基板處理裝置及基板處理方法與流程

2023-12-01 02:00:17

本發明實施形態涉及基板處理裝置及基板處理方法。

背景技術：

基板處理裝置為對半導體晶片、光掩模用玻璃基板、液晶用玻璃基板等各種基板進行種種表面處理(蝕刻處理、洗淨處理、漂洗處理、乾燥處理等)的裝置。該基板處理裝置從處理的均勻性、再現性方面出發，大多採用在專門處理室內一張張地處理基板的單張方式。並且，處理對象的基板被收存到專用容器內，例如在基板為半導體晶片的情況下收存到FOUP(前端開口片盒)內。因此，設置從專用容器取出基板和收存基板的專用單元。作為該專用單元，使用例如EFEM(FOUP開啟工具與搬運機器人的組合)。

專用容器內的基板被專用單元的搬運機器人從專用容器取出，被搬運到處理室內、在處理室內被處理。由於該處理使用藥液，因此為了使處理室環境氣體不擴散到周圍，通常處理室內被維持在比外部低的壓力。作為處理不僅有常溫的藥液處理，還有伴隨加熱的藥液處理等。並且，在處理完的基板還有必要進行別的處理的情況下，該基板被搬運到下一個處理室進行處理。最終，基板被洗淨和乾燥，用搬運機器人收存到原來的專用容器內，然後從基板處理裝置中除去。

由於使用的專用容器、專用單元的寬度、高度等大小由規格決定，因此基板處理裝置具有各處理室的大小相同的傾向。因此，根據處理室的數量，各處理室與搬運機器人的配置組合的形態也有變成類似的傾向。在處理室有2個的情況下，將處理室直接連接到EFEM上的形態多。並且，在處理室有4個的情況下，多數形態在EFEM中設置基板交接臺(緩衝臺)，再設置1臺專門向處理室進行基板搬運的搬運機器人，在該搬運機器人的周邊配置處理室。

並且，在進一步增加處理室的情況下，多數情況用線性移動機構使前述的再一臺搬運機器人直線移動，在該搬運機器人移動的機器人移動路徑的兩側配置處理室。但是，在這種結構的情況下，由於直線移動的搬運機器人的移動速度的限制或者設置基板處理裝置的潔淨室縱深的限制，處理室的數量為8個(機器人移動路徑的兩側各4個)左右。另外，為了進一步增加處理室，有可能將處理室重疊、基板搬運追加向各層的搬運方式。即，不是使處理室的配置為平面配置，而是立體配置。

在多個處理室分別進行使用相同處理液的處理的情況下，由於各處理室的處理時間相同，因此採用搬運效率高的系統。另一方面，在多個處理室依次進行使用不同處理液的多個處理的情況下，產生在各處理室之間搬運基板的必要。此時，如果在各處理室處理時間不同，則在某個處理工序產生等待基板搬運。通常，為了避免等待搬運搬運的發生，使所有的處理工序在同一處理時間結束地調整工藝。但是，由於有必要在各處理室之間搬運基板，因此處理被該基板搬運中斷，基板處理效率下降。因此，如果能夠在一個處理室內實施前述使用不同處理液的多個處理的話，則不需要各處理室之間的基板搬運。由此，能夠避免基板搬運引起的處理中斷。

但是，即使在一個處理室內實施前述使用不同處理液的多個處理，由於處理液種類不同引起的處理環境氣體的不同等，有必要將處理室分開。例如，在進行蝕刻處理的處理室用位於基板上方的加熱單元加熱提供給基板的藥液(例如磷酸液)，用高溫的藥液刻蝕基板。在該處理室內作為下一個工序進行給基板澆漂洗藥液(例如APM：氨-過氧化氫水)的漂洗處理。此時，如果處理環境氣體中的藥液與漂洗藥液反應，則有時生成微粒，附著在加熱單元上。並且，由於微粒附著在加熱單元上，有時在基板的處理工序中微粒附著在基板上，引起產品不良。多數情況下除去該微粒困難，有加熱單元的維護時間(例如加熱器洗淨時間)變長的傾向。為了避免這種狀況，將各處理室分開是有效的，但由於各處理室之間的基板搬運成為必須，因此基板處理效率下降。

技術實現要素：

本發明想要解決的問題就是提供能夠提高基板處理效率的基板處理裝置和基板處理方法。

實施形態的基板處理裝置具備：退避室；一對處理室，將退避室夾在中間地設置；處理部，能夠遍及退避室內和一對處理室內地移動地設置，對處理室內的基板上提供處理液，並且加熱該基板上的處理液；以及移動機構，使處理部遍及退避室內和一對處理室內地移動。

實施形態的基板處理方法為使用具備退避室、一對處理室和處理部的基板處理裝置來處理處理室內的基板的方法，一對處理室將退避室夾在中間地設置，處理部對處理室內的基板上提供處理液並且加熱該基板上的處理液，其特徵在於，使處理部遍及上述退避室內和一對處理室內地移動。

根據前述實施形態的基板處理裝置或基板處理方法，能夠提高基板處理效率。

附圖說明

圖1為表示第1實施形態的基板處理裝置的概略結構的俯視圖；

圖2為表示第1實施形態的基板處理單元的概略結構的立體圖；

圖3為表示第1實施形態的加熱器、加熱器移動機構及洗淨部的概略結構的剖視圖(圖1的3－3線剖視圖)；

圖4為表示第1實施形態的基板處理裝置的比較例的俯視圖；

圖5為表示第1實施形態的基板處理裝置和比較例的基板處理工序的流程的時序圖；

圖6為表示第2實施形態的加熱器、加熱器移動機構和洗淨部的概略結構的剖視圖。

具體實施方式

(第1實施形態)

參照圖1至圖5說明第1實施形態。

(基本結構)

如圖1所示，第1的實施形態的基板處理裝置10具備：多個開閉單元11、第1搬運機器人12、緩衝單元13、第2搬運機器人14、多個基板處理單元15和裝置附帶單元16。

各開閉單元11排列設置成一列。這些開閉單元11開閉起搬運容器作用的專用容器(例如FOUP)的門。另外，在專用容器為FOUP的情況下，開閉單元11稱為FOUP開啟工具。

第1搬運機器人12沿各開閉單元11排列的第1搬運方向移動地設置在各開閉單元11的列的旁邊。該第1搬運機器人12從被開閉單元11打開了門的專用容器取出基板W。並且，第1搬運機器人12根據需要沿第1搬運方向移動到緩衝單元13附近，在停止的場所迴轉，將基板W搬入緩衝單元13。並且，第1搬運機器人12從緩衝單元13取出處理完畢的基板W，根據需要沿第1搬運方向移動到所希望的開閉單元11附近，在停止場所迴轉，將處理完畢的基板W搬入所希望的專用容器。另外，第1搬運機器人12有時也不移動而迴轉，將基板W搬入緩衝單元13或者將處理完畢的基板W搬入所希望的專用容器。作為第1搬運機器人12可以使用例如具有機械臂、機械手、移動機構等的機器人。

緩衝單元13定位在第1搬運機器人12移動的第1機器人移動路徑的中央附近，設置在該第1機器人移動路徑的一側，即與各開閉單元11相反的一側。該緩衝單元13起在第1搬運機器人12與第2搬運機器人14之間進行基板W的倒手的緩衝臺(基板交接臺)的作用。

第2搬運機器人14從緩衝單元13附近沿與前述第1搬運方向正交的第2搬運方向(與第1搬運方向交叉的方向的一例)移動地設置。該第2搬運機器人14從緩衝單元13取出基板W，根據需要沿第2搬運方向移動到所希望的基板處理單元15附近，在停止場所迴轉，將基板W搬入所希望的基板處理單元15。並且，第2搬運機器人14從基板處理單元15取出處理完畢的基板W，根據需要沿第2搬運方向移動到緩衝單元13附近，在停止場所迴轉，將處理完畢的基板W搬入緩衝單元13。另外，第2搬運機器人14有時也不移動而迴轉，將基板W搬入所希望的基板處理單元15或者將處理完畢的基板W搬入緩衝單元13。作為第2搬運機器人14能夠使用例如具有機械臂、機械手、移動機構等的機器人。

基板處理單元15在第2搬運機器人14移動的第2機器人移動路徑的兩側例如各設置2個。基板處理單元15具有一對自旋處理單元15a和15b、加熱處理單元15c。加熱處理單元15c設置在一對自旋處理單元15a和15b之間，起一對自旋處理單元15a和15b共用的處理單元的作用(詳情後述)。

裝置附帶單元16設置在第2機器人移動路徑的一端，即與緩衝單元13相反一側的一端。該裝置附帶單元16收存液體供給單元16a和控制單元16b。液體供給單元16a給一對自旋處理單元15a和15b、加熱處理單元15c提供各種處理液(例如藥液、漂洗藥液、漂洗液等)和洗淨液。控制單元16b具備集中控制各部的微型計算機、存儲有關基板處理的基板處理信息、各種程序等的存儲部(都未圖示)。該控制單元16b根據基板處理信息、各種程序控制各開閉單元11、第1搬運機器人12、第2搬運機器人14、各基板處理單元15等各部。

(基板處理單元)

接著參照圖2和圖3說明前述基板處理單元15即一對自旋處理單元15a和15b、加熱處理單元15c。在圖2中，能夠看見基板處理單元15的內部構造地表示。另外，由於自旋處理單元15a和15b基本上是相同的結構，因此作為代表說明自旋處理單元15a。

(自旋處理單元)

如圖2所示，自旋處理單元15a具有處理室21、自旋保持機構22、杯狀體23、第1噴嘴頭24、第1噴嘴頭移動機構25、第2噴嘴頭26、第2噴嘴頭移動機構27和處理控制部28。自旋保持機構22、杯狀體23、第1噴嘴頭24、第1噴嘴頭移動機構25、第2噴嘴頭26和第2噴嘴頭移動機構27設置在處理室21內。

處理室21形成為例如長方體形狀，具有基板閘門21a和檢修門21b。基板閘門21a能夠開閉地形成在處理室21中的第2機器人移動路徑一側的壁面上。檢修門21b能夠開閉地形成在處理室21中的與基板閘門21a相反一側的壁面上。另外，處理室21內由下降流(垂直層流)保持清潔，並且被保持在比外部低的壓力。

自旋保持機構22為使基板W的被處理面朝上地將基板W保持成水平狀態，以與基板W的被處理面的大致中央垂直相交的軸(與基板W的被處理面相交的軸的一例)為旋轉中心使基板W在水平面內旋轉的機構。例如，自旋保持機構22用多根支承部件(未圖示)將基板W在杯狀體23內保持成水平狀態，用具有旋轉軸、電動機等的旋轉機構(未圖示)使該保持狀態的基板W旋轉。

杯狀體23從周圍包圍由自旋保持機構22保持的基板W地形成為圓筒形狀。杯狀體23的上部使自旋保持機構22上的基板W露出地開口，其上部的周壁朝徑向方向的內側傾斜。該杯狀體23接納從旋轉的基板W飛濺的處理液、流下的處理液(例如藥液、漂洗藥液、漂洗液等)。另外，在杯狀體23的底面形成有用來排出接納的處理液的排出口(未圖示)。從排出口排出的處理液由回收部(未圖示)回收。

第1噴嘴頭24給自旋保持機構22上的基板W的被處理面提供漂洗藥液(例如APM：氨-過氧化氫水)。該第1噴嘴頭24能夠被第1噴嘴頭移動機構25沿自旋保持機構22上的基板W的被處理面擺動地形成。另外，漂洗藥液從液體供給單元16a通過管道(未圖示)提供給第1噴嘴頭24。

第1噴嘴頭移動機構25為使第1噴嘴頭24沿自旋保持機構22上的基板W的被處理面擺動的機構。該第1噴嘴頭移動機構25具有可動臂25a和旋轉機構25b。可動臂25a呈水平狀態將第1噴嘴頭24保持在頂端。旋轉機構25b設置在杯狀體23的周圍，支承可動臂25a的末端，使可動臂25a以其末端為旋轉中心旋轉。可動臂25a的旋轉中心即第1噴嘴頭24的擺動中心，設置在處理室21內夾著自旋保持機構22與處理室21中的相鄰的退避室31(加熱處理單元15c)一側的壁相反一側的側壁上。更具體為，第1噴嘴頭24的擺動中心設置在處理室21中的與相鄰接的加熱處理單元15c一側的壁相反的一側、並且靠近檢修門21b的地方。旋轉機構25b作為一例由旋轉軸、電動機等構成。例如，第1噴嘴頭移動機構25使第1噴嘴頭24移動到與自旋保持機構22上的基板W的被處理面的中央附近相對置的液體供給位置和從該液體供給位置退避，使基板W的搬入/搬出、對基板W的加熱處理成為可能的退避位置。

第2噴嘴頭26給自旋保持機構22上的基板W的被處理面提供漂洗液(例如純水)。該第2噴嘴頭26能夠被第2噴嘴頭移動機構27沿自旋保持機構22上的基板W的被處理面擺動地形成。另外，漂洗液從液體供給單元16a通過管道(未圖示)提供給第2噴嘴頭26。

第2噴嘴頭移動機構27為使第2噴嘴頭26沿自旋保持機構22上的基板W的被處理面擺動的機構。該第2噴嘴頭移動機構27與第1噴嘴頭移動機構25同樣，具有可動臂27a和旋轉機構27b。可動臂27a呈水平狀態下將第2噴嘴頭26保持在頂端。旋轉機構27b設置在杯狀體23的周圍，支承可動臂27a的末端，使可動臂27a以其末端為旋轉中心旋轉。可動臂27a的旋轉中心即第2噴嘴頭26的擺動中心，設置在處理室21內夾著自旋保持機構22與處理室21中的相鄰接的退避室31(加熱處理單元15c)一側的壁相反一側的側壁上。更具體為，第2噴嘴頭26的擺動中心設置在處理室21中的與相鄰接的加熱處理單元15c一側的壁相反的一側、並且靠近基板閘門21a的地方。旋轉機構27b作為一例由旋轉軸、電動機等構成。例如，第2噴嘴頭移動機構27使第2噴嘴頭26移動到與自旋保持機構22上的基板W的被處理面的中央附近相對置的液體供給位置和從該液體供給位置退避，使基板W的搬入/搬出、對基板W的加熱處理成為可能的退避位置。

處理控制部28與自旋保持機構22或第1噴嘴頭24、第1噴嘴頭移動機構25、第2噴嘴頭26、第2噴嘴頭移動機構27等電連接。該處理控制部28根據控制單元16b的指令(在控制單元16b的控制下)控制自旋保持機構22進行的基板W的保持或旋轉、第1噴嘴頭24進行的液體供給、第1噴嘴頭移動機構25進行的噴嘴頭移動、第2噴嘴頭26進行的液體供給、第2噴嘴頭移動機構27進行的噴嘴頭移動等。

(加熱處理單元)

加熱處理單元15c具有退避室31、加熱器32、加熱器移動機構33、洗淨部34和洗淨控制部35。加熱器32、加熱器移動機構33和洗淨部34設置在退避室31內。

退避室31形成為例如長方體形狀，具有多個加熱器閘門31a和檢修門31b。該退避室31用壁與相鄰接的處理室21分隔。各加熱器閘門31a分別能夠開閉地形成在退避室31中相對的2個壁面即退避室31中的2個處理室21一側的壁面上。例如，加熱器閘門31a沿上下方向滑移進行開閉。檢修門31b能夠開閉地形成在退避室31中的與第2機器人移動路徑相反一側的壁面上。退避室31內由下降流保持清潔。

加熱器32為加熱由自旋保持機構22保持的基板W上的處理液(例如藥液)的裝置。加熱器32中的與基板W的被處理面相對置的對置面具有與基板W中的被處理面的形狀相似的形狀，該對置面的大小優選全部覆蓋被處理面的大小。例如，在基板為圓形晶片的情況下，優選使加熱器32中的與基板W相對的面為比圓形晶片的直徑大的圓形。並且，加熱器32中與基板W相對的對置面為水平面。該加熱器32具有噴嘴32a。該噴嘴32a位於加熱器32的下面中央地形成，給自旋保持機構22上的基板W的被處理面提供處理液(例如藥液)。

加熱器移動機構33為支承加熱器32、使該加熱器32沿擺動方向F1、上下方向(升降方向)F2和左右方向(橫方向)F3移動的機構。該加熱器移動機構33具有加熱器臂33a和臂移動機構33b。加熱器移動機構33起使加熱器32遍及退避室31內和一對處理室21內即在退避室31內和一對處理室21內的範圍移動的移動機構(作為一例為擺動機構)的作用。

加熱器臂33a將加熱器32保持在頂端一側的下面。該加熱器臂33a能夠被臂移動機構33b呈水平狀態移動地形成。並且，加熱器臂33a具有液體供給流路33a1。液體供給流路33a1的一端連接在噴嘴32a上，其另一端通過管道(未圖示)連接到液體供給單元16a上。例如高溫的藥液(例如磷酸液)從液體供給單元16a通過液體供給流路33a1和管道提供給噴嘴32a。由此，高溫的藥液從噴嘴32a噴出，提供到基板W的被處理面上。提供到基板W的被處理面上的高溫藥液被加熱器32加熱，通過這樣在維持高溫的狀態下進行蝕刻處理。加熱器32起給處理室21內的基板W上提供處理液、並且加熱該基板W上的處理液的處理部的作用。

臂移動機構33b為支承加熱器臂33a的末端、使加熱器臂33a沿擺動方向F1、上下方向F2和左右方向F3移動的機構。該臂移動機構33b作為一例通過組合旋轉機構或上下移動機構、左右移動機構等構成。例如，臂移動機構33b在加熱器閘門31a打開的狀態下使加熱器臂33a沿擺動方向F1移動，將加熱器32移動到與自旋保持機構22上的基板W的被處理面相對置的相對置位置(加熱處理位置)和從該加熱處理位置退避、定位在退避室31內的退避位置。另外，加熱器32通過臂移動機構33b使加熱器臂33a擺動，以臂移動機構33b的軸為轉動軸圍繞該轉動軸轉動。

其中，在像本實施形態這樣加熱器32被保持在加熱器臂33a的頂端一側、通過加熱器臂33a的旋轉而加熱器32擺動的類型中，當如圖1、圖3所示，假設設置在加熱器32中央的噴嘴32a與加熱器32的擺動中心(加熱器臂33a的旋轉中心，有時也是臂移動機構33的轉動軸的中心。)之間的距離為r1，加熱器32的擺動中心與一對自旋處理單元15a、15b各自具備的自旋保持機構22的旋轉中心之間的距離分別為r2、r3時，優選使r1＝r2＝r3成立地構成臂移動機構33。

洗淨部34設置在存在於退避位置的加熱器32的下方。洗淨部34朝存在於退避位置的加熱器32的下面噴出洗淨液(例如純水)，用洗淨液洗淨附著在加熱器32下面的藥液等處理液。該洗淨部34如圖3所示具有液體接納部34a和噴灑部34b。

液體接納部34a形成為上部開口的箱形。液體接納部34a的開口為與加熱器32的下面即被洗淨面的形狀相似的形狀，優選具有完全覆蓋被洗淨面的大小。在加熱器32的下表面為圓形的情況下，液體接納部34a的平面形狀為圓形，其直徑比加熱器32的直徑大。液體接納部34a接納從存在於退避位置的加熱器32落下的洗淨液、由於噴灑而飛濺的洗淨液等。在液體接納部34a的底部形成有液體供給流路41。該液體供給流路41通過管道(未圖示)連接到液體供給單元16a上。並且，在液體接納部34a的底面的拐角上，形成有排液口42。從該排液口42排出的洗淨液被回收部(未圖示)回收。

噴灑部34b避開排液口42設置在液體接納部34a的底面上。在該噴灑部34b上形成有多個噴嘴43。這些噴嘴43在平面內排列成矩陣形，連接到液體供給流路41上。另外，各噴嘴43也可以配置成圓形。洗淨液(例如純水)從液體供給單元16a通過液體供給流路41和管道(未圖示)提供給各噴嘴43。該噴灑部34b使從液體供給單元16a提供的洗淨液從各噴嘴43向上方噴出。另外，在洗淨液從噴嘴43噴出的前階段，加熱器32被加熱器移動機構33下降，停止在離開噴灑部34b的距離(間隙)為預定值的洗淨位置。因此，與間隙比預定值大的情況相比，能夠提高洗淨效率。

另外，在加熱洗淨後，為了進行退避室31內的處理環境氣體的排氣，與相鄰接的處理室21的排氣系統不同的排氣系統(都未圖示)連接到退避室31。在加熱器洗淨後，能夠用該排氣系統將由於加熱器洗淨而產生的退避室31內的處理環境氣體排氣。

回到圖2，洗淨控制部35與加熱器32貨加熱器移動機構33、洗淨部34等電連接。該洗淨控制部35根據控制單元16b的指令(在控制單元16b的控制下)控制加熱器32的驅動或加熱溫度、加熱器移動機構33進行的加熱器的移動、以及洗淨部34進行的加熱器洗淨等。

(基板處理動作)

接著說明前述基板處理裝置10的基板處理動作。為了便於說明，將自旋處理單元15a的處理室21作為第1處理室21、將自旋處理單元15b的處理室21作為第2處理室21進行說明。

首先，基板W被第1搬運機器人12從開閉單元11內的專用容器取出。此時，專用容器的門開著。第1搬運機器人12根據需要沿第1機器人移動路徑移動，在停止場所迴轉，將基板W搬入緩衝單元13。或者，第1搬運機器人12不移動地迴轉，將基板W搬入緩衝單元13。然後，緩衝單元13內的基板W被第2搬運機器人14取出。第2搬運機器人14根據需要沿第2機器人移動路徑移動到所希望的自旋處理單元15a的第1處理室21附近，在停止場所迴轉，將基板W搬入所希望的第1處理室21。或者，第2搬運機器人14不移動地迴轉，將基板W搬入所希望的第1處理室21。此時，第1處理室21的基板閘門21a打開。

搬入第1處理室21的基板W被自旋保持機構22保持。然後，第2搬運機器人14從第1處理室21退避，基板閘門21a關閉，退避室31中的第1處理室21一側的加熱器閘門31a打開。退避室31內的加熱器32被加熱器移動機構33沿擺動方向F1移動，與加熱器臂33a一起進入第1處理室21內，與自旋保持機構22上的基板W的被處理面相對置而停止。然後，加熱器32被加熱器移動機構33降下，停止在離自旋保持機構22上的基板W的被處理面的距離變成預定值(例如1mm左右)的位置。在該狀態下，基板W以比自旋保持機構22低的速度(例如500rpm以下)旋轉，高溫藥液(例如磷酸液)從加熱器32的噴嘴32a向基板W的被處理面噴出預先設定的時間，進行蝕刻處理。另外，加熱器32在處理前被預先驅動，即，從進行蝕刻處理的前階段即被定位於退避室31內的時候開始變成加熱狀態，加熱器溫度被維持在預定溫度(例如100度以上)。

從噴嘴32a噴出的高溫藥液被提供到加熱器32的下表面與基板W的被處理面之間，在基板W的旋轉引起的離心力的作用下向基板W的外周擴散。由此，變成加熱器32的下表面與基板W的被處理面之間被藥液充滿的狀態。此時，加熱器32與旋轉中的基板W的被處理面上的藥液接觸，直接加熱藥液。另外，雖然加熱器32與基板W的被處理面上的藥液接觸直接加熱藥液，但不僅如此，還非接觸加熱基板W的被處理面，間接地加熱藥液。但是，只要能加熱基板W的被處理面上的藥液，也可以不是直接加熱和間接加熱兩者，而只使用它們中的任意一種。

當蝕刻處理結束時，加熱器32在加熱器移動機構33的作用下上升，從基板W的被處理面退避到上方。並且，加熱器32在加熱器移動機構33的作用下沿擺動方向F1移動，與加熱器臂33a一起回到退避室31內，與洗淨部34相對置停止。當加熱器32停止在洗淨部34的上方時，第1處理室21一側的加熱器閘門31a關閉。並且，加熱器32在加熱器移動機構33的作用下降下，停止在離開液體接納部34a內的噴灑部34b的距離為預定值的位置上。在該狀態下，洗淨液從噴灑部34b向上方噴射預先設定的時間，加熱器32的下表面被洗淨液洗淨。從加熱器32的下表面落下的洗淨液和因噴射而擴散的洗淨液被液體接納部34a接納，從排液口42排出，由回收部回收。當加熱器32的洗淨結束時，加熱器32在加熱器移動機構33的作用下上升，定位在待機位置。加熱器32的加熱器溫度被維持在前述預定溫度。因此，由於洗淨後的加熱器32馬上乾燥，因此能夠迅速地將加熱器32用於下一個處理。

另外，沒有必要每一次對一塊基板W的蝕刻處理結束都洗淨加熱器32的下表面。例如，也可以在對預先設定的張數的基板W的蝕刻處理結束之前不進行加熱器32的洗淨，連續進行蝕刻處理，在對預先設定的張數的基板W的蝕刻處理結束的階段進行加熱器32的洗淨。

另一方面，第2搬運機器人14在退避室31內的加熱器32的洗淨結束之前將未處理的基板W搬運到自旋處理單元15b的第2處理室21。在此搬運時，第2處理室21的基板閘門21a打開，基板W由自旋保持機構22保持。搬運結束後，第2搬運機器人14從第2處理室21退避，基板閘門21a關閉。當前述加熱器32的洗淨結束時，退避室31內第2處理室21一側的加熱器閘門31a打開。退避室31內的加熱器32在加熱器移動機構33的作用下沿擺動方向F1移動，與加熱器臂33a一起進入第2處理室21內，與自旋保持機構22上的基板W的被處理面相對置而停止。然後，加熱器32在加熱器移動機構33的作用下降下，停止在離開自旋保持機構22上的基板W的被處理面的距離為預定值的位置上。在該狀態下，基板W在自旋保持機構22的作用下低速(例如500rpm以下)旋轉，高溫藥液(例如磷酸液)從加熱器32的噴嘴32a向基板W的被處理面噴出預先設定的時間，進行蝕刻處理。另外，加熱器32的溫度被維持在前述預定溫度。

在第1處理室21內，在前述蝕刻處理結束後，與前述加熱器32的退避一起，第1噴嘴頭24在第1噴嘴頭移動機構25的作用下移動到基板W上方的液體供給位置，從第1噴嘴頭24噴出預先設定的時間的漂洗藥液(例如APM)(第1漂洗處理)。此時，維持基板W的旋轉。另外，在該第1漂洗處理中，也可以使第1噴嘴頭24在第1噴嘴頭移動機構25的作用下擺動。

在第1處理室21內，當第1漂洗處理結束時，第1噴嘴頭24在第1噴嘴頭移動機構25的作用下從基板W的上方退避，第2噴嘴頭26在第2噴嘴頭移動機構27的作用下移動到基板W上方的液體供給位置。在該狀態下，從第2噴嘴頭26噴出預先設定的時間的漂洗液(例如純水)(第2漂洗處理)。此時，維持基板W的旋轉。另外，在該第2漂洗處理中，也可以使第2噴嘴頭26在第2噴嘴頭移動機構27的作用下擺動。

在第1處理室21中，當第2漂洗處理結束時，第2噴嘴頭26被第2噴嘴頭移動機構27從基板W的上方退避。然後，基板W被自旋保持機構22高速旋轉預先設定的時間，漂洗液靠旋轉的離心力從基板W甩掉，基板W乾燥。當基板W的乾燥處理結束時，基板W的旋轉停止。第1處理室21的基板閘門21a打開，處理完的基板W被第2搬運機器人14取出。第2搬運機器人14根據需要沿第2機器人移動路徑移動，在停止場所迴轉，將處理完畢的基板W搬入緩衝單元13。或者，第2搬運機器人14不移動而迴轉，將處理完畢的基板W搬入緩衝單元13。然後，緩衝單元13內的基板W被第1搬運機器人12取出。第1搬運機器人12根據需要沿第1機器人移動路徑移動，在停止場所迴轉，將處理完畢的基板W搬入所希望的專用容器。或者，第1搬運機器人12不移動，僅迴轉，將處理完畢的基板W搬入所希望的專用容器。此時，專用容器的門打開。

另外，在第2處理室21中也是當蝕刻處理(例如磷酸處理)結束時，與第1處理室21同樣進行第1漂洗處理(例如APM處理)。該第1漂洗處理結束時，與第1處理室21同樣進行第2漂洗處理(例如純水處理)。當第2漂洗處理結束時，與第1處理室21同樣進行乾燥處理和基板搬運處理。另外，在上述實施形態中，也可以根據需要在磷酸液進行的基板W的蝕刻前，用氫氟酸液體洗淨基板W，或者在使用磷酸液的處理與使用APM的處理之間進行例如使用純水的洗淨處理。

這樣的基板處理動作由於加熱器32交替地移動到第1處理室21和第2處理室21，因此使用加熱器32的蝕刻處理(藥液處理)在第1處理室21和第2處理室21交替地進行。例如，在第1處理室21中進行使用加熱器32的蝕刻處理時，在第2處理室21進行第1噴嘴頭24進行的第1漂洗處理、第2噴嘴頭26進行的第2漂洗處理、基板W的自旋乾燥處理等。反之，在第1處理室21中進行第1噴嘴頭24進行的第1漂洗處理、第2噴嘴頭26進行的第2漂洗處理、基板W的自旋乾燥處理等時，在第2處理室21進行使用加熱器32的蝕刻處理。

這樣，無論哪個處理室21都不用使基板W移動就能夠連續地進行從藥液處理到乾燥處理的處理。由此，與在兩個處理室依次進行使用不同處理液的多個處理的情況相比，不需要兩個處理室之間的基板搬運，能夠節省基板搬運的時間。並且，在兩個處理室連續地進行不同處理的情況下，為了防止液斑(例如水印)，基板W有必要在沾溼的狀態下搬運，不能夠進行高速搬運。因此，由於不僅搬運機器人進行的基板W的移載次數多，而且進行低速搬運，因此基板搬運的時間變長。前述基板處理動作由於能夠節省該基板搬運的時間，因此能夠大幅度地提高基板處理效率。並且，加熱器32起一對處理室21共同的處理單元的作用。由此，與在每個處理室21中設置加熱器32和加熱器移動機構33的情況相比，能夠實現裝置結構的簡化和低成本化。

(基板處理工序)

接著說明前述基板處理裝置10進行的基板處理工序。另外，在說明前述基板處理裝置10的基板處理工序之前，參照圖4說明作為比較例的基板處理裝置100，然後，參照圖5說明比較例的基板處理裝置100和前述基板處理裝置10的基板處理工序。

(比較例的基本結構)

如圖4所示，比較例的基板處理裝置100具備多個磷酸處理室101和多個APM處理室102取代前述基板處理裝置10的多個基板處理單元15。另外，這裡說明與前述基板處理裝置10的不同點(各磷酸處理室101和各APM處理室102)，其他的說明省略。

各磷酸處理室101為使用磷酸的處理室，沿第2機器人移動路徑排成一列。這些磷酸處理室101具有基板閘門101a、自旋保持機構101b、杯狀體101c、加熱器101d、加熱器臂101e和臂升降機構101f。另外，加熱器101d在基板搬入/搬出時，與加熱器臂101e一起在臂升降機構101f的作用下移動並退避到例如自旋保持機構101b上方的退避位置。

另外，基本上基板閘門101a與前述基板閘門21a相同，自旋保持機構101b也與前述自旋保持機構22相同，杯狀體101c與前述杯狀體23相同。並且，加熱器101d與前述加熱器32相同，加熱器臂101e也與前述加熱器臂33a相同。

各APM處理室102為使用APM的處理室，將第2機器人移動路徑夾在中間地與排成一列的各磷酸處理室101對置地定位，沿第2機器人移動路徑設置成一列。這些APM處理室102具有基板閘門102a、自旋保持機構102b、杯狀體102c、第1噴嘴頭102d、第1噴嘴頭移動機構102e、第2噴嘴頭102f和第2噴嘴頭移動機構102g。

另外，基本上基板閘門102a與前述基板閘門21a相同，自旋保持機構102b也與前述自旋保持機構22相同，杯狀體102c也與前述杯狀體23相同。並且，第1噴嘴頭102d也與前述第1噴嘴頭24相同，第1噴嘴頭移動機構102e也與前述第1噴嘴頭移動機構25相同，第2噴嘴頭102f也與前述第2噴嘴頭26相同，第2噴嘴頭移動機構102g也與前述第2噴嘴頭移動機構27相同。

其中，具有加熱器101d的磷酸處理室101和APM處理室102根據處理液的種類而分開，為連續進行不同處理的兩個處理室。為了提高基板搬運效率，不使第2搬運機器人14沿水平方向移動、僅通過第2搬運機器人14的迴轉動作進行從磷酸處理室101向APM處理室102的基板搬運是有效的。因此，在通過第2機器人移動路徑相對的磷酸處理室101和APM處理室102之間進行基板搬運。緩衝單元13內未処理的基板W被第2搬運機器人14依緩衝單元13→磷酸處理室101→APM處理室102→緩衝單元13的順序搬運。此時，由於磷酸處理室101與APM處理室102之間的基板搬運變得必須，因此因此基板搬運而處理中斷，基板處理效率下降。

(基板處理工序的比較)

圖5以經過時間為橫軸，圖5中的上圖表示比較例的基板處理裝置100的基板處理工序(處理順序和處理時間)，圖5中的下圖表示前述基板處理裝置10的基板處理工序(處理順序和處理時間)。另外，通過比較圖5中的上圖和下圖，能夠比較比較例的基板處理裝置100和前述基板處理裝置10兩者的處理能力。為了便於說明，將前述基板處理裝置10的處理室21看作是磷酸+APM處理室21。

如圖5所示，在比較例中，在磷酸處理室101內反覆進行預處理工序A1、磷酸液供給工序A2、基板和加熱器洗淨工序A3、基板更換工序A4這一連串的處理工序。並且，在基板更換後，在APM處理室102內反覆進行漂洗液供給工序B1、APM供給工序B2、漂洗液供給工序B3、自旋乾燥工序B4和基板更換工序B5這一連串的處理工序。其中，預處理工序A1、磷酸液供給工序A2、基板和加熱器洗淨工序A3這些處理工序為磷酸處理。並且，漂洗液供給工序B1、APM供給工序B2、漂洗液供給工序B3和自旋乾燥工序B4這些處理工序為APM處理。這樣，在比較例中基板W(例如半導體晶片)被從磷酸處理室101搬運到APM處理室102，磷酸處理和APM處理這2個處理在不同的處理室連續地進行。

在磷酸處理室101內，加熱器101d在處理前被預先驅動，即從進行蝕刻處理的前階段的時刻開始變成加熱狀態，加熱器溫度變成預定溫度。首先，在預處理工序A1中，氫氟酸液體被從加熱器101d的噴嘴或未圖示的處理液噴嘴提供到基板W的被處理面上，基板W被氫氟酸液體洗淨。並且，在磷酸液供給工序A2中，高溫的磷酸液被從加熱器101d的噴嘴提供到基板W的被處理面上，基板W被高溫的磷酸液處理。在基板和加熱器洗淨工序A3中，磷酸處理結束後，用於處理的加熱器101d與基板W一起被洗淨，等待下一塊基板W的搬入。在該洗淨中漂洗液(例如純水)取代磷酸液從加熱器101d的噴嘴提供到加熱器101d與基板W之間，加熱器101d和基板W被洗淨。在基板更換工序A4中，使用了磷酸液的處理結束了的基板W與未進行磷酸處理的基板W更換，處理完畢的基板W被搬運到下一個工序的APM處理室102內。在該搬運時，基板W在被沾溼的狀態下被搬運。即，為了在搬運中維持被處理面被沾溼的狀態，作為搬運準備，使基板W變成盛滿了漂洗液的狀態。

在APM處理室102，在漂洗液供給工序B1中漂洗液(例如純水)在APM供給工序B2之前被從第2噴嘴頭102f提供到基板W的被處理面上。這是為了在APM處理之前，將在從磷酸處理室101向APM處理室102搬運基板W的途中附著在基板W上的漂洗液中的微粒和附著在基板W上的微粒除去的緣故。在APM供給工序B2中，APM被從第1噴嘴頭102d提供到基板W的被處理面上，基板W被APM處理。在漂洗液供給工序B3中，漂洗液(例如純水)被從第2噴嘴頭102f提供到APM處理完畢的基板W的被處理面上，APM處理完畢的基板W被漂洗液洗淨。在自旋乾燥工序B4中，洗淨完畢的基板W通過自旋乾燥變乾燥。在基板更換工序B5中，乾燥完了的基板W與未APM處理的基板W更換，被搬運到緩衝單元13中。

另一方面，在磷酸+APM處理室21進行預處理工序A1、磷酸液供給工序A2、基板洗淨工序C1、APM供給工序B2、漂洗液供給工序B3、自旋乾燥工序B4和基板更換工序B5。在退避室31進行加熱器洗淨工序C2。另外，預處理工序A1、磷酸液供給工序A2、APM供給工序B2、漂洗液供給工序B3和基板更換工序B5為與比較例相同的處理。

在磷酸+APM處理室21，在預處理工序A1和磷酸液供給工序A2結束後，在基板洗淨工序C1中漂洗液(例如純水)被從第2噴嘴頭26提供到基板W的被處理面上，基板W的被處理面被洗淨。在基板洗淨工序C1結束後，在APM供給工序B2中與前述同樣，APM被從第1噴嘴頭24提供到基板W的被處理面上，基板W被APM處理。在漂洗液供給工序B3中，漂洗液(例如純水)被從第2噴嘴頭26提供到APM處理完畢的基板W的被處理面上，APM處理完畢的基板W被漂洗液洗淨。然後，進行自旋乾燥工序B4和基板更換工序B5。

在退避室31內，在磷酸液供給工序A2結束後，在加熱器洗淨工序C2中加熱器32被洗淨部34洗淨。雖然該加熱器32在夾著退避室31的兩個處理室21之間移動，但在這兩個處理室21的每一個中，在沒有用於磷酸液供給工序A2的加熱處理期間，加熱器32在退避室31內的退避位置(中間位置)被洗淨部34洗淨。作為這種情形，可以考慮在兩個處理室21中進行APM處理的時候。

這樣，前述基板處理裝置10中磷酸處理和APM處理這兩個處理能夠在同一個磷酸+APM處理室21實施。即，能夠在同一個磷酸+APM處理室21連續地進行像比較例那樣成為分成兩個處理室(磷酸處理室101和APM處理室102)的原因的2個處理(磷酸處理和APM處理)。由此，由於不需要兩個處理室之間的基板搬運，因此能夠節省基板搬運的時間，能夠提高基板處理效率。

並且，在像比較例那樣在兩個處理室之間搬運基板W的情況下，如果在基板W的搬運中被處理面露出，則微粒附著在露出的部分上，產生產品不良。因此，雖然在基板W的被處理面盛滿(日文原文：液盛り)洗淨液的狀態下搬運，但盛滿的洗淨液由於例如搬運機器人等的振動從基板W的被處理面灑落，有時不能維持盛滿液體的狀態。但是，如果像本實施形態這樣不需要處理室之間的搬運，則由於沒有盛滿液體的必要，因此能夠防止在基板處理途中(搬運中)引起產品不良。

而且，比較例中，在基板和加熱器洗淨工序A3結束後，在進行基板更換工序A4和漂洗液供給工序B1之後開始APM供給工序B2。另一方面，在磷酸+APM處理室21內，在基板洗淨工序C1結束後，能夠立即開始APM供給工序B2，與比較例相比，能夠大幅度地縮短處理時間。並且，比較例的基板處理裝置100存在4個磷酸處理室101和APM處理室102的組，但前述基板處理裝置10存在8個磷酸+APM處理室21。這樣，能夠使進行一連串處理的處理室21增加，能夠進一步提高基板處理效率。

並且，加熱器32在退避室31內被洗淨部34洗淨。此時，由於加熱器32不存在於磷酸+APM處理室21內，因此在磷酸+APM處理室21，在基板洗淨工序C1中只要洗淨基板W就可以，能夠節省比較例的基板和加熱器洗淨工序A3中的加熱器洗淨時間。由此，與比較例相比，能夠縮短在磷酸+APM處理室21的處理時間，能夠進一步提高基板處理效率。而且，能夠在磷酸+APM處理室21內的處理中(與處理並行)用洗淨部34洗淨加熱器32。

並且，通過使加熱器32和噴嘴32a退避到磷酸+APM處理室21外的退避室31內，能夠在APM處理前用磷酸+APM處理室21的下降流排除存在於磷酸+APM處理室21內的磷酸環境氣體。由此，在進行APM處理時，能夠防止在磷酸+APM處理室21內磷酸環境氣體與APM混在一起，因此能夠抑制在磷酸+APM處理室21內產生由於磷酸與APM反應出現的微粒。

另外，雖然圖5中作為一例使磷酸處理時間與APM處理時間相同，但並不局限於此，它們之間也可以稍微有點差別。但是，在比較例中，在磷酸處理室101內的磷酸處理時間與APM處理室102內的APM處理時間不同的情況下，由於處理時間不同產生等待基板搬運的時間，因此基板處理效率下降。

如以上說明過的那樣，根據第1實施形態，加熱器32能夠遍及一對處理室21內和退避室31內地移動地設置，在加熱器移動機構33的作用下遍及一對處理室21內和退避室31內地移動。例如，在一個處理室21進行不同的兩個處理(例如磷酸處理和APM處理)的情況下，在第1處理(例如磷酸處理)中加熱器32存在於處理室21內，在隨後的第2處理(例如APM處理)中加熱器32從處理室21內退避。由此，即使因第1處理和第2處理在處理室21內產生微粒，第2處理時加熱器32也存在於退避室31內。因此，能夠抑制在處理室21內產生的微粒附著在退避室31內的加熱器32上，能夠在一個處理室21內進行使用不同處理液的兩個處理。因此，能夠省去在各處理室之間的基板搬運，能夠提高基板處理效率。

並且，由於加熱器32起一對處理室21共同的處理單元的作用，因此與每個處理室21設置加熱器32和加熱器移動機構33的情況相比，能夠實現裝置結構的簡化和低成本化。而且，通過抑制微粒附著在加熱器32上，在用加熱器32處理基板W期間能夠抑制附著在加熱器32上的微粒附著在基板W上，能夠防止基板W產生產品不良。

(第2實施形態)

參照圖6說明第2實施形態。另外，第2實施形態說明與第1實施形態的不同點(洗淨部)，省略其他的說明。

如圖6所示，第2實施形態的洗淨部34除了液體接納部34a和噴灑部34b以外，還具有刷子34c和刷子旋轉機構34d。

刷子34c為例如滾刷，在液體接納部34a內沿其半徑方向呈水平狀態設置。該刷子34c能夠以其延伸方向的軸為旋轉軸旋轉地安裝到刷子旋轉機構34d上。刷子34c的長度在存在於退避位置的加熱器32的下表面的半徑以上。

刷子旋轉機構34d具有旋轉部51和旋轉機構52。旋轉部51支承刷子34c的一端，用電動機等驅動源(未圖示)使刷子34c圍繞其軸旋轉。旋轉機構52支承旋轉部51，使該旋轉部51在水平面內旋轉。該旋轉機構52穿過液體接納部34a的底部地設置在該底部的大致中央。旋轉機構52由例如旋轉軸、電動機等構成。當旋轉部51被旋轉機構52在水平面內旋轉時，由旋轉部51支承的刷子34c也在水平面內旋轉。

各噴嘴43避開刷子旋轉機構34d配置在液體接納部34a的底面上。這些噴嘴43朝存在於退避位置的加熱器32的下表面的中央附近噴出洗淨液地形成。例如，噴嘴43形成為圓柱狀，該噴嘴43向存在於退避位置的加熱器32的下表面的中央區域傾斜地形成。

在這樣的洗淨部34中，加熱器32在加熱器移動機構33的作用下降下，停止在與液體接納部34a內的刷子34c接觸的位置。在該狀態下，如果洗淨液從噴灑部34b向上方噴射，則被洗淨液沾溼狀態的刷子34c開始圍繞其軸旋轉。如果洗淨液的噴射繼續，旋轉部51開始被旋轉機構52旋轉，則被洗淨液沾溼狀態的刷子34c邊圍繞軸旋轉，邊通過旋轉部51的旋轉沿圓周方向相對於加熱器32的下表面相對移動，將加熱器32的下表面擦洗下去。這樣，加熱器32的整個下面被刷子34c和洗淨液洗淨。從加熱器32的下表面落下的洗淨液和被洗刷擴散的洗淨液由液體接納部34a接納，從排液口42排出，由回收部回收。

如以上說明過的那樣，根據第2實施形態，能夠取得與第1實施形態相同的效果。而且，洗淨部34的刷子34c在被洗淨液沾溼的狀態下直接與加熱器32接觸，擦洗加熱器32。由此，由於洗淨部34的加熱器洗淨能力提高，因此能夠縮短加熱器洗淨時間，能夠進一步提高基板處理效率。

(其他實施形態)

雖然在前述各實施形態中，作為處理部舉例說明了加熱器32，但並不局限於此，也可以使用例如燈、IH(感應加熱)加熱器等加熱器。而且，燈的形狀也可以採用直管形或圓形、球形等各種形狀。另外，燈、IH加熱器都是用電磁波(光也包含在電磁波中)加熱基板W、處理液(例如藥液)的加熱器。

並且，雖然在前述各實施形態中作為洗淨加熱器表面的洗淨功能舉例說明了圖3或圖6的洗淨方式的洗淨部34，但並不局限於此，使洗淨液(例如高溫的純水)積存在液體接納部34a中、使加熱器的表面浸入到洗淨液中的方式等也有效。並且，還可以追加使將加熱器32、加熱器移動機構33和洗淨部34各部作為一體從退避室31拉出到第2機器人移動路徑的相反一側成為可能的拉出機構。這種情況下，由於前述各部分被拉出機構從退避室31拉出，加熱器32的周面露出，因此能夠容易地進行加熱器32的檢修作業。

並且，雖然在前述各實施形態中加熱器臂33a的長度一定，但並不局限於此，例如也可以設置改變加熱器臂33a的長度的機構(例如使加熱器臂33a伸縮的伸縮機構)。通過改變加熱器臂33a的長度，即使處理室21增加到3個、4個，也能夠用一個加熱器32應對這些處理室21。

並且，雖然在前述各實施形態中說明了處理工序的一例，但並不局限於此，也可以將前述各實施形態的基板處理裝置10用於各種處理工序。能夠在一個處理室21中對需要切換處理環境氣體、溫度等的連續處理提高基板處理效率。

雖然以上說明了本發明的幾個實施形態，但這些實施形態只是作為例子提出，沒有限定發明的範圍的企圖。這些新的實施形態能夠以其他各種各樣的形態實施，在不超出發明宗旨的範圍內能夠進行各種省略、置換和變更。這些實施形態及其變形不僅包含在發明的範圍和宗旨內，也包含在權利要求的範圍記載的發明及其均等的範圍內。