烤菸半膜覆蓋栽培方法
2023-08-06 17:09:41
專利名稱：烤菸半膜覆蓋栽培方法
技術領域：
本發明涉及烤菸大田半膜覆蓋栽培方法，屬於作物覆蓋栽培技術領域。
背景技術：
壟作是作物栽培中一種較為普遍的方式，在烤菸生產中廣泛使用。它對增加土層厚度，保墒防旱，通風防病，增加土體表面積，擴大受光面，提高地溫，進而促進作物根系發育有積極作用。在我國貴州高原煙區，土層和耕層薄，土壤肥力低，保肥保水能力差。雖然全省年均降雨量在IOOOmm以上，理論上完全能夠滿足烤菸生產的需要，但是受季節性乾旱、降雨分布不均勻，過度降雨地表徑流損失等影響，在烤菸移栽時常常受乾旱影響推遲移栽時間；烤菸旺長期常出現旱災和澇災，成熟期又受伏旱脅迫，限制了本區烤菸產量穩定與菸葉質
量提升。該區受高原氣候的影響，烤菸生長季節氣溫較低，地膜使用極為普遍，導致「白色汙染」日趨嚴重。同時現有地膜種植的常規模式為全膜覆蓋，作物栽種在地膜全覆蓋區域，為達到較好的保溫效果，作物的根系均被包覆在地膜下方。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種優化烤菸生長環境，方便地膜回收，減少「白色汙染」的烤菸半膜覆蓋栽培方法，可以克服現有技術的不足。本發明的技術方案:烤菸半膜覆蓋栽培方法是在地壟的頂部覆蓋地膜，然後在地壟上地膜邊沿的內側或外側 開種植孔進行煙苗栽培。所述的種植孔為井窖式移栽孔。地膜的寬度90-100cm,厚度 0.008cm。在地壟上地膜的邊沿處開設施肥溝，在施肥溝內施底肥，後在其施肥溝上蓋土壓緊地膜邊沿。在烤菸採收結束後，揭開地膜，進行回收。施肥溝的寬度為15-20cm、深度為15_20cm。種植孔位於地壟上地膜邊沿的內側或外側，種植孔的孔口直徑8cm，種植孔孔口圓心到膜邊沿的距離為5cm。壟底寬度為210cm，土煙壟高20±3cm，田煙壟高25±3cm。與現有技術比較，本發明將地膜覆蓋於地壟的頂部，煙苗移栽於地壟上地膜邊沿的內側或外側，這樣本發明的優點是:(I)烤菸實施一壟雙行，實現了寬窄行移栽，利於烤菸後期田間通風透光，提高菸葉品質，同時有利於農事操作。(2)烤菸中後期生長過程中，根系處於膜內和膜外兩個部位，綜合了乾旱地膜保溼、雨澇排水的特點，利於烤菸正常生長。
(3)地膜邊緣與底肥相連，煙株根系與地膜、底肥靠近而接觸，有利於降雨順膜流入根系周圍，溶解了肥料，滋潤了煙株根系，提高了肥料利用率、促進了根系發育與烤菸生長。(4)因地膜邊沿與煙株莖基部相鄰，且地膜較厚，站在壟上揭膜，保證地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低「白色汙染」。(5)半膜覆蓋減少了地膜用量，減少種植投入。(6)打破了現有地膜種植的慣有思維。
圖1為本發明的結構示意 圖2為本發明的另一種結構示意圖。
具體實施例方式實施例1:如圖1所示，本發明的具體實施步驟為
(1)選地:選擇土層深度在30cm以上，地勢平緩的煙地；
(2)整地:起壟前深耕，耕層深度在15cm以上，耕畢後耙均，清除煙地雜物；
(3)起壟:按壟底(A)210cm開廂起梯形寬壟，土煙壟高(C)20±3cm，田煙壟高(C)25 ± 3cm，壟面略 呈弧形，保證不集雨；
(4)施基肥:在地壟I的肩部，距地壟中心線50cm處開深15-20cm施肥溝2，按常規烤菸條施底肥用量；
(5)覆膜:用寬度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆蓋於壟面中心位置，膜邊沿落入條施基肥的施肥溝2上，在施肥溝2上覆土且將地膜3的邊沿蓋實壓緊；
(6)栽煙:在距離壟中心線45cm的地壟上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直徑8cm，按發明專利名稱為「烤菸地膜井窖式小苗移栽方法」專利申請號201110203197.5」栽植煙苗，株距按常規烤菸生產執行；
(7)揭膜:在烤菸採收結束時，揭開地膜3，保持地膜完整性，便於回收再利用；
(8)其它:其它管理按常規烤菸種植方式管理。實施例2:如圖2所示，本發明的具體實施步驟為
(1)選地:選擇土層深度在30cm以上，地勢平緩的煙地；
(2)整地:起壟前深耕，耕層深度在15cm以上，耕畢後耙均，清除煙地雜物；
(3)起壟:按壟底(A)210cm開廂起梯形寬壟，土煙壟高(C)20±3cm，田煙壟高(C)25 ± 3cm，壟面略呈弧形，保證不集雨；
(4)施基肥:在地壟I的肩部，距地壟中心線50cm處開深15-20cm施肥溝2，按常規烤菸條施底肥用量；
(5)覆膜:用寬度100cm，厚度0.008cm的地膜3覆蓋於壟面中心位置，膜邊沿落入條施基肥的施肥溝2上，在施肥溝2上覆土且將地膜3的邊沿蓋實壓緊；
(6)栽煙:在距離壟中心線50cm的地壟上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直徑8cm，按發明專利名稱為「烤菸地膜井窖式小苗移栽方法」專利申請號201110203197.5」栽植煙苗，株距按常規烤菸生產執行；
(7)揭膜:在烤菸採收結束時，揭開地膜3，保持地膜完整性，便於回收再利用；
(8)其它:其它管理按常規烤菸種植方式管理。實施例3:如圖2所示，本發明的具體實施步驟為
(I)選地:選擇土層深度在30cm以上，地勢平緩的煙地；(2)整地:起壟前深耕，耕層深度在15cm以上，耕畢後耙均，清除煙地雜物；
(3)起壟:按壟底(A)210cm開廂起梯形寬壟，土煙壟高(C)20±3cm，田煙壟高(C)25 ± 3cm，壟面略呈弧形，保證不集雨；
(4)施基肥:在地壟I的肩部，距地壟中心線45cm處開深15-20cm施肥溝2，按常規烤菸條施底肥用量；
(5)覆膜:用寬度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆蓋於壟面中心位置，膜邊沿落入條施基肥的施肥溝2上，在施肥溝2上覆土且將地膜3的邊沿蓋實壓緊；
(6)栽煙:在距離壟中心線45cm的地壟上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直徑8cm，按發明專利名稱為「烤菸地膜井窖式小苗移栽方法」專利申請號201110203197.5」栽植煙苗，株距按常規烤菸生產執行；
(7)揭膜:在烤菸採收結束時，揭開地膜3，保持地膜完整性，便於來年再用；
(8)其它:其它管理按常規烤菸種植方式管理。實施例4:如圖2所示，本發明的具體實施步驟為
(1)選地:選擇土層深度在30cm以上，地勢平緩的煙地；
(2)整地:起壟前深耕，耕層深度在15cm以上，耕畢後耙均，清除煙地雜物；
(3)起壟:按壟底(A)210cm開廂起梯形寬壟，土煙壟高(C)20±3cm，田煙壟高(C)25 ± 3cm，壟面略呈弧形，保證不集雨；
(4)施基肥:在地壟I的肩部，距地壟中心線45c`m處開深15-20cm施肥溝2，按常規烤菸條施底肥用量；
(5)覆膜:用寬度90cm，厚度0.008cm的地膜3覆蓋於壟面中心位置，膜邊沿落入條施基肥的施肥溝2上，在施肥溝2上覆土且將地膜3的邊沿蓋實壓緊；
(6)栽煙:在距離壟中心線50cm的地壟上打井窖式移栽孔4，井窖式移栽孔4的孔口直徑8cm，按發明專利名稱為「烤菸地膜井窖式小苗移栽方法」專利申請號201110203197.5」栽植煙苗，株距按常規烤菸生產執行；
(7)揭膜:在烤菸採收結束時，揭開地膜3，保持地膜完整性，便於來年再用；
(8)其它:其它管理按常規烤菸種植方式管理。
權利要求
1.一種烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:該方法是在地壟的頂部覆蓋地膜，然後在地壟上地膜兩邊沿的內側或外側開種植孔進行煙苗栽培。
2.根據權利要求1所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:所述的種植孔為井窖式移栽孔。
3.根據權利要求1所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:地膜的寬度90_100cm,厚度 0.008cm。
4.根據權利要求1、2或3所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:在地壟上地膜的兩邊沿處開設施肥溝，在施肥溝內施底肥，後在其施肥溝上蓋土壓緊地膜邊沿。
5.根據權利要求4所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:在烤菸採收結束後，揭開地膜，進行回收 。
6.根據權利要求4所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:施肥溝的寬度為15_20cm、深度為 15_20cm。
7.根據權利要求4所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:種植孔位於地壟上地膜邊沿的內側或外側。
8.根據權利要求7所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:種植孔的孔口直徑8cm,種植孔孔口圓心到膜邊沿的距離為5cm。
9.根據權利要求4所述的烤菸半膜覆蓋栽培方法，其特徵在於:壟底寬度為210cm，土煙壟高20±3cm，田煙壟高25±3cm。
全文摘要
本發明公開了一種烤菸半膜覆蓋栽培方法，該方法是在地壟的頂部覆蓋地膜，然後在地壟的肩部地膜邊緣開種植孔進行煙苗栽培。本發明的優點是(1)烤菸實施一壟雙行，實現了寬窄行移栽，利於烤菸後期田間通風透光，提高菸葉品質。(2)烤菸中後期生長過程中，根系處於膜內和膜外兩個部位，綜合了乾旱地膜保溼、雨澇排水的特點，利於烤菸正常生長。(3)地膜邊緣與底肥相連，煙株根系與地膜、底肥靠近而接觸，有利於降雨順膜流入根系周圍，溶解了肥料，滋潤了煙株根系，提高了肥料利用率、促進了根系發育與烤菸生長。(4)因地膜邊緣與煙株莖基部相鄰，站在壟上揭膜，保證地膜的完整性，提高了地膜回收效率，有效降低「白色汙染」。
文檔編號A01G1/00GK103081710SQ201310068318
公開日2013年5月8日 申請日期2013年3月5日 優先權日2013年3月5日
發明者潘文杰, 高維常, 陳偉, 陳懿, 李繼新, 梁貴林, 邱雪柏, 林葉春, 廖成松 申請人:貴州省菸草科學研究院