一種對納米複合永磁材料晶化處理的方法
2023-12-04 15:13:16
專利名稱：一種對納米複合永磁材料晶化處理的方法
技術領域：
本發明涉及一種對納米複合永磁材料進行晶化處理的方法，是一種操作簡單，並
可精確控制晶化處理參數的工藝。
背景技術：
納米複合永磁材料是一種有廣泛應用前景的高性能低成本稀土永磁材料，其製備 方法主要有三種熔體快淬法、機械合金化法和HDDR法，其中機械合金化法和HDDR法尚處 於實驗階段，熔體快淬法已應用於工業化規模生產。熔體快淬工藝製備納米複合永磁材料 一般是採用真空單輥急冷法製成非晶材料，然後對快淬非晶材料進行晶化熱處理。為使納 米複合材料具有優良的磁性能，要求晶化處理後的材料晶粒細小、形狀規則且分布均勻。傳 統的熱處理方法熱處理溫度高，時間長，浪費能源，且晶化過程控制精度差，影響產品性能 的穩定性和均勻性。
發明內容
本發明的目的是提供一種對納米複合永磁材料進行晶化處理的新方法，克服了現 有熱處理方法存在的不足。 本發明的整體構思是使用一定波長的脈衝雷射對納米複合永磁材料進行晶化處 理，代替了傳統的熱處理晶化過程。 具體地，實現本發明的目的所採用的技術方案如下將經過高速真空快淬的納米 複合永磁材料置於氬氣或其他保護氣體中，以防止材料被氧化，採用一定波長的脈衝雷射 對其進行短時間照射，利用脈衝雷射能量大，具有瞬時加熱、快速冷卻的特點，將納米複合 永磁材料快速晶化，同時抑制晶粒生長過大。所採用的雷射波長為248nm，照射的脈衝頻率 為10 15HZ，能量為500 750MJ，照射時間為30 120s。 本發明取得的有益效果是，可以隨意調節雷射的脈衝頻率、脈衝能量和時間，精確 控制晶化處理過程，時間短，效率高，參數可調且穩定。該方法操作簡單，時間短，效率高，且 能有效避免晶粒的過度長大，從而得到較高的磁性能。
圖1是利用本發明的處理方法製備的典型樣品磁滯回線圖。
具體實施例方式
以下實施例用於說明本發明。
實施例1 —種對納米複合永磁材料進行晶化處理的方法，包括以下步驟 (1)將採用高真空電弧熔煉及高輥速快淬系統製備的Nd3.7Pr3.4Dy。. gFe^BsNl^薄帶，
置於氬氣或其他氣體的保護環境中；
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(2)用KrF準分子雷射器(波長248nm)對薄帶照射1分鐘，脈衝頻率為15HZ，能 量為710MJ。 經本發明處理後的材料性能為剩磁1. 2T，矯頑力6. 5k0e，磁能積18. 4MG0e。
實施例2 處理方法與實施例1相似，KrF準分子雷射器脈衝頻率為15HZ，能量為700MJ，使 用脈衝雷射對配3.7 1~3.40^.9 68685唚1照射1分鐘後，性能為剩磁1. 3T，矯頑力6. 3k0e，磁 能積14. 3MG0e。
實施例3 處理方法與實施例1相似，KrF準分子雷射器脈衝頻率為15HZ，能量為640MJ，用 脈衝雷射對NduPr^Dy^FesAN^薄帶照射1分鐘後，樣品性能為剩磁0. 92T，矯頑力 6. 6k0e，磁能積12. 7MG0e。
實施例4其製備方法與實施例1相似，KrF準分子雷射器頻率為15HZ，能量為580MJ，用脈衝 雷射對Nd3.7Pr3.4Dy。.9Fe86B5Nbi薄帶照射2分鐘後，樣品性能為剩磁1. 1. T，矯頑力6. 6kOe， 磁能積14. 5MG0e。
實施例5其製備方法與實施例1相似，KrF準分子雷射器頻率設為15HZ能量為580MJ， 用脈衝雷射對Nd3.8Pi^Dy。.7Fe8eB5^薄帶照射2分鐘後，樣品性能為剩磁1. 4T，矯頑力 6. 2k0e，磁能積17MG0e.
實施例6 其製備方法與實施例1相似，KrF準分子雷射器頻率為15HZ，能量為650MJ，用脈 衝激光對Nd3.6Pr3.4Dy^e86B5^薄帶照射1分鐘後，樣品性能為剩磁0. 92T，矯頑力6kOe， 磁能積10. 7MG0e。
權利要求
一種對納米複合永磁材料進行晶化處理的方法，其特徵是採用波長為248nm的雷射對高速真空快淬的納米複合永磁材料進行照射，將納米複合永磁材料快速晶化，雷射器脈衝頻率為10～15HZ，能量為500～750MJ，照射時間為30～120s。
2. 根據權利要求1所述的對納米複合永磁材料進行晶化處理的方法，其特徵是所用 雷射器為KrF準分子雷射器。
全文摘要
本發明公開了一種對納米複合永磁材料進行晶化處理的方法，即採用一定波長的雷射對納米複合永磁材料進行照射，利用脈衝雷射能量大，具有瞬時加熱、快速冷卻的特點，將納米複合永磁材料快速晶化。KrF準分子雷射器脈衝頻率為10～15Hz，能量為500～750MJ，照射時間為30～120s。本發明提供了一種操作簡單、時間短、可精確控制工藝參數的晶化處理工藝，通過調節準分子雷射器的脈衝頻率、能量及時間，可得到性能優良的納米複合永磁材料。
文檔編號H01F1/047GK101724800SQ20091017530
公開日2010年6月9日 申請日期2009年12月11日 優先權日2009年12月11日
發明者張志清, 張榮斌, 潘成, 趙旭, 郭家俊, 陳偉 申請人:河北師範大學