防殘膠保護膠帶的製作方法
2023-08-02 22:32:16 1

本發明涉及一種保護膠帶,特別涉及一種防殘膠保護膠帶。
背景技術:
玻璃、金屬板材、塑料板材以及電子產品等產品在搬運和使用過程中,其表面容易受到接觸性汙染或磨痕劃傷,通常採用保護膜覆蓋在其表面使之免受損傷和汙染。保護膜一般由基材層和塗覆在該基材層上的膠粘劑層構成,傳統的保護膜,採用普通聚酷薄膜作為基材層,由於聚酷薄膜是高分子聚合物,其介電常數小,屬於非導體,絕緣性能較高,因此,靜電的產生是不能避免的。當傳統的保護膜應用於電子行業時,容易吸附灰塵和雜質,甚至產生靜電引起嚴重損失。
技術實現要素:
本發明提供一種防殘膠保護膠帶,該防殘膠保護膠帶使得壓敏膠塗層面霧度效果好,使得膠面達到低反光效果;且提高了與離型劑塗層接觸的霧面塗層表面粗糙度均勻性,解決離型紙的淋膜層與離型劑塗層結合力不穩定的技術問題,有利於剝離以及避免殘留壓敏膠和將離型劑殘留於壓敏膠層上。
為達到上述目的,本發明採用的技術方案是:一種防殘膠保護膠帶,包括一基材層,此基材層下表面依此塗覆有抗靜電塗層、壓敏膠塗層和霧面離型膜,所述霧面離型膜從上往下依次由聚酯薄膜層、霧面塗層和離型劑塗層層疊構成,所述霧面塗層朝向離型劑塗層表面具有若干個凸起部;所述霧面離型膜製備工藝主要由下列步驟組成:
第一步:在聚酯薄膜層上塗覆一層厚度為0.2~2微米的霧面塗層劑,該霧面塗層劑進一步通過以下工藝獲得:
步驟1. 將0.6份納米SiO2粉體、0.25份納米Al2O3粉體和1份矽烷偶聯劑加入8份甲苯中進行超聲波處理獲得預分散液;
步驟2. 將100份乙烯基矽氧烷、0.5份含氫矽氧烷加入125份丁酮中進行機械攪拌獲得聚合物溶液;
步驟3. 將步驟1的預分散液、步驟2的聚合物溶液混合併依次進行機械攪拌和超聲波攪拌,從而獲得調製後的聚合物溶液;
步驟4. 在所述調製後的聚合物溶液加入0.2~0.5份鉑金並依次進行機械攪拌和超聲波攪拌獲得所述霧面離型溶劑;
第二步:將離型紙的霧面塗層劑通過烘烤進行聚合反應得到霧面塗層;
第三步:在所述霧面塗層的表面塗覆一層離型劑塗層。
上述技術方案中進一步改進的技術方案如下:
1. 上述方案中,所述納米SiO2粉體的直徑範圍為10~15nm,所述納米Al2O3粉體的直徑範圍為25~35nm。
2. 上述方案中,所述聚酯薄膜層為聚乙烯薄膜。
由於上述技術方案運用,本發明與現有技術相比具有下列優點和效果:
本發明防殘膠保護膠帶,通過首先對基材層表面底塗矽烷系抗靜電劑塗層,然後塗布膠粘劑,不僅可以增加膠粘劑與基材層之間的粘著力,而且賦予膠粘劑膠面良好的防靜電效果,且其特定直徑的納米SiO2粉體、納米Al2O3粉體在溶劑下與矽烷偶聯劑經超聲波共同作用,且機械攪拌和超聲波攪拌組合,有利於納米SiO2粉體、Al2O3粉體呈均勻分布,特定的聚合物溶液和預分散液採用不同的溶劑,降低納米SiO2粉體、Al2O3顆粒的表面能,進一步利於粉體顆粒在溶劑中的分散,提高了與離型劑塗層接觸的霧面塗層表面粗糙度均勻性,解決離型紙的淋膜層與離型劑塗層結合力不穩定的技術問題,有利於剝離以及避免殘留壓敏膠和將離型劑殘留於壓敏膠層上。
附圖說明
附圖1為對比例貼膜中霧面塗層微觀形貌SEM測試圖;
附圖2為本發明保護貼膜中霧面塗層微觀形貌SEM測試圖。
具體實施方式
下面結合實施例對本發明作進一步描述:
實施例:一種防殘膠保護膠帶,包括一基材層,此基材層下表面依此塗覆有抗靜電塗層、壓敏膠塗層和霧面離型膜,所述霧面離型膜從上往下依次由聚酯薄膜層、霧面塗層和離型劑塗層層疊構成,所述霧面塗層朝向離型劑塗層表面具有若干個凸起部;所述霧面離型膜製備工藝主要由下列步驟組成:
第一步:在聚酯薄膜層上塗覆一層厚度為0.2~2微米的霧面塗層劑,該霧面塗層劑進一步通過以下工藝獲得:
步驟1. 將0.6份納米SiO2粉體、0.25份納米Al2O3粉體和1份矽烷偶聯劑加入8份甲苯中進行超聲波處理獲得預分散液;
步驟2. 將100份乙烯基矽氧烷、0.5份含氫矽氧烷加入125份丁酮中進行機械攪拌獲得聚合物溶液;
步驟3. 將步驟1的預分散液、步驟2的聚合物溶液混合併依次進行機械攪拌和超聲波攪拌,從而獲得調製後的聚合物溶液;
步驟4. 在所述調製後的聚合物溶液加入0.2~0.5份鉑金並依次進行機械攪拌和超聲波攪拌獲得所述霧面離型溶劑;
實施例霧面塗層各組分重量份含量見表1。
表1
第二步:將離型紙的霧面塗層劑通過烘烤進行聚合反應得到霧面塗層;
第三步:在所述霧面塗層的表面塗覆一層離型劑塗層。
上述納米SiO2粉體的直徑範圍為12nm,所述納米Al2O3粉體的直徑範圍為30nm。
上述聚酯薄膜層1為聚乙烯薄膜。
上述實施例只為說明本發明的技術構思及特點,其目的在於讓熟悉此項技術的人士能夠了解本發明的內容並據以實施,並不能以此限制本發明的保護範圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾,都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。