一種直流吸收保護電容器的製作方法

2023-07-11 07:18:51

本實用新型涉及一種電容器，特別涉及一種直流吸收保護電容器。

背景技術：

電容器，通常簡稱其容納電荷的本領為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是『裝電的容器』，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用於電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調諧迴路，能量轉換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體(包括導線)間都構成一個電容器。隨著電子信息技術的日新月異，數碼電子產品的更新換代速度越來越快，以平板電視(LCD和PDP)、筆記本電腦、數位相機等產品為主的消費類電子產品產銷量持續增長，帶動了電容器產業增長。電容器的需求量逐年增加，要求其容量大、耐壓高、質量好且可靠性強。傳統的薄膜電容器受結構影響，抗電流能力差，耐壓能力差，易擊穿，且脈衝強度低。

技術實現要素：

【1】要解決的技術問題

本實用新型要解決的技術問題是提供一種結構簡單、製造方便、抗大電流、脈衝強度高的直流吸收保護電容器。

【2】解決問題的技術方案

本實用新型提供一種直流吸收保護電容器，其包括電容卷芯1，所述電容卷芯由依次疊加的第一金屬化膜21、絕緣膜22和第二金屬化膜23繞芯軸2卷制而成；所述第一金屬化膜21與所述第二金屬化膜23的寬度相等，所述第一金屬化膜的上端邊緣設有上絕緣區211，所述上絕緣區的下端塗覆有金屬塗層；所述第二金屬化膜的下端邊緣設有下絕緣區231，所述下絕緣區的上端塗覆有金屬塗層，所述第一金屬化膜與所述第二金屬化膜交錯設置，所述上絕緣區位於所述第二金屬化膜的上邊沿的下端，所述下絕緣區位於所述第一金屬化膜的下邊沿的上端，且所述第一金屬化膜與所述第二金屬化膜上的金屬塗層均朝向所述芯軸，所述絕緣膜位於所述第二金屬化膜與所述第一金屬化膜之間。

進一步的，所述絕緣膜的上邊沿與所述上絕緣區的上邊沿平齊；所述絕緣膜的下邊沿與所述下絕緣區的下邊沿平齊。

進一步的，所述上絕緣區與所述下絕緣區的寬度相等，均大於等於1mm且小於等於5mm。

進一步的，所述第一金屬化膜與所述第二金屬化膜的錯開距離大於等於0.7mm且小於等於2.5mm。

進一步的，所述電容卷芯外包覆有聚丙烯薄膜，所述聚丙烯薄膜的纏繞圈數大於等於20圈且小於等於30圈。

進一步的，所述絕緣膜為聚酯薄膜。

【3】有益效果

本實用新型直流吸收保護電容器，結構簡單，製造方便且成本低，抗大電流，耐壓能力好，且脈衝強度高，質量可靠性好，使用壽命長。

附圖說明

圖1為本實用新型直流吸收保護電容器的結構示意圖；

圖2為本實用新型直流吸收保護電容器的展開結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖，詳細介紹本實用新型實施例。

參閱圖1至圖2，本實用新型提供一種直流吸收保護電容器，其包括電容卷芯1，電容卷芯由依次疊加的第一金屬化膜21、絕緣膜22和第二金屬化膜23繞一塑料的芯軸2卷制而成；第一金屬化膜21與第二金屬化膜23的寬度相等，在第一金屬化膜的上端邊緣設有上絕緣區211(即未噴塗金屬塗層的不導電區域)，該上絕緣區的寬度大於等於1mm且小於等於5mm，本實施例中為2.5mm，在上絕緣區的下端塗覆有金屬塗層；在第二金屬化膜的下端邊緣設有下絕緣區231(即未噴塗金屬塗層的不導電區域)，該下絕緣區的寬度大於等於1mm且小於等於5mm，本實施例中，該下絕緣區的寬度與上絕緣區的寬度相等，也為2.5mm，在下絕緣區的上端塗覆有金屬塗層，且第一金屬化膜與第二金屬化膜上的金屬塗層均朝向芯軸一側，即位於膜的內側，第一金屬化膜與第二金屬化膜在寬度方向上交錯設置，且上絕緣區位於第二金屬化膜的上邊沿的下端，下絕緣區位於第一金屬化膜的下邊沿的上端，即第一金屬化膜與第二金屬化膜帶有金屬塗層的一側位於外側，其用於在電容卷芯的端面塗覆金屬塗料，作為接線端；本實施例中，第一金屬化膜與第二金屬化膜的(單邊)錯開距離大於等於0.7mm且小於等於2.5mm；絕緣膜(也可稱隔離膜)位於第二金屬化膜與第一金屬化膜之間，本實施例中，該絕緣膜為聚酯薄膜；且絕緣膜的上邊沿與上絕緣區的上邊沿平齊；絕緣膜的下邊沿與下絕緣區的下邊沿平齊；絕緣膜的厚度與第一金屬化膜、第二金屬化膜的厚度相等，或小於第一金屬化膜、第二金屬化膜的厚度；在電容卷芯外包覆有聚丙烯薄膜，該聚丙烯薄膜的纏繞圈數大於等於20圈且小於等於30圈。

本實用新型直流吸收保護電容器，結構簡單，製造方便且成本低，抗大電流，耐壓能力好，且脈衝強度高，質量可靠性好，使用壽命長。

以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。