改進型三極體引線框架的製作方法

2023-12-06 04:58:11 4

專利名稱：改進型三極體引線框架的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體分立器件，特別是一種用於製作半導體元件的改進型三極體引線框架。
背景技術：
現有技術中TO-251引線框架的結構如圖4所示，引線框架的散熱部、晶片部、中間管腳及側管腳為一連續的整體結構，構成引線框架的各組成部分的形狀簡單、表面光滑。又因引線框架與塑封料所用材料特性的不同和熱膨脹係數的差異，引線框架與晶片和塑封料間的結合力很差，使其密封強度大大降低，直接影響了半導體元件的性能、質量和使用壽命。

發明內容
本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種改進型三極體引線框架，既可增強引線框架與塑封料、晶片間的結合力和密封強度，又可延長其的使用壽命。
本實用新型解決上述問題所採用的技術方案為改進型三極體引線框架由散熱部、晶片部、中間管腳、側管腳連接在一起構成，所述散熱部和晶片部間的連接處頸部開有通孔，所述晶片部兩邊緣階梯面上開有缺口，晶片部上與晶片相對應位置上有由橫向、縱向的凹槽構成的網格。
與現有技術相比，本實用新型的優點在於，現有的引線框架形狀簡單、表面光滑、線條單一，因此和塑封料結合力很差、密封強度低，現在引線框架封裝晶片處的晶片部周邊配合處，增加有腰形通孔，邊緣上再增加半圓形缺口，便於塑封料的填充和鑲嵌，這樣就增強了引線框架和塑封件的結合力和密封性，另外又在晶片部上增加網格，增加了引線框架與晶片的結合強度，有效地防止分層現象的出現。因此改進型三極體引線框架使整個半導體元件的抗機械衝擊、耐熱疲勞強度提高，從而延長了使用壽命。


圖1、本實用新型的結構示意圖。
圖2、圖1的B-B剖面放大圖。
圖3、圖1的A-A剖面放大圖。
圖4、現有技術結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的實施例作進一步描述。
引線框架由散熱部3、晶片部7和中間管腳8連為一體的主體，在後續封裝工藝中再與兩側管腳9連為一體組成。
在散熱部3、晶片部7連接處的頸部中間開的通孔為一沉孔4並為腰形，裝片面的孔小、背面的孔大，如圖1、圖2所示。
在晶片部7兩邊緣的階梯面1上各開有兩半圓形的缺口2，如圖1所示。
在晶片部7裝片面上還加工有由橫、縱向、不連續的V形凹槽5均布構成的網格6，該網格6位置和大小與晶片相匹配，V形凹槽5深h在0.10～0.50毫米，V形凹槽5夾角θ在60～80度間，如圖1、圖3所示。
塑封料在此引線框架上封裝晶片時，充滿晶片部7上的沉孔4內 和階梯面上的缺口2內，由於這些填充和鑲嵌使得塑封料和引線框架的結合更加牢固、密封更為良好。晶片結合料填充進晶片部7上的網格6內，增強了引線框架與晶片之間的結合力。
權利要求1.一種改進型三極體引線框架，由散熱部(3)、晶片部(7)、中間管腳(8)、側管腳(9)連接在一起構成，其特徵在於所述散熱部(3)和晶片部(7)間的連接處頸部開有通孔，所述晶片部(7)兩邊緣階梯面(1)上還開有缺口(2)，晶片部(7)上與晶片相對應位置上有由橫向、縱向的凹槽(5)構成的網格(6)。
2.根據權利要求1所述的改進型三極體引線框架，其特徵在於散熱部(3)、晶片部(7)間的連接處頸部開有的通孔為腰形沉孔(4)，裝片面的孔小、背面的孔大。
3.根據權利要求1所述的改進型三極體引線框架，其特徵在於晶片部(7)兩邊緣的階梯面(1)上各開有兩半圓形的缺口(2)。
4.根據權利要求1所述的改進型三極體引線框架，其特徵在於晶片部(7)裝片面處還有由橫、縱向、不連續的V形凹槽(5)均布構成的網格(6)，V形凹槽(5)深h在0.10～0.50毫米，V形凹槽(5)夾角θ在60～80度間。
專利摘要一種改進型三極體引線框架，由散熱部、晶片部、中間管腳、側管腳連接成一體構成，所述散熱部和晶片部間的連接處頸部開有通孔，所述晶片部兩邊緣階梯面上還開有缺口，晶片部上與晶片相對應位置上有由橫向、縱向的凹槽構成的網格。現在引線框架封裝晶片處的晶片部周邊配合處增加腰形通孔，邊緣上增加半圓形缺口，便於塑封料的填充和鑲嵌，即增強了引線框架和塑封件的結合力和密封性。另在晶片部裝片面上增加網格，增加了引線框架與晶片的結合強度，有效地防止分層現象的出現，使整個半導體元件的抗機械衝擊、耐熱疲勞強度提高，從而延長了使用壽命。
文檔編號H01L23/48GK2929961SQ20062010276
公開日2007年8月1日 申請日期2006年4月15日 優先權日2006年4月15日
發明者曹光偉, 張春光, 曹林坤 申請人:寧波康強電子股份有限公司