心3次後得到沉澱物，將所述沉澱物放置在真空乾燥箱中乾燥8h後，得到CdSe/CdS納米棒；

2、一種偏振薄膜的製備方法：

預先將ITO玻璃片依次放入去離子水和丙酮中清洗20min後，再將所述ITO玻璃片放入異丙醇中超聲清洗30min，清洗完成後放入烘箱中烘乾；將上述的CdSe/CdS納米棒溶解在氯仿中，得到CdSe/CdS納米棒溶液；採用勻漿機將CdSe/CdS納米棒溶液旋塗在ITO玻璃片襯底上，所述勻漿機的轉速為1400r/min，得到旋塗樣品；旋塗時間為8s；將所述旋塗樣品放在真空乾燥箱中進行乾燥後，乾燥時間為28h，製得偏振薄膜。

綜上所述，本發明製備的基於CdSe/CdS納米棒的偏振薄膜，具有量子產率高、發光效率高以及穩定性好等優點，並且CdSe/CdS納米棒的過度偶極子沿著納米棒的長軸排列，能使光產生偏振發射，因而可作為一種較佳的偏振光源，通過採用本發明的基於CdSe/CdS納米棒的偏振薄膜來作為背光源，使得量子點電視可有效實現光輸出，不需要通過增加偏振片來控制光的輸出，從而避免能量損失並且簡化背光源組件結構。

應當理解的是，本發明的應用不限於上述的舉例，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，所有這些改進和變換都應屬於本發明所附權利要求的保護範圍。