光半導體裝置的製作方法

2023-11-30 23:05:22 4

本發明涉及一種光半導體裝置，涉及搭載半導體雷射器、適於在高頻下使用的光半導體裝置。

背景技術：

在專利文獻1公開有一種光半導體裝置，該光半導體裝置通過光電二極體對半導體雷射器的後端面側的出射光進行受光。

專利文獻1：日本特開昭59－193080號公報

在光半導體裝置中，半導體雷射器安裝於安裝基板的表面。例如，在將用於對半導體雷射器和引線管腳進行連接的配線圖案設置於安裝基板的情況下，需要增大安裝基板的表面積。在這裡，由於出射光具有角發散，因此如果安裝基板大，則出射光容易觸碰安裝基板。

技術實現要素：

本發明就是為了解決上述問題而提出的，其目的在於得到一種光半導體裝置，該光半導體裝置具有半導體雷射器的後端面側出射光難以觸碰安裝基板的構造。

特徵在於，具有：半導體雷射器，其在前端面側將前端面側出射光射出，在後端面側將後端面側出射光射出；以及安裝基板，其在表面具有所述半導體雷射器，所述後端面側出射光是以與所述後端面相距越遠則越遠離所述安裝基板的出射光軸而射出的。

發明的效果

對於本發明的光半導體裝置，後端面側出射光的出射光軸與後端面相距越遠則越遠離安裝基板。因此，後端面側出射光難以觸碰安裝基板。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式1中的光半導體裝置的剖視圖。

圖2是本發明的實施方式1中的光半導體裝置的正視圖。

圖3是本發明的實施方式1中的光半導體裝置的引線管腳部分的剖視圖。

圖4是表示本發明的實施方式1的變形例(其1)的剖視圖。

圖5是表示本發明的實施方式1的變形例(其2)的正視圖。

圖6是表示本發明的實施方式1的變形例(其2)的剖視圖。

圖7是對比例中的光半導體裝置的剖視圖。

圖8是對比例中的光半導體裝置的正視圖。

圖9示出本發明的實施方式1中的半導體雷射器，是共振方向的剖視圖。

圖10是表示本發明的實施方式1中的遠場像的偏移的角度變化的圖形(其1)。

圖11是表示本發明的實施方式1中的遠場像的偏移的角度變化的圖形(其2)。

圖12是表示本發明的實施方式1中的遠場像的偏移的角度變化的圖形(其3)。

圖13示出本發明的實施方式1中在晶體生長層的表面形成氧化膜後的狀態，是共振方向的剖視圖。

圖14示出本發明的實施方式1中從圖13起對氧化膜進行圖案化後的狀態，是共振方向的剖視圖。

圖15示出本發明的實施方式1中對圖14進行蝕刻後的狀態，是共振方向的剖視圖。

圖16示出本發明的實施方式1中在圖15形成光波導部後的狀態，是共振方向的剖視圖。

圖17示出本發明的實施方式1中從圖16起將氧化膜去除後的狀態，是共振方向的剖視圖。

圖18示出本發明的實施方式1中在圖17設置氧化膜後的狀態，是與共振方向垂直的方向的剖視圖。

圖19示出本發明的實施方式1中從圖18起將氧化膜加工為條帶狀後的狀態，是與共振方向垂直的方向的剖視圖。

圖20示出本發明的實施方式1中對圖19進行蝕刻後的狀態，是與共振方向垂直的方向的剖視圖。

圖21示出本發明的實施方式1中在圖20形成電流約束構造後的狀態，是與共振方向垂直的方向的剖視圖。

圖22示出本發明的實施方式1中在圖21形成接觸層及電極後的狀態，是與共振方向垂直的方向的剖視圖。

圖23示出本發明的實施方式1中的半導體雷射器的變形例(其1)，是共振方向的剖視圖。

圖24示出本發明的實施方式1中的半導體雷射器的變形例(其2)，是共振方向的剖視圖。

圖25是本發明的實施方式2中的光半導體裝置的剖視圖。

圖26是本發明的實施方式3中的光半導體裝置的剖視圖。

標號的說明

100、200、300、700、800光半導體裝置，10本體部，11基準面，14、314、714、814安裝基板，18前端面側出射光，20後端面側出射光，22光電二極體，26、326圖案配線，28、228、328引線管腳，34雷射器部，36光波導部，38半導體基板，40第1包覆層，42有源層，44第2包覆層，48芯層，50第1半導體層，52、552第1光分布變形層，58、60電極，74、674下部半導體層，76、676上部半導體層，115後端面，116、816半導體雷射器，117前端面，128、528、628前端部分，221受光面，327切口部分，647第2光分布變形層。

具體實施方式

參照附圖對本發明的實施方式所涉及的光半導體裝置進行說明。對相同或對應的結構要素標註相同的標號，有時省略重複的說明。

實施方式1.

圖1是實施方式1中的光半導體裝置100的剖視圖。本體部10在表面之上具有基準面11。在基準面11配置擋塊部12。擋塊部12具有第1側面13。第1側面13朝向擋塊部12的與第1側面13相對的側面傾斜。在擋塊部12以背面與第1側面13接觸的方式對安裝基板14進行配置。安裝基板14的表面與第1側面13平行。另外，安裝基板14是陶瓷基板。在安裝基板14的表面配置半導體雷射器116。半導體雷射器116從前端面117將前端面側出射光18射出。另外，半導體雷射器116從後端面115將後端面側出射光20射出。

後端面側出射光20是以與後端面115相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸而射出的。另外，前端面側出射光18是以與前端面117相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸而射出的。第1側面13傾斜，以使得前端面側出射光18朝向與基準面11垂直的方向。由此，前端面側出射光18射入至光半導體裝置100所具有的未圖示的透鏡的中心。因此，能夠得到高的光輸出。

光半導體裝置100在能夠對後端面側出射光20進行受光的位置具有光電二極體22。光電二極體22在後端面側出射光20的出射光軸之上具有受光面221。後端面側出射光20是相對於前端面側出射光18以恆定的比率射出的。通過利用光電二極體22對後端面側出射光20進行受光，從而能夠對半導體雷射器116的輸出進行監視。

光電二極體22配置於在基準面11設置的陶瓷基板24的表面。此外，也可以在基準面11設置具有傾斜面的沉入形狀(sunkshape)，將陶瓷基板24配置於傾斜面。能夠根據傾斜面的傾斜度，對由光電二極體22決定的後端面側出射光20的反射方向進行調整。其結果，能夠對由反射光射入至半導體雷射器116而引起的信號噪聲進行抑制。

圖2是實施方式1中的光半導體裝置100的正視圖。光半導體裝置100具有引線管腳28。引線管腳28固定於本體部10。另外，引線管腳28垂直地貫穿基準面11，前端部分128從基準面11凸出。本體部10、擋塊部12及引線管腳28使用的是對以鐵或者銅為主要原料的合金實施鍍au後的部件。

安裝基板14具有圖案配線26。引線管腳28的前端部分128與圖案配線26接觸。圖案配線26將引線管腳28和半導體雷射器116進行連接。圖案配線26是使用了au的高頻電路。圖案配線26被設計為，在與半導體雷射器116的驅動頻率相對應的頻帶對電信號的反射進行抑制。

圖3是實施方式1中的光半導體裝置100的引線管腳28部分的剖視圖。引線管腳28由封裝玻璃30固定於本體部10。封裝玻璃30使用能夠確保氣密性、相對於高頻信號取得阻抗匹配的材料及形狀的封裝玻璃。本體部10、擋塊部12、引線管腳28及封裝玻璃30構成to(電晶體輪廓)頭。to頭的構造、材質及介電常數是與期望的散熱性及高頻特性相匹配地進行選擇的。

如圖3所示，引線管腳28具有以使得前端部分128與安裝基板14的表面進行面接觸的方式彎折的構造。另外，引線管腳28和安裝基板14使用焊料32進行接合。在本實施方式中，安裝基板14相對於與基準面11垂直的方向傾斜。在該構造中，如果使用不彎折的直線狀的引線管腳，則引線管腳和圖案配線26成為線接觸。因此，接觸面積變小，有可能產生由阻抗的不匹配而引起的反射的增大、接觸部位的絕緣及高電阻化。在本實施方式中，安裝基板14所具有的圖案配線26與引線管腳28進行面接觸。因此，與線接觸的情況相比較，接觸面積變大，能夠實現接觸部位處的高頻信號的反射的抑制、電連接的穩定化及低電阻化。

圖4是表示本實施方式的變形例(其1)的剖視圖。在本變形例中，光半導體裝置200具有引線管腳228。引線管腳228具有如下構造，即，前端部分528彎折，以使得前端部分528的上表面和安裝基板14的與基準面11相對的側面進行面接觸。在本變形例中，也能夠得到由圖案配線26和引線管腳228的接觸面積變大而帶來的效果。

圖5是表示本實施方式的變形例(其2)的正視圖。在本變形例中，光半導體裝置300具有安裝基板314及配線圖案326。為了方便起見，在圖5中省略了本體部10。安裝基板314及配線圖案326具有切口部分327。切口部分327是以沿著從基準面11凸出的引線管腳328的前端部分628的方式挖通的。前端部分628配置於切口部分327。

圖6是圖5所示的變形例(其2)的剖視圖。在本變形例中，前端部分628配置為嵌入至切口部分327。因此，與沒有切口部分327的情況相比，引線管腳328和配線圖案326的接觸面積變大。因此，在本變形例中也能夠得到由接觸面積變大而帶來的效果。另外，能夠以沿著引線管腳328的方式對安裝基板314進行安裝。因此，組裝時的生產性提高。

圖7是對比例所涉及的光半導體裝置400的剖視圖。光半導體裝置400在基準面11具有擋塊部412。擋塊部412具有與基準面11垂直的第1側面413。在第1側面413配置表面與基準面11垂直的安裝基板414。在安裝基板414的表面配置半導體雷射器416。半導體雷射器416的前端面側出射光418及後端面側出射光420具有與基準面11垂直的出射光軸。

圖8是對比例所涉及的光半導體裝置400的正視圖。在擋塊部12固定有引線管腳428。引線管腳428和半導體雷射器416通過導線434進行電連接。在這裡，在高頻帶將導線用於電連接的情況下，對半導體雷射器進行驅動的頻率越高，越難以取得阻抗匹配。因此，考慮以下情況，即，像以光半導體裝置100所示的那樣，在安裝基板形成進行了阻抗的匹配的配線圖案，將配線圖案和引線管腳進行直接接合。在這裡，在將配線圖案設置於安裝基板的情況下，與通過導線進行連接的情況相比較，需要增大安裝基板的表面積。

半導體雷射器416的出射光具有角發散。因此，如果增大安裝基板414的表面積，則出射光容易觸碰安裝基板414。如果出射光觸碰安裝基板414，則有時光輸出會降低。另外，由安裝基板414反射的出射光變為雜散光，有時使半導體雷射器416的控制性及品質降低。

另外，對於光半導體裝置400，為了高效地對後端面側出射光420進行受光，在出射光軸之上，在半導體雷射器416的正下方配置有光電二極體22。因此，如果增大安裝基板414，則會與光電二極體22相碰。因此，在增大安裝基板414的情況下，無法在後端面側出射光420的出射光軸之上安裝光電二極體22。此時，由光電二極體22受光的光輸出降低，噪聲的影響增大。因此，有可能使監視的精度降低，光輸出的控制性降低。

與此相對，在本實施方式中，後端面側出射光20是以與後端面115相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸而射出的。另外，前端面側出射光18是以與前端面117相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸而射出的。因此，即使增大安裝基板14，後端面側出射光20及前端面側出射光18也難以觸碰安裝基板14。因此，即使增大安裝基板14，也能夠對由反射引起的光輸出的降低及雜散光的發生進行抑制。

另外，後端面側出射光20的出射光軸與後端面115相距越遠則越遠離安裝基板14。因此，光電二極體22能夠在與安裝基板的正下方遠離的位置處，在出射光軸之上對後端面側出射光20進行受光。因此，能夠同時實現增大安裝基板14、和確保通過光電二極體22進行的監視的精度。

並且，在本實施方式中，第1側面13傾斜。由此，與第1側面13垂直於基準面11的情況相比較，第1側面13的表面積變大。因此，與第1側面垂直於基準面11的情況相比較，能夠將安裝基板14的尺寸確保得較大。另外，由於第1側面13傾斜，因此能夠對光半導體裝置100的高度進行抑制。

接下來，對半導體雷射器116的構造進行說明。圖9是表示實施方式1中的半導體雷射器116的剖視圖。在n型的電極60的表面配置半導體基板38。半導體基板38由n型的inp構成，折射率為3.207。在半導體基板38的表面配置第1包覆層40。第1包覆層40由n型的inp構成。在第1包覆層40的表面配置有源層42。有源層42是折射率比inp大的algainas化合物。在本實施方式中，有源層42的折射率為3.415，層厚為220nm。在有源層42的表面配置第2包覆層44。第2包覆層44由p型的inp構成。由此，構成雷射器部34。

接下來，與雷射器部34相鄰地，在半導體基板38的表面配置無摻雜的inp層46。inp層46的上端設定為與有源層42的下端處於相同的高度。inp層46的折射率為3.207。在inp層46的表面配置芯層48。芯層48由折射率為3.392的組分的ingaasp化合物構成，層厚為220nm。芯層48的折射率設定為小於或等於有源層42的折射率。

在芯層48的表面配置第1半導體層50。第1半導體層50由無摻雜的inp構成。第1半導體層50的折射率為3.207，層厚為100nm。在第1半導體層50的表面配置第1光分布變形層52。第1光分布變形層52由折射率為3.495的組分的ingaasp化合物構成，層厚為200nm。第1半導體層50的折射率設定為比芯層48及第1光分布變形層52的折射率小。在第1光分布變形層52的表面配置第3包覆層54。第3包覆層54由p型的inp構成，層厚為570nm。由此，形成光波導部36。

雷射器部34及光波導部36調整為表面處於相同的高度。在雷射器部34及光波導部36的表面配置接觸層56。在接觸層56的表面，在雷射器部34的上部配置p型的電極58。此外，在圖9中，半導體雷射器116在雷射器部34的兩端之中的後端面115側具有光波導部36，在前端面117側也具有未圖示的光波導部。

與有源層42相比位於上部的第1半導體層50、第1光分布變形層52及第3包覆層54形成上部半導體層76。另外，與有源層42相比位於下部的半導體基板38及inp層46形成下部半導體層74。光波導部36設定為上部半導體層76的折射率比下部半導體層74的折射率大。此時，出射光向上部半導體層76一方彎曲。在本實施方式中，通過出射光形成的遠場像(ffp，farfieldpattern)的中心位置向上部半導體層76一方偏移15.8度。此外，在本實施方式中，ffp的中心位置的偏移代表出射光的出射角度。在這裡，出射角度是出射光軸和有源層42所成的角度。

在將半導體雷射器116向安裝基板14進行安裝時，以n型的電極60側與安裝基板14的表面接觸的方式進行安裝。由此，實現具有與後端面115相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸的後端面側出射光20。另外，實現具有與前端面117相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸的前端面側出射光18。

另外，作為本實施方式的變形例，也可以設定為上部半導體層76的折射率比下部半導體層74的折射率小。在該情況下，ffp的中心位置向下部半導體層74一方偏移。在本變形例中，以p型的電極58側與安裝基板14的表面接觸的方式對半導體雷射器116進行安裝。由此，實現具有與後端面115相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸的後端面側出射光20。另外，實現具有與前端面117相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸的前端面側出射光18。

圖10示出在本實施方式中，使第1光分布變形層52的層厚變化的情況下的ffp的中心位置的偏移。在這裡，對第3包覆層54的層厚進行調整，以使得將第1光分布變形層52的層厚和第3包覆層54的層厚相加後的值成為590nm。除此以外的各層的折射率及層厚與上述一致。第1光分布變形層52越厚則ffp的中心位置的偏移越大。

圖11示出在本實施方式中，使第1光分布變形層52的折射率變化的情況下的ffp的中心位置的偏移。各層的折射率及層厚與上述一致。在第1光分布變形層52的折射率比下部半導體層74的折射率3.207大的情況下產生ffp的中心位置的偏移。另外，第1光分布變形層52越厚則偏移越大。

圖12示出在本實施方式中，使第1半導體層50的層厚變化的情況下的ffp的中心位置的偏移。各層的折射率及層厚與上述一致。第1半導體層50越厚則ffp的中心位置的偏移越大。另外，即使不具有第1半導體層50，也會產生ffp的中心位置的偏移。

由此，通過光波導部36的各層的折射率或者層厚的調節，能夠對ffp的中心位置的偏移進行調整。因此，能夠得到期望的出射角度。芯層48及第1光分布變形層52也可以由具有適當的折射率的algainas化合物形成。另外，根據自由載流子等離子體效應，能夠通過提高載流子濃度而降低折射率。因此，能夠通過對雜質摻雜量進行控制，從而實現期望的折射率。

另外，前端面側出射光18的出射角度和後端面側出射光20的出射角度也可以是不同的角度。在該情況下，前端面117側的光波導部和後端面115側的光波導部36設定為不同的折射率。

接下來，對本實施方式中的半導體雷射器116的製造方法進行說明。在這裡，半導體雷射器116構成為，與雷射器部34的兩端相鄰地具有光波導部，但為了方便起見，對僅在後端面115側具有光波導部36的情況進行說明。圖13～22是說明本實施方式中的半導體雷射器116的製造方法的圖。在這裡，圖13～17是半導體雷射器116的共振方向的剖視圖，圖18～22是與共振方向垂直的方向的剖視圖。

首先，如圖13所示，在半導體基板38的表面通過有機金屬氣相生長法(mocvd：metalorganicchemicalvapordeposition)，形成晶體生長層。就晶體生長層而言，層疊有第1包覆層40、有源層42及第2包覆層44。接下來，在晶體生長層的表面對氧化膜62進行成膜。氧化膜62是sio2膜。

接下來，如圖14所示，將稍後成為雷射器部34的部分保留而對氧化膜62進行圖案化。接下來，如圖15所示，將氧化膜62作為掩模，通過幹蝕刻或者溼蝕刻而將晶體生長層去除。其結果，半導體基板38露出。在這裡，也可以按照使第1包覆層40露出的方式進行蝕刻。

接下來，如圖16所示，將氧化膜62作為掩模，在半導體基板38的表面通過mocvd而形成無摻雜的inp層46。inp層46形成至與有源層42的下端相同的位置。然後，層疊地形成芯層48、第1半導體層50、第1光分布變形層52及第3包覆層54。接下來，如圖17所示，使用氫氟酸將氧化膜62去除。

圖18是與共振方向垂直的方向上的雷射器部34的剖視圖。在圖17所示的工序之後，在第2包覆層44及第3包覆層54的表面對氧化膜64進行成膜。氧化膜64是sio2膜。在這裡，接下來，如圖19所示，將氧化膜64加工為寬度是1～2μm的條帶狀。接下來，如圖20所示，將氧化膜64作為掩模，通過幹蝕刻或者溼蝕刻而形成脊(ridge)構造。

接下來，如圖21所示，將氧化膜64作為掩模，通過mocvd而在脊側面形成電流約束(currentconfinement)構造72。電流約束構造72具有p－n－p型inp構造66、68、70。電流約束構造72使用的是作為半絕緣性半導體的摻雜了fe的inp，以能夠使電流集中地向脊部流動。

接下來，如圖22所示，通過氫氟酸將氧化膜64去除。接下來，在脊部及電流約束構造72的表面，通過mocvd而對接觸層56進行層疊。接下來，在接觸層56的表面形成p型的電極58。另外，在半導體基板38的背面形成n側的電極60。優選針對無助於發光的光波導部36不進行電流注入。因此，如圖9所示，在光波導部36之上不形成p型的電極58。在這裡，也可以不將n型的電極60形成於光波導部36的下部。根據以上的工序，構成半導體雷射器116。此外，關於半導體雷射器116，各層的n型及p型的指定也可以是相反的組合。

圖23示出本實施方式中的半導體雷射器116的變形例(其1)，是共振方向的剖視圖。本變形例中的半導體雷射器516具有第1光分布變形層552。第1光分布變形層552具有折射率朝向外延晶體生長方向而階梯狀地減少的半導體層。由此，對光向第1光分布變形層552的滲出量進行微調變得容易。因此，能夠使出射角度的控制性提高。另外，第1光分布變形層552也可以設為折射率朝向外延晶體生長方向而連續地減少的光分布變形層。另外，第1光分布變形層552也可以設為折射率朝向外延晶體生長方向而階梯狀地或者連續地增加的光分布變形層。

圖24示出本實施方式中的半導體雷射器116的變形例(其2)，是共振方向的剖視圖。本變形例中的半導體雷射器616不具有第1光分布變形層52。另外，在inp層46和芯層48之間，具有第2光分布變形層647。第2光分布變形層647由折射率比inp小的組分的ingaasp化合物構成。就半導體雷射器616而言，第1半導體層50及第3包覆層54形成上部半導體層676。另外，與有源層42相比位於下部的半導體基板38、inp層46及第2光分布變形層647形成下部半導體層674。

由於具有折射率小的第2光分布變形層647，因此下部半導體層674的折射率比上部半導體層676的折射率小。因此，出射光向上部半導體層676一方彎曲。另外，半導體雷射器616也可以具有第1光分布變形層52和第2光分布變形層647這兩者。另外，也可以如半導體雷射器516那樣，第2光分布變形層647設為折射率朝向外延晶體生長方向而階梯狀地或者連續地減少或增加的光分布變形層。

作為本實施方式的其他變形例，半導體雷射器116也可以僅在前端面117側設置光波導部36。在本變形例中，前端面側出射光18是以與前端面117相距越遠則越遠離安裝基板14的出射光軸而射出的。因此，即使增大安裝基板14，前端面側出射光18也難以觸碰安裝基板14。另外，由於在後端面115側沒有光波導部36，因此後端面側出射光20與有源層42平行地射出。通過使半導體雷射器116靠近安裝基板14的表面之中的基準面11側而配置，從而能夠使得後端面側出射光20難以觸碰安裝基板14。另外，由於光波導部36僅設置在前端面117側即可，因此能夠通過簡單的構造構成半導體雷射器116。

實施方式2.

圖25是實施方式2中的光半導體裝置700的剖視圖。光半導體裝置700具有擋塊部412。擋塊部412具有與基準面11垂直的第1側面413。在擋塊部412以背面與第1側面413接觸的方式對安裝基板714進行配置。在安裝基板714的表面安裝半導體雷射器116。安裝基板714的表面具有以使得前端面側出射光18朝向與基準面11垂直的方向的方式傾斜的構造。

在本實施方式中，也與實施方式1同樣地，後端面側出射光20是以與後端面115相距越遠則越遠離安裝基板714的出射光軸而射出的。另外，前端面側出射光18是以與前端面117相距越遠則越遠離安裝基板714的出射光軸而射出的。因此，即使增大安裝基板714，出射光也難以觸碰安裝基板714。另外，與安裝基板714的表面傾斜相對應地，能夠將安裝基板714的表面積確保得較大。並且，安裝基板714在表面傾斜的部位處，與基準面11相距越遠則厚度越薄。在這裡，安裝基板714的阻抗能夠與安裝基板714的厚度相對應而連續地變化。因此，容易取得阻抗匹配。

實施方式3.

圖26是實施方式3中的光半導體裝置800的剖視圖。光半導體裝置800與實施方式2同樣地具有擋塊部412。在擋塊部412以背面與第1側面413接觸的方式對安裝基板814進行配置。在安裝基板814的表面安裝半導體雷射器816。在本實施方式中，第1側面413、安裝基板814的背面及表面相互平行。

半導體雷射器816僅在後端面815側具有光波導部36。通過光波導部36，使後端面側出射光20以與後端面815相距越遠則越遠離安裝基板814的出射光軸射出。因此，即使增大安裝基板814，後端面側出射光20也難以觸碰安裝基板814。另外，即使將光電二極體22配置於與安裝基板814的正下方遠離的位置，也能夠在出射光軸之上對出射光進行受光。因此，能夠同時實現增大安裝基板814、和確保通過光電二極體22進行的監視的精度。

另外，由於在前端面817側沒有光波導部36，因此前端面側出射光18與有源層42平行地射出。通過使半導體雷射器816在安裝基板814的表面與基準面11遠離而配置，從而能夠使得前端面側出射光18難以觸碰安裝基板814。

在本實施方式中，光波導部36僅設置在後端面815側即可。另外，無需在第1側面413或者安裝基板814的表面設有傾斜。因此，與實施方式1及2相比較，能夠通過簡單的構造構成光半導體裝置800。