一種三級晶片清洗槽的製作方法
2023-12-07 23:46:11 1
一種三級晶片清洗槽的製作方法
【專利摘要】本實用新型的目的在於解決現有技術所存在的問題，找到一種三級晶片清洗槽，可以更方便的清洗晶片，並可節約清洗的液體。包括呈階梯狀排列的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，第一清洗槽高於第二清洗槽，第二清洗槽高於第三清洗槽，第一清洗槽位於第二清洗槽一側的側板上設有第一出液孔，第二清洗槽位於第三清洗槽一側的側板上設有第二出液孔。通過實施本實用新型可以取得以下有益技術效果：可以將晶片依次在第三清洗槽、第二清洗槽、第一清洗槽中清洗，無需來回換液清洗，使得清洗晶片更方便，同時達到節約清洗液的目的。
【專利說明】
一種三級晶片清洗槽
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及清洗領域，具體涉及一種三級晶片清洗槽。
【背景技術】
[0002]晶片指內含集成電路的矽片，體積很小，常常是計算機或其他電子設備的一部分。晶片的需要經過多次換液清洗才能達到需要的清洗效果，現有技術中的清洗槽均為簡單的清洗槽，均沒有對晶片需要多次清洗進行針對性的設計，由於清洗時需要多次換液，非常的不方便，故需要針對晶片清洗設計一種專用的清洗槽。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在於解決現有技術所存在的問題，找到一種三級晶片清洗槽，可以更方便的清洗晶片，並可節約清洗的液體。
[0004]為了實現所述目的，本實用新型一種三級晶片清洗槽，包括相互呈階梯狀排列的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽高於第二清洗槽，第二清洗槽高於第三清洗槽，所述第一清洗槽位於第二清洗槽一側的側板上設有第一出液孔，所述第二清洗槽位於第三清洗槽一側的側板上設有第二出液孔。
[0005]優選的，所述第一出液孔設置在第一清洗槽側板的上端部，所述第二出液孔設置在第二清洗槽側板的上端部。這樣的結構便於製作，且第一出液孔和第二出液孔的大小對出液效果基本不影響。
[0006]優選的，所述第一出液孔設置在第一清洗槽側板的中部，所述第二出液孔設置在第二清洗槽側板的中部。可以將較髒的液體通過第一出液孔排到第二清洗槽，可以將較髒的液體通過第二出液孔排到第三清洗槽。
[0007]優選的，所述第一出液孔的大小和形狀與第二出液孔的大小和形狀均相同。這樣結構，第一出液孔和第二出液孔起到相近排量的排液效果。
[0008]優選的，所述第一出液孔與第一清洗槽側板頂部的距離和第二出液孔與第二清洗槽側板頂部的距離相同。這樣結構，第一出液孔和第二出液孔起到相近排量的排液效果。
[0009]優選的，所述第一清洗槽遠離第二清洗槽一側的側板上設有進液孔。這樣的結構便於第一清洗槽進液。
[0010]通過實施本實用新型可以取得以下有益技術效果:可以將晶片依次在第三清洗槽、第二清洗槽、第一清洗槽中清洗，無需來回換液清洗，使得清洗晶片更方便，同時達到節約清洗液的目的。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型的整體結構示意圖；
[0012]圖2為本實用新型實施例1俯視的局部剖視圖；
[0013]圖3為本實用新型實施例2的俯視圖。
【具體實施方式】
[0014]為了便於本領域技術人員的理解，下面結合具體實施例對本實用新型作進一步的說明:
[0015]實施例1:
[0016]如圖1和圖2所示，一種三級晶片清洗槽，包括相互呈階梯狀排列的第一清洗槽1、第二清洗槽2和第三清洗槽3，第一清洗槽I高於第二清洗槽2，第二清洗槽高於第三清洗槽3，第一清洗槽I位於第二清洗槽2—側的側板上設有第一出液孔11，第二清洗槽2位於第三清洗槽3—側的側板上設有第二出液孔21，第一清洗槽I遠離第二清洗槽2—側的側板上設有進液孔12。可以將晶片依次在第三清洗槽3、第二清洗槽2和第一清洗槽I中清洗，無需來回換液清洗，使得清洗晶片更方便，同時起到節約清洗液的目的。
[0017]作為一種優選結構，第一出液孔11設置在第一清洗槽I側板的中部，第二出液孔21設置在第二清洗槽2側板的中部。可以將較髒的液體通過第一出液孔11排到第二清洗槽2，將較髒的液體通過第二出液孔21排到第三清洗槽3 ο第一出液孔11的大小和形狀與第二出液孔21大小和形狀均相同，第一出液孔11與第一清洗槽I側板頂部的距離和第二出液孔21與第二清洗槽2側板頂部的距離相同。這樣結構，第一出液孔11和第二出液孔21起到相近排量的排液效果。
[0018]實施例2:
[0019]如圖1和圖3所示，與實施例1的區別在於:第一出液孔11設置在第一清洗槽I側板的上端部，第二出液孔21設置在第二清洗槽2側板的上端部。這樣的結構便於製作，且第一出液孔11和第二出液孔21的大小對出液效果基本不影響。
[0020]以上所述僅為本實用新型的具體實施例，但本實用新型的技術特徵並不局限於此，任何本領域的技術人員在本實用新型的領域內，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實用新型的專利範圍之中。
【主權項】
1.一種三級晶片清洗槽，其特徵在於:包括相互呈階梯狀排列的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽高於第二清洗槽，第二清洗槽高於第三清洗槽，所述第一清洗槽位於第二清洗槽一側的側板上設有第一出液孔，所述第二清洗槽位於第三清洗槽一側的側板上設有第二出液孔。2.如權利要求1所述的一種三級晶片清洗槽，其特徵在於:所述第一出液孔設置在第一清洗槽側板的上端部，所述第二出液孔設置在第二清洗槽側板的上端部。3.如權利要求1所述的一種三級晶片清洗槽，其特徵在於:所述第一出液孔設置在第一清洗槽側板的中部，所述第二出液孔設置在第二清洗槽側板的中部。4.如權利要求3所述的一種三級晶片清洗槽，其特徵在於:所述第一出液孔的大小和形狀與第二出液孔的大小和形狀均相同。5.如權利要求4所述的一種三級晶片清洗槽，其特徵在於:所述第一出液孔與第一清洗槽側板頂部的距離和第二出液孔與第二清洗槽側板頂部的距離相同。6.如權利要求1所述的一種三級晶片清洗槽，其特徵在於:所述第一清洗槽遠離第二清洗槽一側的側板上設有進液孔。
【文檔編號】H01L21/02GK205723453SQ201620452218
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年5月17日
【發明人】伊利平, 徐興華, 陳康, 徐天雲, 鮑旭偉
【申請人】金華市創捷電子有限公司