液晶顯示器件及其製造方法

2023-11-05 16:54:52

專利名稱：液晶顯示器件及其製造方法
技術領域：
本發明的實施方式涉及一種顯示器件，尤其涉及一種液晶顯示(LCD)器 件及其製造方法。儘管本發明的實施方式可適用於較寬的應用範圍，但尤其適 用於通過減小掩模數而簡化製造工序，提高生產率，並提高器件可靠性。
背景技術：
隨著消費者對信息顯示器的關注度提高且對可攜式(移動)信息設備的需 求增加，輕且薄的平板顯示器("FPD")的研究和商業化也在增加。
在FPD中，液晶顯示器("LCD")是用於通過使用液晶的光學各向異 性來顯示圖像的器件。LCD器件表現出優秀的解析度以及顏色和圖像質量， 從而其廣泛用於筆記本計算機或桌上顯示器等。
LCD包括濾色片基板、陣列基板和形成在濾色片基板與陣列基板之間的 液晶層。
通常用於LCD的有源矩陣(AM)驅動方法是通過使用非晶矽薄膜電晶體 (a-SiTFT)作為開關元件來驅動像素部中的液晶分子的方法。
在LCD的製造工序中，進行多個掩模工序(即光刻工序)來製造包含TFT 的陣列基板，從而用於減小掩模工序次數的方法可提高生產率。 圖1所示為一般LCD器件的分解透視圖。
如圖1中所示，LCD包括濾色片基板5、陣列基豐反IO和形成在濾色片基 板5與陣列基板10之間的液晶層30。
濾色片基板5包括具有實現紅色、綠色和藍色的多個子濾色片7的濾色片 (C)、用於分割子濾色片7並阻止光穿過液晶層30的黑矩陣6、和用於給液 晶層30施加電壓的透明公共電極8。
陣列基板10包括垂直和水平設置以確定多個像素區域(P)的柵線16和 數據線17、形成在柵線16和數據線17的各個交點處的TFT，即開關元件以 及形成在像素區域(P)上的像素電極18。 濾色片基板5和陣列基板10通過形成在圖像顯示區域邊緣的密封劑(沒 有示出)以面對的方式粘接以形成液晶面板，並且通過形成在濾色片基板5或陣列基板10上的連接鍵實現濾色片基板5和陣列基板10的粘接。
圖2A到2E所示為連續示出圖1中的LCD的陣列基板製造工序的橫截面圖。
如圖2A中所示，通過使用光刻工序(第一掩模工序)在基板上形成由導 電材料形成的柵極21。
接著，如圖2B中所示，在其上形成有柵極21的基板10的整個表面上連 續沉積第一絕緣膜15a、非晶矽薄膜和n+非晶矽薄膜，並且通過使用光刻工序 (第二掩模工序)對非晶矽薄膜和n+非晶矽薄膜選擇性地構圖，從而在柵極 21上形成非晶矽薄膜的有源圖案24。
在該情形中，在有源圖案24上形成以與有源圖案24相同形式被構圖的 n+非晶矽薄膜圖案25。
之後，如圖2C中所示，在陣列基板10的整個表面上沉積導電金屬材料 並隨後通過使用光刻工序(第三掩模工序)選擇性地構圖，從而在有源圖案 24的上部形成由導電金屬材料形成的源極22和漏極23。此時，通過第三掩模 工序去除形成在有源圖案24上的n+非晶矽薄膜圖案的特定部分，從而在有源 圖案24與源極22和漏極23之間形成了歐姆接觸層25'。
隨後，如圖2D中所示，在其上形成有源極22和漏極23的陣列基板10 的整個表面上沉積第二絕緣膜15b，並且通過光刻工序(第四掩模工序)去除 一部分第二絕緣膜15b，從而形成暴露一部分漏極23的接觸孔40。
如圖2E中所示，在陣列基板10的整個表面上沉積透明導電金屬材料並通 過使用光刻工序(第五掩模工序)選擇性地構圖，從而形成通過接觸孔40與 漏極23電連接的由透明導電金屬材料形成的像素電極18。
如上所述，在依照現有技術製造包含TFT的陣列基板中，必須進行總共 五輪光刻工序來對柵極、有源圖案、源極和漏極、接觸孔和像素電極進行構圖。
光刻工序是將形成在掩模上的圖案轉移到其上沉積有薄膜的基板上以形 成理想圖案的工序，其包括多個工序，如塗敷光敏溶液的工序、曝光工序和顯 影工序等，最終導致生產率下降。
尤其是，因為設計用於形成圖案的掩模十分昂貴，所以隨著工序中使用的
掩模數增加，LCD的製造成本成比例地增加。

發明內容
因此本發明的實施方式涉及一種基本上克服了由於現有技術的限制和缺
點而導致的一個或多個問題的液晶顯示器(LCD)及其製造方法。
本發明的實施方式的一個目的是提供一種通過將有源圖案形成為島狀並 使用蝕刻阻擋結構來減小截止電流並提高器件可靠性的液晶顯示器(LCD)及 其製造方法。
本發明的實施方式的另一個目的是提供一種通過進行四次掩模工序來制 造陣列基板的LCD及其製造方法，其中通過單個掩模工序形成有源圖案和柵 極，並且不需要額外進行掩模工序形成蝕刻阻擋結構。
本發明實施方式的其他特徵和優點一部分在隨後的說明書中列出，一部分 通過下面的內容將變得顯而易見或者從本發明實施方式的實踐而理解到。通過 在所寫說明書和權利要求以及附圖中特別指出的結構可實現和獲得本發明實 施方式的目的和其他優點。
為了實現這些和其它的優點並根據本發明實施方式的目的，如這裡具體化 和廣泛描述的，液晶顯示器(LCD)包括劃分為像素部及第一和第二焊盤部 的第一基板；形成在第一基板的像素部的柵極和柵線；以島狀形成在柵極上並 具有比柵極小的寬度的有源圖案；絕緣膜，其形成在第一基板上並具有分別暴 露有源圖案的源極和漏極區域的第一和第二接觸孔；源極和漏極，其形成在第 一基板的像素部處並通過第一和第二接觸孔與有源圖案的源極和漏極區域電 連接；數據線，其形成在第一基板的像素部處並與柵線交叉，從而確定像素區 域；蝕刻阻擋結構，其位於源極和漏極之間並形成為絕緣膜；與漏極電連接的 像素電極；以及以面對方式與第一基板粘接的第二基板。
為了實現這些和其它的優點並根據本發明實施方式的目的，如這裡具體化 和廣泛描述的，製造液晶顯示器的方法包括提供劃分為像素部及第一和第二 焊盤部的第一基板；在第一基板的像素部處形成柵極和柵線並在柵極上形成島 狀的有源圖案；在第一基板上形成絕緣膜；去除一部分絕緣膜，從而形成暴露 有源圖案的源極和漏極區域的第一和第二接觸孔，並在源極和漏極區域之間的 有源圖案上形成由第一絕緣膜形成的蝕刻阻擋結構；形成通過第一和第二接觸
孔與有源圖案的源極和漏極區域電連接的源極和漏極，並形成與柵線交叉的數
據線，從而確定像素區域；形成與漏極電連接的像素電極；和粘接第一和第二 基板。
應當理解，前面的一般描述和隨後的詳細描述是示範性的和說明性的，意 在提供如權利要求所述的實施方式的進一步解釋。


提供本發明進一步的理解並結合組成該申請一部分的附解了本發明 的實施方式，並與說明書一起用於解釋本發明的原理。 在附圖中
圖l所示為一般液晶顯示器(LCD)的分解透視圖； 圖2A到2E是連續顯示圖1中的LCD的陣列基板製造工序的橫截面圖； 圖3所示為依照本發明第一實施方式的LCD的一部分陣列基板的平面圖； 圖4A到4D是沿圖3中的陣列基板的線IIIa-IIIa，， IIIb-IIIb，和IIIc-IIIc，連 續顯示製造工序的橫截面圖5A到5D是連續顯示圖3中的陣列基板製造工序的平面圖； 圖6A到6F是顯示圖4A和5A中的第一掩模工序的橫截面圖。
具體實施例方式
現在將參照附圖詳細描述液晶顯示器(LCD)及其製造方法。
圖3所示為依照本發明第一實施方式的LCD的一部分陣列基板的平面圖， 其中為了解釋方便，示出了包含柵極焊盤部和數據焊盤部的單個像素。
實際上，彼此交叉形成有N條柵線和M條數據線，從而確定了 MxN個 像素。為了簡化解釋，只顯示了單個像素。
如圖3中所示，柵線116和數據線117形成為垂直和水平地設置，從而在 陣列基板110上確定了像素區域。在柵線116和數據線117的交點處形成有薄 膜電晶體(TFT)，即開關元件。在像素區域內形成有像素電極118，其與TFT 連接，從而與濾色片基板(沒有示出)的公共電極一起驅動液晶分子(沒有示 出)。
柵極焊盤電極126p和數據焊盤電極127p形成在陣列基板110的邊緣部並與柵線116和數據線117電連接，並將從外部驅動電路單元(沒有示出)施加
的掃描信號和數據信號分別傳送到柵線116和數據線117。
就是說，柵線U6和數據線in延伸到驅動電路單元，從而與相應柵極焊
盤線116p和數據焊盤線117p連接，柵極焊盤線116p和數據焊盤線117p通過 與柵極焊盤線116p和數據焊盤線117p電連接的柵極焊盤電極126p和數據焊 盤電極127p從驅動電路單元接收掃描信號和數據信號。
TFT包括與柵線U6連接的柵極121、與數據線117連接的源極122、和 與像素電極118連接的漏極123。 TFT還包括通過供給到柵極121的柵極電壓 而在源極122和漏極123之間形成導電溝道的有源圖案124。
源極122和漏極123的上部由不透明導電材料形成。此外，以與源極122 和漏極123相同的形式，分別對由透明導電材料形成的源極圖案(沒有示出) 和漏極圖案(沒有示出)進行構圖。
一部分源極122在一個方向上延伸，從而形成一部分數據線117，並且一
部分漏極圖案延伸到像素區域，從而形成像素電極118。
在本發明的實施方式中，有源圖案124由非晶矽薄膜形成並在由柵極121 周邊所確定的邊界內在柵極121上形成為島狀，從而減小了 TFT的截止電流。 通過使用衍射(狹縫)掩模或半色調掩模(之後，假定當涉及半色調掩模時， 其也包括衍射掩模)的單個掩模工序形成有源圖案124和柵極121，因而節省 了一次製造陣列基板110的掩模工序。
此外，在其中暴露背溝道的源極122和漏極123之間形成有由絕緣膜形 成的蝕刻阻擋結構150，從而阻止有源圖案124的背溝道的汙染。
一部分在前的柵線116'與一部分像素電極118重疊，在其間夾有第二絕緣 膜(沒有示出)，從而形成存儲電容Cst。存儲電容Cst用於均勻地保持施加 給液晶電容的電壓，直到接收下一個信號為止。就是說，陣列基板110的像素 電極118與濾色片基板的公共電極一起形成液晶電容。然而，有時候施加給液 晶電容器的電壓沒有保持到接收下一個信號，而是洩漏了。因此，為了保持施 加的電壓，存儲電容Cst應與液晶電容相連。
除了保持信號之外，存儲電容還具有穩定灰度再現、減小閃爍影響、和減 小殘餘圖像形成等效果。
在依照本發明實施方式的LCD中，柵極121和有源圖案124通過使用狹
縫掩模的單個掩模工序同時形成，並且不用進行任何額外的掩模工序而形成用 於保護背溝道的蝕刻阻擋結構150。因而，通過進行總共四次的掩模工序製造 陣列基板IIO。現在將詳細描述。
圖4A到4D是連續顯示圖3中的陣列基板製造工序的橫截面圖。左側顯 示了製造像素部的陣列基板的工序，右側顯示了製造數據線部、數據焊盤部和 柵極焊盤部的陣列基板的連續工序。
圖5A到5D是連續顯示圖3中的陣列基板製造工序的平面圖。
如圖4A和5A中所示，在由透明絕緣材料，如玻璃形成的陣列基板110 的像素部上形成柵極121和柵線116和116，，在陣列基板110的柵極焊盤部上 形成柵極焊盤線116p。
附圖標記116'表示相對於相應像素來說在前的柵線，相應像素的柵線116 和在前的柵線116'以相同的方式形成。
在本發明的實施方式中，有源圖案124在柵極121的上部形成為島狀，在 它們之間夾有第一絕緣膜115a。通過在陣列基板110的整個表面上沉積第一 導電膜、第一絕緣膜和非晶矽薄膜並隨後通過光刻工序(第一掩模工序)對其 構圖而形成柵極121、柵線116和116'、柵極焊盤線116p和有源圖案124。
這樣，在本發明的實施方式中，通過使用狹縫掩模同時形成柵極121、柵 線116和116，、柵極焊盤線116p和有源圖案124。現在將參照附圖詳細描述 第一掩模工序。
圖6A到6F是詳細顯示圖4A和5A中的第一掩模工序的橫截面圖。
如圖6A中所示，在由透明絕緣材料，如玻璃形成的陣列基板110的整個 表面上連續沉積第一導電膜130、第一絕緣膜115和非晶矽薄膜120。
這裡，第一導電膜130可由低電阻的不透明導電材料，如鋁(Al)、鋁合 金、鴇(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉬(Mo)等形成。此外，第一導電膜 130可通過層疊兩個或多個低電阻導電材料以多層結構形成。
之後，如圖6B中所示，在陣列基板110的整個表面上形成由光敏材料， 如光刻膠形成的感光膜170，其中光通過狹縫掩模180選擇性地照射到該感光 膜170上。
狹縫掩模180包括講照射的光全部透過的第一透射區域(I)、僅使光一 部分透過而阻擋其餘光的第二透射區域(II)、和全部阻擋照射的光的阻擋區 域(III)。只有透過半色調掩模180的光才能照射到感光膜170上。
隨後，當對通過狹縫掩模180曝光的感光膜170進行顯影時，如圖6C中 所示，第一和第二感光膜圖案170a到170d保留在通過阻擋區域(III)和狹縫 區域(II)全部阻擋或部分阻擋光的區域處，光全部透過的透射區域(I)處的 感光膜完全被去除，從而暴露出非晶矽薄膜120的表面。
此時，形成在阻擋區域III處的第一感光膜圖案170a比通過狹縫區域II 形成的第二到第四感光膜圖案170b到170d厚。此外，光全部透過第一透射區 域I的區域處的感光膜完全被去除。這是因為使用了正型光刻膠，但並不限於 此，在本發明中還可使用負型光刻膠。
之後，如圖6D中所示，通過使用感光膜圖案170a到170d作為掩模選擇 性地去除下面的第一導電膜、第一絕緣膜和非晶矽膜，從而在陣列基板110 的像素部處形成由第一導電膜形成的柵極和柵線116和116'，在陣列基板110 的柵極焊盤部處形成由第一導電膜形成的柵極焊盤線U6p。
然後，由非晶矽薄膜形成並以與柵極121、柵線116和116'以及柵極焊盤 線116p相同的形式進行構圖的像素部非晶矽薄膜圖案120，、柵線部非晶矽薄 膜圖案120"和焊盤部非晶矽薄膜圖案120'"保留在柵極121、柵線116和116'、 和柵極焊盤線116p的上部。
由第一絕緣膜形成並以與柵極121、柵線116和116'以及柵極焊盤線116p 相同的形式進行構圖的像素部第一絕緣膜圖案115'、柵線部第一絕緣膜圖案 115"和焊盤部第一絕緣膜圖案U5"'夾在柵線121、柵線116和116'和柵極焊 盤線116p與像素部非晶矽薄膜圖案120，、柵線部非晶矽薄膜圖案120"和焊 盤部非晶矽薄膜圖案120"'之間。
之後，進行灰化工序，從而去除一部分第一感光膜圖案170a到170d。然 後，如圖6E中所示，應用狹縫曝光的狹縫區域II的第二到第四感光膜圖案被 完全去除，從而暴露出像素部非晶矽薄膜圖案120，、柵線部非晶矽薄膜圖案 120"和焊盤部非晶矽薄膜圖案120'"的部分表面。
在該情形中，通過僅在對應於阻擋區域III的特定區域處去除第二到第四 感光膜圖案的厚度，第一感光膜圖案保留為第五感光膜圖案170a'。
之後，如圖6F中所示，通過使用保留的第五感光膜圖案170a'作為掩模去 除一部分像素部第一絕緣膜圖案和像素部非晶矽薄膜圖案，從而形成由非晶矽薄膜形成的柵絕緣膜115a和有源圖案124。此時保留的柵線部非晶矽薄膜圖
案、焊盤部非晶矽薄膜圖案、柵線部第一絕緣膜圖案和焊盤部第一絕緣膜圖案
被去除，從而暴露出柵線116和116'和柵極焊盤線116p的表面。
這樣，在本發明的實施方式中，可通過使用狹縫掩模的單個掩模工序形成 柵極121、柵線116和116，、柵極焊盤線116p和有源圖案124。因而，可減小 用於製造TFT的掩模數，因而可減小製造工序和成本並提高生產率。
此外，因為有源圖案124在柵極121上且由柵極周邊所確定的邊界內形成 為島狀，所以可減小TFT的截止電流。
接下來，如圖4B和5B中所示，在其上形成有柵極121、柵線116和116'、 柵極焊盤線116p和有源圖案124的陣列基板110的整個表面上沉積第二絕緣 膜U5b，通過光刻(第二掩模工序)去除一部分第二絕緣膜U5b，從而形成 暴露出有源圖案124特定區域(例如源極和漏極區域)的第一接觸孔140a和 第二接觸孔140b以及暴露出一部分柵極焊盤線116p的焊盤孔140。
此時，位於有源圖案124背溝道區域處的第二絕緣膜保留下來形成蝕刻阻 擋結構150。
在依照本發明實施方式的LCD中，因為形成蝕刻阻擋結構150來防止暴 露有源圖案124的背溝道以保護背溝道，所以有源圖案124的厚度相對較薄， 可防止有源圖案124背溝道的汙染。因而，柵絕緣膜115a可形成較薄，從而 可充分降低TFT的驅動電壓和閾值電壓。
參照圖4C和5C，在陣列基板110的整個表面上形成n+非晶矽薄膜和第 二導電膜之後，通過使用光刻工序(第三掩模工序)選擇性地構圖，從而形成 通過第一接觸孔與源極區域電連接的源極和通過第二接觸孔與漏極區域電連 接的漏極123。
此時，在有源圖案124上形成歐姆接觸層125，其由n+非晶矽薄膜形成並 以與源極122和漏極123相同的形式進行構圖，從而使下面的有源圖案124 的源極漏極區域和源極122和漏極123進行歐姆接觸。
通過第三掩模工序在數據焊盤部的陣列基板110上形成由第二導電膜形 成的數據焊盤線117p，並且由n+非晶矽薄膜形成並以與數據焊盤線117p相同 形式被構圖的焊盤部n+非晶矽薄膜圖案125p保留在數據悍盤線117p的下部。
在該情形中，像素部的一部分源極122在一方向上延伸，從而組成數據線
117的一部分，形成在n+非晶矽薄膜上的數據線部n+非晶矽薄膜圖案125'以 與數據線117相同的形式被構圖並保留在數據線117的下部。
這裡，在本發明的實施方式中，數據線在其下部不具有由非晶矽薄膜形成 的有源圖案的尾部，從而不存在由於有源圖案的尾部所導致的幹擾數據線117 的信號。例如，在通過使用狹縫掩模的單掩模工序形成有源圖案、源極和漏極 以及數據線的工序中，有源圖案的尾部形成在數據線的下部。因為具有比數據 線大的寬度，所以尾部對數據線造成信號幹擾並降低了開口率。
為了形成源極122和漏極123、數據線U7和數據焊盤線117p，第二導電 膜由低電阻不透明導電材料，如鋁(Al)、鋁合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉻 (Cr)、鉬(Mo)等形成。
隨後，如圖4D和5D中所示，在陣列基板110的整個表面上形成第三導 電膜，並通過光刻工序(第四掩模工序)選擇性地構圖，從而形成與漏極123 電連接的像素電極118並同時形成與柵極焊盤線116p和數據焊盤線117p連接 並暴露它們的柵極焊盤電極126p和數據焊盤電極127p。
此時，在源極122和漏極123上形成由第三導電膜形成並以與源極122 和漏極123相同形式被構圖的源極圖案122'和漏極圖案123'，並且一部分漏 極圖案123，延伸到像素區域，從而形成像素電極118。
像素電極118和數據焊盤電極127p直接與下面的漏極123和數據焊盤線 117p電連接，柵極焊盤電極126p通過焊盤孔與下面的柵極焊盤線116p電連 接。
此外， 一部分相應的像素電極118與一部分在前的柵線116'重疊，從而與 在前的柵線116，一起形成存儲電容Cst，在它們之間夾有第二絕緣膜115b。
為了形成像素電極118、柵極焊盤電極126p和數據焊盤電極127p，第三 導電膜可由具有良好透光率的透明導電材料，如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅 (IZO)形成。
通過施加到圖像顯示部外邊緣的密封劑以面對的方式粘接依照本發明實 施方式的陣列基板與濾色片基板。在該情形中，濾色片基板包括用於阻止光洩 漏到TFT的黑矩陣、柵線和數據線以及用於實現紅色、綠色和藍色的彩色濾 色片。
通過形成在濾色片基板或陣列基板上的連接鍵實現濾色片基板和陣列基
板的粘接。
在本發明的實施方式中，作為有源圖案，作為一個例子使用了利用非晶矽 薄膜的非晶矽TFT，但本發明不限於此，作為有源圖案，還可使用利用多晶矽
薄膜的多晶矽TFT。
本發明還可適用於使用TFT製造的不同的顯示器件，例如OLED (有機 發光二極體)顯示器件，其中OLED與驅動電晶體連接。
儘管以沒有脫離本發明精神或實際特性的幾個形式實施了本發明，但還應 理解，上述的實施方式不限於前面描述的任何細節，除非另有說明，而是應當 在所附權利要求中定義的其精神和範圍內廣泛地進行解釋，因此通過所附權利 要求涵蓋落入權利要求邊界和範圍，或者這種邊界或範圍的等價物內的所有變 化和修改。
權利要求
1.一種製造液晶顯示器的方法，包括提供劃分為像素部及第一焊盤部和第二焊盤部的第一基板；在第一基板的像素部處形成柵極和柵線並在柵極上形成島狀的有源圖案；在第一基板上形成絕緣膜；去除一部分絕緣膜，從而形成暴露有源圖案的源極區域和漏極區域的第一接觸孔和第二接觸孔，並在源極區域和漏極區域之間的有源圖案上形成由第一絕緣膜形成的蝕刻阻擋結構；形成通過第一接觸孔和第二接觸孔與有源圖案的源極區域和漏極區域電連接的源極和漏極，並形成與柵線交叉的數據線，以限定像素區域；形成與漏極電連接的像素電極；以及粘接第一基板和第二基板。
2. 根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括 通過使用用於形成柵極的第一導電膜在第一基板的第一焊盤部上形成柵極焊盤線。
3. 根據權利要求2所述的方法，其特徵在於，進一步包括-通過使用用於形成源極和漏極的第二導電膜在第一基板的第二焊盤部上形成數據焊盤線。
4. 根據權利要求3所述的方法，其特徵在於，進一步包括 通過使用用於形成像素電極的第三導電膜，在第一基板的第一焊盤部上形成與柵極焊盤線電連接的柵極焊盤電極，以及在第一基板的第二焊盤部上形成 與數據焊盤線電連接的數據焊盤電極。
5. 根據權利要求4所述的方法，其特徵在於，進一步包括 通過使用第三導電膜在源極和漏極的上部處形成以與源極和漏極相同形式進行構圖的源極圖案和漏極圖案。
6. 根據權利要求5所述的方法，其特徵在於，漏極圖案的一部分延伸到 像素區域，以形成像素電極。
7. 根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，蝕刻阻擋結構位於源極和 漏極之間。
8. 根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，柵極、柵線和有源圖案通 過使用衍射(狹縫)掩模或半色調掩模的單個掩模工序形成。
9. 根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括 形成歐姆接觸層，其位於源極和漏極的下部並以與源極和漏極相同的形式進行構圖，從而使源極區域和漏極區域與源極和漏極彼此歐姆接觸。
10. 根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，進一步包括 在柵極與有源圖案之間形成由絕緣材料形成並以與有源圖案相同的形式進行構圖的柵絕緣膜。
11. 一種液晶顯示(LCD)器件，包括 劃分為像素部及第一焊盤部和第二焊盤部的第一基板； 形成在第一基板的像素部處的柵極和柵線； 以島狀形成在柵極上並具有比柵極小的寬度的有源圖案； 絕緣膜，其形成在第一基板上並具有分別暴露有源圖案的源極區域和漏極區域的第一接觸孔和第二接觸孔；源極和漏極，其形成在第一基板的像素部處並通過第一接觸孔和第二接觸 孔與有源圖案的源極區域和漏極區域電連接；數據線，其形成在第一基板的像素部處並與柵線交叉，以限定像素區域；蝕刻阻擋結構，其位於源極和漏極之間並形成為絕緣膜；與漏極電連接的像素電極；和以面對方式與第一基板粘接的第二基板。
12. 根據權利要求ll所述的器件，其特徵在於，進一步包括 柵極焊盤線，其由形成柵極的第一導電膜形成，並形成在第一基板的第一焊盤部上。
13. 根據權利要求12所述的器件，其特徵在於，進一步包括 數據焊盤線，其由形成源極和漏極的第二導電膜形成，並形成在第一基板的第二焊盤部上。
14. 根據權利要求13所述的器件，其特徵在於，進一步包括 通過使用用於形成像素電極的第三導電膜形成的與第一基板的第一焊盤部上的柵極焊盤線電連接的柵極焊盤電極和與第一基板的第二焊盤部上的數 據焊盤線電連接的數據焊盤電極。
15. 根據權利要求14所述的器件，其特徵在於，進一步包括 通過使用第三導電膜形成在源極和漏極上部的源極圖案和漏極圖案，其以與源極和漏極相同的形式進行構圖。
16. 根據權利要求15所述的器件，其特徵在於，漏極圖案的一部分延伸 到像素區域，以形成像素電極。
17. 根據權利要求ll所述的器件，其特徵在於，進一步包括-歐姆接觸層，其位於源極和漏極的下部並以與源極和漏極相同的形式進行 構圖，從而使源極區域和漏極區域與源極和漏極彼此歐姆接觸。
18. 根據權利要求17所述的器件，其特徵在於，歐姆接觸層與有源圖案 的一部分源極區域和漏極區域、源極和漏極以及絕緣膜接觸。
19. 根據權利要求11所述的器件，其特徵在於， 一部分像素電極與一部 分柵線重疊，並且在它們之間夾置絕緣膜，從而形成存儲電容。
20. 根據權利要求11所述的器件，其特徵在於，柵絕緣膜位於柵極的上 部並以與有源圖案相同的形式進行構圖。
21. 根據權利要求ll所述的器件，其特徵在於，進一步包括 n+非晶矽薄膜圖案，其形成在數據線的下部並以與數據線相同的形式進行構圖。
22. 根據權利要求ll所述的器件，其特徵在於，進一步包括 柵絕緣膜，其由柵極與有源圖案之間的絕緣材料形成並以與有源圖案相同的形式進行構圖。
全文摘要
本發明公開了一種液晶顯示(LCD)器件，包括劃分為像素部及第一和第二焊盤部的第一基板；形成在第一基板像素部的柵極和柵線；以島狀形成在柵極上並具有比柵極小的寬度的有源圖案；絕緣膜，其形成在第一基板上並具有分別暴露有源圖案的源極區域和漏極區域的第一和第二接觸孔；源極和漏極，其形成在第一基板的像素部處並通過第一和第二接觸孔與有源圖案的源極區域和漏極區域電連接；數據線，其形成在第一基板的像素部處並與柵極線交叉，從而限定像素區域；蝕刻阻擋結構，其位於源極和漏極之間並形成為絕緣膜；與漏極電連接的像素電極；和以面對方式與第一基板粘接的第二基板。
文檔編號H01L21/84GK101207092SQ200710198799
公開日2008年6月25日 申請日期2007年12月19日 優先權日2006年12月19日
發明者李昌斌, 金東瑛 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社