一種晶體生長爐的絕熱結構的製作方法
2023-12-01 06:49:36
專利名稱:一種晶體生長爐的絕熱結構的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種晶體生長爐,特別涉及一種晶體生長爐的絕熱結構。
背景技術:
LED產業鏈相對較長,跨越了晶體生長,掏棒,基片切割,MOCVD外延及晶片,封裝等等,藍寶石晶體生長的特點為周期長,能耗高,且晶體質量無法直接反饋,隨著藍寶石晶體生長尺寸的增大和LED產業的快速普及,許多晶體生長過程中的實際問題也愈發明顯,如能耗,周期,熱場壽命,加工難度等引起了人們的關注。為了進一步推廣LED照明產業的發展,降低生產成本,製備高質量的藍寶石晶體成為行業目前亟待解決的課題。為了減少不必要的熱損失,傳統方法是使用石墨軟氈作為傳統保溫材料,然而在藍寶石爐的高溫環境下,軟氈容易揮發造成碳雜質進入氧化鋁熔體,汙染晶體。因此,為了實現對藍寶石晶體爐熱場的保溫效果,現多採用金屬熱屏結構,即採用多個O. 1-5毫米厚的鎢或鑰板,彎成直徑由小到大的圓筒狀,並且套疊在一起並相互固定起來,最終形成一定厚度的保溫層。保溫層的厚度及高度,由熱場需要保持的溫度及熱場高度決定,多為8-12層/5-7釐米厚。同時,該熱場材料的使用壽命僅為18個月,因此為了保證熱場使用效果及純度,該保溫材料材料需要定期更換。在實際晶體成本中,熱場材料作為消耗品佔成本中很大比例,而且該鎢/鑰金屬層的保溫效果在高溫環境下不如傳統石墨軟氈。亟需尋找一種使用壽命長、絕熱性能好且不汙染晶體的新的絕熱結構。
實用新型內容為了解決上述問題,本實用新型提供了一種新的晶體生長爐的絕熱結構,該結構對傳統兩種絕熱結構進行改進,結合它們的優點,克服各自的缺陷。一種晶體生長爐的絕熱結構,該絕熱結構包括內層、中心層、外層,內層和外層為鎢鑰板,中心層為石墨軟氈。其中,所述中心層的厚度為5-100毫米。其中,所述內層的厚度為O. 1-5毫米。其中,所述外層的厚度為O. 1-5毫米。其中,所述絕熱結構還包括底板和頂部,底板和頂部為鎢鑰板。優選地,所述底板的厚度為O. 1-5毫米。優選地,所述頂部的厚度為O. 1-5毫米。其中,所述絕熱結構的內層、中心層和外層用鑰釘連接。本實用新型提供的新的晶體生長爐的絕熱結構為金屬-石墨軟氈-金屬的三明治 式的混合結構,石墨軟氈夾在兩層金屬保溫筒之間,並加以頂部和底層,可防止高溫下軟氈揮發而汙染晶體,且具有良好的保溫效果。顯然,根據本實用新型的上述內容,按照本領域的普通技術知識和慣用手段,在不脫離本實用新型上述基本技術思想前提下,還可以做出其它多種形式的修改、替換或變更。[0016]以下通過實施例形式的具體實施方式
,對本實用新型的上述內容再作進一步的詳細說明。但不應將此理解為本實用新型上述主題的範圍僅限於以下的實例。凡基於本實用新型上述內容所實現的技術均屬於本實用新型的範圍。
圖I本實用新型的結構示意圖。其中,I是內層,2是中心層,3是外層,4是底板,5是頂部,6是鑰釘。
具體實施方式如圖I所示,一種晶體生長爐的絕熱結構,該絕熱結構包括內層I、中心層2、外層3,內層I和外層3為鎢鑰板,中心層2為石墨軟氈。其中,所述中心層2的厚度為5-100毫米。其中,所述內層I的厚度為O. 1-5毫米。其中,所述外層3的厚度為O. 1-5毫米。其中,所述絕熱結構還包括底板4和頂部5,底板4和頂部5為鎢鑰板。優選地,所述底板4的厚度為O. 1-5毫米。優選地,所述頂部5的厚度為O. 1-5毫米。其中,所述絕熱結構的內層I、中心層2和外層3用鑰釘6連接。本實用新型提供的新的晶體生長爐的絕熱結構克服了傳統絕熱結構的缺陷,具有良好的工業應用前景。
權利要求1.一種晶體生長爐的絕熱結構,其特徵在於該絕熱結構包括內層(I)、中心層(2)、外層(3),內層⑴和外層(3)為鎢鑰板,中心層⑵為石墨軟氈。
2.根據權利要求I所述的絕熱結構,其特徵在於所述中心層(2)的厚度為5-100毫米。
3.根據權利要求I所述的絕熱結構,其特徵在於所述內層(I)的厚度為0.1-5毫米。
4.根據權利要求I所述的絕熱結構,其特徵在於所述外層(3)的厚度為0.1-5毫米。
5.根據權利要求I所述的絕熱結構,其特徵在於所述絕熱結構還包括底板(4)和頂部(5),底板⑷和頂部(5)為鎢鑰板。
6.根據權利要求5所述的絕熱結構,其特徵在於所述底板(4)的厚度為0.1-5毫米。
7.根據權利要求5所述的絕熱結構,其特徵在於所述頂部(5)的厚度為0.1-5毫米。
8.根據權利要求I所述的絕熱結構,其特徵在於所述絕熱結構的內層(I)、中心層(2)和外層(3)用鑰釘(6)連接。
專利摘要本實用新型提供了一種晶體生長爐的絕熱結構,該絕熱結構包括內層、中心層、外層,內層和外層為鎢鉬板,中心層為石墨軟氈。本實用新型提供的晶體生長爐的絕熱結構具有壽命長、絕熱性能好且不汙染晶體的優點,克服傳統絕熱結構的缺陷,具有良好的市場應用前景。
文檔編號C30B35/00GK202380135SQ20112045199
公開日2012年8月15日 申請日期2011年11月15日 優先權日2011年11月15日
發明者呂鐵錚 申請人:呂鐵錚