一種防止內層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩的製作方法

2023-11-11 19:47:02 2

本實用新型涉及單晶爐熱場用大罩領域，更具體地說，涉及一種防止內層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩。

背景技術：

單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用石墨加熱器將多晶矽等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。

單晶爐熱場是單晶爐工作過程中的重要組成部分，其中間部分的保溫名稱為：大罩或中罩。

在大罩外層包裹有質地柔軟的軟氈，根據熱場結構不同包裹層數不一樣，目前包裹的層數為8層。大罩上沿連接上罩，下沿連接下罩，上罩和下罩外層均有碳氈包裹，緊貼於大罩外層的第一層和第二層軟氈上下兩個邊緣非常容易老化；因為與大罩相連的上罩和下罩連接地方有縫隙，氣流會穿過縫隙，一部分熱量會釋放在大罩外側第一層和第二層軟氈上面，造成第一層和第二層軟氈老化，變成粉末狀，進而汙染單晶生長的環境，同時失去保溫效果。

技術實現要素：

有鑑於此，本實用新型提供了一種防止內層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，解決現有技術中存在的問題，具體方案如下：

一種防止內層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，包括呈筒狀的罩體，罩體外側套設有兩個導熱環，兩個導熱環的外端部分別與罩體的兩個端部平齊，兩個導熱環的內端部和外側面均與碳氈貼合；導熱環的厚度至少等於1層碳氈的厚度。

罩體與導熱環過盈配合。

導熱環為石墨圓環、固化硬質碳氈圓環。

碳氈的層數為8層。

碳氈的厚度為8mm~12mm。

碳氈的厚度為10mm。

本實用新型提供的防止內層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩：1、設置的導熱環使得熱場內的高溫氣流釋放在罩體和導熱環上面，防止了碳氈被老化，進而避免了粉末汙染單晶的生長環境。2、罩體和導熱環過盈配合保證了導熱環在罩體上的固定性。3、罩體與導熱環貼合處的厚度大於罩體其它部位的厚度，提高了碳氈的防老化效果。4、導熱環為石墨圓環、固化硬質碳氈圓環，從而導熱效果好，可以使得熱場內的高溫氣流在罩體和導熱環上得到充分的釋放。5、碳氈的層數為8層，保證了大罩的保溫效果。6、碳氈的厚度為8mm~12mm，使用起來比較方便，同時保溫效果比較好。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本實用新型保護的範圍。

如圖1所示，本實施例提供的一種防止內層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，包括呈筒狀的罩體1；在罩體1的外側套設有至少兩層碳氈4。本實施例中，碳氈4的層數為8層，從而保證大罩的保溫效果；另外，碳氈4的厚度為8mm~12mm；優選為10mm，該厚度的碳氈4使用方便，同時保溫效果得到了保證。

為了避免在大罩和上罩以及下罩交接處，熱量從熱場中進入到內層的碳氈4上，在罩體1的外側和碳氈之間套設有兩個導熱環2，其中導熱環2直接套在罩體1的外側。導熱環2為石墨圓環、固化硬質碳氈。圓環罩體1與導熱環2為過盈配合，從而保證導熱環2在罩體1上的穩定性。

其中，導熱環2的厚度至少等於1層碳氈的厚度。兩個導熱環2的內端部和外側面均與碳氈4貼合，其中導熱環2的內端部與位於內層的碳氈4的端部貼合；導熱環2的外側面與位於外側的碳氈4的內側面貼合。兩個導熱環2的外端部分別與罩體1的兩個端部平齊，從而保證導熱環2對交接處碳氈4的保護。

為了實現導熱環2的定位，在罩體1的兩個端部上均設置定位板3，定位板3的寬度小於導熱環2的厚度，通過定位板3實現了導熱環2的固定和定位。

在實施的時候，為了保證導熱環2的穩定性，在導熱環2的內側面上設置連接凹槽，在罩體1上與導熱環2貼合處設置連接凸起，其中連接凹槽和連接凸起相互配合；設置的連接凹槽和連接凸起保證了導熱環2和罩體1連接處的穩定性。其中，連接凹槽和連接凸起為成熟的現有技術，均沒有在圖中顯示。

在使用的時候，將導熱環套在罩體1的外側，並讓導熱環的端部與罩體1的端部平齊；當將大罩與上罩或下罩對接使用時，熱量在交接處出來釋放到導熱環處，解決了熱量對碳氈造成的老化問題。

綜上所述，本實用新型提供的一種防止內層碳氈老化的單晶爐保溫用大罩，設置的導熱環使用方便可以釋放大罩與上罩或下罩對接處的熱量，避免了因熱量使得位於內層的碳氈被老化，進而避免了粉末的產生，保證了單晶的生長環境。