咔唑衍生物和使用該咔唑衍生物的發光元件以及發光器件的製作方法
2023-07-16 04:14:01 1
專利名稱：咔唑衍生物和使用該咔唑衍生物的發光元件以及發光器件的製作方法
技術領域：
本發明涉及咔唑衍生物、發光元件，所述發光元件具有一對電極和包含能夠通過施加電場產生螢光的發光材料的層。另外，本發明涉及包括所述發光元件的發光器件。
背景技術：
人們預期使用具有以下特徵的發光材料的發光元件會用於下一代的平板顯示器 體積薄、重量輕、高響應速度、低直流電壓驅動等。據稱其中發光元件排列成矩陣的發光器件相對於常規的液晶顯示器裝置具有寬視角和高能見度的優點。所述發光元件的發光機理如下通過對其間設有發光層的一對電極施加電壓，使得從陰極注入的電子與從陽極注入的空穴在發光層中的發射中心重新結合，形成分子激發態，當該分子激發態返回基態的時候，釋放出能量，從而發光。已知的激發態包括激發單重態和激發三重態，人們認為可通過任意的激發態發光。如果要提高發光元件的性質，用於發光元件的材料存在許多的問題。因此在元件結構、材料開發等方面進行了改進，以克服這些問題。用於包含發光材料的層的材料的例子可包括含有咔唑骨架的具有極佳光電導性的材料(咔唑衍生物)。具體來說包括例如1，3，5_三W-(N-咔唑基)苯基]苯(縮寫 TCBP)(參見專利文獻1)。人們提出TCBP作為用來形成空穴傳輸層的材料。然而，許多具有咔唑骨架的材料具有較高的電離電位，從電極注入空穴的性質並不十分良好。另一方面，經常用於空穴注入和空穴傳輸的材料包括例如結構式(a)所示的4， 4'-雙(N-{4-[N，N-雙(3-甲基苯基)氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯苯(縮寫DNTPD) (參見專利文獻2)。
權利要求
1. 一種包含發光元件的照明裝置，該發光元件包含夾在陽極和陰極之間的層，所述層包含以下通式(1)所示的咔唑衍生物，
2.如權利要求1所述的照明裝置，其特徵在於，Ar1和Ar4、Ar2和Ar5、Ar3和Ar6以及X 和Y分別具有相同的結構。
3.如權利要求1所述的照明裝置，其特徵在於，所述層與所述陽極接觸。
4.如權利要求1所述的照明裝置，其特徵在於，所述層還包含磷光材料。
5.如權利要求1所述的照明裝置，其特徵在於，所述發光元件還包含形成在所述陽極上並接觸於所述陽極的空穴注入層，以及所述層形成在所述空穴注入層和所述陰極之間。
6.一種包含發光元件的照明裝置，該發光元件包含夾在陽極和陰極之間的層，所述層包含以下通式C3)所示的咔唑衍生物，
7.如權利要求6所述的照明裝置，其特徵在於，Ar1和Ar4具有相同的結構。
8.如權利要求6所述的照明裝置，其特徵在於，所述層與所述陽極接觸。
9.如權利要求6所述的照明裝置，其特徵在於，所述層還包含磷光材料。
10.如權利要求6所述的照明裝置，其特徵在於，所述發光元件還包含形成在所述陽極上並接觸於所述陽極的空穴注入層，以及所述層形成在所述空穴注入層和所述陰極之間。
11.一種包含發光元件的照明裝置，該發光元件包含夾在陽極和陰極之間的層，所述層包含以下通式(5)所示的咔唑衍生物，
12.如權利要求11所述的照明裝置，其特徵在於，所述層與所述陽極接觸。
13.如權利要求11所述的照明裝置，其特徵在於，所述層還包含磷光材料。
14.如權利要求11所述的照明裝置，其特徵在於，所述發光元件還包含形成在所述陽極上並接觸於所述陽極的空穴注入層，以及所述層形成在所述空穴注入層和所述陰極之間。
15.一種包含發光元件的照明裝置，該發光元件包含夾在陽極和陰極之間的層，所述層包含以下通式(103)所示的咔唑衍生物，
16.如權利要求15所述的照明裝置，其特徵在於，所述層與所述陽極接觸。
17.如權利要求15所述的照明裝置，其特徵在於，所述層還包含磷光材料。
18.如權利要求15所述的照明裝置，其特徵在於，所述發光元件還包含形成在所述陽極上並接觸於所述陽極的空穴注入層，以及所述層形成在所述空穴注入層和所述陰極之間。
19.一種具有下列結構的有機化合物，
全文摘要
本發明的目的是提供一種具有極佳的空穴注入性質和空穴傳輸性質的材料，以及提供使用具有極佳的空穴注入性質和空穴傳輸性質的材料的發光元件和發光器件。本發明提供了通式(1)所示的咔唑衍生物。本發明的咔唑衍生物具有極佳的空穴注入性質。通過使用本發明的咔唑衍生物作為發光元件的空穴注入層的空穴注入材料，可以減小驅動電壓。另外，通過將所述材料應用於發光元件或發光器件，可以獲得較低的驅動電壓、提高發光效率、延長壽命和提高可靠性。
文檔編號C09K11/06GK102153502SQ20111003744
公開日2011年8月17日 申請日期2005年10月14日 優先權日2004年10月19日
發明者中島晴恵, 川上祥子, 熊木大介 申請人:株式會社半導體能源研究所