具有多個發光元件的發光裝置的製作方法
2023-05-01 06:56:01
專利名稱：具有多個發光元件的發光裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種在基板上形成有多個發光元件的發光裝置。
背景技術：
在發光元件(LED)等發光單元被用於顯示用途等的情況下，其使用條件為驅動電壓約1～4V，驅動電流約20mA。然而，近年來開發出了使用GaN系化合物半導體的短波長LED，隨著全彩色和白色等固體光源的實用化，逐漸出現了將LED用於照明用途的探討研究。將LED用於照明用途時，所出現的問題是，其使用條件不同於上述驅動電壓約1～4V、驅動電流約20mA那樣的使用條件。因此，需要致力於使LED具有更大的電流，增大發光輸出。為了產生大電流，需要增大LED的pn結面積，控制電流密度，使其變小。
將LED作為照明光源使用時，使用交流電作為電源，能夠在100V以上的驅動電壓下使用，非常方便。另外，如果投入相同的電力可以獲得相同的發光輸出，則保持低電流值的同時施加高電壓可以減小電力損失。但是，現有的LED中，不能充分提高驅動電壓。
發明內容
本發明的目的在於提供能夠在高驅動電壓下進行工作的發光裝置。
本發明的特徵在於，絕緣基板上形成多個GaN系發光元件，上述多個發光元件單片式串聯連接。
這裡，最好是上述多個發光元件在上述基板上呈二維配置。
另外，可以將上述多個發光元件分為2組，並聯連接以使2個電極相互極性相反。
上述多個發光元件之間的連接可以使用架空橋式(air-bridge)布線。
上述多個發光元件之間的電分離可以利用作為上述基板使用的藍寶石來進行。
另外，可以將上述多個發光元件分為數量相同的2組，各組發光元件陣列配置為曲折狀，並且，2組發光元件陣列並聯連接以使2個電極相互極性相反，也可以將上述2組發光元件陣列配置為互不相同。
另外，上述發光元件和電極的平面形狀可以是近似正方形或三角形。
另外，上述多個發光元件和電極也可以配置為整體形狀近似正方形。
在本發明中，電極可以是交流電源用電極。
另外，上述2組發光元件陣列也可以具有共同的n電極。
在本發明中，多個發光元件形成為單片式，即形成在同一基板上，通過將它們串聯連接，就可以獲得高驅動電壓。將多個發光元件連接於一個方向使直流驅動成為可能，但也可以將多個發光元件分為2組連接到電極，使各組發光元件(發光元件陣列)成為極性相反，以此使交流驅動也成為可能。各組數量可以相等，也可以不相等。
二維配置多個發光元件的方法有多種，但最好是使基板專用面積儘可能小。例如，將2組發光元件陣列分別配置為曲折狀，即將多個發光元件配置於曲折的直線上，各個發光元件陣列配置得互不相同，由此可以有效地利用基板面積，連接多個發光元件。將2組發光元件陣列配置得互不相同，會產生布線的交叉部分，但是通過在發光元件之間使用架空橋式布線進行連接，就可以有效地防止交叉部分的短路。發光元件和電極的形狀可以是任意的，例如可以使用標準的安裝結構，平面形狀採用近似正方形從而整體形狀也呈近似正方形。除了正方形之外，發光元件和電極在例如呈三角形時，如果對這些三角形狀進行組合從而使整體形成近似正方形，同樣也能夠使用標準的安裝結構。
圖1是發光元件(LED)的基本結構圖。
圖2是發光裝置的等效電路圖。
圖3是2個LED的平面圖。
圖4是圖3的IV-IV剖視圖。
圖5是發光裝置的另一等效電路圖。
圖6是二維排列40個LED的說明圖。
圖7是圖6的電路圖。
圖8是二維排列6個LED的說明圖。
圖9是圖8的電路圖。
圖10是二維排列14個LED的說明圖。
圖11是圖10的電路圖。
圖12是二維排列6個LED的說明圖。
圖13是圖12的電路圖。
圖14是二維排列16個LED的說明圖。
圖15是圖14的電路圖。
圖16是排列2個LED的說明圖。
圖17是圖16的電路圖。
圖18是二維排列4個LED的說明圖。
圖19是圖18的電路圖。
圖20是二維排列3個LED的說明圖。
圖21是圖20的電路圖。
圖22是二維排列6個LED的說明圖。
圖23是圖22的電路圖。
圖24是二維排列5個LED的說明圖。
圖25是圖24的電路圖。
圖26是另一個二維配置說明圖。
圖27是圖26的電路圖。
圖28是另一個二維配置說明圖。
圖29是圖28的電路圖。
圖30是另一個二維配置說明圖。
圖31是圖30的電路圖。
具體實施例方式
下面根據
本發明的實施方式。
圖1中表示了本實施方式中用作GaN系化合物半導體發光元件的LED1的基本結構。LED1的結構是在基板10上依次層疊GaN層12、摻雜Si的n型GaN層14、InGaN發光層16、AlGaN層18、p型GaN層20，接觸p型GaN層20形成p電極22，接觸n型GaN層14形成n電極24。
圖1所示的LED通過以下工藝過程製作。即，首先，利用MOCVD裝置在氫氣環境中以1100℃對藍寶石c面基板進行10分鐘熱處理。然後，使溫度降至500℃，供給100秒鐘的矽烷氣體和氨氣，在基板10上形成不連續的SiN膜。此外，該工藝過程是用來減小設備中的位錯密度，圖中省略了SiN膜的表示。其次，以相同溫度供給三甲基鎵和氨氣，使GaN層成長至20nm厚度。將溫度升至1050℃，再次供給三甲基鎵和氨氣，使無摻雜GaN(u-GaN)層12和摻雜Si的n型GaN層14分別成長為2μm厚度。然後，使溫度降至700℃左右，使InGaN發光層16成長為2nm厚度。目標組分是x＝0.15，即In0.15Ga0.85N。發光層16成長後，將溫度升至1000℃，使AlGaN空穴注入層18成長，進而使p型GaN層20成長。
在使p型GaN層20成長後，從MOCVD裝置中取出晶片，利用真空蒸鍍在成長層表面依次形成10nm厚的Ni和10nm厚的Au。在含有5％的氧的氮氣環境中，通過520℃熱處理，使金屬膜成為p型透明電極22。形成透明電極後，全面塗敷光致抗蝕劑，以光致抗蝕劑作為掩模，進行用於形成n型電極的刻蝕。刻蝕深度為例如600nm左右。在經刻蝕而露出的n型GaN層14上，形成5nm厚的Ti和5nm厚的Al，在氮氣環境中以450℃進行30分鐘熱處理，形成n型電極24。最後，研磨基板10的背面至100μm，將晶片切出，通過安裝獲得LED1。
圖1中，在基板10上形成1個GaN系LED1，但在本實施方式中，在基板10上以二維陣列狀單片式(monolithic)形成多個LED1，連接各個LED從而構成發光裝置(晶片)。這裡，所謂的「單片」是指在1個基板上形成了全部元件。
圖2表示了發光裝置的等效電路圖。在圖2中，2維陣列狀形成的發光元件群分成數量相同(圖中是4個)的2組，各組的LED1分別串聯連接，2組LED列並聯連接以使對於電極(驅動電極)極性相反。依照此種LED列串聯連接方式，能夠以各個驅動電壓相加的高電壓來驅動LED1。另外，由於各LED列並聯連接到電極以使其極性相互相反，所以即使在使用交流電源作為電源的情況下，因為在電源的各個周期中必定有某一方的LED列發光，所以能夠實現高效發光。
圖3中表示了基板10上以單片式形成的多個LED的部分平面圖。另外，圖4表示圖3的IV-IV剖視圖。在圖3中，在LED1上面如圖1所示形成有p電極22和n電極24。鄰接的LED1的p電極22和n電極24之間，通過架空橋式布線28相連，多個LED1串聯連接。
在圖4中，為方便說明，簡化表示了各個LED1。即，僅示出了n-GaN層14、p-GaN層20、p-電極22、n-電極24。實際上如圖1所示，還有InGaN發光層16等。架空橋式布線28經由空中從p電極22連接到n電極24。由此，與在元件表面塗敷絕緣膜，再在其上形成電極並電連接p電極22和n電極24的方法相比，因為無需沿著刻蝕溝配置電極，所以可以避免布線斷線以及構成絕緣材料的元素從絕緣膜熱擴散到n層、p層導致LED1變壞的問題。架空橋式布線28不僅在LED1之間，也可以用於LED1與圖中未示出的電極之間的連接。
另外，如圖4所示，各LED1需要相互獨立，電絕緣。因此，各LED1在藍寶石基板10上被分離開來。因為藍寶石自身是絕緣體，所以能夠使LED1分別電分離。依照此種方式，通過用藍寶石基板10作為進行LED的電分離的電阻體，就能夠簡單可靠地實現LED的電分離。
此外，作為發光元件，除了具有pn結的LED之外，也可以使用MIS。
圖5表示了發光裝置的另一等效電路圖。在圖中，20個LED1串聯連接形成1個LED陣列，2個LED陣列(共計40個LED)並聯連接到電源。LED1的驅動電壓設定為5V，各LED陣列的驅動電壓為100V。2個LED陣列與圖2同樣並聯連接到電源以使極性互相相反，使得無論電源極性如何，均有一個LED陣列發光。
圖6中具體表示了二維陣列。是對應於圖2的等效電路圖。在圖中，藍寶石基板10上形成了共計40個LED1，分為分別為20個的2組，通過架空橋式布線28串聯連接，形成2個LED陣列。更詳細來說，各LED1均為形狀相同的正方形大小相等，1個LED陣列從上面起分別以6個、7個、7個配置於一直線上，從上數第1列(6個)和第2列(7個)成相反方向，第2列和第3列也成相反方向。第1列和第2列、第2列和第3列相互分離配置。即，這是因為如後所述，另一LED陣列的列交替插入。第1列右端的LED1和第2列右端的LED1通過架空橋式布線28相連。第2列左端的LED1和第3列左端的LED1也通過架空橋式布線28相連，呈曲折排列。第1列左端的LED1通過架空橋式布線28連接到形成在基板10的左上部的電極(焊盤)32，第3列右端的LED1通過架空橋式布線28連接到形成在基板10的右下部的電極(焊盤)32。2個電極(焊盤)32也是與LED1相同形狀的正方形。另一LED陣列形成為與上述一個LED陣列的間隙互不相同。即，另一LED陣列從上面起分別以7個、7個、6個配置於一直線上，從上數第1列形成於一個LED陣列的第1列和第2列之間，第2列形成於一個LED陣列的第2列和第3列之間，第3列形成於一個LED陣列的第3列的下方。另一LED陣列的第1列和第2列，以及第2列和第3列也形成為互反方向，第1列右端的LED1和第2列右端的LED1通過架空橋式布線28相連，第2列左端的LED1和第3列左端的LED1也通過架空橋式布線28相連為曲折狀。另一LED陣列的第1列左端的LED通過架空橋式布線28連接到形成在基板10的左上部的電極32，第3列右端的LED1通過架空橋式布線28連接到形成在基板10的右下部的電極32。一個LED陣列與另一LED陣列對於電極32的極性相反。發光裝置(晶片)的整體形狀為長方形。被提供有電源的2個電極32位於長方形的對角位置而分開形成，此點應予注意。
圖7中表示了圖6的電路圖。很明顯，各個LED陣列彎曲為曲折狀串聯連接，2個LED陣列中呈曲折狀的各列形成於相互各行之間。利用這種配置，可以將多個LED1配置在較小基板10上。另外，對於40個LED1，電極32有2個即可，因此這一點也可以提高基板10的使用效率。另外，為了隔離各個LED1而分別形成各個LED1時，需要切割晶片使其分離，對此，本實施方式中，由於可以通過刻蝕來分離各個LED1，所以能夠使LED1的間隔變窄。由此，能夠使藍寶石基板10變得更小。各個LED1彼此的分離是通過同時使用光致抗蝕劑或反應性離子刻蝕、溼式刻蝕，刻蝕去除LED1之外的區域直至達到基板10而實現的。由於各LED陣列交替發光，所以能夠提高發光效率並提高散熱特性。另外，如果改變串聯連接的LED1的數量，也可以改變整體的驅動電壓。另外，如果減小LED1的面積，就能夠提高每個LED的驅動電壓。在串聯連接20個LED1時，如果用商用電源(100V、60Hz)驅動，就能夠獲得大約150mW的發光輸出。這種情況下的驅動電流為20mA左右。
此外，由圖7可知，在將2個LED陣列交替排列為曲折狀時，必定會與架空橋式布線28產生交叉部分34。例如，連接另一LED陣列的第1列和第2列時，會與用於連接一個LED陣列的第1列和第2列的布線部分交叉。但是，本實施方式的架空橋式布線28不像上述那樣與基板10接觸，而是離開基板10從空中通過，所以能夠很容易地避免架空橋式布線28之間在交叉部分34接觸造成短路。這是使用架空橋式布線28的優點之一。架空橋式布線28例如以如下方式形成。即，全面塗敷2μm厚的光致抗蝕劑，在打開架空橋式布線形狀的空洞後，進行堅膜處理(post bake)。利用真空蒸鍍在其上依次蒸鍍10nm的Ti、10nm的Au。再在其上再次全面塗敷2μm厚的光致抗蝕劑，只在欲形成架空橋式布線的部分開孔。接著，以Ti和Au作為電極，在電解液中利用離子電鍍法(電鍍)在電極全面上附著3～5μm厚的Au。然後，將試料浸入丙酮，利用超聲波洗淨將光致抗蝕劑溶解去除，形成架空橋式布線28。
依照此種方式，通過將多個LED1配置為二維陣列狀，可以有效活用基板面積，並能夠以高驅動電壓，特別是商用電源進行驅動，二維陣列的模式也可以使用其他各種模式。一般地，二維陣列模式最好具備以下條件。
(1)為了使各LED中電流一律相同從而獲得一律相同的發光，各個LED的形狀、電極位置最好是相同的。
(2)為了將晶片切割為晶片，各個LED的邊最好是直線。
(3)為了提高光提取效率，使用標準的安裝，利用來自周邊的反射；為此，LED的平面形狀最好是近似於正方形的形狀。
(4)2個電極(焊接區)的大小最好是100μm見方左右，並相互分離。
(5)為了有效利用晶片面積，最好使布線、焊盤佔小的比例。
當然，這些不是必須的，例如各個LED的形狀也可以使用三角形的平面形狀。即使各個LED的形狀為三角形，通過將其組合，整體形狀也可以呈近似正方形。下面說明二維陣列模式的若干實例。
圖8中表示了將共計6個LED1二維配置的實例，圖9表示了其電路圖。圖8的配置基本上與圖6的配置相同，共計6個LED陣列等分為2組，分別由串聯連接的3個LED構成。一個LED陣列配置為曲折狀，從上數第1列形成1個LED1，第2列形成2個LED1。第1列LED和第2列的右端的LED1通過架空橋式布線28串聯連接，第2列的2個LED1也通過架空橋式布線28串聯連接。基板10的左上部和左下部形成有電極(焊盤)32，第1列的LED1通過架空橋式布線連接到左上部的電極32，第2列左端的LED1連接到左下部的電極32。另一個LED陣列也排列為曲折狀，從上數第1列形成2個LED1，第2列形成1個LED1。另一個LED陣列的第1列形成於上述一個LED陣列的第1列和第2列之間，另一個LED陣列的第2列形成於上述一個LED陣列的第2列的下方。第1列右端的LED1通過架空橋式布線28串聯連接到第2列的LED1，第1列的2個LED1彼此也通過架空橋式布線28串聯連接。第1列左端的LED1通過架空橋式布線28連接到左上部的電極32，第2列的LED1通過架空橋式布線28連接到左下部的電極32。由圖9可知，在此實例中也是2個LED陣列相互並聯連接到電極32，並且連接成極性相反。因此，當供給交流電源時，2個LED陣列交替發光。
圖10中表示了將共計14個LED二維配置的實例，圖11表示了其電路圖。共計14個LED陣列分為2組，分別由串聯連接的7個LED構成。一個LED陣列配置為曲折狀，從上數第1列形成3個LED1，第2列形成4個LED1。第1列左端的LED和第2列左端的LED1通過架空橋式布線28串聯連接，第1列的3個LED1彼此以及第2列的4個LED1彼此也通過架空橋式布線28串聯連接。基板10的右上部和右下部形成有電極(焊盤)32，第1列右端的LED1通過架空橋式布線連接到右上部的電極32，第2列右端的LED1連接到右下部的電極32。另一個LED陣列也排列為曲折狀，從上數第1列形成4個LED1，第2列形成3個LED1。另一個LED陣列的第1列形成於上述一個LED陣列的第1列和第2列之間，另一個LED陣列的第2列形成於上述一個LED陣列的第2列的下方。第1列左端的LED1通過架空橋式布線2 8串聯連接到第2列左端的LED1。第1列的4個LED1彼此以及第2列的3個LED1彼此也串聯連接。第1列右端的LED1通過架空橋式布線28連接到右上部的電極32，第2列右端的LED1通過架空橋式布線28連接到右下部的電極32。由圖11可知，在此實例中也是2個LED陣列相互並聯連接到電極32，並且連接成極性相反。因此，當供給交流電源時，2個LED陣列交替發光。
圖6、圖8、圖10的二維模式的共同特點是，各個LED1具有近似正方形的相同形狀、相同大小；2個電極(焊盤)也是近似正方形，不形成鄰接(形成分離)；2個LED陣列形成組合；2個LED陣列形成彎曲並且在晶片上互相交錯；2個LED陣列連接到電極以形成相反極性等等。
圖12中表示了將平面形狀為三角形的LED二維排列時的實例，圖13表示了其電路圖。在圖12中，LED1a、1b、1c、1d、1e、1f共計6個形成為三角形平面形狀。LED1a與LED1e配置成在三角形的一邊互相面對且2者成近似正方形；LED1b與1f配置成互相面對且2者形成近似正方形。另外，LED1d與電極32互相面對連接，LED1c與電極32互相面對連接。2個電極32也與LED同樣呈三角形平面形狀，同樣配置為近似正方形。LED彼此面對的邊構成n電極24，即，相對的2個LED共享n電極24。LED與電極32也是n電極連接。該配置也如上述實例同樣地將共計6個LED分為2組。一個LED陣列由LED1a、LED1b、LED1c構成，LED1a的p電極22通過架空橋式布線28連接到電極32，其n電極24通過架空橋式布線28與LED1b的p電極22連接。LED1b的n電極24通過架空橋式布線28與LED1c的p電極22連接。LED1c的n電極24連接到電極32。另一個LED陣列由LED1d、LED1e、LED1f構成，電極32與LED1f的p電極22通過架空橋式布線28相連，LED1f的n電極24與LED1e的p電極22通過架空橋式布線28相連，LED1e的n電極24與LED1d的p電極22通過架空橋式布線28相連，LED1d的n電極24連接到電極32。
在圖13中，構成一個LED陣列的LED1a與構成另一個LED陣列的LED1e的n電極相連，構成一個LED陣列的LED1b與構成另一個LED陣列的LED1f的n電極相連，這一點也請注意。通過共享2組LED陣列的若干個n電極，能夠減少電路布線。另外，在該實例中，也是將2個LED陣列並聯連接到電極32，並且連接成極性相反。另外，各個LED形狀、大小相同，將各個LED以一邊相對置，同時使電極32為三角形，就能夠以高密度形成LED和電極，減小所需要的基板面積。
圖14中表示了將平面形狀為三角形的LED二維排列的另一實例，圖15表示了其電路圖。在該實例中，將LED1a～1r共計16個形成為二維。LED1a與1j、1b和1k、1c和1m、1d和1n、1e和1p、1f和1q、1g和1r分別在三角形的一邊上相互面對。相對的邊上共同形成有n電極24。另外，LED1i與電極32相互面對，LED1h與電極32相互面對。一方的LED陣列由LED1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h構成，另一方的LED陣列由LED1r、1q、1p、1n、1m、1k、1j、1i構成。LED1b的n電極24通過架空橋式布線28與LED1c的p電極2 2相連，LED1e的n電極24也通過架空橋式布線28與LED1f的p電極22相連。另外，LED1q的n電極24也通過架空橋式布線28與LED1p的p電極22相連，LED1m的n電極24也通過架空橋式布線28與LED1k的p電極22相連。在圖14中也會產生與圖12同樣的交叉部分，但能夠通過架空橋式布線28避免短路。另外，在本實例中，也是通過共享2組LED陣列的若干個n電極24的結構來減少所需的布線。另外，在該實例中也是2個LED陣列並聯，以互相相反極性連接到電極32，交流驅動成為可能。在圖12中表示了共計6個LED的情況，在圖14中表示了共計16個LED的情況，其他個數的LED也可以進行同樣的二位排列。本申請的申請人製作出了將38個LED二維排列的發光裝置。
以上說明了交流驅動的情況，當然也可以是直流驅動。在這種情況下，LED陣列不是以相反極性連接到電極，而是可以按照直流電源的極性方向，順向連接LED陣列。通過串聯連接多個LED，能夠以高電壓驅動。以下說明直流驅動的情況。
圖16中表示了將2個LED串聯連接的實例，圖17表示了其電路圖。各個LED1的平面形狀為矩形，2個LED之間通過架空橋式布線28相連。電極32形成於各個LED1的附近，利用電極32和LED1形成長方形的區域。即，電極32佔用長方形區域的一部分，在長方形區域的其他區域中形成LED1。
圖18中表示了將共計4個LED二維排列的實例，圖19表示了其電路圖。將圖16的LED1分割為2個，將各個並聯連接。由2個LED構成的LED陣列可以2組並聯地順向連接。用LED1a與1b構成1個LED陣列，用LED1c和1d構成另一個LED陣列。LED1a和LED1c共享p電極22和n電極24，LED1b和LED1d共享p電極22和n電極24。利用這種結構，與圖16相比，具有使電流均勻的效果。
圖20表示了將共計3個LED二維排列的實例，圖21表示了其電路圖。LED1a、1b、1c形狀不同，在LED1a的一部分形成有電極32。LED1a的n電極24與LED1b的p電極通過跨在LED1b之上的架空橋式布線28相連。通過對各LED的形狀和配置進行規劃，即使是3個LED也可以使發光裝置(晶片)整體的外觀形狀呈近似正方形。
圖22中表示了將共計6個LED二維排列的實例，圖23表示了其電路圖。各個LED1a～1f形狀、大小相同。LED1a～1f串聯連接。LED1a～1c配置於直線上，LED1d～1f配置於另一直線上。LED1c與LED1d通過架空橋式布線28相連。在該實例中，也可以使晶片的整體形狀呈近似正方形。
圖24中表示了將共計5個LED二維排列的實例，圖25表示了其電路圖。LED1a～1e形狀(長方形)、大小相同。在該實例中，也可以使整體形狀呈近似正方形。
以上說明了本發明的實施方式，本發明並不限定於此，而是可以進行各種變化。特別是在將多個發光元件(LED等)二維配置時，模式可以是上述模式之外。在此情況下，適合於使鄰接發光元件之間共享電極從而減少布線、將整體形狀取為正方形或長方形、將多組發光元件陣列並聯連接到電極、交流驅動時多組發光元件陣列置為互相相反極性、將多組發光元件陣列分別以曲折狀組合，等等。
圖26～圖31中，表示了這些變形例的若干個實例。圖26是交流驅動時的二維配置，配置有共計40個LED。圖27是其電路圖。與圖6不同的是，2組LED陣列的若干個共享n電極24(參照圖5)。例如，位於一個LED陣列第1列的從右端數第2位置處的LED(圖中以α表示)的n電極24，與位於另一個LED陣列第1列的右端的LED(圖中以β表示)的n電極24是共享的。此外，LED陣列的端部(圖中γ部分)的架空橋式布線28不交叉，而是共同形成的。
圖28是交流驅動時的二維配置，配置有共計14個LED。圖29是其電路圖。與圖10不同的是，2組LED陣列的若干個共享n電極24。例如，位於一個LED陣列第1列的左端的LED(圖中以α表示)的n電極24，與位於另一個LED陣列第1列的從右端數第2位置處的LED(圖中以β表示)的n電極24是共享的。另外，端部(圖中γ部分)的架空橋式布線28共同形成。
圖30是交流驅動時的二維配置，配置有共計6個LED。圖31是其電路圖。在該實例中，端部(γ部)的架空橋式布線28也是共同形成的。該結構也可以使一個LED陣列的n電極24與另一個LED陣列的n電極24共享。
權利要求
1.一種發光裝置，其特徵在於，在絕緣基板上形成多個GaN系發光元件，上述多個發光元件單片式串聯連接。
2.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，上述多個發光元件上述基板上呈二維配置。
3.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，上述多個發光元件分為2組，並聯連接以使2個電極相互極性相反。
4.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，上述多個發光元件之間的連接使用架空橋式布線。
5.如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，利用作為上述基板使用的藍寶石實現上述多個發光元件之間的電分離。
6.如權利要求2所述的裝置，其特徵在於，上述多個發光元件分為數量相同的2組，各組的發光元件陣列配置為曲折狀，並且，2組發光元件陣列並聯連接以使2個電極相互極性相反。
7.如權利要求6所述的裝置，其特徵在於，上述2組發光元件陣列配置為互不相同。
8.如權利要求6所述的裝置，其特徵在於，上述發光元件及電極的平面形狀為近似正方形。
9.如權利要求6所述的裝置，其特徵在於，上述發光元件及電極的平面形狀為三角形。
10.如權利要求2所述的裝置，其特徵在於，上述多個發光元件和電極配置為整體形狀呈近似正方形。
11.如權利要求10所述的裝置，其特徵在於，由上述多個發光元件構成的發光元件陣列配置為曲折狀。
12.如權利要求6所述的裝置，其特徵在於，上述電極為交流電源用電極。
13.如權利要求6所述的裝置，其特徵在於，上述2組發光元件陣列具有共同的n電極。
全文摘要
一種在高驅動電壓和低驅動電流下工作的發光裝置。在藍寶石等絕緣基板(10)上，以二維單片式形成多個LED(1)，將多個LED(1)串聯連接成為LED陣列。2組LED陣列以相反極性連接到電極(32)。LED(1)之間及LED(1)與電極(32)之間為架空橋式布線(28)。通過曲折狀配置LED陣列，形成多個LED(1)，獲得高驅動電壓和低驅動電流。由於2個LED陣列極性相反，因此電源可以使用交流電源。
文檔編號H01L33/62GK1679177SQ0382062
公開日2005年10月5日 申請日期2003年8月28日 優先權日2002年8月29日
發明者酒井士郎, 敖金平, 大野泰夫 申請人:氮化物半導體株式會社, 酒井士郎