一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法
2023-08-06 02:55:51
一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法
【專利摘要】本發明公開了一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法，屬於金屬聚合物領域。所述方法包括：通過合成反應得到醛類化合物，並進一步與二胺類化合物通過醛、胺縮合得到含功能基團取代基的系列Salen類希夫鹼配體L；根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼配體L與Zn2+及Ln3+(Ln=Nd，Yb，Er，Gd，Eu?or?Tb)進行組裝。本發明通過含Zn-Ln可導電的混金屬聚合物分子體系的能量傳遞機理的揭示，明確其用於可見及近紅外發光材料，獲取長螢光壽命、強螢光強度及高量子產率的發光器件的突破性解決途徑和方法。
【專利說明】一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及金屬聚合物領域，特別涉及一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法。
【背景技術】
[0002]4f鑭系金屬離子(如Eu3+、Tb3+、Nd3+、Er3+及Yb3+等)的長螢光壽命及可見或近紅外特徵發光，在發光二極體、光通訊、光導纖維、發光傳感器、雷射等光學材料方面具有非常廣泛的應用。現有技術中，薄膜製備過程中Ln3+配合物的分散均勻性及體系的熱力學穩定性難以保證。
【發明內容】
[0003]為了解決現有技術的問題，本發明實施提供了一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法。所述技術方案如下:
[0004]一方面提供了一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法，所述方法包括:
[0005]通過反應合成得到醛類化合物，並進一步與二胺類化合物通過醛、胺縮合得到含功能基團取代基的Salen類希夫鹼配體L ；
[0006]根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼配體L與Zn2+及Ln3+ 進行組裝，配位形成含功能基團的[ZnPyLnL(NO3)3]異二核化合物結構基元，其中，L為含取代基的Salen希夫鹼配體，Py為吡啶；
[0007]電化學聚合得到含Ln3+發光特徵的可導電混金屬聚合物薄膜材料。
[0008]另一方面，提供了一種導電性混金屬聚合物薄膜材料，其特徵在於，所述導電性混金屬聚合物薄膜材料包括{ZnPyLn (L) (NO3)3I和{Zn (OAc) Ln (L) (NO3) 2}n，其中Py為吡啶，Ln為鑭系金屬離子，L為含功能基團取代基的Salen型席呋鹼配體，η為聚合度，Okc為醋酸根。
[0009]本發明實施例提供的技術方案帶來的有益效果是:
[0010]本發明通過含Zn-Ln可導電的混金屬聚合物分子體系的能量傳遞機理的揭示，明確其用於可見及近紅外發光材料，獲取長螢光壽命、強螢光強度及高量子產率的發光器件的突破性解決途徑和方法。
【具體實施方式】
[0011]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合實施例對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0012]實施例一
[0013]本實施例提供了一種導電性金屬聚合物薄膜材料的製備方法，具體實現方式，詳述如下:
[0014](I)依據公式一，通過反應合成得到醛類化合物，並進一步與二胺類化合物通過醛、胺縮合得到含功能基團取代基的Salen類希夫鹼配體L，其中，公式一為:
【權利要求】
1.一種導電性混金屬聚合物薄膜材料的製備方法，所述方法包括: 通過反應合成得到醛類化合物，並進一步與二胺類化合物通過醛、胺縮合得到含功能基團取代基的Salen類希夫喊配體L ； 根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼配體L與Zn2+及Ln3+進行組裝，配位形成含功能基團的[ZnPyLn(L) (NO3)3]異二核化合物結構基元，其中，L為含取代基的Salen希夫鹼配體，Py為吡啶； 電化學聚合得到含Ln3+發光特徵的可導電混金屬聚合物薄膜材料。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，通過反應合成得到醛類化合物，並進一步與二胺類化合物通過醛、胺縮合得到含功能基團取代基的Salen類希夫鹼配體包括: 依據公式一，通過反應合成得到醛類化合物，並進一步與二胺類化合物通過醛、胺縮合得到含功能基團取代基的Salen類希夫鹼配體L，其中公式一為
3.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述導電性混金屬聚合物薄膜材料包括{ZnPyLn(L) (NO3)3}n,根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼配體L與Zn2+和Py進行組裝，配位形成含功能基團的ZnPyL前驅體結構基元包括: 依據公式二，根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼配體L與Zn2+和Py進行組裝，配位形成含功能基團的[ZnPy(L)]前驅體結構基元，其中公式二為
4.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述導電性金屬聚合物薄膜材料包括{ZnPyLnL(NO3) 3}n,根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼前驅體[Zn(L)Py]與Ln3+進行組裝，配位形成含功能基團的[ZnPyLn(L) (NO3)3]異二核化合物結構基元包括: 依據公式三，根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Zn2+與Salen類系列希夫鹼前驅體[Zn(L)Py]，(L為剛柔性不同等的Salen席夫鹼配體)與Ln3+進行組裝，配位形成含功能基團的[ZnPyLn(L) (NO3)3]異二核化合結構基元，其中公式三為
5.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述導電性金屬聚合物薄膜材料包括{Zn(OAc)Ln(L) (NO3)2}n,根據Zn-Ln異核雙金屬配合物結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼配體L與Zn2+及Ln3+進行組裝,配位形成含功能基團的[Zn (OAc) Ln (L)(NO3)2]異二核化合物結構基元包括:依據公式四，根據Zn-Ln異核雙金屬配合物(L為含取代基的Salen希夫鹼配體)結構基元的分子體系的性能，以Salen類系列希夫鹼配體L (剛柔性不同等)與Zn2+及Ln3+進行組裝，配位形成含功能基團的[Zn(OAc)Ln(L) (NO3)2]異二核化合物結構基元，其中公式四為
6.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述導電性金屬聚合物薄膜材料包括{ZnPyLn (L) (NO3)3 In,電化學聚合得到含Ln3+發光特徵的可導電混金屬聚合物薄膜材料包括: 依據公式五，電化學聚合得到含Ln3+發光特徵的可導電混金屬聚合物薄膜材料，其中公式五為
7.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述導電性金屬聚合物薄膜材料包括{Zn (OAc) LnL (NO3) 3}η，電化學聚合得到含Ln3+發光特徵的可導電混金屬聚合物薄膜材料包括: 依據公式六，電化學聚合得到含Ln3+發光特徵的可導電混金屬聚合物薄膜材料，其中公式六為
8.一種導電性金屬聚合物薄膜材料，其特徵在於，所述導電性金屬聚合物薄膜材料包括{ZnPyLn(L) (NO3)3In^ {Zn(OAc)Ln(L) (NO3)2}n，其中 Py 為吡唆，Ln 為鑭系金屬離子，L 為含功能基團取代基的Salen型席呋鹼配體，η為聚合度，Okc為醋酸根。
【文檔編號】C07F5/00GK104004508SQ201310573174
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2013年11月14日 優先權日:2013年11月14日
【發明者】呂興強, 馮維旭, 張召, 蘇培洋, 劉琳 申請人:西北大學