設有外支撐的射頻連接結構的製作方法

2023-07-20 00:17:31 1

專利名稱：設有外支撐的射頻連接結構的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種射頻連接結構，特別涉及一種用於氣相沉積反應腔的設有外支撐的射頻連接結構。
背景技術：
非晶矽太陽能電池是20多年來國際上新發展起來的一項太陽能電池新技術。非晶矽薄膜太陽能電池的矽材料厚度只有1微米左右，是單晶矽太陽能電池矽材料厚度的 1/200-1/300，與單晶矽太陽能電池相比，製備這種薄膜所用矽原料很少，薄膜生長時間較短，設備製造簡單，容易大批量連續生產，根據國際上有關專家的估計，非晶矽薄膜太陽能電池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太陽能電池。現有技術中，用於光伏組件規模製造的等離子體化學氣相沉積真空設備，包括真空腔以及電極盒等主要部件。一個沉積電極盒包含多個射頻電極，每個電極可以沉積四片太陽能電池，將預熱完成的電極盒子放入一個真空沉積腔室當中，在真空室裡完成非晶矽薄膜的沉積，沉積完成後將電極盒子取出進行冷卻。在對反應腔內兩個電極盒進行射頻傳輸時採用將射頻電纜一分為二遠程耦合設計，但是射頻電纜為軟性電纜受重力作用彎曲，減少其在高溫和真空環境下的使用壽命，影響射頻信號的均勻傳輸。

實用新型內容本實用新型所要解決的問題是提供一種設有外支撐的射頻連接結構，克服現有技術中存在的問題。本實用新型設有支撐的射頻連接結構，其用於氣相沉積反應腔，包括第一射頻電纜和第二射頻電纜，第一射頻電纜的端部與第二射頻電纜的中部相連並導通，第二射頻電纜的兩端分別與兩個電極盒電連接，還包括T形支撐架，T形支撐架由套設在所述第一射頻電纜上的第一支撐管和套設在第二射頻電纜上的第二支撐管構成，第一支撐管的一端固定在第二支撐管上，第一支撐管的另一端固定在氣相沉積反應腔的底板上。本實用新型所述支撐管為不鏽鋼支撐管。本實用新型所述第一射頻電纜通過真空接口與所述反應腔固定連接。本實用新型所述第一射頻電纜通過射頻輸入接口與所述射頻匹配器相連。本實用新型所述電極盒的底部固定有絕緣頂塊，所述第二射頻電纜穿過絕緣頂塊與所述電極盒內的射頻電極相連。 本實用新型所述第二射頻電纜通過射頻輸出接口與所述電極盒內的射頻電極相導通。 通過以上技術方案，本實用新型設有外支撐的射頻連接結構，通過外部支撐架的支撐，防止射頻電纜的彎曲，也減少了固定焊點，增加了射頻連接結構在真空和高溫環境下的使用壽命。
圖1本實用新型射頻連接結構的具體結構圖。圖2為圖1中A處局部放大圖。圖3為圖1中B處局部放大圖。
具體實施方式
如圖1所示，本實用新型設有支撐的射頻連接結構，其用於氣相沉積反應腔，包括第一射頻電纜1和第二射頻電纜2，第一射頻電纜1的端部與第二射頻電纜2的中部相連並導通，第二射頻電纜的兩端分別與兩個電極盒電連接，還包括T形支撐架，T形支撐架由套設在第一射頻電纜上的第一支撐管9和套設在第二射頻電纜上的第二支撐管3構成，第一支撐管9的一端固定在第二支撐管3上，第一支撐管的另一端固定在氣相沉積反應腔的底板上。通過外部支撐架的支撐，防止射頻電纜的彎曲，也減少了固定焊點，增加了射頻連接結構在真空和高溫環境下的使用壽命。為增加支撐架的支撐強度，上述支撐管3為不鏽鋼支撐管。電極盒的底部固定有絕緣頂塊5，第二射頻電纜2穿過絕緣頂塊5與電極盒內的射頻電極相連，絕緣頂塊5與電極盒固定相連，以此增多固定點。第二射頻電纜2通過射頻輸出接口 7與電極盒相導通，射頻輸出接口內的銅導體通過螺旋銅柱8與第二射頻電纜內的銅導體相導通(見圖2)，保證射頻信號的均勻傳輸。如圖3所示，第一射頻電纜1通過射頻輸入接口 6與射頻匹配器相連。並第一射頻電纜1通過真空接口 4與反應腔底部固定連接，保證射頻連接結構處於真空環境中，保證射頻信號的均勻傳輸。本實用新型的射頻連接結構，通過外加支撐架，防止射頻電纜的彎曲， 增強了射頻連接結構在真空和高溫環境下的使用壽命，保證了射頻信號均勻的傳輸到兩個獨立電極盒內。
權利要求1.一種設有外支撐的射頻連接結構，包括第一射頻電纜(1)和第二射頻電纜O)，第一射頻電纜的端部與第二射頻電纜的中部相連並導通，第二射頻電纜的兩端分別與兩個電極盒電連接，其特徵在於，還包括T形支撐架，T形支撐架由套設在所述第一射頻電纜上的第一支撐管(9)和套設在第二射頻電纜上的第二支撐管C3)構成，第一支撐管(9)的一端固定在第二支撐管C3)上，第一支撐管(9)的另一端固定在氣相沉積反應腔的底板上。
2.根據權利要求1所述的射頻連接結構，其特徵在於，所述支撐管(3)為不鏽鋼支撐管。
3.根據權利要求1所述的射頻連接結構，其特徵在於，所述第一射頻電纜(1)通過真空接口(4)與所述反應腔固定連接。
4.根據權利要求1所述的射頻連接結構，其特徵在於，所述第一射頻電纜(1)通過射頻輸入接口(6)與所述射頻匹配器相連。
5.根據權利要求1所述的射頻連接結構，其特徵在於，所述電極盒的底部固定有絕緣頂塊(5)，所述第二射頻電纜O)穿過絕緣頂塊與所述電極盒內的射頻電極相連。
6.根據權利要求1所述的射頻連接結構，其特徵在於，所述第二射頻電纜(2)通過射頻輸出接口(7)與所述電極盒內的射頻電極相連。
專利摘要本實用新型設有外支撐的射頻連接結構，其用於氣相沉積反應腔，包括第一射頻電纜和第二射頻電纜，第一射頻電纜的一端與第二射頻電纜的中部相連並導通，第二射頻電纜的兩端分別與兩個電極盒相連，還包括T形支撐架，T形支撐架由套設在第一射頻電纜上的第一支撐管和套設在第二射頻電纜上的第二支撐管構成，第一支撐管的一端固定在第二支撐管上，第一支撐管的另一端固定在氣相沉積反應腔的底板上。本實用新型設有外支撐的射頻連接結構，通過外部支撐架的支撐，防止射頻電纜的彎曲，也減少了固定焊點，增加了射頻連接結構在真空和高溫環境下的使用壽命。
文檔編號C23C16/24GK202201975SQ20112027059
公開日2012年4月25日 申請日期2011年7月28日 優先權日2011年7月28日
發明者郭鋒 申請人:上海曙海太陽能有限公司