一種雷射退火機的狀態監控方法與流程
2023-11-09 18:01:27 2
本發明屬於監控方法領域,具體涉及一種雷射退火機的狀態監控方法。
背景技術:
在進行雷射退火機的日常監控時,主要監控兩項指標,一是顆粒水平,二是監控片上測得的方塊電阻阻值。
目前,在做顆粒水平的日常監控時和方塊電阻阻值的日常監控時,通常是將兩種監控分開進行的,也即是說每一種監控都需要單獨消耗監控片,同時做顆粒水平的日常監控時和方塊電阻阻值的日常監控時,就需要消耗兩個監控片,這樣一來就會導致資源浪費。
因此,提出一種雷射退火機的狀態監控方法是本發明所要研究的課題。
技術實現要素:
為解決現有技術同時做顆粒水平的日常監控時和方塊電阻阻值的日常監控時,需要消耗兩個監控片,從而導致資源浪費的缺點,從而提供一種雷射退火機的狀態監控方法,包括以下步驟:
步驟一:測量雷射退火機上監控片的顆粒水平,從而獲得顆粒測量前值;
步驟二:採用第一雷射掃描所述監控片;
步驟三:測量所述監控片的顆粒水平,從而獲得顆粒測量後值;
步驟四:對比顆粒測量前值和顆粒測量後值,以判斷退火機機臺內部的潔淨度;
步驟五:採用快速熱退火的方法對所述監控片進行退火;
步驟六:在所述監控片上注入過硼;
步驟七:採用第二雷射掃描所述監控片;
步驟八:測量所述監控片的方塊電阻阻值,獲得方塊電阻阻值的測量值;
步驟九:通過對比所述方塊電阻阻值和預設值的差,來判斷所述雷射退火機的雷射溫度的穩定性是否合格。
進一步地,所述顆粒測量前值和顆粒測量後值的差和所述雷射退火機的機臺內部的潔淨度成反比。
進一步地,所述快速熱退火的方法為脈衝雷射快速退火。
進一步地,所述快速熱退火的方法為脈衝電子束快速退火。
進一步地,所述快速熱退火的方法為離子束快速退火或者連續波快速雷射退火。
進一步地,所述快速熱退火的方法分為兩段進行操作,第一段對前半部分進行退火,第二段對第二部分進行退火,再通過第一部分和第二部分的溫度對第一段和第二段進行溫度補償。
本發明相對於現有技術的有益效果如下:
本發明提供了一種雷射退火機的狀態監控方法,在同一監控片上進行顆粒水平測量和方塊電阻阻值測量,以判斷雷射退火機的機臺內部的潔淨度和雷射溫度的穩定性是否合格,減少了監控片的使用,在不影響監控效果的前提下,節約製造成本。
附圖說明
圖1是本發明雷射退火機的狀態監控方法的流程示意圖。
具體實施方式
實施例:一種雷射退火機的狀態監控方法
參見圖1,包括以下步驟:
步驟一:測量雷射退火機上監控片的顆粒水平,從而獲得顆粒測量前值;
步驟二:採用第一雷射掃描所述監控片;
步驟三:測量所述監控片的顆粒水平,從而獲得顆粒測量後值;
步驟四:對比顆粒測量前值和顆粒測量後值,以判斷退火機機臺內部的潔淨度;
步驟五:採用快速熱退火的方法對所述監控片進行退火;
步驟六:在所述監控片上注入過硼;
步驟七:採用第二雷射掃描所述監控片;
步驟八:測量所述監控片的方塊電阻阻值,獲得方塊電阻阻值的測量值;
步驟九:通過對比所述方塊電阻阻值和預設值的差,來判斷所述雷射退火機的雷射溫度的穩定性是否合格。
其中,所述快速熱退火的方法分為兩段進行操作,第一段對前半部分進行退火,第二段對第二部分進行退火,再通過第一部分和第二部分的溫度對第一段和第二段進行溫度補償。
進一步地,所述顆粒測量前值和顆粒測量後值的差和所述雷射退火機的機臺內部的潔淨度成反比。
另外,所述快速熱退火的方法為脈衝雷射快速退火、脈衝電子束快速退火、離子束快速退火或者連續波快速雷射退火。所述第一雷射的功率值為900w,第二雷射的功率值範圍為2700w到3300w。
以上已將本發明做一詳細說明,以上所述,僅為本發明之較佳實施例而已,當不能限定本發明實施範圍,即凡依
本技術:
範圍所作均等變化與修飾,皆應仍屬本發明涵蓋範圍內。
技術特徵:
技術總結
本發明涉及一種雷射退火機的狀態監控方法,包括以下步驟:測量雷射退火機上監控片的顆粒水平獲得顆粒測量前值;採用第一雷射掃描監控片;測量監控片的顆粒水平獲得顆粒測量後值;對比顆粒測量前值和顆粒測量後值以判斷退火機機臺內部的潔淨度;採用快速熱退火的方法對監控片進行退火;在監控片上注入過硼;採用第二雷射掃描監控片;測量監控片獲得方塊電阻阻值的測量值;通過對比方塊電阻阻值和預設值的差,來判斷雷射溫度的穩定性是否合格。本發明能夠在同一監控片上進行顆粒水平測量和方塊電阻阻值測量,以判斷雷射退火機的機臺內部的潔淨度和雷射溫度的穩定性是否合格,減少了監控片的使用,在不影響監控效果的前提下,節約製造成本。
技術研發人員:許雲蘭;陳傳輝;陳傳偉
受保護的技術使用者:蘇州金鉅松機電有限公司
技術研發日:2017.06.25
技術公布日:2017.10.17