液體電容式傾斜微傳感器的製造方法
2023-11-30 23:58:26 1
液體電容式傾斜微傳感器的製造方法
【專利摘要】本發明公開了一種液體電容式傾斜微傳感器，包括：一對差動電極，一共享電極，三者形成在一密閉空間內且實質上位於同一平面，並在該密閉空間中封入覆蓋液體；其中，所述一對差動電極的輪廓分別形成圓形的一部分。本發明還公開了該傳感器的製造方法。
【專利說明】液體電容式傾斜微傳感器
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種傾斜角傳感器，特別是關於一種液體電容式傾斜傳感器。
現有技術
[0002]水平儀(傾斜角傳感器)的應用範圍廣泛，例如土木工程的施工定位，機械平臺的水平度測量，汽車與飛機平衡系統的監測，橋梁及鐵路的傾斜及形變監控，相機取景時的輔助水平線，手機的傾斜操控應用等，甚至在半導體、化學與生醫工程等，都可見其應用。目前可見的微水平儀，依其感測方式主要可分為機械式、氣體式和液體式的感測方式。
[0003]機械式水平儀主要是利用一質量塊，在水平儀傾斜時，質量塊受重力影響，使質量塊兩端的電極與相對應的固定電極間發生變化，引起質量塊電極與兩端固定電極間的電容變化。機械式水平儀通過測量該電容量來判斷傾斜角度。採用機械式的結構在製造工藝上較容易實現，但由於其彈簧結構通常較為脆弱，因此容易因外力而斷裂。
[0004]氣體式水平儀設置有一注有參考氣體的密封腔，使用加熱器將其周圍的氣體加熱。傾斜時，封閉腔內的熱對流產生變化，通過測量加熱器四周的熱敏電阻的電阻值變化，即可用來計算傾斜角度。氣體式的微水平儀結構較為簡單，受微結構尺寸變異的影響也較小，但在製造上仍須額外增加將腔體密封的加工步驟，且其對於傾角變化的反應速度也較為緩慢。
[0005]現有的液體式微水平儀是在一封閉腔內注入電解液，因電解液具有導電性。在腔體未傾斜時，浸泡在電解液中的兩電極電阻值實質相同。但腔體傾斜時，兩端電極浸泡在電解液中的面積產生變化，使得兩電極的電阻值產生差值。通過讀取電路將傾角變化轉變為電信號輸出。液體感測方式的結構最為簡單，反應時間也較快，但同樣必須增加一密封腔體的加工步驟。
[0006]微水平儀多半以MEMS工藝與CMOS工藝分別製造感測組件及讀取電路，不僅製造成本高，體積難以進一步減小，也易產生噪聲。雖然單獨的MEMS工藝在微結構的設計上彈性自由度較高，但目前仍沒有一套標準的微機電系統能夠同時符合設計彈性又能與電路進行集成。
[0007]中國臺灣專利TW522221號公開了一種傾斜傳感器，該傳感器具有印刷基板和設置在該印刷基板上的彼此電氣獨立的一對差動電極，以及與差動電極間隔的共享電極板。該對差動電極和共享電極板收納在一密閉空間內，並在該密閉空間內封入介電性液體。當傾斜傳感器傾斜時，介電性液體浸泡各該差動電極的面積發生變化，使其電容產生改變。通過測量該兩個差動電極的電容值，可以計算出傾斜角度。該傾斜傳感器並非以微機電技術製造，體積甚為龐大。
[0008]日本專利公開JP2008-261695公開了一種微型傾斜角度傳感器。該傳感器具有與該TW522221號相同的構造，並使用相同的原理，但所封入的液體是導電性液體。該傳感器是以微機電技術製造，體積可以縮小，但其構造並不適合使用標準CMOS工藝製造，使得製造成本提高。且其差動電極形成半圓形，使得其感測精確度受限，不適於利用在較精密的應 用。此外，該傳感器與讀取電路須分別製造，集成困難。
【發明內容】
[0009]本發明的目的是提供一種液體電容式傾斜微傳感器的新穎架構。
[0010]本發明的目的也是提供一種結構簡化，可以利用標準CMOS工藝製造的傾斜微傳感器。
[0011]本發明的目的也是提供一種能集成讀取電路與感測組件的傾斜微傳感器。
[0012]本發明的目的也是提供一種無可動組件，且能提高偵測精確度的傾斜微傳感器。
[0013]本發明的目的也是提供一種液體電容式傾斜微傳感器的新穎製法。
[0014]本發明的目的也是提供一種可以利用標準CMOS工藝製造併集成讀取電路的傾斜微傳感器製法。
[0015]根據本發明的液體電容式傾斜微傳感器，包括:一對差動電極，一共享電極，該一對差動電極和該共享電極形成在密閉空間內，且實質上位於同一平面，並在該密閉空間中封入覆蓋液體；其特徵在於，該對差動電極的輪廓分別形成圓形的一部分。
[0016]該傳感器還可以包括讀取電路，用以讀取該對差動電極的各電極所產生的電容值。該對差動電極和/或該共享電極表面至少一部分還可包括潤滑層。該共享電極可形成在該對差動電極的附近。該對差動電極分別可以包含形成在電極板邊緣的多個缺口，且該共享電極可包含伸入該缺口的多個突出部。當電極板為扇形輪廓時，該多個缺口可延伸到各差動電極板扇形的半徑的一半長度以上。該覆蓋液體可以是導電性液體或介電液體。該對差動電極與該共享電極可形成在一矽基板上。該讀取電路也可形成在該對差動電極與該共享電極的娃基板上。該對差動電極與該共享電極可形成在一娃基板上的介電層上。
[0017]在本發明的一種實例中，該對差動電極形成扇形輪廓。且在此種實例中，該傳感器包括多於一對的差動電極；該多對差動電極的輪廓與面積可互為相同或不同。
[0018]根據本發明的液體電容式傾斜微傳感器製法，包括如下步驟:
[0019]製備第一基板；
[0020]在該第一基板上形成至少一個金屬層；
[0021]使該金屬層形成至少一對形狀近似且面積實質相同的第一及第二電極，以及一第三電極；
[0022]製備第二基板；
[0023]在該第二基板上形成材料層；
[0024]在該材料層中形成凹槽；
[0025]在該凹槽中加入覆蓋液體；
[0026]將該第一基板覆蓋於該第二基板上，使該第一、第二及第三電極進入該凹槽內；以及
[0027]結合該第一基板與該第二基板；
[0028]其特徵在於，該對第一及第二電極分別形成圓形的一部分。
[0029]該對第一及第二電極的輪廓分別可形成圓形的一部分，優選地，是半圓形輪廓。在本發明的一個實例中，該對第一及第二電極形成扇形輪廓。且在此種實例中，該方法在形成第一及第二電極時，還包括另外形成多個對電極的步驟；該多個對電極互相間以及與該對第一及第二電極，輪廓與面積可以相同或不同。
[0030]該第一基板可以是矽基板，該第二基板可以是玻璃基板或塑料基板。該第三電極可形成在該第一及第二電極的附近。該第一及第二電極分別可以包含形成在電極板邊緣的多個缺口，且該第三電極可包含伸入該缺口的多個突出部。當該第一及第二極板為扇形或半圓形輪廓時，該多個缺口可延伸到第一及或二極板的扇形或半圓的半徑的一半長度以上。該覆蓋液體可以是導電性液體或介電液體。
[0031]該第一、第二及第三電極可形成在該第一基板上的材料層上，因此該方法可以包括在製備第一基板後，在該第一基板上形成一材料層的步驟。該材料層可包括至少一個介電層。該材料層也額外包括至少一個金屬層及一介電層。
[0032]該方法也可包括:在形成該第一、第二及第三電極時，同時形成一讀取電路的步驟。該方法也可包括:在形成該第一、第二及第三電極及該材料層時，同時形成一讀取電路的步驟。該方法還可包括:在該第一、第二及第三電極表面至少一部分施加潤滑層的步驟。
[0033]該第二基板上形成的材料層可以是光阻材料，該形成凹槽的步驟可包括除去該材料層一部分的步驟。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]圖1是本發明的液體電容式傾斜微傳感器的截面圖。
[0035]圖2是示出本發明液體電容式傾斜微傳感器的電極形狀示意圖。
[0036]圖3a與圖3b是本發明的液體電容式傾斜微傳感器感測原理示意圖。
[0037]圖4是示出本發明的·液體電容式傾斜微傳感器的製造方法的流程圖。
[0038]圖5a到圖5f是示出本發明的液體電容式傾斜微傳感器的製造過程示意圖。
[0039]圖6是示出本發明的液體電容式傾斜微傳感器另一實例的電極形狀的示意圖。
[0040]主要組件符號說明
[0041]100液體電容式傾斜微傳感器
[0042]10第一基板
[0043]15潤滑層
[0044]21第一電極
[0045]2 la、2 Ia 缺口
[0046]22a、22a 缺口
[0047]23a,23a 突出部
[0048]21A、22A 電極
[0049]21B、22B 電極
[0050]22第二電極
[0051]23第三電極
[0052]24支撐結構
[0053]25隔牆
[0054]25a切割線
[0055]26第二基板
[0056]27密閉空間[0057]28覆蓋液體
[0058]29黏膠
[0059]30讀取電路
【具體實施方式】
[0060]下面，將通過具體實施例說明本發明的構造與製法。須注意的是:所使用的實施例僅用於例示本發明的可能或優選實施方式，而並非用於限制本發明的範圍。
[0061]本發明所提供的液體電容式傾斜微傳感器，主要結構可如圖1所示。圖1是本發明液體電容式傾斜微傳感器的截面圖。如圖1所示，本發明的液體電容式傾斜微傳感器100形成在第一基板10上。圖1中所示出的基板10，是在標準CMOS工藝中使用的基板，即矽質基板。在該基板10上，以標準CMOS工藝形成數層介電層，數層金屬層，以及多個導通孔等。
[0062]圖2是示出本發明液體電容式傾斜微傳感器的電極形狀的示意圖。如圖2所示，該傳感器100具有一對差動電極，即第一電極21與第二電極22，以及一共享電極，即第三電極23。在圖1所示的傳感器構造中，該三個電極21、22、23共同形成在同一金屬層，即第三層金屬層上。在這三個電極21、22、23所在區域周圍，以數層介電層、數層金屬層以及多個導通孔形成支撐結構24。在該支撐結構24上方形成隔牆25，該隔牆25上方覆蓋第二基板26,使該三個電極所在的金屬層、該支撐結構24、隔牆25與第二基板26定義一密閉空間
27。覆蓋液體28即密封在該密閉空間27中。
[0063]在本發明的優選實例中，該隔牆25使用光阻材料製造，該第二基板26是玻璃材質。但本發明可適用的材料並不限於此例所示。
[0064]將該三個電極21、22、23形成在第三金屬層，可以減少與基板間的寄生電容。但製造在其它層也是可以的。在本例中，該三個電極21、22、23形成在單一的金屬層內，但是在其它實例中，該三個電極21、22、23形成在多個的金屬層內。亦即，在標準CMOS工藝中所形成，中間夾有介電層的多個金屬層。此外，該差動電極21、22與該共享電極23可形成在同一金屬層，也可形成在不同金屬層。
[0065]為抑制該覆蓋液體28因毛細作用而黏附在該三電極21、22、23的表面，可在該三個電極21、22、23的表面全部或選定的部分施以潤滑層(未圖示)。該潤滑層的材質為本領域技術人員所熟知，例如可為特氟龍。將該第二基板26結合到第一基板10的方法，可以使用任何夾具，以適用的結合方式，將該第二基板26固定到第一基板10的預定位置。如以黏膠固定，可以選用與該隔牆26材料與該金屬層或介電層材料兼容的黏膠，以壓力或加熱固定，形成結合層29。
[0066]請參考圖2。該圖2中示出該第一與第二電極21、22各形成大體上半圓形輪廓。在其內側邊緣設有多個缺口 21a、21a與22a、22a。該第三電極23則形成在兩差動電極中心部分，並且多個突出部23a、23a伸入該多個缺口 21a、21a與22a、22a中。如此所完成的結構，即所謂的指差式電容。在本實施例中，將差動電極21、22設計成半圓形，可以將偵測範圍擴大到±90°。但在實際應用上，可能並不需要如此大的角度範圍，因此差動電極21、22的輪廓形狀只需為圓形的一部分，亦即特定角度的扇形即可，例如45°到90°之間的任何角度。此外，差動電極21、22所形成的輪廓形狀應為近似，且面積實質上相等。兩者以鏡射方式組合，是優選的方式。該鏡射的基準線最好與待測平面的基準面直交。這樣的設置能確保測量結果的正確性。
[0067]在本發明的其它實例中，差動電極21、22輪廓並不形成圓形的一部分。任何可以使兩個差動電極形成實質上相對應的形狀，並且不降低測量正確性的形狀，都可適用。例如等邊三角形或等腰三角形、等腰多邊型，均是其例。
[0068]圖2也示出，在該差動電極21、22上所形成的缺口，深入到電極板的內部，達到1/2以上。也就是說，當該電極板21、22為扇形或半圓形時，該缺口向內延伸達半徑1/2以上。同時，該第三電極(共享電極)23的延伸部，也配合伸入該缺口，達到差動電極板21、22半徑的一半以上。如此形成的電容，容值較高，對於傾斜角度的改變較為敏感，可以提高偵測的精密度或解析度。
[0069]圖6示出本發明的差動電極的另一實例的示意圖。圖6中示出，該對第一及第二電極21、22形成扇形輪廓。但另外提供形狀與面積實質相同的第二對第一及第二電極21A、22A以及第三對第一及第二電極21B、22B，均作為差動電極使用。當然，在此種實例中，在形成第一對差動電極時，可同時形成該第二及第三對差動電極。且差動電極的對數並無任何限制。該多個對差動電極互相的輪廓及面積可以互為相同或不同。在這種實例中，因為提供多對差動電極，在測量時可以將各對所屬電極的電容變化以矩陣方式表示，即可以簡單的偵測方式，測得傾斜角度的變化。換言之，不需提高電容值偵測的解析度，即可偵測到細微的傾斜角度變化。
[0070]具有以上特徵的傾斜角度偵測器，可以利用標準CMOS工藝製造，故可與讀取電路製造在相同的基板上，並且同時完成，足以簡化生產並降低成本。此外，並可解決現有技術中偵測器與讀取電路集成困難的難題。
[0071]圖3a與圖3b是本發明的液體電容式傾斜微傳感器的感測原理示意圖。在圖1中，Vin表示輸入電壓，30表示讀取電路。本發明的傳感器100相當於當兩組電容，電容上覆蓋的液體會因為傳感器所置角度的變化而改變與差動電極21、22的相對位置，使覆蓋於各電極板上的面積改變，進而產生電容變化。該電容變化通過讀取電路30轉換為電壓信號輸出。圖3a示出該傳感器100處於起始狀態時，覆蓋液體28覆蓋在兩差動電極21、22上的面積相同，故兩者產生的電容值相同。但當如圖3b所示，偵測器100處於傾斜狀態時，液體因重力而維持原位，此時兩差動電極21、22被覆蓋液體28所覆蓋的面積不同，因而產生不一樣的電容值。根據本發明的感測電容結構設計，在測量兩差動電極21、22的電容值後，計算所得的差值將與傾斜角度形成高度線性關係。因此可以計算出該偵測器的傾斜角度。
[0072]下面，以實例說明本發明的液體電容式傾斜微傳感器的製法。圖4是示出本發明的液體電容式傾斜微傳感器的製法流程圖。圖5a到圖5f則是示出本發明的液體電容式傾斜微傳感器的製造過程意圖。如圖4所示，在製造本發明的液體電容式傾斜微傳感器時，首先在步驟401製造一基板10。該基板10的材質並無任何限制，但通常而言可使用一般應用在標準CMOS工藝的基板材質，即娃質基板，以便使本發明可以利用CMOS工藝製造。但使用其它堅固的材質，或其它適合使用在CMOS工藝的材質，也可得到相同的效果。其次，在步驟402，在該基板10上形成材料層。該材料層可以包括:形成在該基板10上方的介電層；形成在該介電層上方，互相交替的數層金屬層與介電層；以及位於其內的導通孔。這些材料層當中包含本發明的傾斜角傳感器100以及讀取電路30。適合製造該材料層的方法，包括任何商業上用來形成電路結構和/或微型結構的工藝，其中較佳的是標準CMOS工藝。[0073]該讀取電路30可以是以商用電路設計工具完成的電路結構，例如CMOS工藝所製得的多層電路層。用來偵測電容值並將該電容值轉變成傾斜角度值的電路，可以使用任何已知技術的電路設計。對於本領域技術人員而言，設計具有上述功能的電路，並通過適用的工藝形成在該基板10上，是顯而易見的，相關技術細節在此無需贅述。
[0074]至於該偵測器100部分的製造，在本實例中是形成在該材料層當中的至少一金屬層，例如第三層金屬層。其製造方法包括在形成該金屬層後，以蝕刻等方法，形成該第一電極21、第二電極22以及第三電極23的形狀。其中，第一電極21、第二電極22的輪廓形狀近似或互相對應，且面積實質相同。第三電極23則形成在該第一及第二電極的周圍。在該第一電極21、第二電極22面對第三電極23的邊緣形成凹口 21a、22a，而在第三電極23的對應位置形成突出部23a，伸入該凹口 21a、22a內。在該第三層金屬層形成具有上述及其它特徵的電極板圖型，也屬於現有技術。此外，在相同平面或實質相同平面上形成多對差動電極，也可利用現有技術實現。本領域技術人員在閱讀本專利說明書與附圖後，可輕易完成。相關技術細節，在此也不贅述。
[0075]在該材料層中，也可包括以數層金屬層、數層介電層與多個導通孔共同形成的支撐結構24。該支撐結構24通常是以導通孔貫穿數層介電層與金屬層，以提高其強度。如此完成足以支撐將要形成的密閉空間的結構。製造此種支撐結構的技術，也可使用上述CMOS工藝，與該讀取電路30及電極板21、22、23在相同的工藝步驟中完成。相關技術細節，也無需贅述。
[0076]在本發明的其它實例中，該電極板21、22、23並非製造在該第三層金屬層上，而是製造在其它金屬層上的。此外，在本發明另一些實例中，該電極板21、22、23並非只包括單一金屬層，而是包括多層金屬層，以及介於金屬層間的介電層。如有必要，也可包括導通孔。此外，該偵測器也並非只能包括一組電極板21、22、23。以上種種結構，皆屬本發明不同的實施形態。但無論如何，製造這些材料層的方法，也屬於本領域技術人員所知，並可以通過已經商業化的工藝實現。至於適用於該金屬層與介電層，以及導通孔的材料，並無任何限制，且為本領域技術人員所熟知。通常而言，該金屬層的材質可以是鋁，該介電層的材料可以是二氧化矽，該導通孔的材料可以是銅。如此所形成的結構，如圖5a所示。圖中示出在該電極板21、22、23上方，還有一介電層存在。
[0077]其次，在步驟403中，移除該電極板21、22、23上方的介電層，直到電極板21、22、23裸露出來。所得結果如第5b圖所示。在步驟404中，在該電極板21、22、23的表面施加潤滑層15。該潤滑層15的材料可以是任何可以消除或降低該電極板21、22、23的表面毛細作用的材料。在本發明的優選實例中，是採用特氟龍。當然，其它可以提供相同或類似功能的材料，均可適用。其施加方法也無任何技術上的限制，但以旋模塗覆方法較為可行，效果也較好。該潤滑層15的厚度並無限制，但不宜太厚，以免影響偵測效果。所形成的材料層即如第5c圖所示。
[0078]接著，在步驟405中，製備第二基板26。該第二基板26的材質並無任何限制，但以堅硬、容易加工為宜。在本發明的優選實例中，該第二基板26是玻璃基板。但是其它材料，例如塑料、樹脂、玻璃纖維、金屬、陶瓷或其複合材料，均可適用。其後，在步驟406中，在該第二基板上形成一隔牆材料層25。該隔牆材料層25的材料也無任何限制。但考慮到工藝的便利性，在本發明的優選實例中，以光阻材料來製造。適用的光阻材料包括SU-8等。該隔牆材料層25可以通過任何方式形成在該第二基板26上，其厚度也無任何限制，但以能形成足夠的容積以容納覆蓋液體為宜。通常而言，約可在100到2，OOOum之間，較好在200到1，OOOum之間。所得的材料層，即如第5d圖所示。在步驟407，在該隔牆材料層25內形成凹槽27，以用作容納覆蓋液體的腔室。形成凹槽的方法，主要是除去該材料層的一部分，例如以蝕刻方法形成。但以其它方式，例如燒除等技術，也是可以的。如有必要，可另形成切割線25a。形成後的材料層包括該第二基板26，凹槽27以及凹槽27周圍的隔牆25。如第5e圖所示。
[0079]接著，在步驟408，在該凹槽27中加入覆蓋液體28。該覆蓋液體28可以是導電性液體或介電液體。如果是導電材料，則可以是電解液、磁性液體、液態金屬、含納米金屬顆粒的液體等材料。如果是介電液體，則以比重較高且黏性較低的材料較為適用；例如，矽酮油即其適例。所加入的覆蓋液體28的量並無任何限制，但以充滿該腔室27容積的半數左右為宜。在步驟409，在該隔牆25的開放端面上塗敷黏膠29。在步驟410，將該第一基板10覆蓋於該第二基板26上，使該第一、第二及第三電極21、22、23進入該凹槽27內。此時，該支撐結構24頂住該黏膠29。在步驟411，固定該第一基板10與該第二基板26。其方式可以是任何可固化該黏膠29，並使兩者緊密固定的方法。最後，以偵測器100為單位，切割所形成的材料層，即獲得本發明的傾斜微傳感器，其結構如圖5f所示。
[0080]本發明所公開的液體電容式傾斜微傳感器不但結構簡單，製造容易，且可與標準CMOS工藝結合，在製造過程中即與讀取電路集成，足以節省成本與製造時間。本發明所製成的微傳感器晶粒尺寸可以縮小。通常而言，以2.3*3.1mm的面積，即可製成具有高靈敏度且含或不含讀取電路的偵測器。本發明更提供了偵測範圍高達±90°的傾斜角偵測器。
【權利要求】
1.一種液體電容式傾斜微傳感器,包括:一對差動電極，一共享電極，該一對差動電極和該共享電極形成在密閉空間內，且實質上位於同一平面，並在該密閉空間中封入覆蓋液體；其特徵在於，該對差動電極的輪廓分別形成圓形的一部分。
2.如權利要求1的液體電容式傾斜微傳感器，其特徵在於，該對差動電極分別形成半圓形的輪廓。
3.如權利要求1的液體電容式傾斜微傳感器，其特徵在於，該對差動電極形成扇形的輪廓，且該傳感器還包括形成在該同一平面上的多於一對的差動電極；該多對差動電極的面積可以相同或不同。
4.如權利要求1至3中任意一項的液體電容式傾斜微傳感器,其特徵在於:還包括一讀取電路，用以讀取該對差動電極的各電極所產生的電容值。
5.如權利要求1至3中任意一項的液體電容式傾斜微傳感器,其特徵在於，該對差動電極和/或該共享電極的表面至少一部分還包括潤滑層。
6.如權利要求1至3中任意一項的液體電容式傾斜微傳感器，其特徵在於，該共享電極形成在該差動電極的附近。
7.如權利要求6的液體電容式傾斜微傳感器，其特徵在於，該差動電極分別包含形成在電極板邊緣的多個缺口，且該共享電極包含伸入該缺口的多個突出部。
8.如權利要求7的液體電容式傾斜微傳感器,其特徵在於,該差動電極的電極板是扇形的輪廓，且該多個缺口延伸到各差動電極板的扇形半徑的一半長度以上。
9.如權利要求1至3中任意一項的液體電容式傾斜微傳感器，其特徵在於，該覆蓋液體是導電性液體與介電液體 中的一種。
10.如權利要求1至3中任意一項的液體電容式傾斜微傳感器,其特徵在於,該差動電極與該共享電極形成在一矽基板上。
11.如權利要求10的液體電容式傾斜微傳感器，其特徵在於:還包括一讀取電路，用以讀取該差動電極的各電極所產生的電容值，且該讀取電路形成在該差動電極與該共享電極的矽基板上。
12.如權利要求1至3中任意一項的液體電容式傾斜微傳感器，其特徵在於，該差動電極與該共享電極形成在一娃基板上的介電層上。
13.—種製造液體電容式傾斜微傳感器之方法，包括如下步驟: 製備第一基板； 在該第一基板上形成至少一個金屬層； 使該金屬層形成至少一對形狀近似且面積實質相同的第一及第二電極，以及一第三電極； 製備第二基板； 在該第二基板上形成材料層； 在該材料層中形成凹槽； 在該凹槽中加入覆蓋液體； 將該第一基板覆蓋於該第二基板上，使該第一、第二及第三電極進入該凹槽內；以及 結合該第一基板與該第二基板； 其特徵在於，該對第一及第二電極分別形成圓形的一部分。
14.如權利要求13的方法，其特徵在於，該對第一及第二電極分別形成實質上的半圓形輪廓。
15.如權利要求13的方法，其特徵在於，該對第一及第二電極形成扇形輪廓，且該方法包括:在形成第一及第二電極同時，形成多個對電極的步驟。
16.如權利要求15的方法，其特徵在於，該多個對電極互相間以及與該對第一及第二電極，面積相同或不同。
17.如權利要求13至15中任意一項的方法,其特徵在於,該第一基板是娃基板，該第二基板是玻璃基板或塑料基板。
18.如權利要求13至15中任意一項的方法，其特徵在於，該第三電極形成在該第三電極以外的電極板的附近。
19.如權利要求13至15中任意一項的方法，其特徵在於，該第三電極以外的電極分別包含形成在電極板邊緣的多個缺口，且該第三電極包含伸入該缺口的多個突出部。
20.如權利要求19的方法，其特徵在於，該多個缺口可延伸到第一及或二極板的扇形或半圓半徑的一半長度以上。
21.如權利要求13至15中任意一項的方法，其特徵在於，所述覆蓋液體是導電性液體或介電液體中的一種。
22.如權利要求13至15中任意一項的方法，其特徵在於，該第三電極與其它電極形成在該第一基板上的材料層上，該方法還包括:在製備第一基板後，在該第一基板上形成一材料層。
23.如權利要求22的方法,其特徵在於,該材料層包括至少一個介電層。
24.如權利要求23的方法，其特徵在於，該材料層包括至少一個金屬層以及一介電層。
25.如權利要求13至15中任意一項的方法，其特徵在於:還包括:在形成該三電極及其它電極的同時，額外形成一讀取電路。
26.如權利要求22的方法，其特徵在於:還包括:在形成該三電極及其它電極與該材料層的同時，額外形成一讀取電路。
27.如權利要求13至15中任意一項的方法，其特徵在於:還包括:在該第三電極及其它電極的表面至少一部分施加潤滑層。
28.如權利要求13至15中任意一項的方法，其特徵在於:在該第二基板上形成的材料層是光阻材料。
29.如權利要求28的方法，其特徵在於，該形成凹槽的步驟後，還包括除去該材料層的一部分。
【文檔編號】G01C9/18GK103712600SQ201210377858
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2012年10月8日 優先權日:2012年10月8日
【發明者】陳榮祥, 陳政賜, 陳柏廷 申請人:碩英股份有限公司