圖像畸變校正電路的製作方法
2023-07-23 00:54:51 2
專利名稱：圖像畸變校正電路的製作方法
技術領域：
本發明涉及電視接收機、監視器等中使用的CRT(陰極射線管)的圖像畸變校正裝置。
在使用了CRT的電視接收機及監視器中，由於前屏幕(螢光面)近似為平面、從偏轉中心到螢光面的距離延伸了，故在使電子束偏轉投射到前屏幕上的圖像中產生了稱為枕形畸變的畸變。為了校正該枕形畸變，提出了各種枕形畸變校正電路。
另一方面，前屏幕近似為平面，有關從偏轉中心到螢光面的距離、周邊部分比中心部分延伸得多。在此，如果假定前屏幕為平面屏幕，則在假定偏轉角為θ時，偏轉電流的變化及屏幕上的亮點位置的位移量x(t)(t為時間變化)與tonθ成正比。因此，發生了隨著向畫面端部移動水平偏轉量增加這樣的周邊延伸，CRT畫面的周邊部成為線性變壞的圖像。為了校正該周邊延伸的畸變，使用了S形校正電路，使減小的S形水平偏轉電流在周邊部流動，減小了管面周邊的水平偏轉電流。
在使用了CRT的電視接收機及監視器中發生的S形校正電路所需的校正量與從偏轉中心到畫面上各點的距離成反比，並且在畫面上哪裡都不相同。由於有關從偏轉中心的距離、具有曲率半徑大的前屏幕的CRT畫面的上部及下部比中央部遠，故其S形校正量比中央部小。但是，在現有的S形校正電路中未對畫面的垂直方向做出特別考慮，故與中央部相比在畫面的上部及下部進行了過度的S形校正，中間部的縱線示為枕形彎曲的形狀。把該畸變稱為中間枕形畸變(縱線內部枕形畸變)。即使使用現有的枕形畸變校正電路也不能完全校正該中間枕形畸變。
近年來，有利用CRT前屏幕形狀的平坦化使偏轉角變大的傾向。因此，與具有曲率半徑大的前屏幕的CRT畫面相比，S形校正量整個增大，同時從偏轉中心起的、畫面的上下部與中央部的距離差擴大，作為其結果是該中間枕形畸變進一步變得顯著，對此的對策變得必要起來了。
為了校正該中間枕形畸變，提出了各種中間枕形畸變校正裝置，例如，有在特開平9-149283號公報及特開平11-261839號公報等中公開了的中間枕形畸變校正裝置。
圖5為示出在特開平11-261839號公報中公開了的現有中間枕形畸變校正裝置的電路結構的概略的電路圖。如該圖中所示，水平偏轉電流IH在端子P1與端子P2間流動，把水平偏轉線圈21、水平校正線圈L13及水平校正線圈L14串聯連接在端子P1與P2間。把水平校正線圈L13及水平校正線圈L14纏繞在同一鐵芯13上。再有，由於可以把水平偏轉線圈21的內部考慮成單個線圈或多個線圈的並聯連接等各種結構，故為了方便起見用框來表示。
另一方面，垂直偏轉電流IV在端子P3與端子P4間流動，把垂直偏轉線圈22設置在端子P3與中間端子P11間。再有，由於可以把垂直偏轉線圈22考慮成單個線圈、或多個線圈的串聯連接與平衡校正用的多個電阻(在一部分中，包含可變電阻)的組合電路等各種結構，故為了方便起見用框來表示。
把二極體D3的陽極及電阻R4的一端連接在中間點P11上，把垂直校正線圈L15的一端及二極體D4的陰極連接在二極體D3的陰極上，把電阻管R4的另一端及電阻R5的一端連接在垂直校正線圈L15的另一端上，把二極體D4的陽極及電阻R5的另一端連接在端子P4上。把垂直校正線圈L15纏繞在鐵芯13上。
另一方面，中間枕形畸變校正可飽和電抗單元10由水平校正線圈L13、L14；垂直校正線圈L15；磁鐵11、12；以及鐵芯13構成，把磁鐵11、12以在一個方向(圖5中，為向左)上對磁場進行偏置的方式配置在鐵芯13的兩端。把水平校正線圈L13與L14的繞線方向設定成互相相反的方向以便發生互相相反方向的磁場，把垂直校正線圈L15的繞線方向設定成使其在與由磁鐵11、12進行偏置的方向相反的方向上發生磁場。
打算在該中間枕形畸變校正裝置的中間枕形畸變校正可飽和電抗單元10中做到，通過根據流過垂直校正線圈L15的垂直偏轉電流IV來控制水平偏轉電流IH流過的水平校正線圈L13、L14的電感量，以便根據垂直偏轉的量來改變水平偏轉中的S形校正量。
即，通過把水平校正線圈L13、L14連接到水平偏轉線圈21的一端上，利用在垂直掃描周期(垂直周期)內變化的垂直偏轉電流IV進行調製，使垂直校正線圈L15發生抵消磁鐵11、12的偏置磁場的方向的磁場，使水平校正線圈13、14的電感量發生變化來進行畫面左右的中間枕形校正。此時，施加到2個水平校正線圈L13、L14中的水平偏轉電流IH是在每1水平掃描周期內提供的S形校正了的鋸齒波電流，施加到垂直校正線圈15中的垂直偏轉電流IV是利用2個二極體D3、D4及2個電阻R4、R5對在每1垂直掃描周期內提供的鋸齒波電流進行了同極性整流的電流。
這樣，在電視接收機及監視器的CRT中，有必要防止在畫面左右發生的中間枕形畸變引起的圖像質量劣化，進行了各種提案。但是，在圖5中示出的現有中間枕形畸變校正裝置中，為了中間枕形畸變校正可飽和電抗單元10的垂直校正線圈L15的整流，由2個二極體D3、D4及2個電阻R4、R5構成的整流電路及垂直校正線圈L15構成的垂直校正部32成為對垂直偏轉線圈22串聯連接的電路結構。
因此，存在著下述問題，由於流過垂直偏轉電流IV的上述垂直校正部32的阻抗增大故垂直偏轉靈敏度變壞。
本發明是為了解決上述問題而進行的，其目的在於得到能夠使垂直偏轉靈敏度比現有的改善，並能進行中間枕形畸變校正的圖像畸變校正電路。
與本發明第1方面有關的一種圖像畸變校正電路，其特徵在於，具備第1及第2水平校正線圈，將其設置在水平偏轉電流流過的水平偏轉電流路徑上，把上述第1與第2水平校正線圈串聯連接，同時把繞線方向設定成使其發生互相相反方向的磁場，還具備磁場偏置裝置，在第1方向上對上述磁場進行偏置；以及垂直校正部，具有第1及第2端子，垂直偏轉電流在上述第1與第2端子間流動，上述垂直校正部具備第1垂直校正線圈，將其設置在配置在上述第1與第2端子間的第1電流路徑上；第2垂直校正線圈，將其設置在對上述第1電流路徑獨立地配置在上述第1與第2端子間的第2電流路徑上；以及共用電阻，將其分別對上述第1及第2電流路徑以並聯方式共同連接，使第1及第2極性的上述垂直偏轉電流分別有選擇地流過上述第1及第2電流路徑，若上述第1及第2極性的上述垂直偏轉電流分別流過上述第1及第2垂直校正線圈，就同時在與上述第1方向相反的第2方向上發生磁場。
此外，本發明第2方面是本發明第1方面中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述垂直校正部還具備第1二極體，將其設置在第1電流路徑上，與上述第1垂直校正線圈串聯連接；以及第2二極體，將其設置在第2電流路徑上，與上述第2垂直校正線圈串聯連接，設置上述第1及第2二極體，使之對上述第1及第2極性的上述垂直偏轉電流分別變成導通狀態。
此外，本發明第3方面是本發明第1或第2方面中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述第1及第2二極體包含肖特基勢壘二極體。
此外，本發明第4方面是本發明第1或第2方面中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述垂直校正部還具備第1及第2阻尼部，分別與上述第1及第2垂直校正線圈並聯連接，上述第1阻尼部包含串聯連接的第1電阻及第1電容器，上述第2阻尼部包含串聯連接的第2電阻及第2電容器。
進而，本發明第5方面是本發明第1或第2方面中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述第1及第2水平校正線圈以及上述第1及第2垂直校正線圈包含纏繞在共同鐵芯上的線圈。
圖1為示出作為本發明實施例1的圖像畸變校正電路結構的電路圖；圖2為示出圖1中的中間枕形畸變校正可飽和電抗單元的具體結構的說明圖；圖3為示出作為本發明實施例2的圖像畸變校正電路結構的電路圖；圖4為示出作為本發明實施例3的圖像畸變校正電路的電路結構的電路圖；以及圖5為示出現有的中間枕形畸變校正裝置的電路結構的電路圖。
實施例
圖1為示出作為本發明實施例1的圖像畸變校正電路結構的電路圖。再有，設置在圖1中線圈L1～L4附近的黑圓點表示繞組的纏繞起點，確定了線圈所發生磁場的方向。
如該圖中所示，水平偏轉電流IH在端子P1與端子P2間流動，把水平偏轉線圈21、水平校正線圈L1及水平校正線圈L2互相串聯連接在端子P1與P2間。把水平校正線圈L1及水平校正線圈L2分別纏繞在鐵芯4上。
另一方面，垂直偏轉電流IV在端子P3與端子P4間流動，把垂直偏轉線圈22設置在端子P3與中間端子P11間。
在中間端子P11與端子P4間，構成了由垂直校正線圈L3、L4；二極體D1、D2；及電阻R1構成的垂直校正部31。下面，說明垂直校正部31的內部結構。把二極體D1的陽極、二極體D2的陰極及電阻R1的一端連接在中間端子P11上，把垂直校正線圈L3的一端連接在二極體D1的陰極上，把電阻R1的另一端及端子R4連接在垂直校正線圈L3的另一端上。把垂直校正線圈L4的一端連接在端子P4上，把垂直校正線圈L4的另一端連接在二極體D2的陽極上。把垂直校正線圈L3、L4纏繞在鐵芯4上。
即，把作為共用電阻的電阻R1，分別對設置在中間端子P11與端子P4間的第1電流路徑(二極體D1與垂直校正線圈L3串聯連接的路徑)及第2電流路徑(二極體D2與垂直校正線圈L4串聯連接的路徑)以並聯方式共同連接。
中間枕形畸變校正可飽和電抗單元1由上述的水平校正線圈L1、L2；垂直校正圈L3、L4；磁鐵2、3；及鐵芯4構成。利用配置在鐵芯4兩端上的一對磁鐵2、3(磁場偏置裝置)，從N極到S極(圖1中，為向左)施加偏置磁場。如果能進行磁耦合，則鐵芯4可以是整體結構或者多個分割結構。磁鐵2、3的極性為，一端是S極、另一端是N極。由於如果產生磁偏置則只配置在鐵芯4的一側上即可，故該磁鐵可以考慮只配一側的結構。
2個水平校正線圈L1、L2以發生互相相反方向的磁場的繞線方向纏繞在鐵芯4上。垂直校正線圈L3、L4的繞線方向都是，以發生把利用一對磁鐵2、3發生的偏置磁場抵消的方向的磁場的方向進行纏繞，纏繞在與水平校正線圈L1、L2進行了磁耦合的同一個鐵芯4上。即，在由二極體D1選擇的極性為正的垂直偏轉電流IV流過垂直校正線圈L3的情況下，垂直校正線圈L3發生把上述偏置磁場抵消的方向的磁場，在由二極體D2選擇的極性為負的垂直偏轉電流IV流過垂直校正線圈L4的情況下，垂直校正線圈L4發生把上述偏置磁場抵消的方向的磁場。
圖2為示出圖1中的中間枕形畸變校正可飽和電抗單元1的具體結構的說明圖。構成鐵芯4的部分鐵芯4a與4b接觸以便進行磁耦合，把磁鐵2、3配置在其兩端，其極性為一端是S極、另一端是N極。然後，利用磁軛7夾住磁鐵2、3，利用磁鐵2、3、鐵芯4及磁軛7形成磁閉環。再有，也可以是不使用該磁軛7的結構。
把水平校正線圈L1纏繞在部分鐵芯4a上，把水平校正線圈L2纏繞在部分鐵芯4b上。這2個水平校正線圈L1、L2以發生互相相反相反方向的磁場的繞線方向進行纏繞，如圖1中所示，串聯連接水平校正線圈L1與水平校正線圈L2。
垂直校正線圈L3、L4從水平校正線圈L1、L2的繞組之上開始以部分鐵芯4a、4b為中心，同時纏繞。該垂直校正線圈L3、L4以發生把利用磁鐵2、3發生的偏置磁場抵消的方向的磁場那樣的繞線方向進行纏繞。
這樣，圖2中所示的中間枕形畸變校正可飽和電抗單元1的等效電路為圖1中示出了的中間枕形畸變校正可飽和電抗單元1。使用該中間枕形畸變校正可飽和電抗單元1，能夠像後述那樣來校正在畫面左右產生的中間枕形畸變。此外，只要是具有圖1等效電路中所示那樣的功能的中間枕形畸變校正可飽和電抗單元1，也可以不是圖2中所示的結構。
圖1中示出了的圖像畸變校正電路中，水平偏轉線圈21及垂直偏轉線圈22意味著偏轉磁軛的線圈。未圖示的水平偏轉電路把每個水平掃描周期發生的S形校正了的鋸齒形波水平偏轉電流IH供給到水平偏轉線圈21，此外，未圖示的垂直偏轉電路把每個垂直掃描周期發生的鋸齒形垂直偏轉電流IV供給到垂直偏轉線圈22，在使電子束偏轉之點上與現有的圖像畸變校正電路相同。
由二極體D1、D2對鋸齒形波垂直偏轉電流IV進行了整流的電流流過垂直校正線圈L3、L4。在此，確定二極體D1、D2的極性及繞線方向，以使電流以把磁鐵2、3產生的偏置磁場抵消的方向流過垂直校正垂直校正線圈L3、L4。
因而，當垂直偏轉電流IV的極性為正時，二極體D1導通，電流流過垂直校正線圈L3，把磁鐵2、3產生的偏置磁場抵消。因此，由垂直偏轉電流控制水平校正線圈L1、L2的磁飽和狀態，使水平偏轉的電感量以垂直周期而變化進行畫面左右的中間枕形校正。當垂直偏轉電流的極性為負時，二極體D2成為導通狀態，與極性為正的情況相同地進行工作。
這樣的結構的實施例1的圖像畸變校正電路通過利用垂直偏轉電流IV流過的垂直校正線圈L3及L4發生把磁鐵2、3產生的偏置磁場抵消的磁場的作用，使水平偏轉電感量(水平偏轉線圈21、水平校正線圈L1、L2的合成電感量；及水平校正線圈L1、L2直接合成的電感量)變化。
其結果，伴隨著水平偏轉電感量的變化水平偏轉電流IH變動，由此，可實現考慮了垂直偏轉量的水平偏轉量的校正，能夠進行畫面左右的中間枕形畸變校正。
再有，圖1中，把二極體D1及D2分別與垂直校正線圈L3及L4的纏繞起點及纏繞終點側串聯連接，但是，與垂直校正線圈L3及L4的纏繞終點及纏繞起點側串聯連接當然也可得到同等的效果。
對垂直校正線圈L3、L4及二極體D1、D2以並聯方式共同連接的電阻R1製作使二極體導通的電壓。通過改變該電阻值可控制起始流過垂直校正線圈L3、L4中的電流的起始點。
圖5中示出了的現有中間枕形畸變校正裝置(圖像畸變校正電路)中，當二極體D3、D4為關斷狀態時，垂直校正部32的阻抗的電阻值為電阻R4的電阻值與電阻R5的電阻值之和。此外，二極體D3為導通狀態時的垂直校正部32的阻抗為第1合成電阻的電阻值與電阻R5的電阻值之和。再有，第1合成電阻意味著由二極體D3的導通電阻及垂直校正線圈L15的電阻構成的串聯連接電阻、與電阻R4的並聯電阻。
二極體D4導通時也同樣，垂直校正部32的阻抗為第2合成電阻的電阻值與電阻R4的電阻值之和。再有，第2合成電阻意味著由二極體D4的導通電阻及垂直校正線圈L15的電阻構成的串聯連接電阻、與電阻R5的並聯電阻。
在此，假定上述第1及第2合成電阻的電阻值充分小、為可以忽略的程度，則與垂直校正部32不存在的情況相比，當二極體D3為導通狀態時垂直偏轉電流IV流過的電路的阻抗(下面，略為「垂直阻抗」)也變壞了一個電阻R5的電阻值，當二極體D4為導通狀態時垂直阻抗也變壞了一個電阻R4的電阻值，因此，作為結果是垂直偏轉靈敏度變壞。
另一方面，在實施例1的圖像畸變校正裝置中，當二極體D1、D2均為關斷狀態時的垂直校正部31的阻抗為電阻R1的電阻值。當二極體D1為導通狀態時的垂直校正部31的阻抗為由二極體D1的導通電阻及垂直校正線圈L3的電阻構成的串聯連接電阻、與電阻R1的並聯電阻(第3合成電阻)的電阻值。同樣，在二極體D2導通的情況下，垂直校正部31的阻抗為由二極體D2的導通電阻及垂直校正線圈L4的電阻構成的串聯連接電阻、與電阻R1的並聯電阻(第4合成電阻)的電阻值。因而，與現有例相比，可改善垂直阻抗。
這樣，由於與圖5中示出了的現有中間枕形畸變校正裝置的垂直校正部32的阻抗相比，實施例1的圖像畸變校正電路的垂直校正部31的阻抗顯著降低，故可大幅度地改善垂直偏轉靈敏度。
例如，如果假定電阻R1與電阻R4、R5的電阻值相同(假定為「RO」)，垂直校正線圈L3、L4與垂直校正線圈L15的電阻值相同，二極體D1、D2與二極體D3、D4的導通電阻值相同，則與圖5中示出了的垂直校正部32的電阻值相比，由於第1及第2合成電阻的電阻值與第3及第4合成電阻值為同一值，故在二極體D1(D3)、D2(D4)都關斷和一方導通、另一方關斷的任一情況下，通過謀求阻抗減小了電阻值RO，可改善垂直偏轉靈敏度。
實施例2
圖3為示出作為本發明實施例2的圖像畸變校正電路結構的電路圖。如該圖中所示，在實施例2中使用了肖特基勢壘二極體D11、D12來代替實施例1的二極體D1、D2。再有，由於其它結構與圖1、圖2中示出了的實施例1的結構相同，故省略其說明。
在圖1中示出了的實施例1的圖像畸變校正電路中，由於伴隨著垂直校正線圈L3及L4的整流電路(由二極體D1、D2及電阻R1構成)與垂直偏轉線圈22串聯連接，故垂直校正部31的阻抗直接影響垂直偏轉靈敏度。
如上所述，在二極體D1為導通狀態的情況下，垂直阻抗的增加量為二極體D1的導通電阻與垂直校正線圈L3的電阻的串聯合成電阻、與電阻R1的並聯合成電阻(第3合成電阻)。
在此，如圖3中所示，在實施例2的圖像畸變校正電路中，使用肖特基勢壘二極體D11、D12來代替二極體D1、D2。與通常的二極體相比，肖特基勢壘二極體的導通電阻值低，作為整流二極體廣泛被使用。由於使用具有這樣的特性的肖特基勢壘二極體D11、D12來代替二極體D1、D2，可減小導通電阻值，可進行阻抗的改善，垂直偏轉靈敏度可改善到實施例1以上。
進而，由於肖特基勢壘二極體的、對於正向電流值的二極體正向電壓比通常二極體低，故可把起到製作用於使二極體導通的電壓之作用的電阻R1之電阻值也設定得較小。由於可減小電阻R1的電阻值，故在二極體D11(D12)為關斷時及導通時的哪一種情況下阻伉都能減小到實施例1的圖像畸變校正電路以上，可改善垂直偏轉靈敏度。
與通常二極體相比，由於在使用肖特基勢壘二極體並且把電阻R1定為與使用通常二極體時相同的電阻值的情況下肖特基二極體導通電阻的電阻值小，故流過電阻R1的電流與流過垂直校正線圈L3(L4)的電流之分流比改變，可有更多的電流流過垂直校正線圈L3(L4)產生的水平偏轉電流IH的校正量。此外，肖特基勢壘二極體D11、D12本身的導通電阻改善了，相應地減小了阻抗，由此，改善了垂直偏轉靈敏度。
實施例3
圖4為示出作為本發明實施例3的圖像畸變校正電路的電路結構的電路圖。
如該圖中所示，在垂直校正線圈L3的兩端間插入串聯連接的電阻R8及電容器C1，同時在垂直校正線圈L4的兩端間插入串聯連接的電阻R9及電容器C2。再有，由於其它結構與圖1中示出了的結構相同，故省略其說明。
中間枕形畸變校正可飽和電抗單元1的垂直校正線圈L3、L4作成為與水平校正線圈L1、L2同時纏繞在共同鐵芯4上的結構。因此，由於在垂直校正線圈L3、L4中出現了水平分量(水平偏轉電流IH)的幹擾，水平分量混合到垂直偏轉電流IV中，故有時得不到預期的性能(垂直偏轉特性)。
作為其對策，在實施例3的圖像畸變校正電路中，把由電阻R8與電容器C1串聯連接構成的第1阻尼部與垂直校正線圈L3並聯連接，同時把由電阻R9與電容器C2串聯連接構成的第2阻尼部與垂直校正線圈L4並聯連接。可利用該第1及第2阻尼部(電阻R8、R9；電容器C1、C2)產生的阻尼效應(從垂直偏轉電流IV中把高頻水平分量去除的效應)來抑制性能的變壞。
再有，如果不出現上述的性能變壞現象，則也可以是不使用該電阻R8、R9及電容器C1、C2的結構。此外，如果把電阻R8、R9及電容器C1、C2與垂直偏轉線圈L3、L4並聯連接，則具有同等的效果，而與垂直校正線圈L3、L4的繞線方向及串聯連接的順序無關。此外，也可以是只用電阻R8、R9的結構。此外，在圖4中，在圖1中示出了的實施例1的電路結構中附加連接了電阻R8、R9及電容器C1、C2，但是，當然也可以在圖3中示出了的實施例2的電路結構中附加連接電阻R8、R9及電容器C1、C2。
此外，在圖4中，在圖1中示出了的實施例1的電路結構中附加連接了電阻R8、R9及電容器C1、C2，當然也可以在圖3中示出了的實施例2的電路結構中附加連接電阻R8、R9及電容器C1、C2。
如上面說明了的那樣，本發明第1方面所述的圖像畸變校正電路通過利用垂直校正部的第1及第2垂直校正線圈發生把磁場偏置裝置產生的偏置磁場抵消的磁場的作用，使第1及第2水平校正線圈的合成電感量變化，來實現考慮了垂直偏轉量的水平偏轉量的校正。
其結果，第1方面所述的圖像畸變校正電路可校正畫面左右的中間枕形畸變(在提供S形校正了的鋸齒形波的水平偏轉電流時，與中央校正，中間部的縱線為枕形變曲的形狀的畸變)。
此外，關於垂直偏轉電流流過第1與第2端子間之時的垂直校正部的電阻分量，在垂直偏轉電流不流過第1及第2電流路徑的情況下由於只包含共用電阻的共用電阻部構成電流路徑故該電阻分量為該電流路徑上的共用電阻的電阻值，在垂直偏轉電流流過第1電流路徑的情況下為共用電阻與第1電流路徑上的電阻的並聯合成電阻的電阻值，在垂直偏轉電流流過第2電流路徑的情況下為共用電阻與第2電流路徑上的電阻的並聯合成電阻的電阻值。
即，由於最大能以一個共用電阻的電阻值就解決了，故通過把垂直校正部電阻分量電阻值的增加抑制到所需要的最小限度內可以把垂直偏轉靈敏度的變壞抑制到最小限度。
在第2方面所述的圖像畸變校正電路中，利用分別對第1及第2極性的垂直偏轉電流成為導通狀態的第1及第2二極體能夠使第1及第2極性的垂直偏轉電流有選擇地流過第1及第2電流路徑。
在第3方面所述的圖像畸變校正電路中，由於第1及第2二極體包含肖特基勢壘二極體，故與通常二極體相比導通電阻值降低，可相應地降低垂直校正部電阻分量的電阻值，可進一步抑制垂直偏轉靈敏度的變壞。
進而，由於第1及第2二極體的導通電阻值降低故第1及第2電流路徑上的電阻值下降，由於可使對於流過共用電阻的電流量的、流過第1及第2電流路徑的電流量增加故可增加流過第1及第2垂直校正線圈的電流量，可增加垂直校正部產生的水平偏轉校正量。
此外，由於肖特基勢壘二極體比通常二極體的正向電壓低，故可與此相隨把共用電阻的電阻值設定得低，可相應地抑制垂直偏轉靈敏度的變壞。
在第4方面所述的圖像畸變校正電路中，利用分別與第1及第2垂直校正線圈並聯連接的第1及第2阻尼部，能夠可靠地防止管1及第2垂直校正線圈受到流過第1及第2水平校正線圈的水平偏轉電流的幹擾所產生的壞影響、而使垂直偏轉電流的精度變壞的情況。
權利要求
1．一種圖像畸變校正電路，其特徵在於，具備第1及第2水平校正線圈，將其設置在水平偏轉電流流過的水平偏轉電流路徑上，把上述第1與第2水平校正線圈串聯連接，同時把繞線方向設定成使其發生互相相反方向的磁場，還具備磁場偏置裝置，在第1方向上對上述磁場進行偏置；以及垂直校正部，具有第1及第2端子，垂直偏轉電流在上述第1與第2端子間流動，上述垂直校正部具備第1垂直校正線圈，將其設置在配置在上述第1與第2端子間的第1電流路徑上；第2垂直校正線圈，將其設置在對上述第1電流路徑獨立地配置在上述第1與第2端子間的第2電流路徑上；以及共用電阻，將其分別對上述第1及第2電流路徑以並聯方式共同連接，使第1及第2極性的上述垂直偏轉電流分別有選擇地流過上述第1及第2電流路徑，上述第1及第2極性的上述垂直偏轉電流一分別流過上述第1及第2垂直校正線圈，就同時在與上述第1方向相反的第2方向上發生磁場。
2．根據權利要求1中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述垂直校正部還具備第1二極體，將其設置在第1電流路徑上，與上述第1垂直校正線圈串聯連接；以及第2二極體，將其設置在第2電流路徑上，與上述第2垂直校正線圈串聯連接，設置上述第1及第2二極體，使之對上述第1及第2極性的上述垂直偏轉電流分別變成導通狀態。
3．根據權利要求1或2中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述第1及第2二極體包含肖特基勢壘二極體。
4．根據權利要求1或2中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述垂直校正部還具備第1及第2阻尼部，分別與上述第1及第2垂直校正線圈並聯連接，上述第1阻尼部包含串聯連接的第1電阻及第1電容器，上述第2阻尼部包含串聯連接的第2電阻及第2電容器。
5．根據權利要求1或2中所述的圖像畸變校正電路，其特徵在於，上述第1及第2水平校正線圈以及上述第1及第2垂直校正線圈包含纏繞在共同鐵芯上的線圈。
全文摘要
一種把垂直偏轉靈敏度的變壞抑制到最小,並能進行中間枕形畸變校正的圖像畸變校正電路。水平偏轉電流IH流過水平校正線圈L1、L2,垂直偏轉電流IV流過垂直校正線圈L3或L4。把L3、L4及L1、L2纏繞在同一鐵芯4上。利用4兩端的磁鐵2、3施加偏置磁場。把二極體D1的陽極、D2的陰極及電阻R1的一端連接在中間端子P11,把L3的一端連接在D1的陰極,把R1的另一端及端子P4連接在L3的另一端。
文檔編號H01J29/76GK1323133SQ00135249
公開日2001年11月21日 申請日期2000年12月12日 優先權日2000年5月8日
發明者安井裕信, 瓶子晃永, 宮本佳典, 石森彰, 西野浩章 申請人:三菱電機株式會社