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反射式顯示面板及其製造方法、顯示裝置與流程

2023-12-02 18:59:16 2


本申請涉及顯示技術領域,特別涉及一種反射式顯示面板及其製造方法、顯示裝置。



背景技術:

隨著顯示技術的發展,出現了各種各樣的顯示面板,其中,反射式顯示面板可以在未設置有背光源的情況下顯示圖像。

相關技術中,反射式顯示面板可以包括相對設置的第一基板和第二基板,以及設置在第一基板和第二基板之間的液晶。第一基板可以包括第一襯底基板以及設置在第一襯底基板上薄膜電晶體層,薄膜電晶體層上可以設置有像素電極層,且該像素電極層能夠反射光。第二基板包括第二襯底基板以及依次設置在第二襯底基板上的色阻層和公共電極層,色阻層可以包括紅色色阻塊、綠色色阻塊和藍色色阻塊。環境光能夠從第二基板遠離第一基板的一側,依次穿過色阻層和液晶到達第一基板上的像素電極層,再被像素電極層反射,並再次穿過液晶和色阻層,最終射出第二基板。需要說明的是,環境光中的紅光能夠穿過紅色色阻塊、環境光中的綠光能夠穿過綠色色阻塊,環境光中的藍光能夠穿過藍色色阻塊,在需要控制顯示面板顯示圖像時,可以通過控制各個色阻塊對應的液晶的偏轉角度,調整顯示面板上色阻塊對應區域的光通量,使得顯示面板顯示圖像。

由於相關技術中,每個色阻塊允許穿過的光的頻率範圍較大,反射式顯示面板上每個色阻塊對應的區域能夠發出較多種顏色的光,因此,反射式顯示面板上每個色阻塊對應的區域所發出的光的純度較低,反射式顯示面板的顯示效果較差。



技術實現要素:

為了解決反射式顯示面板的顯示效果較差的問題,本發明實施例提供了一種反射式顯示面板及其製造方法、顯示裝置。所述技術方案如下:

第一方面,提供了一種反射式顯示面板,所述反射式顯示面板包括:

相對設置的第一基板和第二基板,以及設置在所述第一基板和所述第二基板之間的液晶;

所述第一基板包括反射層和光致發光層,且所述光致發光層設置在所述反射層與所述液晶之間,所述光致發光層用於在激發光的作用下發出被激發光。

可選的,所述光致發光層包括量子點層,所述量子點層用於在激發光的作用下發出至少一種顏色的被激發光。

可選的,所述量子點層包括:紅色量子點塊、綠色量子點塊和透明塊,

所述紅色量子點塊用於在藍色的激發光的作用下發出紅色的被激發光,所述綠色量子點塊用於在藍色的激發光的作用下發出綠色的被激發光。

可選的,所述光致發光層朝向所述第二基板的一側,沿遠離所述光致發光層的方向依次設置有兩個偏振器。

可選的,所述液晶為賓主液晶,所述兩個偏振器中的一個偏振器為所述賓主液晶,另一個偏振器為偏光片。

可選的,所述偏光片設置在所述第二基板遠離所述液晶的一側。

可選的,所述第一基板包括:第一襯底基板,所述第一襯底基板上設置有薄膜電晶體層,所述薄膜電晶體層包括陣列排布的多個薄膜電晶體;設置有所述薄膜電晶體層的第一襯底基板上設置有絕緣層;設置有所述絕緣層的第一襯底基板上設置有所述反射層,所述反射層的材質為導體,所述反射層包括陣列排布的多個反射塊,且所述多個反射塊通過所述絕緣層上的過孔與所述多個薄膜電晶體中的漏極一一連接;設置有所述反射層的第一襯底基板上設置有所述光致發光層;設置有所述光致發光層的第一襯底基板上設置有平坦層;設置有所述平坦層的第一襯底基板上設置有第一配向層;

所述第二基板包括:第二襯底基板,所述第二襯底基板朝向所述液晶的一側設置有黑矩陣和平坦層,所述黑矩陣和所述平坦層位於同一層;設置有所述黑矩陣和所述平坦層的第二襯底基板上設置有公共電極層;設置有所述公共電極層的第二襯底基板上設置有第二配向層。

可選的,所述第一基板包括:第一襯底基板,所述第一襯底基板上設置有所述反射層;設置有所述反射層的第一襯底基板上設置有所述光致發光層;設置有所述光致發光層的第一襯底基板上設置有平坦層,設置有平坦層的第一襯底基板上設置有第一配向層;

所述第二基板包括:第二襯底基板,所述第二襯底基板朝向所述液晶的一側設置有黑矩陣和平坦層,所述黑矩陣和所述平坦層位於同一層;設置有所述黑矩陣和平坦層的第二襯底基板上設置有第二配向層;

其中,所述第一襯底基板上還設置有薄膜電晶體層、絕緣層和像素電極層,所述第二襯底基板上還設置有公共電極層;或者,所述第一襯底基板上還設置有公共電極層,所述第二襯底基板上還設置有薄膜電晶體層、絕緣層和像素電極層。

第二方面,提供了一種反射式顯示面板的製造方法,所述方法包括:

製造第一基板;

製造第二基板;

將所述第一基板與所述第二基板相對設置;

在所述第一基板與所述第二基板之間設置液晶;

所述第一基板包括反射層和光致發光層,且所述光致發光層設置在所述反射層與所述液晶之間,所述光致發光層用於在激發光的作用下發出被激發光。

可選的,所述光致發光層包括量子點層,所述量子點層用於在激發光的作用下發出至少一種顏色的被激發光。

可選的,所述量子點層包括:紅色量子點塊、綠色量子點塊和透明塊,

所述紅色量子點塊用於在藍色的激發光的作用下發出紅色的被激發光,所述綠色量子點塊用於在藍色的激發光的作用下發出綠色的被激發光。

可選的,所述光致發光層朝向所述第二基板的一側,沿遠離所述光致發光層的方向依次設置有兩個偏振器。

可選的,所述液晶為賓主液晶,所述兩個偏振器中的一個偏振器為所述賓主液晶,另一個偏振器為偏光片。

第三方面,提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括第一方面所述的反射式顯示面板。

可選的,所述顯示裝置還包括:光源,所述光源用於向所述顯示面板的第二基板發出激發光。

綜上所述,本申請提供了一種反射式顯示面板及其製造方法、顯示裝置,由於該反射式顯示面板中,第一基板包括反射層和光致發光層,且該第一基板中的光致發光層可以在激發光的作用下發出被激發光,且被激勵光的頻率範圍較小,所以,提高了顯示面板上每個區域發出的光的純度,提高了顯示面板的顯示效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例,對於本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發明實施例提供的一種反射時顯示面板的結構示意圖;

圖2為本發明實施例提供的一種反射式顯示面板的局部結構示意圖;

圖3為本發明實施例提供的另一種反射式顯示面板的結構示意圖;

圖4為本發明實施例提供的又一種反射式顯示面板的結構示意圖;

圖5為本發明實施例提供的一種第一基板的結構示意圖;

圖6為本發明實施例提供的另一種第一基板的結構示意圖;

圖7為本發明實施例提供的一種第二基板的結構示意圖;

圖8為本發明實施例提供的一種反射式顯示面板的製造方法的方法流程圖;

圖9為本發明實施例提供的一種製造第一基板的方法流程圖;

圖10-1為本發明實施例提供的第一種第一基板的局部結構示意圖;

圖10-2為本發明實施例提供的第二種第一基板的局部結構示意圖;

圖10-3為本發明實施例提供的第三種第一基板的局部結構示意圖;

圖10-4為本發明實施例提供的第四種第一基板的局部結構示意圖;

圖10-5為本發明實施例提供的第五種第一基板的局部結構示意圖;

圖11為本發明實施例提供的另一種製造第一基板的方法流程圖;

圖12-1為本發明實施例提供的第六種第一基板的局部結構示意圖;

圖12-2為本發明實施例提供的第七種第一基板的局部結構示意圖;

圖12-3為本發明實施例提供的第八種第一基板的局部結構示意圖;

圖12-4為本發明實施例提供的第九種第一基板的局部結構示意圖;

圖12-5為本發明實施例提供的第十種第一基板的局部結構示意圖;

圖12-6為本發明實施例提供的第十一種第一基板的局部結構示意圖;

圖13為本發明實施例提供的一種製造第二基板的方法流程圖;

圖14-1為本發明實施例提供的第一種第二基板的局部結構示意圖;

圖14-2為本發明實施例提供的第二種第二基板的局部結構示意圖;

圖14-3為本發明實施例提供的第三種第二基板的局部結構示意圖;

圖15為本發明實施例提供的一種顯示裝置的結構示意圖。

具體實施方式

為使本申請的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合附圖對本申請實施方式作進一步地詳細描述。

如圖1所示,本發明實施例提供了一種反射式顯示面板0,該反射式顯示面板0可以包括:相對設置的第一基板01和第二基板02,以及設置在第一基板01和第二基板02之間的液晶03;

第一基板01包括反射層011和光致發光層012,且光致發光層012設置在反射層011與液晶02之間,光致發光層03用於在激發光的作用下發出被激發光。

綜上所述,由於本發明實施例提供的反射式顯示面板中,第一基板包括反射層和光致發光層,且該第一基板中的光致發光層可以在激發光的作用下發出被激發光,且被激勵光的頻率範圍較小,所以,提高了顯示面板上每個區域發出的光的純度,提高了顯示面板的顯示效果。

示例的,該光致發光層012可以包括量子點層,該量子點層可以用於在激發光的作用下發出至少一種顏色的被激發光。第一基板01或第二基板02為陣列基板。

圖2為本發明實施例提供的一種反射式顯示面板0的局部結構示意圖,如圖2所示,當光致發光層012包括量子點層時,該量子點層可以包括:紅色量子點塊R、綠色量子點塊G和透明塊T,紅色量子點塊R用於在藍色的激發光的作用下發出紅色的被激發光,綠色量子點塊G用於在藍色的激發光的作用下發出綠色的被激發光。

也即,藍色的激發光照射在量子點層上時,紅色量子點塊R能夠發出紅色的被激發光,綠色量子點塊G能夠發出綠色的被激發光,藍色的激發光能夠穿過透明塊T,併到達反射層011,最終被反射層011反射至透明塊T,進而從透明塊T射出,使得反射式顯示面板上透明塊T所在的區域能夠發出藍光,進而該反射式顯示面板0上的各個區域分別能夠發出紅光、綠光和藍光,使得該反射式顯示面板0能夠顯示彩色圖像。

需要說明的是,在光致發光層朝向第二基板的一側,沿遠離光致發光層的方向可以依次設置有兩個偏振器。示例的,該兩個偏振器的設置方式可以包括以下兩種方式:

在第一種方式中,圖3為本發明實施例提供的另一種反射式顯示面板0的結構示意圖,如圖3所示,液晶03可以為賓主液晶,反射式顯示面板0中的兩個偏振器中,一個偏振器為賓主液晶,另一個偏振器為偏光片04,示例的,偏光片04可以設置在第二基板02遠離液晶03的一側。此時,該反射式顯示面板0僅僅包括一個偏光片,且該偏光片位於第一基板和第二基板形成的液晶盒之外。

在使用該反射式顯示面板時,可以通過調整賓主液晶分子長軸在偏光片透光軸方向的投影,來控制反射式顯示面板的出光量,當液晶分子長軸在偏光片透光軸方向的投影的越大,反射式顯示面板的出光量越少,當液晶分子長軸在偏光片透光軸方向的投影的越小,反射式顯示面板的出光量越大。

當賓主液晶的長軸與偏光片04的透光軸平行時,賓主液晶的長軸在偏光片透光軸方向的投影最大。從偏光片04遠離第二基板02的一側射入該反射式顯示面板0的激發光(自然光)能夠穿過該偏光片04,並且穿過該偏光片04的激發光的偏振方向為第一方向(偏振光);當穿過該偏光片04的激發光到達液晶03(也即賓主液晶)時,由於液晶03的長軸與偏光片04的透光軸平行,賓主液晶能夠將該偏振方向為第一方向的激發光完全吸收,所以到達賓主液晶的激發光無法穿過賓主液晶,光致發光層無法被激發,使得反射式顯示面板呈現暗態。

當向賓主液晶施加電壓,使得賓主液晶的長軸垂直於偏光片的透光軸,此時,賓主液晶的長軸在偏光片的透光軸方向的投影最小,賓主液晶無法吸收穿過偏光片的激發光,所以穿過偏光片04的激發光可以穿過賓主液晶而到達光致發光層,從而激發光致發光層發出被激發光,且該被激發光同樣可以穿過賓主液晶和偏光片,最終使得該反射式顯示面板呈現亮態。

在第二種方式中,圖4為本發明實施例提供的又一種反射式顯示面板0的結構示意圖,如圖4所示,該反射式顯示面板0中的液晶03並不是賓主液晶,此時,該反射式顯示面板0中的兩個偏振器為第一偏光片05和第二偏光片06,且該第一偏光片05可以設置在光致發光層012與液晶03之間,該第二偏光片06可以設置第二基板02遠離第一基板01的一側,第一偏光片05的透光軸垂直於第二偏光片06的透光軸。

可選的,本發明實施例中的第一基板可以為陣列基板,第二基板也可以為陣列基板,假設該第一基板為陣列基板,此時,該第一基板可以具有多種形式的具體結構,現將其中的兩種實現方式進行舉例說明:

一方面,圖5為本發明實施例提供的一種第一基板01的結構示意圖,如圖5所示,該第一基板01可以包括:第一襯底基板013,第一襯底基板013上設置有薄膜電晶體層014,該薄膜電晶體層014可以包括多個陣列排布的薄膜電晶體,每個薄膜電晶體可以包括柵極、源極和漏極。設置有薄膜電晶體層014的第一襯底基板013上設置有絕緣層015;設置有絕緣層015的第一襯底基板013上設置有反射層011,且該反射層011的材質為導體(如鋁),反射層011可以包括陣列排布的多個反射塊,且該多個反射塊通過絕緣層015上的多個過孔(圖5中未示出)與多個薄膜電晶體中的漏極一一連接,也即圖5中的反射層011同時還起到像素電極的作用。設置有反射層011的第一襯底基板013上設置有光致發光層012;設置有光致發光層012的第一襯底基板013上設置有平坦層016,可選的,該平坦層016的材質可以與光致發光層012中透明塊的材質相同。設置有平坦層016的第一襯底基板013上設置有第一配向層017。

也即,在圖5所示的第一基板中,由於該反射層同時具有像素電極的作用和反射層的作用,所以該第一基板中並不需要另外設置像素電極,因此,減小了第一基板厚度,進而減小反射式顯示面板的厚度。

另一方面,圖6為本發明實施例提供的另一種第一基板01的結構示意圖,如圖6所示,第一基板01可以包括:第一襯底基板013,第一襯底基板013上設置有反射層011(反射層的材質可以為鋁);設置有反射層011的第一襯底基板013上設置有絕緣層015;設置有絕緣層015的第一襯底基板上設置有薄膜電晶體層014;設置有薄膜電晶體層014的第一襯底基板013上設置有光致發光層012;設置有光致發光層012的第一襯底基板013上設置有像素電極層018,像素電極層018通過光致發光層012上的過孔與薄膜電晶體層014中的漏極相連接;設置有像素電極層018的第一襯底基板013上設置有平坦層016,設置有平坦層016的第一襯底基板013上設置有第一配向層017。

圖7為本發明實施例提供的一種第二基板02的結構示意圖,如圖7所示,第二基板02包括第二襯底基板021,第二襯底基板021朝向液晶03的一側設置有黑矩陣(英文:Black matrix;簡稱:BM)022和平坦層023,且黑矩陣022和平坦層023位於同一層;設置有黑矩陣022和平坦層023的第二襯底基板021上設置有公共電極層024;設置有公共電極層024的第二襯底基板021上設置有第二配向層025。該第二基板中設置的黑矩陣能夠對第一基板上的薄膜電晶體結構起到遮擋作用,從而進一步的提高反射式顯示面板的顯示效果。

需要說明的是,將圖5所示的第一基板01或圖6所示的第一基板01均可以與圖7所示的第二基板02相結合,本發明實施例對此不作限定。在將第一基板和第二基板相對設置後,第一基板上的第一配向層靠近第二基板設置,第二基板上的第二配向層靠近第一基板設置。

進一步的,當第二基板為陣列基板時,第一基板可以包括:第一襯底基板,第一襯底基板上設置有反射層(反射層的材質可以為鋁);設置有反射層的第一襯底基板上設置有光致發光層;設置有光致發光層的第一襯底基板上設置有平坦層,設置有平坦層的第一襯底基板上設置有公共電極層;設置有公共電極層的第一襯底基板上設置有第一配向層。

第二基板可以包括第二襯底基板,第二襯底基板朝向液晶的一側設置有黑矩陣和平坦層,且黑矩陣和平坦層位於同一層;設置有黑矩陣和平坦層的第二襯底基板上設置有薄膜電晶體層;設置有薄膜電晶體層的第二襯底基板上設置有絕緣層;設置有絕緣層的第二襯底基板上設置有像素電極層,像素電極層通過絕緣層上的過孔與薄膜電晶體層中的漏極相連接;設置有像素電極層的第二襯底基板上設置有第二配向層。

需要說明的是,當第二襯底基板為陣列基板時,薄膜電晶體層的材質需要為透明材質。

由於本發明實施例中的反射式顯示面板的每個區域發出的光的純度較高,因此,該反射式顯示面板的色域較大,顯示效果較好。

綜上所述,由於本發明實施例提供的反射式顯示面板中,第一基板包括反射層和光致發光層,且該第一基板中的光致發光層可以在激發光的作用下發出被激發光,且被激勵光的頻率範圍較小,所以,提高了顯示面板上每個區域發出的光的純度,提高了顯示面板的顯示效果。

圖8為本發明實施例提供的一種反射式顯示面板的製造方法的方法流程圖,如圖8所示,該反射式顯示面板的製造方法可以包括:

步驟801、製造第一基板。

步驟802、製造第二基板。

步驟803、將第一基板與第二基板相對設置。

步驟804、在第一基板與第二基板之間設置液晶。

需要說明,第一基板包括反射層和光致發光層,且光致發光層設置在反射層與液晶之間,光致發光層用於在激發光的作用下發出被激發光。

綜上所述,由於本發明實施例提供的反射式顯示面板的製造方法所製造的反射式顯示面板中,第一基板包括反射層和光致發光層,且該第一基板中的光致發光層可以在激發光的作用下發出被激發光,且被激勵光的頻率範圍較小,所以,提高了顯示面板上每個區域發出的光的純度,提高了顯示面板的顯示效果。

步驟801中製造得到的第一基板可以如圖5或圖6所示。

如圖9所示,當步驟801中製造得到的第一基板如圖5所示時,步驟801可以包括:

步驟8011a、在第一襯底基板上形成薄膜電晶體層。

如圖10-1所示,在製造如圖5所示的第一基板01時,可以首先在第一襯底基板013上形成薄膜電晶體層014,示例的,該薄膜電晶體層014可以包括多個陣列排布的薄膜電晶體0141,每個薄膜電晶體0141可以包括柵極、源極和漏極。也即該薄膜電晶體層014可以包括多個膜層(如柵極和柵線所在膜層、源漏極和數據線所在的膜層),在第一襯底基板上每形成一個膜層時,均可以首先形成相應的材質層,然後採用一次構圖工藝對該材質層進行處理,得到一個膜層。其中,一次構圖工藝可以包括:光刻膠塗覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離,因此,採用一次構圖工藝對材質層進行處理包括:在材質層上塗覆一層光刻膠,然後採用掩膜版對光刻膠進行曝光,使光刻膠形成完全曝光區和非曝光區,之後採用顯影工藝進行處理,使完全曝光區的光刻膠被去除,非曝光區的光刻膠保留,之後對完全曝光區在材質層上的對應區域進行刻蝕,刻蝕完畢後剝離非曝光區的光刻膠即可得到相應的膜層。

步驟8012a、在形成有薄膜電晶體層的第一襯底基板上形成絕緣層。

如圖10-2所示,在第一襯底基板013上形成薄膜電晶體層014後,可以在形成有薄膜電晶體層014的第一襯底基板013上形成絕緣層015。示例地,可以採用塗覆、磁控濺射、熱蒸發或者等離子體增強化學氣相沉積法(英文:Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition;簡稱:PECVD)等方法在形成有薄膜電晶體層014的第一襯底基板013上形成絕緣層015。

進一步的,在形成絕緣層015後,還可以採用一次構圖工藝對絕緣層015進行處理,使得絕緣層015上形成多個過孔,且每個過孔對應一個薄膜電晶體結構中的漏極。

步驟8013a、在形成有絕緣層的第一襯底基板上形成反射層。

如圖10-3所示,可以在形成有絕緣層015的第一襯底基板013上形成反射層011,且該反射層011的材質為導體(如鋁),反射層011可以包括陣列排布的多個反射塊(圖10-3中未示出),且該多個反射塊通過絕緣層015上的多個過孔與多個薄膜電晶體中的漏極一一連接,也即反射層011同時還起到像素電極的作用,所以,該第一基板中並不需要另外設置像素電極,因此,減小了第一基板的厚度,進而減小反射式顯示面板的厚度。需要說明的是,在形成該多個反射塊時,可以首先在形成有絕緣層的第一襯底基板上形成反射材質層,然後採用一次構圖工藝對該反射材質層進行處理,得到多個反射塊。

步驟8014a、在形成有反射層的第一襯底基板上形成光致發光層。

示例的,本發明實施例中的光致發光層可以為量子點層。量子點層用於在激發光的作用下發出至少一種顏色的被激發光。

在形成反射層011後,可以在形成有反射層011的第一襯底基板013上形成紅色量子點塊。可選的,可以首先在形成有反射層011的第一襯底基板013上形成紅色量子點材質層,然後採用一次構圖工藝對該紅色量子點材質層進行處理,得到該紅色量子點塊。在形成紅色量子點塊後,可以在形成有紅色量子點塊的第一襯底基板013上形成綠色量子點塊。可選的,可以首先在該形成有紅色量子點塊的第一襯底基板013上形成綠色量子點材質層,並採用一次構圖工藝對該綠色量子點材質層進行處理,得到綠色量子點塊。在形成綠色量子點塊後,可以在形成有綠色量子點塊的第一襯底基板013上形成透明塊。可選的,可以首先在形成有綠色量子點塊的第一襯底基板013上形成透明材質層,並採用一次構圖工藝對該透明材質點層進行處理,得到透明塊。需要說明的是,紅色量子點塊、綠色量子點塊和透明塊可以組成如圖10-4所示的光致發光層012。

步驟8015a、在形成有光致發光層的第一襯底基板上形成平坦層。

如圖10-5所示,在形成光致發光層012後,可以在形成有光致發光層012的第一襯底基板013上形成平坦層016。

需要說明的是,在本發明實施例中,步驟8014a中形成透明塊和步驟8015a中形成的平坦層的材質可以相同,且可以同時形成。

步驟8016a、在形成有平坦層的第一襯底基板上形成第一配向層。

如圖5所示,在形成平坦層016後,可以在形成有平坦層016的第一襯底基板013上形成第一配向層017。

如圖11所示,當步驟801中製造得到的第一基板如圖6所示時,步驟801可以包括:

步驟8011b、在第一襯底基板上形成反射層。

如圖12-1所示,在步驟8011b中可以採用塗覆、磁控濺射、熱蒸發或者PECVD等方法在第一襯底基板013上形成反射層011。示例的,反射層011的材質可以為鋁,實際應用中,反射層的材質還可以為其他材質,本發明實施例對此不作限定。

步驟8012b、在形成有反射層的第一襯底基板上形成絕緣層。

如圖12-2所示,在形成反射層011後,可以在第一襯底基板013上形成絕緣層015。形成絕緣層015的方法可以與形成反射層011的方法相同。

步驟8013b、在形成有絕緣層的第一襯底基板上形成薄膜電晶體層。

如圖12-3所示,在形成絕緣層015後,可以在形成有絕緣層015的第一襯底基板013上形成薄膜電晶體層014,示例的,步驟8013b中形成薄膜電晶體層014的具體步驟可以參考步驟8011a中形成薄膜電晶體層的具體步驟,本發明實施例在此不做贅述。

步驟8014b、在形成有薄膜電晶體層的第一襯底基板上形成光致發光層。

如圖12-4所示,在形成薄膜電晶體層014後,可以在形成有薄膜電晶體層014的第一襯底基板013上形成光致發光層012,形成光致發光層012的具體步驟可以參考步驟8014a中形成光致發光層012的具體步驟,本發明實施例在此不做贅述。

進一步的,在形成光致發光層012後,還可以採用一次構圖工藝對光致發光層012進行處理,使得光致發光層012上形成多個過孔,且每個過孔對應一個薄膜電晶體結構中的漏極。

步驟8015b、在形成有光致發光層的第一襯底基板上形成像素電極。

如圖12-5所示,在形成光致發光層012後,可以在形成有光致發光層012的第一襯底基板013上形成像素電極層018。且形成像素電極層018的具體步驟可以參考步驟8013a中形成反射層的具體步驟,本發明實施例在此不做贅述。

需要說明的是,像素電極層018可以通過光致發光層012上的過孔與薄膜電晶體層014中的漏極相連接。

步驟8016b、在形成有像素電極的第一襯底基板上形成平坦層。

如圖12-6所示,在形成像素電極層018後,可以在形成有像素電極層018的第一襯底基板013上形成平坦層016。

步驟8017b、在形成有平坦層的第一襯底基板上形成第一配向層。

如圖6所示,在形成平坦層016後,可以在形成有平坦層016的第一襯底基板013上形成第一配向層017。

如圖13所示,步驟802可以包括:

步驟8021、在第二襯底基板上形成黑矩陣。

如圖14-1所示,在執行步驟8021時,可以在第二襯底基板021上形成黑矩陣022。示例的,可以首先在第二襯底基板021上形成黑矩陣材質層,然後採用一次構圖工藝對該黑矩陣材質層進行處理,得到網格狀的黑矩陣022。

當第一基板與第二基板相對設置後,黑矩陣能夠對第一基板上的薄膜電晶體結構起到遮擋作用,從而進一步的提高反射式顯示面板的顯示效果。

步驟8022、在形成有黑矩陣的第二襯底基板上形成平坦層。

如圖14-2所示,在形成黑矩陣022後,可以在形成有黑矩陣022的第二襯底基板021上形成平坦層023,需要說明的是,形成的平坦層023可以與黑矩陣022位於同一層。

步驟8023、在形成有黑矩陣和平坦層的第二襯底基板上形成公共電極層。

如圖14-3所示,在形成黑矩陣和平坦層後,可以在形成有黑矩陣022和平坦層023的第二襯底基板021上通過塗覆、磁控濺射、熱蒸發或者PECVD等方式形成公共電極層024,示例的,公共電極層024的材質可以為氧化銦錫。

步驟8024、在形成有公共電極層的第二襯底基板上形成第二配向層。

如圖7所示,在形成公共電極層024後,可以在第二襯底基板021上再形成第二配向層025。

需要說明的是,當第二基板為陣列基板時,在801中製造第一基板時,可以首先在第一襯底基板上形成反射層;然後,在形成有反射層的第一襯底基板上形成光致發光層;再在形成有光致發光層的第一襯底基板上形成平坦層;在形成有平坦層的第一襯底基板上形成公共電極層;在形成有公共電極層的第一襯底基板上形成第一配向層。

在步驟802中製造第二基板時,可以首先在第二襯底基板朝向液晶的一側形成黑矩陣和平坦層,且黑矩陣和平坦層位於同一層;然後在形成有黑矩陣和平坦層的第二襯底基板上形成薄膜電晶體層;再在形成有薄膜電晶體層的第二襯底基板上設置有絕緣層;在形成有絕緣層的第二襯底基板上形成像素電極層,像素電極層通過絕緣層上的過孔與薄膜電晶體層中的漏極相連接;在形成有像素電極層的第二襯底基板上形成第二配向層。

需要說明的是,當第二襯底基板為陣列基板時,薄膜電晶體層的材質需要為透明材質。

進一步的,本發明實施例中的光致發光層朝向第二基板的一側,沿遠離光致發光層的方向可以依次設置有兩個偏振器。

一方面,步驟804中設置在第一基板和第二基板之間的液晶可以為賓主液晶,則在步驟804之後,該反射式顯示面板的製造方法還可以包括:在第二基板遠離第一基板的一側設置偏光片。也即,該反射式顯示面板中的兩個偏振器可以分別為賓主液晶和偏光片。

另一方面,步驟804中設置在第一基板和第二基板之間的液晶也可以不為賓主液晶,則在步驟803之後需要在第一基板朝向第二基板的一側設置第一偏光片,在步驟804之後,該第一偏光片位於液晶與第一基板之間。進一步的,在步驟804之後,還需要在第二基板遠離第一基板的一側設置第二偏光片,且該第一偏光片的透光軸需要垂直於第二偏光片的透光軸。

綜上所述,由於本發明實施例提供的反射式顯示面板的製造方法所製造的反射式顯示面板中,第一基板包括反射層和光致發光層,且該第一基板中的光致發光層可以在激發光的作用下發出被激發光,且被激勵光的頻率範圍較小,所以,提高了顯示面板上每個區域發出的光的純度,提高了顯示面板的顯示效果。

如圖15所示,本發明實施例提供了一種顯示裝置150,該顯示裝置150可以包括反射式顯示面板1501,該反射式顯示面板1501可以如圖2至圖4任一所示。

可選的,該顯示裝置150還可以包括:光源1502,光源1502用於向顯示面板0的第二基板發出激發光。

綜上所述,由於本發明實施例提供的顯示裝置中的反射式顯示面板中,第一基板包括反射層和光致發光層,且該第一基板中的光致發光層可以在激發光的作用下發出被激發光,且被激勵光的頻率範圍較小,所以,提高了顯示面板上每個區域發出的光的純度,提高了顯示面板的顯示效果。

需要說明的是,本發明實施例提供的反射式顯示面板實施例、反射式顯示面板的製造方法實施例以及顯示裝置實施例均可以互相參考,本發明實施例對此不做限定。

以上所述僅為本申請的較佳實施例,並不用以限制本申請,凡在本申請的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本申請的保護範圍之內。

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