一種半導體設備中盤面直徑尺寸可調的加熱基底的製作方法

2023-12-09 17:06:21 1

本發明涉及一種半導體設備中盤面直徑尺寸可調的加熱基底，屬於半導體薄膜沉積應用及製造技術領域。

背景技術：

現有的半導體鍍膜設備，由於需要在不同尺寸的薄膜襯底上沉積薄膜工藝，所以需要針對特定的薄膜襯底尺寸更換與所述薄膜襯底尺寸相匹配的加熱載體部件，操作時，需要鬆開腔體下方的緊固螺釘，手動抬起自重較大的加熱載體，大部分半導體設備通常為加熱基底配備了可升降的機構，所述的可升降機構又涉及到波紋管、連接件、密封件等等，所述這些升降機構都需要進行拆卸分離，密封件更換等複雜操作，更換完成後還需對設備進行檢漏、調平等調試工作，耗費一定生產時間，在操作時也可能由於操作失誤，對被操作零件造成劃傷、磕碰等嚴重後果。直接帶來生產停滯、零件報廢等損失。

技術實現要素：

本發明以解決上述問題為目的，提供了一種半導體設備中盤面直徑尺寸可調的加熱基底，該加熱基底在其表面安裝可更換的環形平臺，分別與不同尺寸薄膜襯底相匹配，無需對整個薄膜襯底體載組件進行更換。

為實現上述目的，本發明採用下述技術方案：

一種半導體設備中盤面直徑尺寸可調的加熱基底，該加熱基底包 括基座，凸臺A，環形平臺，環形平臺內孔，環形平臺上表面凸臺；圓形的凸臺A位於所述基座中央，環形平臺內孔與環形平臺上表面凸臺位於所述環形平臺中央；所述環形平臺與基座採用定位銷定位同心。

所述環形平臺內孔尺寸大於凸臺A尺寸時，在所述基座與環形平臺之間安裝一個環形轉接件，所述環形轉接件的內孔的內徑與所述凸臺A的直徑套合，所述環形平臺內徑與環形轉接件外徑套合；環形轉接件與基座採用定位銷定位同心，然後再將環形平臺安裝於基座上，環形平臺與基座採用定位銷定位同心。

本發明的有益效果及特點在於：

本發明採用一種結構固定的薄膜襯底載體基座，在有變更薄膜襯底尺寸的需求時，無需對連接好的基座與設備分離，只需在其表面安裝或拆卸環形轉接件，並針對環形轉接件的有無選裝內孔徑不同的環形平臺即可，簡化操作步驟，減輕工作強度，降低誤操作風險，提高裝調工作效。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖，也是本發明的實施例1；

圖2為實施例2的加熱基座結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例進一步對本發明進行詳細說明，但發明保護內容不局限於所述實施例：

實施例1

參照圖1，一種半導體設備中盤面直徑尺寸可調的加熱基底，該加熱基底包括基座1，凸臺A2，環形平臺3，環形平臺內孔4，環形平臺上表面凸臺5；圓形的凸臺A2位於所述基座1中央，環形平臺內孔4與環形平臺上表面凸臺5位於所述環形平臺3中央；所述環形平臺3與基座1採用定位銷定位同心。

8寸薄膜襯底進行薄膜沉積工藝時，環形平臺3凸臺與8寸薄膜襯底的外沿相套合，將環形平臺3與基座1採用定位銷定位同心後，將環形平臺上表面凸臺5的內沿卡住8寸薄膜襯底外沿，使8寸薄膜襯底位於加熱基底中心，這樣，針對8寸薄膜襯底的加熱基底安裝完成。

實施例2

參照圖2，一種半導體設備中盤面直徑尺寸可調的加熱基底，該加熱基底包括基座1，凸臺A2，環形平臺3，環形平臺內孔4，環形平臺上表面凸臺5；圓形的凸臺A2位於所述基座1中央，環形平臺內孔4與環形平臺上表面凸臺5位於所述環形平臺3中央；所述環形平臺3與基座1採用定位銷定位同心。

在12寸的薄膜襯底進行薄膜沉積工藝時，環形平臺內孔尺寸大於凸臺A尺寸時，在所述基座1與環形平臺3之間安裝一個環形轉接件6，所述環形轉接件6的內孔的內徑與所述凸臺A2的直徑套合，所述環形平臺內孔4的內徑與環形轉接件6外徑套合；環形轉接件6與基座1採用定位銷定位同心，然後再將環形平臺3安裝於基座1上， 環形平臺3與基座1採用定位銷定位同心。環形平臺上表面凸臺5內沿卡住12寸的薄膜襯底外沿，使12寸薄膜襯底位於加熱基底中心，這樣，針對12寸薄膜襯底的加熱基底配置完成。

以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。