可表面安裝的光電子器件和用於製造可表面安裝的光電子器件的方法

2023-04-30 23:42:26

專利名稱：可表面安裝的光電子器件和用於製造可表面安裝的光電子器件的方法
技術領域：
提出一種可表面安裝的光電子器件以及一種用於製造這種器件的方法。相關申請的引用本申請要求德國專利申請102010023815. 5的優先權，其公開內容在此通過引用併入本文。
背景技術：
在製造例如為發光二極體的可表面安裝的半導體器件(表面安裝器件，SMD)時，光 電子半導體晶片能夠放置在具有金屬導體框的預製的殼體中。半導體晶片的安裝典型地通過用銀導電粘接劑粘接而進行，這限制了損耗熱量的散熱、進而限制了 LED的性能。

發明內容
本申請的目的是提供一種可表面安裝的器件，其中能夠有效地導出在運行中產生的損耗熱量並且此外能夠簡單地、低成本地並且可靠地製造所述器件。此外，提出一種用於製造這種器件的方法。所述目的通過具有獨立權利要求的特徵的可表面安裝的光電子器件或製造方法來實現。擴展方案和改進形式是從屬權利要求的主題。根據一個實施形式，可表面安裝的光電子器件具有輻射穿透面、光電子半導體晶片和晶片載體。在晶片載體中構成有空腔，在所述空腔中設置有半導體晶片。模製體至少局部地包圍晶片載體。晶片載體在垂直於輻射穿透面延伸的豎直方向上完全地延伸穿過模製體。因此，在半導體晶片運行時產生的損耗熱量能夠從半導體晶片中直接地經由晶片載體從器件中導出。在豎直方向上，晶片載體在朝向輻射穿透面的上側和下側之間延伸。空腔適當地構成在晶片載體的上側中。半導體晶片優選與晶片載體材料接合地連接。在材料接合的連接中，優選為預製的連接配對件藉助於原子力和/或分子力結合在一起。材料接合的連接例如能夠藉助於如粘接劑或焊料的連接機構來實現。通常，連接的分開隨著例如連接層的連接機構的和/或連接配對件中的至少一個的損壞而出現。優選地，在晶片載體和半導體晶片之間構成有焊料層作為連接層。焊料層的特徵在於尤其高的導熱性，使得半導體晶片和晶片載體之間的熱阻降低，進而儘可能地改進從半導體晶片中導熱。模製體優選地包含塑料材料或者由塑料材料製成。在製造器件時能夠簡單地、可靠地並且低成本地將這種材料模製到晶片載體上。半導體晶片優選地完全設置在空腔之內。也就是說，半導體晶片優選不突出於晶片載體的上側。
除了光電子半導體晶片之外，器件也能夠具有另一個半導體晶片，尤其是電子的或光電子的半導體晶片。另一個半導體晶片能夠設置在所述空腔中或另一個空腔中。在一個優選的擴展方案中，模製體在豎直方向上完全地構成在通過晶片載體的上側預設的第一主平面和通過晶片載體的下側預設的第二主平面之間。換言之，模製體的最大厚度小於或等於晶片載體的厚度。「厚度」在本文中理解成在豎直方向上的伸展尺寸。此外優選地，晶片載體在豎直方向上至少在鄰接於晶片載體的區域中與晶片載體的下側和/或與晶片載體的上側齊平。儘可能地，模製體能夠在橫向方向上完全地環繞晶片載體，並且尤其在圍繞晶片載體的整個區域中與晶片載體的上側和下側齊平。在一個優選的擴展方案中，在模製體中設置有接觸結構。接觸結構優選在豎直方向上完全地延伸穿過模製體。接觸結構適當地經由例如為接合線連接件的連接導線與半導體晶片導電地連接。藉助於接觸結構，半導體晶片能夠由背離輻射穿透面的一側從外部電接觸。 連接導線優選局部地在第一主平面和輻射穿透面之間延伸。因此在豎直方向上，連接導線局部地突出於模製體並且也還突出於晶片載體。在此，連接導線在器件的俯視圖中跨過晶片載體和接觸結構之間的橫向距離。在另一優選的擴展方案中，晶片載體形成第一接觸部，半導體晶片能夠經由所述第一接觸部從外部電接觸。在該情況下，接觸結構能夠形成另一個接觸部，其中第一接觸部和另一個接觸部優選地設置在器件的背離輻射穿透面的一側。替選地也能夠考慮，晶片載體不設置為用於從外部電接觸，而是尤其用於導熱。在該情況下，器件適當地具有至少一個另外的接觸結構，使得器件提供至少兩個外部的電接觸部。在一個優選的擴展方案中，空腔的底面具有第一覆層。第一覆層尤其設置用於簡化與光電子半導體晶片的釺焊連接。因此，藉助於第一覆層能夠簡化具有小的熱阻的在晶片載體和半導體晶片之間的連接部的製造。優選地，第一覆層由金或含有金的金屬合金製成。在另一優選的擴展方案中，空腔的一個側面構成為反射在光電子器件運行時待由光電子半導體晶片產生的和/或接收的輻射。尤其地，該側面具有第二覆層。第二覆層優選地包含金屬或金屬合金。在可見光譜範圍內和在紫外光譜範圍內，例如，銀、鋁、銠和鉻的特徵在於高反射率。在紅外光譜範圍內，例如，金適用於第二覆層。替選地或者補充地，晶片載體也能夠包含塑料。為了提高反射率能夠將例如為二氧化鈦的填充材料引入到塑料中。在一個優選的擴展方案中，光電子半導體晶片嵌入到包套中。包套用於封裝半導體晶片並且保護所述半導體晶片不受例如溼氣或灰塵的有害的外界影響。優選地，包套也至少局部地覆蓋模製體。此外優選地，在豎直方向上，包套朝著輻射穿透面的方向延伸超過模製體的第一主平面。尤其地，輻射穿透面能夠藉助於包套形成。包套例如能夠至少局部地構成為透鏡形的，例如在器件的俯視圖中凸形地彎曲。包套適當地對於待在光電子半導體晶片中產生的和/或接收的輻射而言構成為是透明的或者至少半透明的。在一個優選的改進形式中，晶片載體具有錨固結構，包套和/或模製體模製到所述錨固結構上。錨固結構設置用於持久地阻止或者至少妨礙包套和/或模製體從晶片載體脫落。例如，從輻射穿透面起觀察，晶片載體能夠具有側凹部。尤其地，用於模製體的錨固結構能夠構成為凸起部，所述凸起部在橫向方向上完全地或者至少局部地環繞晶片載體。用於包套的錨固結構能夠尤其構成在空腔中或者鄰接於空腔。在另一個優選的擴展方案中，包套和模製體至少在沿著輻射穿透面延伸的方向上 是齊平的。優選地，包套和模製體在器件的整個周邊上是相互齊平的。在製造中，藉助於在共同的生產步驟中切開包套和模製體而能夠尤其簡單地從並排設置的器件區域的矩陣中分表I]這種器件。在用於製造可表面安裝的光電子器件的方法中，根據一個實施形式來提供晶片載體，其中在上側中構成有空腔。將光電子半導體晶片設置並且適當地固定在空腔中。將晶片載體設置在輔助載體上。將具有晶片載體的輔助載體設置在成型模具中，其中空腔藉助於成型模具和晶片載體的上側密封地封閉。將成型模具用模塑料填充，其中模塑料在空腔之外至少局部地模製到晶片載體上。移除成型模具。移除輔助載體。優選地以所說明的製造步驟的順序來執行方法。然而，也能夠考慮與此不同的順序。例如，也能夠在將模塑料模製到晶片載體上之後才將半導體晶片設置在空腔中。「密封地封閉」在本文中理解成，在填充成型模具時，模塑料不滲入到晶片載體的空腔中。優選地，晶片載體和成型模具在環繞空腔的區域中直接地彼此鄰接。藉助於所述方法能夠同時製造多個光電子器件。並排設置的器件能夠尤其藉助於切開模塑料來分割、例如藉助鋸來分割。這適當地在移除成型模具之後進行。晶片載體適當地構成為是無支撐的。也就是說，晶片載體能夠尤其與已經安裝在晶片載體上的光電子半導體晶片一起簡單地並且可靠地放置在輔助載體上。在一個優選的擴展方案中，在輔助載體上構成接觸結構。接觸結構優選作為導體框提供。此外優選地，尤其在將晶片載體放置在輔助載體上之前，已經在輔助載體上預製接觸結構。在一個優選的改進形式中，接觸結構在豎直方向上結構化。接觸結構藉助於所述結構化而能夠具有不同的厚度。在將模塑料模製到接觸結構上時，這能夠引起接觸結構和模製體的改進的接合，由此改進器件的機械穩定性。在填充成型模具時，接觸結構和晶片載體能夠藉助於用於模製體的模塑料持久地並且穩定地彼此機械連接。在移除成型模具之後，半導體晶片能夠藉助於連接導線導電地與接觸結構連接。這例如能夠藉助於接合線方法進行。在一個優選的擴展方案中，晶片載體具有外側面，所述外側面從晶片載體的上側延伸至晶片載體的下側。外側面優選完全由模塑料成型。模製體優選地藉助於注塑或傳遞模塑來製造。原則上，所有能夠簡單地並且可靠地填充成型模具的製造方法都適合。將成型模具移除之後，優選地給半導體晶片配備包套。包套能夠至少局部地、優選完全地覆蓋模製體。在分割器件時，能夠將包套和模製體一起切開。因此，形成多個光電子器件，其中包套和模製體沿著器件的邊界是相互齊平的。所描述的方法尤其適合於製造在更上面描述的光電子器件。因此，對於所述方法也能夠考慮結合器件所詳述的特徵，並且反之亦然。


結合附圖從實施例的以下描述中得出其他的特徵、擴展方案和適當方案。其中圖IA和IB不出可表面安裝的光電子器件的第一實施例的不意的俯視圖(圖1B)和所屬的剖面圖(圖1A)；圖2示出可表面安裝的光電子器件的第二實施例的示意的剖面圖；
圖3A至3F根據示意地在剖面圖中示出的中間步驟示出用於製造光電子器件的方法的實施例；圖4示出用於製造光電子器件的器件複合結構的實施例。
具體實施例方式相同的、相類的或起相同作用的元件在圖中設有相同的附圖標記。圖和在圖中示出的元件彼此間的尺寸關係不能夠視為是按照比例的。相反地，為了更好的顯示性和/或為了更好的理解，能夠誇大地示出各個元件。在圖IA和IB中以示意圖示出可表面安裝的光電子器件I的第一實施例的示意的俯視圖(圖1B)和所屬的沿著直線A-A』的示意的剖面圖(圖1A)。可表面安裝的光電子器件I具有半導體晶片2，所述半導體晶片設置在晶片載體3的空腔31中。半導體晶片2藉助於連接層9機械穩定地連接在晶片載體3的底面310上。連接層9優選地構成為釺焊層，並且尤其與粘接連接相比起到將半導體晶片尤其有效地熱連接到晶片載體3上。空腔構成在晶片載體3的朝向器件的輻射穿透面10的上側35中。晶片載體3在與上側相對置的下側36上形成設置用於外部電接觸的第一接觸部61。在橫向方向上，也就是在垂直於豎直方向延伸的方向中，晶片載體3由模製體5包圍。在豎直方向上，也就是垂直於輻射穿透面10、進而平行於主輻射穿透方向，模製體5與上側35齊平並且與下側36齊平。模製體5模製到晶片載體3的外側面39上並且完全覆蓋外側面。此外，在模製體5中設置有接觸結構4。接觸結構4在背離輻射穿透面10的一側上形成可從外部觸到的另一個接觸部62。接觸結構4藉助於接合線連接形式的連接導線8與半導體晶片2導電地連接。在半導體晶片運行時，載流子能夠經由第一接觸部61和另一個接觸部62注入到半導體晶片中或者從所述半導體晶片中流出。在橫向方向上，接觸結構4與晶片載體3間隔開。只經由模製體5來進行在晶片載體和接觸結構之間的機械穩定的連接。通過連接導線8跨過晶片載體3和接觸結構4之間的橫向間距。連接導線突出於晶片載體的上側35並且在晶片載體和接觸結構4之間的區域中在上側和輻射穿透面10之間延伸。因此，能夠放棄模製體50中用於連接導線的額外的凹部。
模製體5在接觸結構4的區域中具有凹部51，使得接觸結構在朝向輻射穿透面的一側是可觸到的以用於連接連接導線8。此外，接觸結構4具有環形的側凹部41，其中接觸結構的厚度小於在第二接觸部62的區域中的厚度。側凹部用於在模製體5和接觸結構之間的改進的接合。接觸結構4在豎直方向上完全地延伸穿過模製體。因此，接觸結構在輻射穿透面10 一側能夠在器件I之內被接觸並且在背離輻射穿透面的一側能夠從外部電接觸。在豎直方向上，接觸結構的厚度優選小於晶片載體3的厚度。以該方式能夠減少接觸結構的材料需求。晶片3具有帶有外部錨固結構32a的錨固結構32。外部錨固結構沿著晶片載體的外側面39遠離並且用於將晶片載體3錨固在模製體5中。此外，在空腔31的側面311上構造有內部錨固結構32b。光電子器件I還具有包套7，所述包套封裝半導體晶片2。此外，構成為接合線連接的連接導線8構成在包套中。因此，包套尤其用於保護半導體晶片和連接導線不受機械損傷和其他有害的外界影響如溼氣或灰塵。藉助於內部錨固結構32b能夠改進包套7與晶片載體3的連接的機械穩定性。因此，能夠儘可能地降低包套脫落的危險。模製體5在豎直方向上在第一主平面55和第二主平面56之間延伸。所述主平面分別通過晶片載體3的上側35或下側36來預設。連接導線8在豎直方向上局部地在第一主平面55和輻射穿透面10之間延伸。因此，連接導線突出於第一主平面。輻射穿透面10藉助於包套7形成。包套7的一個區域構成為用於在光電子半導體晶片中待在運行中產生的和/或待檢測的輻射的透鏡71。對輻射而言，包套7適當地構成為透明的或者至少半透明的。優選地，包套包含矽樹脂、環氧化物或矽樹脂和環氧化物的混合物，或者由這種材料製成或由這種材料的混合物製成。此外，在包套中能夠構成光散射的或反射的顆粒和/或螢光轉換材料。相反地，模製體5的材料儘可能與其光學特性無關地來選擇並且尤其也構成為是吸收輻射的。模製體5優選地包含塑料或者由塑料製成。在橫向方向上，模製體5通過邊緣52來限界。模製體5和包套7沿著邊緣優選地在器件的整個周邊上彼此齊平。晶片載體3在該實施例中由導電材料形成，優選地由例如為銅、鋁、銀或金的金屬或者由帶有至少一種這樣的金屬的金屬合金形成。但是不同於所描述的實施例，晶片載體3也能夠構成為是電絕緣的。在該情況下，器件I適當地具有另一個接觸結構，使得接觸結構4和所述另一個接觸結構(沒有詳細示出)形成器件I的兩個外部接觸部。對於電絕緣的晶片載體3的情況而言，例如能夠使用例如為氮化鋁或氮化硼的陶瓷或者例如為矽樹脂的塑料。為了提高反射而能夠例如用二氧化鈦填充塑料。陶瓷的特徵能夠在於高的導熱性。半導體晶片2完全構成在晶片載體3的空腔31之內。因此，所述半導體晶片不突出於晶片載體的上側35。光電子半導體晶片2例如能夠構成為LED晶片，構成為雷射器晶片或輻射檢測晶片。優選地，半導體晶片包含III-V族半導體材料。III-V族半導體材料尤其適合於產生在紫外(AlxInyGai_x_yN)光譜範圍中經過可見光譜範圍(AlxInyGai_x_yN，尤其針對藍色的至綠色的輻射，AlxInyGa1^yP,尤其針對黃色的至紅色的輻射)直到紅外線的(AlxInyGai_x_yAS)光譜範圍的福射。在此O和x+y ( I、特別地，其中x古Lx^O和/或y古O。藉助於尤其來自所述材料系統的III-V族半導體材料，還能夠在輻射產生時實現聞的內部量子效率。在圖2中示意地示出可表面安裝的光電子器件的第二實施例的剖面圖。所述第二實施例基本上相當於結合圖I描述的第一實施例。
與此不同的是，晶片載體3的空腔31構成為是反射器式的。空腔31的側面311優選具有相對於空腔的底面310成20°至70°的角度，其中包括邊界值。晶片載體3構造成覆層的本體，例如構造成覆層的銅本體。底面310藉助於第一覆層33形成。第一覆層優選地構成用於簡單地製造晶片載體3和半導體晶片2之間的釺焊連接。優選地，第一覆層由金或含金的合金製成。側面311藉助於第二覆層34形成。第二覆層34優選地對在半導體晶片中待在運行中產生的和/或檢測的輻射而言具有高反射率，優選為60%或更高。優選地，第二覆層包含金屬或金屬合金，例如銀、鋁、銠或鉻的特徵在於在可見的和紫外的光譜範圍內的高反射率。金尤其適合於在紅外光譜範圍內的輻射。晶片載體3的所描述的多層結構也能夠用於結合圖I描述的第一實施例。錨固結構32在該實施例中僅用於將晶片載體3錨固在模製體5中。然而如結合圖IA所描述的，不同於所描述的實施例，也能夠為包套7設置錨固結構。在圖3A至3F中根據以剖面圖示意地示出的中間步驟來示出用於製造可表面安裝的光電半導體器件的方法的一個實施例。為了改進地描述，在圖3A至3F中僅示出器件複合結構的一部分，在製造時由所述器件複合結構製成器件。在圖4中以俯視圖示出在分割成器件之前的器件複合結構11的俯視圖。如在圖3A中示出的，提供具有上側35和下側36的晶片載體3。在上側35方面，空腔31構成在晶片載體3中。此外，提供光電子半導體晶片2。光電子半導體晶片2在晶片載體3的空腔31中藉助於連接層9導電地並且機械穩定地連接。如結合圖2描述的，晶片載體3至少在空腔31的底面310的區域中具有覆層，使得半導體晶片2能夠釺焊到晶片載體上。晶片載體3連同半導體晶片2設置在輔助載體15上。例如塑料薄膜適合作為輔助載體，所述塑料薄膜優選至少在朝向晶片載體3的一側具有附著特性。在輔助載體15上還設置有接觸結構4。接觸結構優選在將半導體晶片2固定在輔助載體上之前已構成在輔助載體上。將帶有晶片載體3和接觸結構4的輔助載體設置在成型模具59中(圖3D)。晶片載體3和成型模具59相互匹配，使得晶片載體的上側35和成型模具59直接地彼此鄰接並且密封地包圍空腔31。因此，在用模塑料50填充成型模具59時，模塑料模製到晶片載體3上，而不滲入到空腔31中。
成型模具59在接觸結構4的區域中具有凸起部591。凸起部591直接地鄰接接觸結構4，使得接觸結構4在凸起部的區域中保持沒有模塑料的材料。成型模具59的填充優選藉助於澆注法或噴射法來進行、例如藉助於注塑或傳遞模塑來進行。在模塑料50完全硬化或至少變硬之後，能夠移除成型模具59。藉助於如此形成的模製體5，現在接觸材料4與晶片載體3機械穩定地連接。在移除成型模具之後也能夠移除輔助載體15。半導體晶片2和接觸結構4藉助於例如為接合線連接的連接導線8導電地彼此連接(圖3E)。在製造導電連接之後，半導體晶片2和模製體5能夠設有包套7。包套能夠藉助於另外的注塑法或傳遞模塑法製造。
包套7優選地構成為，使得所述包套完全地覆蓋半導體晶片和連接導線8。此外優選的是，整個模製體5被包套覆蓋。在構成包套之後，藉助於切開、例如藉助於鋸開模製體5和包套7能夠將器件複合結構分割成各個器件。所述方法示例性地根據如結合圖2所描述的構成的器件的製造來描述(圖3F)。顯然地，所述方法也適用於製造根據按圖IA和IB描述的第一實施例的器件。在圖4中示意地示出在分割成器件之前的器件複合結構11的俯視圖。在輔助載體15上構成接觸結構複合結構40。在接觸結構複合結構中，稍後的器件的各個接觸結構4藉助於連接部42彼此連接。因此，接觸結構複合結構形成接觸結構4的連續的複合結構。接觸結構複合結構例如能夠構成為用於導體框的板材。板材例如能夠被衝壓、壓印或刻蝕。尤其地，板材能夠包含銅或者由銅製成。也能夠使用例如為所謂的「軟性基板(flex substrate)」的複合結構材料,或者剛性的或柔性的印刷電路板(printedcircuit board, PCB)。在分割器件複合結構11時，沿著虛線示出的分割線12分割分別具有至少一個半導體晶片2、一個晶片載體3和一個接觸結構4的各個器件區域。在所描述的方法中，光電子半導體晶片2能夠在構成模製體5之前已固定在晶片載體3上。然而，也能夠不同於所描述的實施例而考慮，在將模製體5模製到晶片載體3上之後，才將半導體晶片固定在晶片載體3中。在兩種情況下，藉助於釺焊連接能夠在半導體晶片2和晶片載體3之間製造導電的連接。為了簡化釺焊連接，僅晶片載體3的空腔31的底面310設有覆層就已經是足夠的。相反地，接觸結構4不設置成用於釺焊連接，並且因此不必滿足關於與焊料的可連接性的特殊要求。因此，半導體晶片2能夠藉助於釺焊連接來安裝，而不必對導體框進行大面積的鍍金。相反地，僅晶片載體3的相對小的面積或其底面設有這種覆層就是足夠的。由此，在製造時能夠節約資源、進而節約成本，而不影響製造方法的可靠性。本發明不通過根據實施例進行的描述來限制。相反地，本發明包括每個新特徵以及特徵的任意的組合，這尤其包括在權利要求中的特徵的任意的組合，即使所述特徵或所述組合自身沒有明確地在權利要求或實施例中說明時也如此。
權利要求
1.可表面安裝的光電子器件(1)，具有 -輻射穿透面(10)； -光電子半導體晶片(2)； -晶片載體(3)，在所述晶片載體中構成有空腔(31)，所述光電子半導體晶片(2)設置在所述空腔中；和 -模製體(5)，所述模製體(5)至少局部地包圍所述晶片載體(3); 其中所述晶片載體(3)在垂直於所述輻射穿透面(10)延伸的豎直方向中完全地延伸穿過所述模製體。
2.根據權利要求I所述的可表面安裝的光電子器件， 其中所述模製體在豎直方向上完全構造在通過所述晶片載體的上側(35)預設的第一主平面(55)和通過所述晶片載體的下側(36)預設的第二主平面(56)之間，並且所述模製體在接觸結構的區域中具有凹部(51)。
3.根據權利要求2所述的可表面安裝的光電子器件， 其中在所述模製體中設置有接觸結構(4)，所述接觸結構在豎直方向上完全地延伸穿過所述模製體，其中所述接觸結構經由連接導線(8)與所述半導體晶片導電地連接，並且所述連接導線局部地在所述第一主平面和所述輻射穿透面之間延伸。
4.根據權利要求3所述的可表面安裝的光電子器件， 其中所述晶片載體形成第一接觸部(61)並且所述接觸結構形成另一個接觸部(62)，其中所述第一接觸部和所述另一個接觸部設置在所述器件的背離所述輻射穿透面的一側上。
5.根據權利要求I至4之一所述的可表面安裝的光電子器件， 其中所述空腔的側面(311)構成為反射在所述光電子器件運行時待由所述光電子半導體晶片產生的和/或接收的輻射。
6.根據權利要求5所述的可表面安裝的光電子器件， 其中所述空腔的底面(310)具有第一覆層，並且所述空腔的所述側面具有第二覆層，其中所述第一覆層包含金並且所述第二覆層包含銀、鋁、銠或鉻。
7.根據權利要求I至6之一所述的可表面安裝的光電子器件， 其中所述光電子半導體晶片嵌入到包套(7)中，其中所述包套至少局部地覆蓋所述模製體。
8.根據權利要求7所述的可表面安裝的光電子器件， 其中所述晶片載體具有錨固結構(32，32a，32b )，所述包套和/或所述模製體被模製到所述錨固結構上。
9.根據權利要求7或8所述的可表面安裝的光電子器件， 其中所述包套和所述模製體至少在沿著所述輻射穿透面延伸的方向上是齊平的。
10.用於製造可表面安裝的光電子器件(I)的方法，具有以下步驟 a)提供晶片載體(3)，其中在上側(35)中構成有空腔(31)； b)將光電子半導體晶片設置在所述空腔(31)中； c)將所述晶片載體(3)設置在輔助載體(15)上； d)將所述輔助載體(15)與所述晶片載體(3)設置在成型模具(59)中，其中所述空腔(31)藉助於所述成型模具(59)和所述晶片載體(3)的所述上側(35)密封地封閉； e )用模塑料(50 )填充所述成型模具(59 )，其中所述模塑料(50 )在所述空腔(31)之外至少局部地模製到所述晶片載體(3)上； f)移除所述成型模具(59);並且 g)移除所述輔助載體(15)。
11.根據權利要求10所述的方法， 其中在所述輔助載體上構成接觸結構(4)，並且在步驟e)中藉助於所述模製體將所述晶片載體和所述接觸結構機械地彼此連接。
12.根據權利要求10或11所述的方法， 其中所述晶片載體具有外側面(39)，所述外側面從所述晶片載體的所述上側(35)延伸到所述晶片載體的下側(36)，其中所述外側面完全地由所述模塑料成型。
13.根據權利要求10至12之一所述的方法， 其中藉助於注塑或傳遞模塑來製造所述模製體。
14.根據權利要求10至13之一所述的方法， 其中在步驟e)之後，給所述半導體晶片配備包套(7)，其中所述包套完全地遮蓋所述模製體。
15.根據權利要求10至14之一所述的方法， 其中製造根據權利要求I至9之一所述的光電子器件。
全文摘要
提出一種可表面安裝的光電子器件(1)，所述光電子器件具有輻射穿透面(10)、光電子半導體晶片(2)和晶片載體(3)。在晶片載體(3)中構成空腔(31)，在所述空腔中設置有半導體晶片(2)。模製體(5)至少局部地包圍晶片載體(3)，其中晶片載體(3)在垂直於輻射穿透面(10)延伸的豎直方向中完全地延伸穿過模製體(5)。此外，提出一種用於製造可表面安裝的光電子器件的方法。
文檔編號H01L33/64GK102939669SQ201180029834
公開日2013年2月20日 申請日期2011年5月25日 優先權日2010年6月15日
發明者麥可·齊茨爾斯佩格, 哈拉爾德·雅格 申請人:歐司朗光電半導體有限公司