一種大功率LDMOS器件內匹配結構的製作方法

2023-07-13 16:09:26

本實用新型涉及一種微電子、射頻微波測量方法，特別涉及一種LDMOS器件內匹配方法。

背景技術：

針對目前大功率器件的內匹配電路設計，一般使用LC組成的「T」型網絡結構或者「π」型匹配網絡結構進行匹配，如圖1-2所示，實現將裸晶片較小的阻抗值匹配到適合測試的阻抗。針對器件工作頻率較低的範圍，器件本身特性導致低頻段穩定性較差，容易產生振蕩，最終造成器件燒毀甚至導致測試儀器燒毀。為了達到更高的輸出功率，器件柵寬逐漸增大，晶片的輸入阻抗變得越來越低，器件無載Q值會變得很高，饋送電信號的幅度不平衡和相位不平衡的問題加重，尤其在器件的較低工作頻段，不穩定性就表現的更加明顯。

技術實現要素：

本實用新型的目的是提供一種大功率LDMOS器件內匹配結構，在管殼內部使用合適的內匹配電路一方面可以提升工作頻段的阻抗值，另一方面可以很好的解決低頻振蕩問題，降低失配反射，降低功率損耗，使封裝的器件能夠在低頻段穩定工作且發揮最佳RF性能，保證器件的可靠性。

本實用新型的目的是這樣實現的：一種大功率LDMOS器件內匹配結構，包括的「T」型網絡結構，所述「T」型網絡結構的管芯版圖上增加有多晶電阻R，所述多晶電阻R串接在管芯與靠近管芯的電感L之間，即從管芯向外的第一結構為R-L-C-L。

作為本實用新型的進一步改進，所述多晶電阻R上還並聯有電容C，即從管芯向外的第一結構為R-C-L-C-L。

作為本實用新型的進一步改進，所述「T」型網絡結構的尾部還增加有LC結構，即從管芯向外的第一結構R-C-L-C-L-C-L。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果在於，本實用新型通過在現有的管芯版圖上增加多晶電阻R，使得晶片內部形成負反饋，降低增益，可使器件維持在穩定增益範圍，提高了整體工作穩定性，進一步達到改善匹配結構提高穩定性的目的。

附圖說明

圖1為現有技術中「T」型網絡結構和「π」網絡結構示意圖。

圖2為現有技術中「T」型網絡結構和「π」網絡結構電路原理圖。

圖3為本實用新型中「T」型網絡結構示意圖。

圖4為本實用新型中「T」型網絡結構電路原理圖。

圖中：DIE 器件管芯，Inductor 電感，Capacitor 電容，Resistor 電阻。

具體實施方式

如圖3-4所示的一種大功率LDMOS器件內匹配結構，包括的「T」型網絡結構，「T」型網絡結構的管芯版圖上增加有多晶電阻R，多晶電阻R串接在管芯與靠近管芯的電感L之間，多晶電阻R上還並聯有電容C，「T」型網絡結構的尾部還增加有LC結構，即從管芯向外的第一結構R-C-L-C-L-C-L。

本實用新型用在射頻微波大功率器件的內匹配封裝中，用此方法封裝的LDMOS器件，低頻振蕩可以得到很好的抑制，且可以在一定程度上擴展工作帶寬，使器件在低頻段可以穩定的工作，最終充分驗證管子的性能。

本實用新型並不局限於上述實施例，在本實用新型公開的技術方案的基礎上，本領域的技術人員根據所公開的技術內容，不需要創造性的勞動就可以對其中的一些技術特徵作出一些替換和變形，這些替換和變形均在本實用新型的保護範圍內。