一種軟介質電路的製作方法

2023-12-01 23:59:46

一種軟介質電路的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種軟介質電路的製作方法，包括軟介質電路中滿足厚度要求的電路圖形的製作、滿足後續鍵合可靠性要求的鍵合區圖形的製作和滿足錫焊互聯可靠性要求的錫焊區圖形的製作。採用上述方案，解決了軟介質基片電路錫焊前搪錫過程中造成的電路基片平整度變差和助焊劑汙染貼片區域和鍵合區域的問題，可大大提高混合集成電路的可靠性。
【專利說明】 一種軟介質電路的製作方法
【技術領域】
[0001]本發明屬於軟介質電路製作【技術領域】，尤其涉及的是一種軟介質電路的製作方法。
【背景技術】
[0002]微波混合集成電路中轉接器內導體與鍍金軟介質電路之間採用錫焊互聯工藝，防止錫焊時因「金脆」現象的產生而降低錫焊互聯界面處可靠性，電路基片上鍍金焊盤的金層不能超過I微米；而同一塊電路上需要進行引線鍵合的焊盤，為了保證鍵合質量，焊盤鍍金厚度需要大於2.5微米。
[0003]目前的做法是將錫焊焊盤採用搪錫工藝將金層去除，以保證焊接質量，具體的做法為:(a)整版電鍍金厚2.5微米；(b)光刻蝕電路圖形，包括刻蝕錫焊區、刻蝕鍵合區、刻蝕正面傳輸線2.5微米、刻蝕背面金屬化2.5微米、覆銅板；(c)搪錫處理，將錫焊區搪錫處理。
[0004]現有技術有如下不足:1、對於軟介質電路，搪錫過程會造成電路基板的平整性變差，影響電路基板的貼片質量；2、搪錫過程中的助焊劑會汙染電路基板，影響電路基板的貼片質量和金屬絲鍵合互聯的可靠性。
[0005]因此，現有技術存在缺陷，需要改進。

【發明內容】

[0006]本發明所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種軟介質電路的製作方法。
[0007]本發明的技術方案如下:
[0008]一種軟介質電路的製作方法，其中，包括以下步驟:
[0009]步驟一:在軟介質電路種子層的正面及背面電鍍金層2.5微米；
[0010]步驟二:採用半導體集成電路製作工藝的光刻蝕及時製作電路圖形；
[0011]步驟三:採用半導體集成電路製作工藝的光刻技術，在錫焊區開出工藝窗口 ；
[0012]步驟四:採用半導體集成電路製作工藝的溼法腐蝕技術，將工藝窗口中的金層腐蝕減薄到0.5微米，背面採用光刻膠保護。
[0013]所述的軟介質電路的製作方法，其中，所述步驟四中，包括光刻蝕錫焊區0.5微米，光刻蝕鍵合區2.5微米，光刻蝕正面傳輸線2.5微米，光刻蝕背面金屬化0.5微米，覆銅板。
[0014]製作流程包括整版電鍍金、光刻蝕、光刻局部腐蝕窗口、腐蝕金層等工序。整版電鍍工序用於將基片上的金屬層電鍍加厚到鍵合區的需求厚度一2.5微米以上；光刻蝕工序用於將傳輸線、鍵合區域、錫焊區域圖形製作出來；光刻局部腐蝕窗口工序用於在錫焊區開出窗口，其餘部分用光刻膠保護，以便後道工序將窗口處電鍍金層腐蝕減薄到0.5微米左右，以滿足錫焊連接的需要。[0015]採用上述方案，在電路製作過程中即將錫焊區和鍵合區加以區分，無須搪錫即可同時滿足錫焊和鍵合兩方面的要求，解決了軟介質基片電路錫焊前搪錫過程中造成的電路基片平整度變差和助焊劑汙染貼片區域和鍵合區域的問題，可大大提高混合集成電路的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發明方法完成步驟一後的示意圖。
[0017]圖2為本發明方法完成步驟二後的示意圖。
[0018]圖3為本發明方法完成步驟三後的俯視圖。
[0019]圖4為本發明方法完成步驟三後的剖面圖。
[0020]圖5為本發明方法完成步驟四後的示意圖。
【具體實施方式】
[0021]以下結合附圖和具體實施例，對本發明進行詳細說明。
[0022]實施例1
[0023]本發明對軟介質電路製作技術進行了改進，採用整版電鍍加厚到鍵合互聯的需求厚度，然後採用光刻技術，在電路的錫焊區域開出工藝窗口，把錫焊區域的金層減薄到可靠性錫焊厚度，即可滿足同一塊電路上錫焊焊盤和鍵合焊盤不同鍍層厚度要求，無須搪錫，同時保障了錫焊質量、鍵合質量及貼裝質量。
[0024]如圖1所示，在軟介質電路I上的正面101電鍍金層2.5微米及背面102電鍍金層2.5微米；
[0025]圖如2所示，在軟介質電路I上製作出傳輸線201。
[0026]如圖3:圖4所示，用光刻膠104在軟介質電路I的正面201的錫焊區域開出工藝窗口 103 ;
[0027]如圖5所示，包括腐蝕減薄錫焊區至0.5微米301，去除光刻膠104後，得到鍵合區
2.5微米302，背面金屬化2.5微米102。
[0028]實施例2
[0029]在上述實施例的基礎上，進一步，一種軟介質電路的製作方法，其中，
[0030]包括以下步驟:
[0031]步驟一:在軟介質電路種子層的正面及背面電鍍金層2.5微米；
[0032]步驟二:採用半導體集成電路製作工藝的光刻蝕及時製作電路圖形；
[0033]步驟三:採用半導體集成電路製作工藝的光刻技術，在錫焊區開出工藝窗口 ；
[0034]步驟四:採用半導體集成電路製作工藝的溼法腐蝕技術，將工藝窗口中
[0035]的金層腐蝕減薄到0.5微米，背面採用光刻膠保護。
[0036]進一步而言，所述步驟四中，包括光刻蝕錫焊區0.5微米，光刻蝕鍵合區2.5微米，光刻蝕正面傳輸線2.5微米，光刻蝕背面金屬化0.5微米，覆銅板。
[0037]製作流程包括整版電鍍金、光刻蝕、光刻局部腐蝕窗口、腐蝕金層等工序。整版電鍍工序用於將基片上的金屬層電鍍加厚到鍵合區的需求厚度一2.5微米以上；光刻蝕工序用於將傳輸線、鍵合區域、錫焊區域圖形製作出來；光刻局部腐蝕窗口工序用於在錫焊區開出窗口，其餘部分用光刻膠保護，以便後道工序將窗口處電鍍金層腐蝕減薄到0.5微米左右，以滿足錫焊連接的需要。
[0038]採用上述方案，在電路製作過程中即將錫焊區和鍵合區加以區分，無須搪錫即可同時滿足錫焊和鍵合兩方面的要求，解決了軟介質基片電路錫焊前搪錫過程中造成的電路基片平整度變差和助焊劑汙染貼片區域和鍵合區域的問題，可大大提高混合集成電路的可靠性。
[0039]應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換，而所有這些改進和變換都應屬於本發明所附權利要求的保護範圍。
【權利要求】
1.一種軟介質電路的製作方法，其特徵在於，包括以下步驟: 步驟一:在軟介質電路種子層的正面及背面電鍍金層2.5微米； 步驟二:光刻蝕電路圖形； 步驟三:在錫焊區開出工藝窗口 ； 步驟四:將工藝窗口中的金層腐蝕減薄到0.5微米，背面採用光刻膠保護。
2.如權利要求1所述的軟介質電路的製作方法，其特徵在於，所述步驟四中，包括光刻蝕錫焊區0.5微米，光刻蝕鍵合區2.5微米，光刻蝕正面傳輸線2.5微米，光刻蝕背面金屬化0.5微米，覆銅板。
【文檔編號】H01L21/48GK103547079SQ201310525669
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年10月24日 優先權日:2013年10月24日
【發明者】王斌, 曹乾濤, 宋振國 申請人:中國電子科技集團公司第四十一研究所