高電壓矽整流二極體的製作方法
2023-07-12 21:22:56
專利名稱：高電壓矽整流二極體的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種高電壓矽整流二極體，尤其是涉及一種設置有焊片和引線裝置的高電壓矽整流二極體。
背景技術：
現有的二極體一般包括有晶粒，即通常所說的PN結，晶粒被封裝在塑料內，然後晶粒的左右兩端通常兩條引線引出，同時所採用的原料中鉛等金屬元素較多。實用新型發明人在使用中發現現有技術至少存在下述問題一、現有晶粒的製作過程由於材料所限， 二極體的擊穿電壓一半較低；二，所採用的材料不夠環保，超過我國和歐盟等地區的環保標準，大量使用對環境造成較大破壞。有鑑於此，本實用新型發明人乃積極開發研究，並為改進上述產品的不足，經過長久努力研究與實驗，終於開發設計出本實用新型的高電壓矽整流二極體。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種高電壓矽整流二極體，能夠解決現有技術中二極體耐壓值較低、容易受到汙染及不夠環保的問題。為達到上述目的，本實用新型採用的技術方案是一種高電壓矽整流二極體，包括晶粒和環氧模塑料，所述晶粒的PN結沉積較厚，所述晶粒的外側設置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內。優選地，所述引線裝置為一幹字結構，包括一連接層、一防護層和一引線，所述連接層與所述焊片相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護層中央與所述引線連接。優選地，所述晶粒和所述連接層相連側的表面積相等。優選地，所述高電壓矽整流二極體為環保材料製作。採用本實用新型的技術方案後，由於在所述晶粒的PN結沉積較厚，晶粒的兩側設置有引線裝置，引線裝置設置為幹字結構，包括有連接層和防護層，因此該二極體能夠承受較高的反向電壓，防護層能夠使得對引線加工時不會汙染晶粒，使得本實用新型二極體的連接強度和工作穩定性得到提高，同時採用環保材料製作，更能保護環境。
圖1是本實用新型實施例的結構示意圖。圖2是本實用新型實施例分解結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和實施方式對本實用新型作進一步詳細說明。請參閱圖1和圖2，為本實用新型一種具體實施方式
，一種高電壓矽整流二極體， 包括晶粒1和環氧模塑料4，所述晶粒1的PN結沉積較厚，能夠承受反向電壓較高，本實用新型產品能夠承受反向電壓為5000伏特，所述晶粒的外側設置有引線裝置，所述晶粒1和引線裝置的一端依次相連，所述環氧模塑料4將所述晶粒1和引線裝置的一端包覆在內。這樣，引線裝置的設置可使得本實用新型的連接更為可靠。[0018]採用本實用新型的技術方案後，由於PN結的設置較厚，並且外表採用阻介係數較高的環氧模塑料封裝，因此，本實用新型產品最高能承受5000伏特電壓，最大平均正向整流電流為200毫安，單一正向峰值浪湧電流可達30A，並具有低正向壓降、高電流容量、引線可焊性及高穩定性等特點，同時可在二極體本體上標明極性，適用於在需要的任何位置安裝。作為優選方式，所述引線裝置為一幹字結構，包括一連接層2、一防護層3和一引線5，所述連接層2與晶粒1相接，所述引線5的一端連接至連接層2中央，所述防護層3中央與所述引線5連接並與所述連接層2隔有適當距離。如此，當所所述引線裝置與所述晶粒1焊接在一起，同時所述晶粒1和所述連接層2相連側的表面積相等，這樣大幅提高了晶粒1與引線裝置的連接面積，使得連接穩固性大幅提高。在二極體的製作工藝中，對引線的處理中存在電鍍錫這樣一個步驟，在該步驟中引線5放入電鍍槽中滾動時，由於防護層3的存在，使得電鍍液不至於粘附在晶粒1上，從而確保了產品的質量。同時，所述高電壓矽整流二極體為環保材料製作，二極體的組成材料晶粒1、引線裝置等均採用符合中國「電子信息產品汙染控制管理辦法」的有關規定，同時也符合歐盟環保法規標準，產品中五氧化砷等15種高關注物質含量均低於0. 的標準，能夠節省資源、 減少對環境的汙染。同時，採用本實用新型的技術方案後，本實用新型產品反向擊穿電壓大於等於 5000V，反向漏電流小於5微安，額定整流電流為0. 2A，正向電壓降小於5伏，產品性能符合設計要求和國家標準。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本領域的技術人員在本實用新型所揭露的技術範圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護範圍之內。因此，本實用新型的保護範圍應該以權利要求書所限定的保護範圍為準。
權利要求1.一種高電壓矽整流二極體，包括晶粒和環氧模塑料，其特徵在於所述晶粒的PN結沉積較厚，所述晶粒的外側設置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內。
2.根據權利要求1所述的高電壓矽整流二極體，其特徵在於所述引線裝置為一幹字結構，包括一連接層、一防護層和一引線，所述連接層與所述焊片相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護層中央與所述引線連接。
3.根據權利要求1所述的高電壓矽整流二極體，其特徵在於所述晶粒和所述連接層相連側的表面積相等。
4.根據權利要求1至3任一所述的高電壓矽整流二極體，其特徵在於所述高電壓矽整流二極體為環保材料製作。
專利摘要本實用新型公開了一種高電壓矽整流二極體，包括晶粒和環氧模塑料，所述晶粒的PN結沉積較厚，所述晶粒的外側設置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內。本實用新型產品可廣泛適用於各種需要使用高電壓矽整流二極體的場合。
文檔編號H01L29/417GK202084549SQ20112000840
公開日2011年12月21日 申請日期2011年1月12日 優先權日2011年1月12日
發明者張春培 申請人:連雲港金堂福半導體器件有限公司