電暈式電荷測量裝置製造方法

2023-11-05 06:38:57 2

電暈式電荷測量裝置製造方法
【專利摘要】本發明給出了一種電暈式電荷測量裝置，包括高壓直流電源、可移動平板、電暈放電尖端簇、旋葉式靜電電位計、接地底盤，其中，被測樣品放置於所述接地底盤上，所述可移動平板的上表面為接地金屬層，中間為絕緣材料，下表面安裝有電暈放電尖端簇，所述電暈放電尖端簇連接有高壓直流電源，所述旋葉式靜電電位計放置於所述被測樣品的正上方。本發明的電暈式電荷測量裝置，通過電暈放電尖端簇向被測樣品放電，使被測樣品起點，然後對被測樣品電荷洩露過程進行測量，記錄電荷衰減過程，從而能夠對研究被測樣品的靜電性能提供準確數據。
【專利說明】電暈式電荷測量裝置

【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及電荷測量領域，尤其涉及一種電暈式電荷測量裝置。

【背景技術】
[0002]物體的靜電起電過程，實際上就是電荷產生和消散的動態平衡過程。材料絕緣程度越高，靜電電荷衰減時間就越長，洩漏電荷能力越弱，帶電能力就越強，因而引發靜電災害的可能性就越大，所以靜電電荷衰減時間和靜電電荷衰減半衰期是衡量材料防靜電性能的重要參數。有鑑於此，本發明提出一種電暈式電荷測量裝置，通過電暈放電尖端簇向被測樣品放電，使被測樣品起點，然後對被測樣品電荷洩露過程進行測量，記錄電荷衰減過程，從而能夠對研究被測樣品的靜電性能提供準確數據。


【發明內容】

[0003]有鑑於此，本發明提供了一種電暈式電荷測量裝置，包括高壓直流電源、可移動平板、電暈放電尖端簇、旋葉式靜電電位計、接地底盤，其中，被測樣品放置於所述接地底盤上，所述可移動平板的上表面為接地金屬層，中間為絕緣材料，下表面安裝有電暈放電尖端簇，所述電暈放電尖端簇連接有高壓直流電源，所述旋葉式靜電電位計放置於所述被測樣品的正上方。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0004]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員而言，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0005]圖1為本發明一實施例提供的電暈式電荷測量裝置的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0006]為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。
[0007]圖1為本發明一實施例提供的電暈式電荷測量裝置的結構示意圖，如圖1所示，本實施例的電暈式電荷測量裝置，包括高壓直流電源1、可移動平板2、電暈放電尖端簇3、旋葉式靜電電位計4、接地底盤5，其中，被測樣品6放置於所述接地底盤上5，所述可移動平板2的上表面為接地金屬層，中間為絕緣材料，下表面安裝有電暈放電尖端簇3，所述電暈放電尖端簇3連接有高壓直流電源1，所述旋葉式靜電電位計4放置於所述被測樣品6的正上方。
[0008]本實施例的裝置令被測材料固定不動，噴電裝置(可移動平板和電暈放電尖端簇)運動。可移動平板的上表面為接地金屬層，當放電時用於屏蔽靜電電位計的輸入端，中間為絕緣材料，下表面安裝電暈放電尖端簇。測試時，先由電暈放電尖端簇給被測樣品放電，經過大約20ms的放電時間之後，迅速移除平板，旋葉式靜電電位計快速響應，實時測量被測樣品表面電位值，從而能夠計算出靜電衰減時間。本實施例裝置可以直接用於測量被測樣品的電荷衰減時間常數或從某一電位值衰減到另一電位值的時間，並可以利用數字存儲示波器記錄試樣表面靜電電位的衰減波形。
[0009]最後應說明的是:以上實施例僅用以說明本發明的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述實施例對本發明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特徵進行等同替換，而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本發明各實施例技術方案的精神和範圍。
【權利要求】
1.一種電暈式電荷測量裝置，其特徵在於，所述裝置包括高壓直流電源、可移動平板、電暈放電尖端簇、旋葉式靜電電位計、接地底盤，其中，被測樣品放置於所述接地底盤上，所述可移動平板的上表面為接地金屬層，中間為絕緣材料，下表面安裝有電暈放電尖端簇，所述電暈放電尖端簇連接有高壓直流電源，所述旋葉式靜電電位計放置於所述被測樣品的正上方。
【文檔編號】G01R31/00GK104133134SQ201410348415
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2014年7月16日 優先權日:2014年7月16日
【發明者】卓朝旦 申請人:奉化市宇創產品設計有限公司