FPC孔金屬化工藝的製作方法

2023-08-05 05:34:41

本發明涉及電路板技術領域，尤其涉及一種FPC孔金屬化工藝。

背景技術：

現有的FPC，其結構包括基材介質層及設置在基材介質層兩面的導體銅層，傳統FPC孔金屬化工藝，主要是使介質層孔處均勻塗布一層導電物質，再通過鍍銅工藝的電化學反應，使介質層沉積一層金屬銅，將上下兩層導體銅層連接導通，形成良好的電氣導體。

目前業內的高分子導電膜孔金屬工藝(DMSE工藝)，其流程如下：調整——水洗——氧化——水洗——催化——水洗烘乾，其目的在介質層孔處吸附塗布一層高分子導電物質，為納米級塗層，但是，其塗層極薄，電阻相對較大，尤其一些撓性電路板基材的介質層處經鑽孔後微觀下極為光滑，吸附導電物質困難，造成兩層導體銅層之間電阻過大，甚至開路不導通。因電阻過大或開路情況下，介質層處無電流導通或電流過小，在鍍銅工藝時無法產生電化學反應或電化學反應不良，而引起孔銅導通不良問題，為此無法廣泛應用所有FPC基材。

技術實現要素：

本發明所要解決的技術問題是，提供一種FPC孔金屬化工藝，可以廣泛應用於各類FPC基材。

為了解決上述技術問題，本發明採用的技術方案為：提供一種FPC金屬化工藝，其包括如下步驟，

S1、PI調整，使溫度在45-55℃之間，處理時間為2-6min，PI調整劑濃度為400-600ml/L，KOH濃度為40-60g/L；

S2、水洗；

S3、DMSE工藝。

本發明的有益效果在於：本發明的FPC孔金屬化工藝的PI調整步驟可以使FPC常用的各類基材中的介質層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導電物質，降低導體銅層之間電阻,為後續DMSE工藝提供有效保障。

附圖說明

圖1為本發明實施例的FPC孔金屬化工藝的流程框圖。

具體實施方式

為詳細說明本發明的技術內容、構造特徵、所實現目的及效果，以下結合實施方式並配合附圖詳予說明。

本發明最關鍵的構思在於:本發明的工藝，可以使FPC常用的各類基材中的介質層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導電物質。

請參閱圖1，本發明FPC孔金屬化工藝，其包括如下步驟，

S1、PI調整，使溫度在50-60℃之間，處理時間為2-6min，PI調整劑濃度為400-600ml/L，KOH濃度為40-60g/L；

S2、水洗；

S3、DMSE工藝。

從上述描述可知，本發明的有益效果在於：本發明的FPC孔金屬化工藝的PI調整步驟可以使FPC常用的各類基材中的介質層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導電物質，降低導體銅層之間電阻,為後續DMSE工藝提供有效保障。

進一步的，所述PI調整劑是KOH12.5％-15％、聯氨7.0％-10％的混合溶液。

進一步的，所述步驟S2為二級溢流水洗。

實施例一

請參照圖1，本發明的實施例一為：本實施例的FPC孔金屬化工藝，包括如下步驟，

S1、PI調整，使溫度在50-60℃之間，處理時間為2-6min，PI調整劑濃度為400-600ml/L，KOH濃度為40-60g/L；

S2、水洗；

S3、DMSE工藝。

所述PI調整劑是KOH12.5％-15％、聯氨7.0％-10％的混合溶液。

進一步的，所述步驟S2為二級溢流水洗。

綜上所述，本發明提供的FPC孔金屬化工藝的PI調整步驟可以使FPC常用的各類基材中的介質層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導電物質，降低導體銅層之間電阻,為後續DMSE工藝提供有效保障，能夠適用於各種FPC基材。

以上所述僅為本發明的實施例，並非因此限制本發明的專利範圍，凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等同變換，或直接或間接運用在相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護範圍內。