一種電晶體版圖結構及晶片版圖結構的製作方法
2023-04-30 22:25:56 1
專利名稱：一種電晶體版圖結構及晶片版圖結構的製作方法
技術領域：
本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種電晶體版圖結構及晶片版圖結構。
背景技術：
隨著半導體技術的發展，電子產品對晶片的要求越來越嚴格，則相應的對版圖規格的要求也越來越高。目前，常見的電晶體版圖結構如圖I所示，包括源極區I和漏極區2，且所述源極區 I和漏極區2交替排列，呈叉指狀。所述源極區I內設置有源極接觸孔11，所述漏極區2內設置有漏極接觸孔21，所述源極區I和漏極區2之間設置有柵極區3。但是，在上述電晶體版圖結構下的電晶體的散熱能力較差。
實用新型內容本申請所要解決的技術問題是提供一種電晶體版圖結構及晶片版圖結構，用以解決現有的電晶體散熱能力較差的問題。本申請提供了一種電晶體版圖結構，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。優選的，所述主體區包括柵極區、公共區、漏極區、P注入阱和深阱區；所述柵極區呈長條狀，將所述公共區和漏極區隔開；所述公共區位於兩個柵極區中間，且所述公共區內包括兩源極區和一襯底有源區，所述襯底有源區位於兩源極區之間，且與兩源極區相連接；所述P注入阱位於所述深阱區上，且所述公共區位於P注入阱內。優選的，所述源極區內包括至少一個源極接觸孔。優選的，所述漏極區內包括至少一個漏極接觸孔。優選的，襯底有源區內包括至少一個襯底接觸孔。優選的，還包括公共金屬區，所述公共金屬區呈啞鈴狀，且位於公共區上；漏端金屬區，所述漏端金屬區呈紡錘狀，且位於漏極區上。優選的，還包括第一電流通道金屬區，所述第一電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第一電流通道金屬區與公共區交疊的區域設置有至少一個通孔；第二電流通道金屬區，所述第二電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第二電流通道金屬區與漏極區交疊的區域設置有至少一個通孔。一種晶片版圖結構，包括至少一個電晶體版圖結構，所述電晶體版圖結構為上述任意一項所述的電晶體版圖結構。[0023]由上述方案可知，本申請提供的電晶體版圖結構，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。即在上述版圖結構下的電晶體的主體結構被淺阱所包覆，與襯底是分離的。所述淺阱的導熱能力較強，可以將電晶體主體結構產生的熱量更好的傳遞給襯底，進而提高電晶體主體的散熱能力。此外，淺阱的導電能力要強於傳統的襯底，則所述電晶體對大電流的承載能力有所提聞。
為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其 他的附圖。圖I為現有的一種電晶體版圖結構不意圖；圖2為本申請實施例提供的一種電晶體版圖結構示意圖；圖3為本申請另一實施例提供的另一種電晶體版圖結構不意圖；圖4為本申請又一實施例提供的又一種電晶體版圖結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本申請實施例中的附圖,對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本申請保護的範圍。本申請實施例提供了一種電晶體版圖結構，如圖2所示，所述電晶體版圖結構包括主體區201、襯底區202和淺阱區203，其中，所述主體區201設置在所述淺阱區203上，所述淺阱區203設置在所述襯底區202上。所述主體區201為電晶體的主體工作區域，是電流進出電晶體的主要區域。所述淺阱區203為淺摻雜區，具有一定的摻雜濃度，但是摻雜的深度較淺，則其具有較強的電流承載能力，可以承載較大的電流。所述襯底202為所述主體區201和淺阱區203的承載區域，即所述主體區201和淺阱區203是以襯底202為基礎的。由上述方案可知，本申請提供的電晶體版圖結構，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。即在上述版圖結構下的電晶體的主體結構被淺阱所包覆，與襯底是分離的。而所述淺阱是相對於深阱而言的，其同樣具備一定濃度的摻雜，所述淺阱的導熱能力較強，可以將電晶體主體結構產生的熱量更好的傳遞給襯底，進而提高電晶體主體的散熱能力。此外，淺阱的導電能力要強於傳統的襯底，則所述電晶體對大電流的承載能力有所提聞。本申請另一實施例公開了另一種電晶體版圖結構，如圖3所示，包括體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。其中，而所述淺阱是相對於深阱而言的，其同樣具備一定濃度的摻雜，且本實施例中所述淺阱區為淺N注入阱。所述主體區包括柵極區311、公共區312、漏極區313、P注入阱314和深阱區315。所述柵極區311呈長條狀，其內設置有多晶矽柵，並將所述公共區312和漏極區313隔開，所述漏極313內包括至少一個漏極接觸孔30。所述公共區312位於兩個柵極區311中間，且所述公共區312內包括兩源極區3121和一襯底有源區3122。所述源極區3121內包括至少一個源極接觸孔31，所述襯底有源區3122位於兩源極區3121之間，與兩源極區3121相連接，且所述襯底有源區3122內包括至少一個襯底接觸孔32。所述P注入阱314位於所述深阱區315上(所述深阱區315為深N注入阱)，且所述公共區312位於P注入阱314內。由上述方案可知，本申請提供的電晶體版圖結構，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。即在上述版圖結構下的電晶體的主體結構被淺阱所包覆，與襯底是分離的。所述淺阱的導熱能力較強，可以將電晶體主體結構產生的熱量更好的傳遞給襯底，進而提高電晶體主體的散熱能力。此外，淺阱的導電能力要強於傳統的襯底，則所述電晶體對大電流的承載能力有所提聞。進一步的，本申請實施例中，源極區和襯底有源區連接在一起，相鄰的兩個電晶體之間的襯底是裸露的，增大了電晶體的襯底接觸。而且，本申請實施例中，連接在一起的源極區和襯底有源區被深阱區和P注入阱包覆，所述深阱區和P注入阱起到很好的隔離作用，器件的散熱能力有了進一步的提高。本申請又一實施例公開了又一種電晶體版圖結構，如圖4所示，包括公共金屬區401，所述公共金屬區401呈啞鈴狀(中間窄，兩端寬)，且位於公共區上，且所述公共金屬區401內設置有公共金屬層。漏端金屬區402，所述漏端金屬區402呈紡錘狀(中間寬，兩端窄)，且位於漏極區上，且所述漏端金屬區402內設置有漏端金屬層。第一電流通道金屬區411，所述第一電流通道金屬區411呈長條狀，與所述公共金屬區401和漏端金屬區402相交疊，所述第一電流通道金屬區411內設置有第一電流通道金屬層，且所述第一電流通道金屬區411與公共金屬區401交疊的區域(公共金屬區401兩端較寬的位置)設置有至少一個第一通孔40，優選的，本實施例中所述第一電流通道金屬區411與公共金屬區401交疊的區域設置有四個第一通孔40，所述第一通孔40用於導通第一電流通道金屬層和公共金屬層；第二電流通道金屬區412，所述第二電流通道金屬區412呈長條狀，與所述公共金屬區401和漏端金屬區402相交疊，所述第二電流通道金屬區412內設置有第二電流通道金屬層，且所述第二電流通道金屬區412與漏端金屬區402交疊的區域(漏端金屬區402中間較寬的位置)設置有至少一個第二通孔41，優選的，本實施例中所述第二電流通道金屬區412與漏端金屬區402交疊的區域設置有四個第二通孔41，所述第二通孔41用於導通第二電流通道金屬層和漏端金屬層。[0051]所述公共金屬層和漏端金屬層屬於第一金屬層，所述第一電流通道金屬層和第二電流通道金屬層屬於第二金屬層，且所述第二金屬層的導電能力要高於第一金屬層。且上述啞鈴狀的公共金屬層和紡錘狀的漏端金屬層保證了電流傳輸路徑基本相等並對稱，使電流更加均勻，而且第二金屬層的設置更進一步的保證了源極區和漏極區電流的流通路徑基本相等，提高了電流的傳輸速度，減少了電流的流通路徑過長所產生熱量。本申請又一實施例公開了一種晶片版圖結構，包括至少一個電晶體版圖結構，所述電晶體版圖結構為上述任一實施例所公開的電晶體版圖結構。襯底電位相同的電晶體均設置在一淺阱區內，此時，所述淺阱區便相當於電晶體主體結構與襯底之間的防護層，其他襯底電位不同的電晶體則被淺阱區隔離開，避免了各襯底電位不同的電晶體之間的相互影響。進一步的，避免了器件的整流作用導致襯底上電位不均勻的現象，從而保證了其他重要電路的正常工作。並且，淺阱區增加了電晶體對電流的承載能力，使其不易被大電流擊穿。同時，具有高濃度離子摻雜的淺阱區具有更好的導熱 能力，電晶體主體結構產生的熱量可以更迅速的通過淺阱區散發出去，進而提高了晶片整體的散熱能力。另外，對於普通的晶片而言，一般都是在外圍的部分施加襯底的電位。對於包括有較多半導體器件(如電晶體)的晶片，外圍襯底電位對於晶片中心位置的器件襯底電位的影響會隨著距離的增加而越來越困難，因此需要保證每個器件都有襯底接觸，則晶片的總體面積也會相應的增加。本申請實施例所公開的晶片版圖結構，結構緊湊，其中，兩個電晶體之間共用一個襯底接觸，而不是為每個器件單獨設置襯底接觸，保證了器件的襯底接觸，並相應的減少了晶片的總體面積，降低了生產成本。以上對本申請所提供的一種電晶體版圖結構和晶片版圖結構進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本申請的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用於幫助理解本申請的方法及其核心思想；同時，對於本領域的一般技術人員，依據本申請的思想，在具體實施方式
及應用範圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本申請的限制。
權利要求1.一種電晶體版圖結構，其特徵在於，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。
2.根據權利要求I所述的電晶體版圖結構，其特徵在於，所述主體區包括 柵極區、公共區、漏極區、P注入阱和深阱區； 所述柵極區呈長條狀，將所述公共區和漏極區隔開； 所述公共區位於兩個柵極區中間，且所述公共區內包括兩源極區和一襯底有源區，所述襯底有源區位於兩源極區之間，且與兩源極區相連接； 所述P注入阱位於所述深阱區上，且所述公共區位於P注入阱內。
3.根據權利要求2所述的電晶體版圖結構，其特徵在於，所述源極區內包括至少一個源極接觸孔。
4.根據權利要求2所述的電晶體版圖結構，其特徵在於，所述漏極區內包括至少一個漏極接觸孔。
5.根據權利要求2所述的電晶體版圖結構，其特徵在於，襯底有源區內包括至少一個襯底接觸孔。
6.根據權利要求2所述的電晶體版圖結構，其特徵在於，還包括 公共金屬區，所述公共金屬區呈啞鈴狀，且位於公共區上； 漏端金屬區，所述漏端金屬區呈紡錘狀，且位於漏極區上。
7.根據權利要求2所述的電晶體版圖結構，其特徵在於，還包括 第一電流通道金屬區，所述第一電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第一電流通道金屬區與公共區交疊的區域設置有至少一個通孔； 第二電流通道金屬區，所述第二電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第二電流通道金屬區與漏極區交疊的區域設置有至少一個通孔。
8.—種晶片版圖結構，其特徵在於，包括至少一個電晶體版圖結構，所述電晶體版圖結構為權利要求Γ7任意一項所述的電晶體版圖結構。
專利摘要本申請提供了一種電晶體版圖結構，其特徵在於，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。由於在上述版圖結構下的電晶體，其主體結構被淺阱所包覆，與襯底是分離的。所述淺阱的導熱能力較強，可以將電晶體主體結構產生的熱量更好的傳遞給襯底，進而提高電晶體主體的散熱能力。
文檔編號H01L29/06GK202758890SQ20122040695
公開日2013年2月27日 申請日期2012年8月16日 優先權日2012年8月16日
發明者叢久濱, 謝文剛, 任民 申請人:成都國微電子有限公司