用於多晶片模塊的連接元件和多晶片模塊的製作方法
2023-05-19 00:38:31
用於多晶片模塊的連接元件和多晶片模塊的製作方法
【專利摘要】提出一種用於多晶片模塊（10）的連接元件（1），所述連接元件設為用於實現在兩個元件（11a，11b，12）之間的電連接並且所述連接元件具有承載體（2）和在承載體（2）的第一主面（3）上的導電的第一連接結構（5），其中第一連接結構（5）構成為，使得所述第一連接結構將第一和第二元件（11a，11b，12）彼此連接。此外，提出一種具有這種連接元件（1）和兩個元件（11a，11b，12）的多晶片模塊（10），其中這兩個元件（11a，11b，12）藉助於連接元件（1）彼此無線地電連接。
【專利說明】用於多晶片模塊的連接元件和多晶片模塊
【技術領域】
[0001]本申請涉及一種用於多晶片模塊的連接元件，所述連接元件設為用於實現在多晶片模塊的兩個元件之間的電連接。此外，本申請涉及一種多晶片模塊，所述多晶片模塊例如是發光模塊並且具有多個發射輻射的器件。
【背景技術】
[0002]在例如在公開文獻W002/33756A1中描述的常規的多晶片模塊或發光模塊中，在多晶片模塊的或發光模塊的兩個元件之間的電連接通過這兩個元件的布線來進行。接合線、所謂的線接合橋的交叉在此儘可能地被避免，以便防止短路。
【發明內容】
[0003]當前，目的在於，提出一種用於多晶片模塊的改進的電布線的機構。所述目的通過根據權利要求1所述的連接元件來實現。此外，本申請的目的是，提出一種具有改進的電布線的多晶片模塊。所述目的通過根據權利要求11所述的多晶片模塊來實現。
[0004]連接元件的和多晶片模塊的有利的改進形式是從屬權利要求的主題。
[0005]根據一個優選的實施形式，連接元件包括承載體和導電的第一連接結構，所述第一連接結構設置在承載體的第一主面上，其中第一連接結構構成為，使得所述第一連接結構將第一和第二元件彼此連接。在此，連接部能夠對角線地伸展，使得第一連接結構構成為，以至於所述第一連接結構將第一和第二元件對角線地彼此連接。那麼，藉助於連接元件，例如能夠在多晶片模塊之內設置在對角線上的兩個元件之間建立電連接。
[0006]在本文中，優選地，將平面的連接方法用於多晶片模塊的元件的互聯。多晶片模塊在此設有接觸接片，所述接觸接片將元件彼此電連接。導電的接觸接片替代常規的布線。為了使多晶片模塊表面平坦，元件尤其至少部分地嵌入到澆注體中，在所述澆注體中或在所述澆注體上能夠設置有接觸接片。根據一個優選的變型形式，為了製造接觸接片，導電的覆層尤其被整面地施加到澆注體的表面上並且被結構化成，使得元件的電連接部位通過接觸接片連接。有利地，澆注體在電連接部位的區域中開口，使得導電的覆層或接觸接片能夠達到至電連接部位。
[0007]用於連接結構和/或接觸接片的適當的材料例如是Cu、Au、Ag、Al、Cr、Zn或TCO(「Transparent Conductive Oxide」,透明導電氧化物)。尤其地,連接結構和/或接觸接片同時構成為是反射的。在此，連接結構和/或接觸接片優選地由鍍銀的或鍍鉻的銅來形成。
[0008]根據一個優選的設計方案，在本文中，多晶片模塊的兩個元件通過設置在這兩個元件之間的連接元件來互聯。尤其地，在本文中，多晶片模塊的兩個元件通過設置在這兩個元件之間的連接元件來對角線地互聯。尤其地，連接元件也至少部分地嵌入到澆注體中。此夕卜，有利地，澆注體在導電的第一連接結構的區域中具有至少一個開口，接觸接片在所述開口中延伸並且接觸導電的第一連接結構。
[0009]根據一個有利的實施形式，連接元件具有導電的第二連接結構，其中第二連接結構構成為，使得所述第二連接結構將兩個元件彼此連接。尤其可行的是，連接元件具有導電的第二連接結構，其中第二連接結構構成為，使得所述第二連接結構將兩個元件對角線地彼此連接。第一或第二連接結構優選地對角線地在承載體上延伸。此外，第一和第二連接結構在承載體上尤其交叉地延伸，也就是說，相反地對角線地延伸。這意味著，兩個連接結構在承載體的俯視圖中交叉。例如，一個連接結構在連接結構的交叉區域中覆蓋另一個連接結構，在所述交叉區域中，所述連接結構在俯視圖中相交。藉助於這種連接元件能夠實現相互交叉的電連接部。優選地，導電的第一和第二連接結構彼此電分離。
[0010]在一個優選的實施形式中，導電的第二連接結構設置在承載體的第一主面上。尤其地，導電的第一連接結構設置在承載體和導電的第二連接結構之間。
[0011]有利地，連接元件具有與要連接的元件的高度相對應的高度。在高度相似或相同的情況下，元件的電連接部位和連接元件的至少一個接觸部位優選地位於一個平面中，使得對於元件的布線而言沒有得出任何顯著的形貌問題。
[0012]連接元件的橫向擴展，也就是說平行於第一主面或與第一主面相對置的第二主面的擴展尤其小於要連接的元件的橫向擴展。因此，連接元件在沒有對多晶片模塊的整體尺寸產生負面影響的情況下能夠接合到要連接的元件之間。例如，連接元件在橫向擴展方向上能夠具有100 μ m至200 μ m的長度。
[0013]在一個優選的設計方案中，連接元件具有稜柱體的外形。例如，連接元件的或承載體的兩個主面構造成是矩形的並且設置成是彼此平行的。第一和第二連接結構優選地對角線地在這種承載體上延伸。
[0014]用於承載體的適當的材料尤其是半導體材料、玻璃、陶瓷或塑料材料。承載體例如能夠由矽、藍寶石或在環氧樹脂中浸潰的玻璃纖維墊組成的電路板材料、例如FR4形成。優選地，承載體是不導電的或是電絕緣的。
[0015]此外，連接元件優選地包括至少一個絕緣層。絕緣層尤其設置在兩個主面中的至少一個上。有利地，絕緣層覆蓋第一和/或第二連接結構的一部分。
[0016]根據一個優選的實施形式，在導電的第一和第二連接結構之間設置有絕緣層。
[0017]有利地，絕緣層包含塑料材料。用於絕緣層的適當的材料例如是矽樹脂、聚醯亞胺、氧化矽、氧化鈦或旋塗玻璃。尤其地，絕緣層包含輻射可穿透的材料。
[0018]用於製造連接元件的適當的方法在於，將導電的第一覆層、尤其是金屬化部施加到承載體的第一主面上進而結構化成，使得形成導電的第一連接結構。
[0019]根據一個優選的實施形式，第一連接結構具有至少一個第一接觸部位和帶狀導線，所述帶狀導線尤其對角線地伸展。此外，第一連接結構
[0020]IP1454140P能夠具有第二接觸部位，其中第一和第二接觸部位尤其藉助於尤其對角線地伸展的帶狀導線而彼此連接。相應地，第二連接結構優選地具有第一接觸部位和帶狀導線，所述帶狀導線尤其對角線地延伸。此外，第二連接結構也能夠具有第二接觸部位，其中第一和第二接觸部位尤其藉助於尤其對角線地伸展的帶狀導線而彼此連接。
[0021]在一個有利的設計方案中，第一連接結構的第一接觸部位和帶狀導線設置在第一主面上。
[0022]根據至少一個實施形式，第二連接結構的第一接觸部位和帶狀導線也設置在第一主面上。優選地，第一連接結構的第一和第二接觸部位設置在第一主面上並且第二連接結構的第一和第二接觸部位設置在第一主面上。
[0023]例如，第一連接結構設置在承載體和第二連接結構之間，其中這兩個連接結構尤其通過絕緣層而彼此電分離。在此，能夠藉助於這種連接元件建立的電連接橋在兩個不同的平面中伸展，所述平面尤其彼此平行地設置。
[0024]在該實施形式中，為了製造第二連接結構，將導電的第二覆層、尤其是金屬化部施加到絕緣層上並且結構化成，使得形成導電的第二連接結構。這兩個連接結構因此通過雙層金屬化部來製造。
[0025]根據一個替選的設計方案，第一連接結構的帶狀導線設置成，使得所述帶狀導線從承載體的第一主面延伸直至第二主面。例如，帶狀導線在承載體的側面上引導，所述側面將第一和第二主面彼此連接。替選地，帶狀導線能夠是通孔，所述通孔在承載體之內從第一主面延伸直至第二主面。尤其地，第一連接結構的第一接觸部位設置在第一主面上，而第一連接結構的第二接觸部位位於第二主面上。
[0026]此外，第二連接結構的帶狀導線也能夠設置成，使得所述帶狀導線從承載體的第一主面延伸直至第二主面。優選地，在此，第二連接結構的第一接觸部位設置在第一主面上，而第二連接結構的第二接觸部位位於第二主面上。在一個優選的改進形式中，第一和第二連接結構的帶狀導線在同一個側面上引導。
[0027]在第一和/或第二連接結構的帶狀導線設置成使得所述帶狀導線從承載體的第一主面延伸直至第二主面的連接元件能夠用於:例如跨接梯級或在發射輻射的器件和在其上設置有發射輻射的器件的襯底之間建立豎直的橋。
[0028]根據一個用於製造在帶狀導線在承載體的側面上或穿過承載體引導的連接元件的有利的方法，承載體複合物設有開口，所述開口從第一主面延伸直至第二主面。開口用導電材料、例如用金屬或金屬化合物填充。承載體複合物切割成，使得開口被切開並且在製成的連接元件中設置在側面上。然後，開口的導電材料形成帶狀導線的設置在承載體的側面上的部分。替選地，承載體複合物切割成，使得開口隨後設置在承載體之內並且在環周側上由承載體的材料完全包圍。
[0029]可能的是，連接元件除了第一或第二連接結構之外具有另外的導電的連接結構，使得例如多個帶狀導線在俯視圖中在承載體上交叉。例如，帶狀導線能夠星形地交叉。
[0030]根據一個替選的實施形式，連接元件能夠是彎曲的或衝壓的板部件，所述板部件覆蓋在具有絕緣材料的適當的部位上。
[0031]此外,連接元件能夠是SMD (「Surface Mounted Device」,表面安裝設備)構件,例如是低歐姆電阻。也可能的是，連接元件構成為NTC(Negative Temperature Coefficient,負溫度係數)電阻或構成為PTC (Positive Temperature Coeff icient,正溫度係數)電阻。
[0032]此外，能夠考慮的是，連接元件是有源構件，所述有源構件承擔邏輯電路功能、存儲器功能、傳感器功能、ESD保護的功能。此外，連接元件能夠具有發射輻射的器件。
[0033]根據多晶片模塊的一個優選的實施形式，所述多晶片模塊包括上述類型的連接元件和兩個元件，其中這兩個元件藉助於連接元件彼此無線地電連接。優選地，多晶片模塊是發光模塊，所述發光模塊包括上述類型的連接元件和兩個元件，所述兩個元件中的至少一個是發射輻射的器件，其中兩個元件藉助於連接元件彼此無線地電連接。「無線地電連接」例如指的是，連接不是通過線接觸進而通過所謂的「接合線」來建立。也就是說，為了連接尤其不使用線連接(「wire bonding」,線接合)的連接技術。
[0034]發射輻射的器件能夠是未封裝的或封裝的發射輻射的半導體晶片。在一個優選的設計方案中紅，發射輻射的器件在其上側上具有兩個電連接部位。通過電連接部位在上側的設置，可能的是，發射輻射的器件在唯一的平面中彼此電連接。
[0035]發光模塊能夠包括多個(直至幾百個)發射輻射的器件，所述發射輻射的器件尤其安裝在共同的襯底上。襯底優選地同時用作冷卻體。
[0036]根據一個優選的實施形式，發光模塊具有串聯的發射輻射的器件的多個支路，其中支路能夠是並聯是。一個支路的器件優選地發射相同顏色的光。此外，有利地，將支路並聯，所述支路的器件發射相同顏色的光。
[0037]在一個有利的設計方案中，多晶片模塊或發光模塊具有接觸結構，所述接觸結構包括至少一個接觸接片，其中連接結構和元件中的一個藉助於接觸接片導電地接觸並且彼此電連接。尤其地，連接元件的第一接觸結構藉助於接觸接片而電接觸。
[0038]例如，連接元件的第一接觸部位藉助於接觸接片與第一元件、尤其是發射輻射的器件連接，而連接元件的第二接觸部位在不用接觸接片的情況下與第二元件、尤其與襯底連接。在此，尤其適合的是具有在側面上或在承載體之內伸展的帶狀導線的連接元件。由此，能夠建立在兩個元件之間的豎直橋。
[0039]替選地，連接元件的第二接觸部位與另外的接觸接片連接，所述另外的接觸接片導向至第二元件、尤其是另外的發射輻射的器件。
[0040]根據一個優選的實施形式，多晶片模塊或發光模塊具有澆注體，連接元件和這兩個元件至少部分地嵌入到所述澆注體中。尤其地，至少一個接觸接片在澆注體中或在澆注體上伸展。通過澆注體，能夠實現使多晶片模塊或發光模塊的平坦。同時，多晶片模塊的或發光模塊的元件能夠通過澆注體而電絕緣。優選地，澆注體包含透明的或半透明的材料。例如，澆注體能夠包含矽樹脂、聚醯亞胺、氧化矽、氧化鈦或旋塗玻璃。此外，澆注體能夠用轉換體替換，所述轉換體設為用於對由發射輻射的器件發出的輻射進行波長轉換。
[0041]根據一個優選的實施形式，多晶片模塊或發光模塊具有接觸接片，所述接觸接片與連接元件的第一連接結構交叉。在此，具有唯一的連接結構的連接元件在第一主面上是足夠的。優選地，在第一連接結構上設置有澆注體，接觸接片在所述澆注體上伸展。附加的絕緣層在該實施形式中不是必需的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0042]下面根據實施例和所附的附圖來詳細地闡明在此描述的連接元件和多晶片模塊。
[0043]圖1和2示出在此描述的連接元件的第一實施例的示意俯視圖和示意立體圖。
[0044]圖3示出在此描述的連接元件的第二實施例的示意立體圖。
[0045]圖4和5示出在此描述的多晶片模塊的一個實施例的示意俯視圖和示意側視圖，所述多晶片模塊是發光模塊。
【具體實施方式】
[0046]相同的、同類的或起相同作用的元件在附圖中設有相同的附圖標記。
[0047]連接元件I的第一實施例在圖1中以示意俯視圖並且在圖2中以示意立體圖示出。連接元件I適合於用於實現在多晶片模塊的、尤其是發光模塊的兩個元件之間的電連接，如同例如結合圖4和5描述的那樣。
[0048]根據第一實施例的連接元件I具有承載體2，所述承載體具有第一主面3和與第一主面3相對置的第二主面4。這兩個主面3、4在實施例中矩形地構造並且彼此平行地設置。此外，這兩個主面3、4是全等的。
[0049]尤其地，承載體2是不導電的或是電絕緣的。對於承載體2而言例如能夠考慮半導體材料、玻璃、陶瓷或塑料材料。優選地，承載體例如能夠由矽、藍寶石或在環氧樹脂中浸潰的玻璃纖維墊組成的電路板材料、例如FR4形成。
[0050]在承載體2的第一主面3上設置有導電的第一連接結構5。尤其地，第一連接結構5直接施加在第一主面3上。為了製造第一連接結構5,優選地,將導電的第一覆層、尤其是金屬化部施加到承載體2的第一主面3上並且結構化成，使得形成導電的第一連接結構5。第一連接結構5構成為，使得所述第一連接結構尤其將多晶片模塊的第一和第二元件(沒有示出)彼此連接，尤其是對角線地彼此連接。
[0051]根據第一實施例，第一連接結構5具有第一接觸部位5a、第二接觸部位5b和帶狀導線5c，所述帶狀導線將兩個接觸部位5a、5b彼此連接，尤其是對角線地彼此連接。兩個接觸部位5a、5b圓形地構成。
[0052]此外，在承載體2的第一主面3上設置有絕緣層7。優選地，第一連接結構5至少部分地由絕緣層7覆蓋。有利地，第一連接結構5通過絕緣層7向外是電絕緣的。尤其地，絕緣層7在兩個接觸部位5a、5b的區域中是開口的。在絕緣層7的開口 20處，兩個接觸部位5a、5b能夠從外部接觸。
[0053]此外，在承載體2的第一主面3上設置有導電的第二連接結構6。導電的第二連接結構6從承載體2開始設置在第一連接結構5之上。導電的第一連接結構5因此設置在承載體2和導電的第二連接結構6之間。
[0054]藉助於設置在兩個連接結構5、6之間的絕緣層7，這兩個連接結構5、6彼此電分離。相應於第一連接結構5，第二連接結構6也能夠通過導電的覆層、尤其是金屬化部以及隨後的對覆層進行結構化來製造。
[0055]在第一實施例中,第二連接結構6也具有第一接觸部位6a、第二接觸部位6b和帶狀導線6c，所述帶狀導線將兩個接觸部位6a、6b彼此連接，尤其是對角線地彼此連接。兩個接觸部位6a、6b圓形地構成。絕緣層7能夠部分地覆蓋第二連接結構6。有利地，絕緣層7在兩個接觸部位6a、6b的區域中是開口的。在絕緣層7的開口處，兩個接觸部位6a、6b能夠從外部接觸。
[0056]第一和第二連接結構5、6交叉地、在該實施例中相反地對角線地設置在承載體2上。如同從圖1中推出的，在此，兩個連接結構5、6交叉。藉助於這種連接元件1，能夠實現交叉的電連接部。
[0057]根據第一實施例的連接元件I由於第一或第二連接結構5、6的橫向延伸而尤其適合於在第一和第二元件之間構成水平的連接橋。在此，能夠將橫向延伸理解成平行於兩個主面3、4中的一個的擴展。在水平的連接橋中，兩個要連接的元件的連接部基本上位於一個平面中。
[0058]連接元件I的橫向擴展尤其小於要連接的元件的橫向擴展。例如，連接元件I能夠在橫向擴展方向中具有ΙΟΟμ--至200μπ?的長度。
[0059]連接元件I的第二實施例在圖3中以示意立體圖示出。連接元件I尤其適合於用於實現在多晶片模塊的第一和第二元件之間的豎直的連接橋。在豎直的連接橋中，兩個要連接的元件的接口位於不同的、優選平行設置的平面中。
[0060]根據第二實施例的連接元件I具有承載體2，所述承載體具有第一主面3和與第一主面3相對置的第二主面4。此外，連接元件I具有導電的第一和第二連接結構5、6。連接元件I具有稜柱體的形狀。
[0061]如同在第一實施例中那樣，在第二實施例中，承載體2尤其也是不導電的或電絕緣的。對於承載體2而言相應地考慮半導體材料、玻璃、陶瓷或塑料材料。優選地，承載體例如能夠由矽、藍寶石或在環氧樹脂中浸潰的玻璃纖維墊組成的電路板材料、例如FR4形成。
[0062]在根據第二實施例的連接元件I中，第一和第二連接結構5、6分別具有帶狀導線5c、6c，所述帶狀導線從第一主面3延伸直至第二主面4。帶狀導線5c、6c在承載體2的側面8上引導，所述側面將第一和第二主面3、4彼此連接。在此，第一連接結構5的第一接觸部位5a設置在第一主面3上，而第一連接結構5的第二接觸部位(沒有示出)位於第二主面4上。第二連接結構6的第一接觸部位6a同樣設置在第一主面3上，而第二連接結構6的第二接觸部位(沒有示出)位於第二主面4上。
[0063]第一和第二連接結構5、6構成為，使得所述第一和第二連接結構尤其將多晶片模塊的第一和第二元件(沒有示出)彼此連接，尤其是對角線地彼此連接。在第二實施例中，兩個連接結構5、6也是 交叉的，尤其是相反地對角線地設置。
[0064]為了製造根據第二實施例的連接元件1，能夠分割成多個承載體或連接元件的承載體複合物設有開口 20，所述開口從第一主面延伸直至第二主面。開口用導電材料、尤其是金屬或金屬化合物填充。承載體複合物被分割成，使得開口被切開並且在製成的連接元件中設置在側面上。開口的導電材料形成帶狀導線5c、6c的設置在承載體2的側面8上的部分。
[0065]然而不同於在圖3中示出的而也能夠考慮的是，承載體複合物分割成，使得開口在承載體2之內伸展並且在環周側上完全由承載體2的材料包圍。
[0066]在承載體2的第一主面3上設置有絕緣層7。優選地，第一連接結構5至少部分地由絕緣層7所覆蓋。有利地，第一連接結構5通過絕緣層7向外部電絕緣。尤其地，絕緣層7在第一連接結構5的第一接觸部位5a的區域中以及在第二連接結構6的第一接觸部位6a的區域中是開口的。在絕緣層7的開口處，兩個接觸部位5a、6a能夠從外部接觸。
[0067]也可能的是，在兩個主面3、4上設置絕緣層7或在兩個主面3、4上都不設置絕緣層7。
[0068]發光模塊10的一個實施例在圖4中以示意俯視圖示出。圖5示出在圖4中示出的發光模塊10的沿著支路B的一部分的示意側視圖。
[0069]發光模塊10包括多個發射福射的器件11a、lib。器件Ila發射第一顏色的福射。器件Ilb發射第二顏色的輻射。例如，器件Ila能夠分別具有產生藍光的半導體晶片以及將藍光轉換成薄荷綠色的轉換器。此外，器件Ilb能夠發射紅光。通過器件Ila和器件Ilb的適當的比例，有利地，發光模塊10的放射光譜能夠設定成，使得發光模塊10發射具有在普朗克曲線上的色度坐標的白光。也能夠考慮的是，發光模塊10具有紅色的、綠色的和藍色的發光二極體，所述發光二極體的發出的輻射混合成具有在普朗克曲線上的色度坐標的白光。
[0070]此外，發光模塊10包括襯底12，在所述襯底上安裝發射輻射的器件lla、llb。器件IlaUlb有利地均勻地分布在襯底12上，使得能夠實現優化的顏色混合。尤其地，襯底12同時構成為冷卻體。
[0071]發光模塊10具有串聯的發射輻射的器件IlaUlb的支路A、B。支路A的器件Ila發射相同顏色的光。同樣地，支路B的器件Ilb發射相同顏色的光。其餘的在圖4中沒有詳細示出的發射輻射的器件能夠以相應的方式互聯。其器件發射相同顏色的光的支路能夠是並聯的。
[0072]此外，發光模塊10包括上述類型的連接元件1，所述連接元件具有承載體2和第一連接結構。支路B的兩個發射輻射的器件Ilb藉助於連接元件11彼此無線地電連接。
[0073]此外，發光模塊10包括具有多個接觸接片13的接觸結構。兩個發射輻射的器件Ilb分別通過接觸接片13與連接結構I連接。
[0074]藉助於共同的接觸接片13，相應的發射輻射的器件Ilb以及連接元件I電接觸。尤其地，連接元件I的第一連接結構藉助於接觸接片13電接觸。連接元件I的二者都設置在承載體2的第一主面上的第一和第二接觸部位5a、5b藉助於相應的接觸接片13與發射輻射的器件Ilb連接。
[0075]發射輻射的器件Ilb在其上側上分別具有兩個電連接部位14a、14b。發射輻射的器件Ilb的連接部位14b藉助於接觸接片13與連接元件I的第一接觸部位5a連接。另外的發射輻射的器件Ilb的連接部位14a藉助於另外的接觸接片13與連接元件I的第二接觸部位5a連接。
[0076]通過在上側設置電連接部位14a、14b，可能的是，發射輻射的器件Ilb在唯一的平面中彼此電連接。連接元件I在此在兩個器件Ilb之間形成水平的連接橋。連接元件I有利地具有與發射輻射的器件Ilb的高度相對應的高度。在高度相似或相同的情況下，電連接部位14a、14b和接觸部位5a、5b基本上位於一個平面中，使得對於元件的互聯而言，沒有得出任何顯著的形貌問題。
[0077]連接元件I的橫向擴展尤其小於發射輻射的器件Ilb的橫向擴展。因此，連接元件I在沒有對發光模塊10的整體尺寸產生負面影響的情況下能夠接合到要連接的元件之間。例如，連接元件11在橫向的擴展方向中能夠具有IOOym至200μπι的長度。
[0078]發光模塊10具有澆注體15，連接元件I和發射輻射的器件IlaUlb嵌入到所述澆注體中。通過澆注體15，能夠實現使發光模塊表面平坦。優選地，澆注體15包含透明的或半透明的材料。例如，澆注體15能夠包含矽樹脂、聚醯亞胺、氧化矽、氧化鈦或旋塗玻璃。
[0079]在示出的發光模塊10中，接觸接片13的豎直部段在澆注體15中伸展，而水平部段在澆注體15上延伸。
[0080]為了製造接觸接片13，將導電的覆層施加到澆注體15的表面上並且結構化成，使得發射福射的器件lla、llb的電連接部位14a、14b和接觸部位5a、5b通過接觸接片13連接。澆注體15在電連接部位14a、14b的和接觸部位5a、5b的區域中是開口的，使得導電的覆層或者接觸接片13達到至電接觸部位14a、14b和接觸部位5a、5b。
[0081]此外，發光模塊10具有接觸接片13，所述接觸接片與連接元件I的第一連接結構交叉。所述接觸接片13將支路A的兩個發射輻射的器件Ila連接。連接元件I因此能夠實現兩個電連接橋的交叉。
[0082]藉助於澆注體15，交叉的接觸接片13相對於連接元件I的連接結構5電絕緣。因此，在圖1和2中示出的設置在第一主面上的絕緣層被省去。此外，在示出的發光模塊10中足夠的是，連接元件I具有唯一的連接結構。交叉的接觸接片13能夠替代第二連接結構。
[0083]理解的是，發光模塊10能夠具有在發射輻射的器件11a、Ilb之間的另外的連接元件I以用於形成水平的或豎直的連接橋。例如，邊緣側的器件IlaUlb能夠藉助於連接元件與襯底12電連接，所述連接元件具有從承載體的第一主面延伸至第二主面的帶狀導線，所述帶狀導線例如在側面之上引導，例如結合圖3所描述的那樣。
[0084]在此描述的方法沒有限制於根據實施例進行的描述。相反地，本發明包括每個新特徵以及特徵的任意的組合，這尤其是包含在權利要求中的特徵的任意的組合，即使所述特徵或所述組合自身沒有明確地在權利要求中或實施例中說明時也如此。
【權利要求】
1.一種用於多晶片模塊(10)的連接元件(1)，所述連接元件設為用於實現在兩個元件(11a，11b，12)之間的電連接並且所述連接元件具有承載體(2)和在所述承載體(2)的第一主面(3)上的導電的第一連接結構(5)，其中所述第一連接結構(5)構成為，使得所述第一連接結構將所述第一元件和所述第二元件(11a, lib, 12)彼此連接。
2.根據權利要求1所述的連接元件(1)，所述連接元件具有導電的第二連接結構(6)，其中所述第二連接結構(6)構成為，使得所述第二連接結構將兩個元件(11a，lib,12)彼此連接。
3.根據上述權利要求中任一項所述的連接元件(1)，所述連接元件具有稜柱體的外形，並且其中所述第一連接結構或所述第二連接結構(5，6)在所述承載體(2)上延伸。
4.根據權利要求3所述的連接元件(1)，其中所述第一連接結構和所述第二連接結構(5.6)交叉地在所述承載體(2)上延伸。
5.根據上述權利要求中任一項所述的連接元件(I)，其中所述第一連接結構或所述第二連接結構(5，6)分別具有第一接觸部位和第二接觸部位(5a，5b，6a，6b)，所述第一接觸部位和所述第二接觸部位藉助於帶狀導線(5c，6c )彼此連接。
6.根據權利要求5所述的連接元件(1)，其中所述第一連接結構(5)的所述第一接觸部位和所述第二接觸部位(5a，5b)設置在所述第一主面(3)上並且所述第二連接結構(6)的所述第一接觸部位和所述第二接觸部位(6a，6b)設置在所述第一主面(3)上。
7.根據權利要求5所述的連接元件(1)，其中所述第一連接結構和所述第二連接結構(5.6)的所述第一接觸部位(5a，6a)設置在所述第一主面(3)上並且所述第一連接結構和所述第二連接結構(5，6)的所述第二連接部位(5b，6b)設置在與所述第一主面(3)相對置的第二主面(4)上。
8.根據權利要求7所述的連接元件(1)，其中所述第一連接結構和所述第二連接結構(5.6)的所述帶狀導線(5c，6c)從所述第一主面(3)延伸直至所述第二主面(4)。
9.根據上述權利要求中任一項所述的連接元件(1)，其中所述承載體(2)是電絕緣的。
10.根據上述權利要求中任一項所述的連接元件(1)，其中所述承載體(2)具有半導體材料、玻璃、陶瓷或塑料材料。
11.一種多晶片模塊(10)，其具有 -根據上述權利要求中任一項所述的連接元件(I)和 -兩個元件(11a，11b，12)，其中 這兩個所述元件(11a，lib,12)藉助於所述連接元件(I)彼此無線地電連接。
12.根據權利要求11所述的多晶片模塊(10)， 所述多晶片模塊具有接觸結構，所述接觸結構包括至少一個接觸接片(13)，其中所述連接元件(I)和所述元件(11a，11b，12)中的一個藉助於所述接觸接片(13)電接觸並且彼此電連接。
13.根據權利要求12所述的多晶片模塊(10)，其中所述連接元件(I)的所述第一連接結構(5)藉助於所述接觸接片(13)電接觸。
14.根據權利要求12或13所述的多晶片模塊(10)，所述多晶片模塊具有接觸接片(13)，所述接觸接片與所述第一連接結構(I)交叉。
15.根據權利要求12至14中任一項所述的多晶片模塊，所述多晶片模塊具有澆注體(15)，所述連接元件(I)和兩個所述元件(11a，11b，12)至少部分地嵌入到所述澆注體中，其中至少一個所述接觸接片(13)在所述澆注體(15)中伸展或在所述澆注體(15)上伸展。`
【文檔編號】H01L25/075GK103733334SQ201280038860
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年8月3日 優先權日:2011年8月9日
【發明者】比約恩·霍克斯霍爾德, 霍爾格·許布納, 阿克塞爾·卡爾滕巴赫爾 申請人:歐司朗股份有限公司