一種帶有測試電路的新型mosfmt模塊的製作方法
2023-04-30 17:56:11
專利名稱：一種帶有測試電路的新型mosfmt模塊的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種帶有測試電路的新型MOSFMT模塊。
背景技術：
在直流無刷多相電機的驅動和控制器設計中，新型MOSFMT模塊多使用TO. 220封裝的MOSFMT管並聯並排連接方式安裝在PCB線路板上。MOSFMT管分為上、下橋臂管，電源線和電機線之間並聯的MOSFMT稱做上橋臂管，電源地線和電機線之間並聯的MOSFMT稱做下橋臂管，上下橋臂管串成一線焊接在陶瓷PCB上，MOSFMT管的散熱片成一平面壓緊貼在散熱器上。並聯的上橋臂管的源極連接並聯的下橋臂管的漏極；由於上、下橋臂管一般各由多封裝的MOSFMT管並聯而成，現有技術中一般來說，MOSFMT管安裝在陶瓷PCB板一側，把 MOSFMT管的散熱片貼在陶瓷PCB板側面的鋁散熱器上，用螺釘固定，加工和更換都比較麻煩；MOSFMT管並聯密植連接方式時，存在安裝壓緊固定、有效散熱和抗電磁幹擾的問題。
發明內容本實用新型為了解決直插型的MOSFMT器件並聯密植連接方式時，存在的上述問題，在經過對現有方式和應用做過詳細分析，對現有技術中MOSFMT管的安裝連接方式做出重大改進，具體技術方案如下一種帶有測試電路的新型MOSFMT模塊，包括PCB線路板，設置在PCB線路板上的MOSFET的測試電路，PCB線路板上設置有直插型的MOSFMT管、電容組和其它電器元件； MOSFMT管分為上、下橋臂管，採用串聯密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是採用相同的材料一體成型；所述散熱器內開有冷卻水道，該冷卻水道經循環水路與循環泵相通；所述循環泵的轉軸伸出循環泵，轉軸上安裝有風扇，該風扇正對所述散熱器的散熱面；MOSFET的測試電路包括穩壓單元，進行採樣電壓並比較電壓大小的採樣比較單元，隔離單元，在測試MOSFET時，給MOSFET提供反偏高壓，並且在不測試MOSFET時，用來保護MOSFET的保護單元；所述穩壓單元的輸出端與採樣比較單元的第一輸入端連接，採樣比較單元的第二輸入端與MOSFET的門極和源極連接，採樣單元的輸出端與隔離單元的輸入端連接；隔離單元的輸出端與保護單元的輸入端連接；保護單元的輸出端連接MOSFET的漏極。所述的新型MOSFMT模塊，其中，特徵是所述散熱器是「M"型散熱器，MOSFMT管設在「M」型散熱器相鄰的柵之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述固定裝置是「N」型卡簧。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述上橋臂管包括1 8個MOSFMT管；下橋臂管包括2—4個MOSFMT管。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述散熱片與散熱器採用相同的材料是陶瓷或鋁基。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述MOSFMT管是N溝道型；所述其它電器元件包括控制信號輸入端子、電源線端子、電機線端子、電源地線端子和驅動控制IC ；輸入端子連接驅動控制IC ；驅動控制IC的上橋臂管柵極控制輸出連接上橋臂管柵極，驅動控制IC的下橋臂管柵極控制輸出連接下橋臂管柵極；電源線端子連接上橋臂管的漏極；電源地線端子連接下橋臂管源極；電機線端子連接上橋臂管的源極和下橋臂管漏極；電容組為多個電容並聯而成，並聯連接在上橋臂管的漏極和下橋臂管源極之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述電容是電解電容。與現有技術相比，本實用新型結構通過鋁型材散熱器使MOSFMT管設在陶瓷PCB上達到密植並聯方式，並用固定裝置使MOSFM管密貼在型材上，加工簡單，而且有效解決安裝壓緊固定和散熱的問題。採用2個 「M』』型散熱器時，在上、下橋臂管所在的兩個「M」型散熱器之問還留出電容的安裝位置，使陶瓷PCB上印製線的走線距離短，高、低電壓分離；解決了電磁幹擾問題。利用MOSFET的門極和源極短接形成PN結的反向漏電流來產生一小的電流，這樣解決了現有技術中因三極體不同而得到的電流不精確的問題。
圖1是本實用新型實施例的正視圖；圖2是本實用新型實施例的側視圖；圖3是本實用新型實施例的立體圖。
具體實施方式
以下結合附圖和實例對本實用新型進一步說明。如圖1、圖2、圖3所示，一種帶有測試電路的新型MOSFMT模塊，包括PCB線路板，設置在PCB線路板上的MOSFET的測試電路，PCB線路板上設置有直插型的MOSFMT管、電容組和其它電器元件； MOSFMT管分為上、下橋臂管，採用串聯密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是採用相同的材料一體成型；所述散熱器內開有冷卻水道，該冷卻水道經循環水路與循環泵相通；所述循環泵的轉軸伸出循環泵，轉軸上安裝有風扇，該風扇正對所述散熱器的散熱面；MOSFET的測試電路包括穩壓單元，進行採樣電壓並比較電壓大小的採樣比較單元，隔離單元，在測試MOSFET時，給MOSFET提供反偏高壓，並且在不測試MOSFET時，用來保護MOSFET的保護單元；所述穩壓單元的輸出端與採樣比較單元的第一輸入端連接，採樣比較單元的第二輸入端與MOSFET的門極和源極連接，採樣單元的輸出端與隔離單元的輸入端連接；隔離單元的輸出端與保護單元的輸入端連接；保護單元的輸出端連接MOSFET的漏極。一種帶有測試電路的新型MOSFMT模塊，包括PCB線路板4，PCB線路板4上設置有直插型的MOSFMT管2、電容組和其它電器元件；MOSFMT管分為上、下橋臂管，採用串聯密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是採用相同的材料一體成型；所述散熱器內開有冷卻水道，該冷卻水道經循環水路與循環泵相通；所述循環泵的轉軸伸出循環泵，轉軸上安裝有風扇，該風扇正對所述散熱器的散熱面。所述的新型MOSFMT模塊，其中，特徵是所述散熱器是「M"型散熱器4，MOSFMT管設在「M」型散熱器相鄰的柵之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述固定裝置是「N」型卡簧3。[0021 ] 所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述上橋臂管包括1 8個MOSFMT管；下橋臂管包括2—4個MOSFMT管。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述散熱片與散熱器採用相同的材料是陶瓷或鋁基。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述MOSFMT管是N溝道型；所述其它電器元件包括控制信號輸入端子、電源線端子、電機線端子、電源地線端子和驅動控制IC ；輸入端子連接驅動控制IC ；驅動控制IC的上橋臂管柵極控制輸出連接上橋臂管柵極，驅動控制IC的下橋臂管柵極控制輸出連接下橋臂管柵極；電源線端子連接上橋臂管的漏極；電源地線端子連接下橋臂管源極；電機線端子連接上橋臂管的源極和下橋臂管漏極；電容組為多個電容並聯而成，並聯連接在上橋臂管的漏極和下橋臂管源極之間。所述的新型MOSFMT模塊，其中，所述電容5是電解電容。本實施例中上、下橋臂管匹配方式是NOSFMT管上4X與下4隻，採用2個散熱器。 實際使用中根據設計要求和器件選型而定，還可以是MOSFMT管上3隻與下3隻、上3隻與下4隻、上2隻與下4隻、上4隻與下5隻、上5隻與下5隻等，散熱器的數量也可以米用1 個或多個。新型MOSFMT模塊，包括PCB線路板4，板上布設有8個TO—220封裝的N溝道型 MOSFMT管2、電容組和其它電器元件。MOSFMT管2分為4個上橋臂管和4個下橋臂管，採用並聯密植方式安裝在陶瓷PCB 4上，MOSFMT管2的散熱片上貼有散熱器。所述MOSFMT管2 的散熱片貼在散熱器對應的面上用「N，型卡簧3卡緊，使散熱片密貼在散熱器對應的面上， 達到很好的導熱效果。所述散熱器是「M，型鋁型材散熱器，MOSFMT管2設在「M」型散熱器 1相鄰的柵之間。上述其它電器元件包括控制信號輸入端子、電源線端子、電機線端予、電源地線端子和驅動控制IC。並聯的多個上橋臂管的散熱片貼在一個「M」型散熱器1上；並聯的多個下橋臂管的散熱片貼在另一個「M」型散熱器1上；上、下橋臂管分布在陶瓷PCB4的兩邊，電容組布設在上、下橋臂管之間的陶瓷PCB4上。陶瓷PCB4固定在散熱器1上。輸入端子連接驅動控制IC。驅動控制IC的上橋臂管柵極控制輸出連接上橋臂，驅動控制IC的下橋臂管柵極控制輸出連接下橋臂管柵極。電源線端子連接上橋臂管的漏極；電源地線端子連接下橋臂管源極；電機線端子連接上橋臂管的源極和下橋臂管漏極。電容組為多個電容5並聯而成，並聯連接在上橋臂管的漏極和下橋臂管源極之間；所述MOSFMT管2以及其它電器元件之問通過陶瓷PCB4上的印製線連接。上述電容5是電解電容。利用MOSFET的門極和源極短接形成PN結的反向漏電流來產生一小的電流，這樣解決了現有技術中因三極體不同而得到的電流不精確的問題。應當理解的是，對本領域普通技術人員來說，可以根據上述說明加以改進或變換， 而所有這些改進和變換都應屬於本實用新型所附權利要求的保護範圍。
權利要求1.一種帶有測試電路的新型MOSFMT模塊，其特徵是，包括PCB線路板，設置在PCB線路板上的MOSFET的測試電路，PCB線路板上設置有直插型的MOSFMT管、電容組和其它電器元件；MOSFMT管分為上、下橋臂管，採用串聯密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是採用相同的材料一體成型；所述散熱器內開有冷卻水道，該冷卻水道經循環水路與循環泵相通；所述循環泵的轉軸伸出循環泵，轉軸上安裝有風扇，該風扇正對所述散熱器的散熱面；MOSFET的測試電路包括穩壓單元，進行採樣電壓並比較電壓大小的採樣比較單元，隔離單元，在測試MOSFET時，給MOSFET提供反偏高壓，並且在不測試MOSFET時，用來保護MOSFET的保護單元；所述穩壓單元的輸出端與採樣比較單元的第一輸入端連接，採樣比較單元的第二輸入端與MOSFET的門極和源極連接，採樣單元的輸出端與隔離單元的輸入端連接；隔離單元的輸出端與保護單元的輸入端連接；保護單元的輸出端連接MOSFET的漏極。
2.根據權利要求1所述的新型MOSFMT模塊，其特徵是，所述散熱器是「M"型散熱器， MOSFMT管設在「M」型散熱器相鄰的柵之間。
3.根據權利要求1所述的新型MOSFMT模塊，其特徵是，所述上橋臂管包括1 8個 MOSFMT管；下橋臂管包括2—4個MOSFMT管。
4.根據權利要求1所述的新型MOSFMT模塊，其特徵是，所述散熱片與散熱器採用相同的材料是陶瓷或鋁基。
專利摘要本實用新型公開了一種帶有測試電路的新型MOSFMT模塊，包括PCB線路板，PCB線路板上設置有直插型的MOSFMT管、電容組和其它電器元件；MOSFMT管分為上、下橋臂管，採用串聯密植方式安裝在陶瓷PCB上，所述MOSFMT管的散熱片、所述散熱器、所述PCB線路板是採用相同的材料一體成型。本實用新型結構通過鋁型材散熱器使MOSFMT管設在陶瓷PCB上達到密植並聯方式，並用固定裝置使MOSFM管密貼在型材上，加工簡單，而且有效解決安裝壓緊固定和散熱的問題。
文檔編號H01L25/16GK202231656SQ20112038019
公開日2012年5月23日 申請日期2011年10月10日 優先權日2011年10月10日
發明者王金, 黃澤軍 申請人:張萬召