溝道注入式可一次編碼器件的製作方法

2023-07-18 04:08:16 2

專利名稱：溝道注入式可一次編碼器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件，特別是涉及一種溝道注入式可一次編程器件。
背景技術：
在單層多晶矽一次可編程器件(Single-Poly OTP Device)設計中，如何達到既提高電容型電晶體的耦合效率，又儘可能縮小電容側面積，達到要求的編程效果，是涉及所開發出的OTP(one timeprogrammable可一次編程)器件能否達到最優的關鍵。
現有技術中，單層多晶矽一次可編程器件均採用在電容型電晶體側採用N+/N阱，P+/P阱或在Poly(多晶矽)下做一層阻擋層的形式來實現。也有利用溝道注入來提高電容型電晶體耦合效率的做法。《ASingle Poly EEPROM Cell Structure for Use in Standard CMOSProcesses》(IEEEJOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.24，NO.4，AUGUST 1989)、《Cell and Circuit Design for Single-Poly EPROM》(IEEEJOURNAL OF SOLID-STATECIRCUITS，VOL.29，NO.3，March，1994)等文獻介紹了這種結構形式的單層多晶矽一次可編程器件。
但是，在以上所述的利用溝道注入的OTP器件設計中，由於在每個OTP單元中都有接觸孔從而導致器件尺寸偏大，從而在實際上影響到OTP器件的尺寸縮小而不利於提高集成度。

發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種溝道注入式可一次編程器件，它既能保證電容型電晶體的耦合效率，又能縮小電容側面積進而縮小OTP器件尺寸，提高集成度，降低製造成本。
為解決上述技術問題，本發明溝道注入式可一次編程器件採用的技術方案是，在電容型電晶體側採用連續溝道注入、多個OTP單元公用一個接觸孔。
本發明溝道注入式可一次編程器件，在不改變現有溝道注入OTP器件製造工藝及其他器件特性的情況下，可以實現既保證了電容型電晶體的耦合效率，又能縮小電容側面積進而縮小OTP器件尺寸，達到提高集成度，降低製造成本的目的。
本發明與現有的普通溝道注入式OTP器件相比可以大大提高集成密度；同時提高電容側的結擊穿電壓(可用於提高編程電壓)，並且在CMOS(complementary metai-oxide-semic-onductor互補金屬氧化物半導體)集成工藝中非常容易實現。


圖1是現有的溝道注入式OTP器件結構圖；圖2是本發明OTP器件溝道注入結構圖。
具體實施例方式
如圖1所示，現有的溝道注入式OTP器件，在每個電容型電晶體側分別單獨加入溝道注入2。這樣設置溝道注入使得在每個OTP單元中都必須單獨設置一個接觸孔3，從而導致器件尺寸偏大，不利於提高器件集成度。
本發明所述的OTP器件溝道注入結構，如圖2所示。它在電容型電晶體側，對多個電容型電晶體採用連續溝道注入4，在電容型電晶體側採用多個OTP單元公用一個接觸孔3的結構。
圖1、2中的標號1表示Poly(多晶矽)。
本發明連續注入式OTP結構不僅通過減少接觸孔而大大縮小版圖面積，同時為OTP的電容型電晶體側阻擋層的製作方法提供了一種新思路。在普通邏輯工藝中，在不改變其他邏輯工藝的情況下，通過追加一次光刻和注入即可達到生產內藏高密度OTP的目的。
權利要求
1.一種溝道注入式可一次編程器件，其特徵在於在電容型電晶體側，對多個電容型電晶體採用連續溝道注入，由電容型電晶體構成的多個OTP單元公用一個接觸孔。
全文摘要
本發明公開了一種溝道注入式可一次編程器件，在電容型電晶體側採用連續溝道注入、多個OTP單元公用一個接觸孔。本發明既能保證電容型電晶體的耦合效率，又能縮小電容側面積進而縮小OTP器件尺寸，提高集成度，降低製造成本。本發明可用於半導體集成電路及分離元器件。
文檔編號G11C16/02GK1728391SQ20041005329
公開日2006年2月1日 申請日期2004年7月29日 優先權日2004年7月29日
發明者徐向明, 龔順強 申請人:上海華虹Nec電子有限公司