封裝基板構造的製作方法
2023-05-01 11:36:16
專利名稱：封裝基板構造的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種封裝基板構造，特別是有關於一種最外層的電路內埋於介電層的封裝基板構造。
背景技術：
現今，半導體封裝產業為了滿足各種高整合度(integration)及微型化(miniaturization)的封裝需求，以供更多有源無源組件及線路連接，半導體封裝基板逐漸由雙層電路板演變成多層電路板(mult1-layer circuit board),以在有限的空間下運用層間連接技術(interlayer connection)以擴大半導體封裝基板(substrate)上可供運用的電路布局面積，以達到高電路密度的積體電路需要，降低封裝基板的厚度，以在相同基板單位面積下容納更大量的電路及電子組件。—般多層電路封裝基板主要由多個電路層(circuit layer)及多個介電層(dielectric layer)交替迭合所構成。通常電路層是由銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝所製成，一般具有至少一電路及至少一連接墊；而介電層形成於電路層之間，用以保護並隔開各個電路層；通常最外層電路層會另外形成阻焊層於外層電路層上以供保護，僅裸露出所述連接墊以供後續晶片或電子組件以連接。在以現有的基板工藝製作的基板構造中，最外層的電路層通常是凸出形成在最外層介電層的外表面上，一方面會增加多層電路板的整體厚度，另一方面由於電路層凸起狀的露出在介電層的表面上，在運輸過程中或是後續製作過程時都較容易受外界的撞擊或磨擦力而受到磨耗破壞或剝落，因而影響多層電路板的電性作用。故，有必要提供一種封裝基板構造，以解決現有技術所存在的問題。
實用新型內容有鑑於此，本實用新型提供一種封裝基板構造，以解決現有技術所存在的最外層電路外露而造成降低電性連接性能的問題。本實用新型的主要目的在於提供一種封裝基板構造，其可以利用將最外層電路層內埋在介電層內，以達到保護電路並確保最外層電路電性連接效能的目的。為達成本實用新型的前述目的，本實用新型一實施例提供一種封裝基板構造，其中所述封裝基板構造包含:一介電層、一電路層以及至少一導電柱。所述介電層具有一第一表面及第二表面。所述電路層嵌埋於所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低於所述第一表面。所述導電柱設置於所述介電層內，且與所述電路層電性連接。再者，本實用新型另一實施例提供另一種封裝基板構造，其中所述封裝基板構造包含:一介電層、一電路層、至少一導電柱、一增層介電層、一增層電路層以及至少一增層導電柱。所述介電層具有一第一表面及第二表面。所述電路層嵌埋於所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低於所述第一表面。所述導電柱設置於所述介電層內，且與所述電路層電性連接。所述增層介電層設置於所述介電層的第二表面。所述增層電路層位於所述增層介電層內，並電性連接所述導電柱。所述增層導電柱設置於所述增層介電層內，且與所述增層電路層電性連接。與現有技術相比較，本實用新型的封裝基板構造，不但可保護最外層電路免於外力的撞擊或磨耗作用，進而確保基板電性連接的效能，還可以使得基板構造更輕薄。
圖1A是本實用新型一實施例封裝基板構造的剖面示意圖。圖1B是本實用新型一實施例封裝基板構造的最外層電路層的局部放大剖面圖。圖2是本實用新型另一實施例封裝基板構造的剖面示意圖。圖3A-3G是本實用新型一實施例封裝基板構造的製造方法的示意圖。圖4是本實用新型另一實施例封裝基板構造的剖面示意圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特徵及優點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，並配合附圖，作詳細說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下、「頂」、「底」、「前」、「後」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」、「周圍」、「中央」、「水平」、「橫向」、「垂直」、「縱向」、「軸向」、「徑向」、「最上層」或「最下層」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖1A所示，揭示本實用新型一實施例的封裝基板構造主要包含:一介電層
10、一電路層11以及至少一導電柱12。所述介電層10具有一第一表面101及相對應的第二表面(未標示)。所述電路層11嵌埋於所述介電層10內，其中所述介電層10的第一表面101裸露所述電路層11的一外表面111，所述電路層11的外表面111與所述介電層10的第一表面101平齊或低於所述第一表面101。所述導電柱12設置於所述介電層10內，且與所述電路層11電性連接。請參照圖1B所示，揭示本實用新型一實施例封裝基板構造的最外層電路層11的局部放大剖面圖，可以更清楚看見在本實施例中，所述電路層11的外表面111的水平面可以略低於所述介電層10的第一表面101的水平面，所述電路層11的外表面111約呈平坦的二維水平面狀。這樣可以達到保護所述電路層11以避免其受到外力碰撞或摩擦。請參照圖2所示，本實用新型另一實施例的封裝基板構造相似於本實用新型一實施例，並大致沿用相同組件名稱及圖號，但另一實施例的差異特徵在於:所述另一實施例的封裝基板構造進一步增設一增層電路構造，包含一增層介電層10』、一增層電路層11』以及至少一增層導電柱12』。所述增層介電層10』設置於所述介電層10的第二表面(上表面)。所述增層電路層11』位於所述增層介電層10』內，並電性連接所述導電柱12。所述增層導電柱12』設置於所述增層介電層10』內，且與所述增層電路層11』電性連接。上述特徵的優點在於:即使增層，其最外層的電路層11仍舊嵌埋於所述介電層10內。因此，不但可保護最外層的電路層11免於受到外力破壞或摩擦力作用，並可減少基板厚度，因而進一步增加電性連接性能及基板輕薄的效果。[0020]在上述實施例中，所述介電層10的材料可為絕緣樹脂材料，例如玻璃纖維層經過含浸環氧樹脂(epoxy)並乾燥硬化後所製成的B階化膠片(B_stage prepreg),其利用其在高溫高壓中的再熔膠以及流膠特性，壓合在所述電路層11，加熱固化即可得到所述介電層10，所述介電層10的高度約介於30至150微米之間，但並不限於此。此外，所述電路層11是以銅箔層搭配圖案化光刻膠及蝕刻的工藝形成至少一圖案電路，並與所述導電柱12電性連接。所述電路層11的材質例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但並不限於此本實用新型將於下文利用圖3A至3G圖逐一詳細說明本實用新型一實施例的製作方法，其主要包含下列步驟:首先，請參照圖3A所示，先提供一載板20，在所述載板20的上表面具有一薄金屬層30可作種子層，以便後續工藝電鍍電路層及電鍍導通柱使用；接著，請參閱圖3B所示，利用一圖案化的第一光刻膠膜40a形成一圖案化電路層11，其與所述種子層30有一接觸外表面111;然後，不需移除所述第一光刻膠膜40a，請參閱圖3C所示，直接再迭合一圖案化的第二光刻膠膜40b形成至少一導電柱12與部分所述電路層11電性連接，此處為了簡化圖示，並未繪示所述第一光刻膠膜40a，但所述第二光刻膠膜40b實際上包埋了所述第一光刻膠膜40a ；之後，請參閱圖3D所示，移除所述第二光刻膠膜40b ；接著，請參閱圖3E所示，壓合一介電層10覆蓋住所述電路層11與所述導電柱12及所述種子層30的上表面，形成一第一表面101與所述電路層11的外表面111約呈水平狀，在此所述第一表面101與所述電路層11的外表面111具有平齊的高度；然後，請參閱圖3F所示，移除所述載板20 ;利用蝕刻再移除所述種子層30(未繪/Jn )，蝕刻時會略造成所述電路層11的外表面111略低於或齊平於所述介電層10的第一表面 101 ；最後，請參閱圖3G所示，所述電路層11在此為一外電路層時，可選擇再塗布一層阻焊層50以作保護，僅由所述阻焊層50裸露一部份所述電路層11，以做為焊墊用途，因此完成外層電路層內埋的製作過程。另外，可以設置至少一晶片60在所述阻焊層50的外表面上，並以至少一金屬線70與所述電路層11電性連接，以構成一打線型(wire bonding)晶片架構。或者，另外，可以省略阻焊層50，直接將至少一晶片60設置在所述介電層10的第一表面111上，並以至少一金屬線70與所述電路層11電性連接，當省略阻焊層時，製作線路時，所述電路層11的表面需要進行防氧化處理，即在其表面鍍鎳金層，或者鎳鈀金層，或者用 OSP(Organic Solderability Preservatives,有機保焊膜)層保護。請參照圖4所示，揭示本實用新型另一實施例的應用，類似圖3G所示，其另設置至少一晶片60在所述阻焊層50的外表面上(或所述介電層10的第一表面111)，並以至少一金屬球50與所述電路層11電性連接，以構成一倒裝型晶片(flip chip)架構。透過這樣設計，即使增層，其最外層電路層11仍舊嵌埋於所述介電層10內。因此，不但可保護外層電路11搬運或移動中免於受到外力破壞或摩擦力磨耗作用，並可減少基板厚度，因而進一步增加電性連接性能及基板輕薄的效果。本實用新型已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的範例。必需指出的是，已公開的實施例並未限制本實用新型的範圍。相反地，包含於權利要求書的精神及範圍的修改及均等設置均包括於本實用新型的範圍內。
權利要求1.一種封裝基板構造，其特徵在於:所述封裝基板構造包含: 一介電層，具有一第一表面及第二表面； 一電路層，嵌埋於所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低於所述第一表面；以及至少一導電柱，設置於所述介電層內，且與所述電路層電性連接。
2.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述封裝基板構造還包含: 一阻焊層，設置在所述介電層的第一表面上，並裸露出部分所述電路層的外表面以作為至少一連接墊。
3.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述電路層的外表面低於所述介電層的第一表面，所述電路層的外表面呈水平狀。
4.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述導電柱為銅柱。
5.如權利要求1所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述封裝基板構造還包含: 至少一晶片，設置在所述介電層的第一表面，具有至少一金屬線或金屬球與所述電路層電性連接。
6.如權利要求2所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述封裝基板構造還包含: 至少一晶片，設置在所述阻焊層上，具有至少一金屬線或金屬球與所述電路層的連接墊電性連接。
7.一種封裝基板構造，其特徵在於:所述封裝基板構造包含: 一介電層，具有一第一表面及第二表面； 一電路層，嵌埋於所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低於所述第一表面； 至少一導電柱，設置於所述介電層內，且與所述電路層電性連接； 一增層介電層，設置於所述介電層的第二表面； 一增層電路層，位於所述增層介電層內，並電性連接所述導電柱；以及 至少一增層導電柱，設置於所述增層介電層內，且與所述增層電路層電性連接。
8.如權利要求7所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述封裝基板構造還包含: 一阻焊層，設置在所述介電層的第一表面上，並裸露出部分所述電路層的外表面以作為至少一連接墊。
9.如權利要求7所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述電路層的外表面低於所述介電層的第一表面，所述電路層的外表面呈水平狀。
10.如權利要求7所述的封裝基板構造，其特徵在於:所述導電柱為銅柱。
專利摘要本實用新型公開一種封裝基板構造，所述封裝基板構造包含一介電層，具有一第一表面及第二表面；一電路層，嵌埋於所述介電層內，其中所述介電層的第一表面裸露所述電路層的一外表面，所述電路層的外表面與所述介電層的第一表面平齊或低於所述第一表面；以及至少一導電柱，設置於所述介電層內，且與所述電路層電性連接。
文檔編號H01L23/14GK202940236SQ20122063829
公開日2013年5月15日 申請日期2012年11月28日 優先權日2012年11月28日
發明者羅光淋, 王德峻 申請人:日月光半導體(上海)股份有限公司