二級恆溫控制半導體雷射器的製作方法
2023-05-19 01:30:16 1
專利名稱：二級恆溫控制半導體雷射器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種恆溫控制裝置，具體的說，涉及了一種二級恆溫控制半導體雷射器。
背景技術：
半導體雷射器具有單色性好、相干性好、方向性好、體積小、重量輕、轉換效率高、耗電量小等特點，在國防、通信、工業等領域得到了越來越多的應用。可調諧半導體雷射器因其波長可調諧的特點而得到了廣泛的應用，但是，該雷射器對工作條件的要求非常苛刻，溫度的變化會影響其發射波長、輸出功率等參數，從而對測試結果產生嚴重影響。( I)溫度對波長的影響。半導體雷射器在工作電流恆定的情況下，溫度每升高IV，雷射波長將增加O. Γ0. 3nm。在氣體探測領域，每種氣體分子有固有的吸收光譜，只有半導 體雷射器的波長準確地調諧在被測氣體的吸收峰時，光通過氣體才會產生吸收，通過分析光強信息，才能夠探測氣體的濃度，波長稍微偏移就會嚴重影響測量的結果，所以必須穩定雷射器的輸出波長；(2)溫度對輸出功率、壽命的影響。溫度升高會造成雷射器閾值電流增大，從而使輸出功率下降，減少使用壽命。由此可見，對半導體雷射器的溫度進行控制是很有必要的，基於此，一般的雷射器內部都集成了熱敏電阻和熱電製冷器。而目前對半導體雷射器的溫度控制大都採用一級溫控，即利用專用的溫度控制晶片，對雷射器內部集成的熱電製冷器進行加熱或製冷來控制雷射器的溫度。這種控制方式，在雷射器工作環境溫度範圍較寬的情況下，控制的效果很不理想。而另一種控制方式是採用市面上銷售的雷射二極體溫度控制器進行控制，這種方式雖然效果較好，但是體積大、價格昂貴，性價比較低。為了解決以上存在的問題，人們一直在尋求一種理想的技術解決方案。
發明內容本實用新型的目的是針對現有技術的不足，從而提供一種體積小、功耗低、溫度適用範圍廣、性能可靠、使用方便的二級恆溫控制半導體雷射器。為了實現上述目的，本實用新型所採用的技術方案是一種二級恆溫控制半導體雷射器，它包括半導體雷射器、用於控制所述半導體雷射器溫度的一級恆溫控制電路、恆溫控制腔和二級恆溫控制裝置；所述恆溫控制腔由保溫腔體和設置在所述保溫腔體腔口的導熱塊構成，所述二級恆溫控制裝置包括二級恆溫控制電路、溫度傳感器TS和熱電製冷片TEC ;所述半導體雷射器、所述一級恆溫控制電路和所述溫度傳感器TS均設置在所述恆溫控制腔內，所述熱電製冷片TEC—側設置在所述導熱塊外側，所述二級恆溫控制電路電連接所述溫度傳感器TS以便採集所述恆溫控制腔內的環境溫度，所述二級恆溫控制電路連接所述熱電製冷片TEC以便根據採集的環境溫度控制所述熱電製冷片TEC的一側進行加熱或製冷。[0009]基於上述，它還包括散熱塊，所述散熱塊設置在所述熱電製冷片TEC另一側。基於上述，所述一級恆溫控制電路包括微處理器模塊Ul、DA轉換模塊U2、運算放大器A、溫度控制晶片U3、第一 H橋電路以及分別集成在所述半導體雷射器內部的熱敏電阻RT和熱電製冷器CL ;所述微處理器模塊Ul連接所述DA轉換模塊U2的輸入端，所述DA轉換模塊U2的輸出端連接所述運算放大器A的反相輸入端，所述熱敏電阻RT的一端連接所述運算放大器A的同相輸入端，所述熱敏電阻RT的另一端接地，所述運算放大器A的輸出端接所述溫度控制晶片U3，所述溫度控制晶片U3通過所述H橋電路連接所述熱電製冷器CL以便控制所述熱電製冷器CL的一側進行加熱或製冷。基於上述，所述溫度控制晶片U3是型號為LTC1923的溫度控制晶片。基於上述，所述二級恆溫控制電路包括微處理器單元U4、第二 H橋電路和H橋驅動電路，所述微處理器單元U4連接所述溫度傳感器TS，所述微處理器單元U4通過所述H橋驅動電路連接所述第二 H橋電路，所述熱電製冷片TEC跨接在所述第二 H橋電路的兩個接入 端之間，所述熱電製冷片TEC的正接入端連接所述第二H橋電路的第一接入端，所述熱電製冷片TEC的負接入端連接所述第二 H橋電路的第二接入端。基於上述，所述熱電製冷片TEC的正接入端和所述第二 H橋電路的第一接入端之間以及所述熱電製冷片TEC的負接入端和所述第二H橋電路的第二接入端之間均連接有LC濾波電路，所述LC濾波電路由一個電感和一個電容組成。基於上述，所述H橋電路包括兩個P型MOS管和兩個N型MOS管；所述第一 P型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第一使能端，所述第一 P型MOS管的漏極接電源，所述第一 P型MOS管的源極接所述第一 N型MOS管的漏極，所述第一 N型MOS管的源極接地，所述第一 N型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第二使能端；所述第二 P型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第三使能端，所述第二 P型MOS管的漏極接電源，所述第二 P型MOS管的源極接所述第二 N型MOS管的漏極，所述第二 N型MOS管的源極接地，所述第二 N型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第四使能端；所述第一 P型MOS管的源極作為所述H橋電路的第一接入端，所述第二 P型MOS管的源極作為所述H橋電路的第二接入端。基於上述，所述H橋驅動電路包括四路驅動電路，其中，所述第一驅動電路包括三極體Q5、電阻Rl和電阻R2，所述三極體Q5的基極經所述電阻Rl連接到所述微處理器單元U4的第一控制端，所述三極體Q5的集電極經所述電阻R2連接到電源，所述三極體Q5的發射極接地，所述三極體Q5的集電極和所述電阻R2的公共接點連接所述第二 H橋電路的第一使能端；所述第二驅動電路包括三極體Q6、三極體Q7、電阻R3、電阻R4、電阻R5和電阻R6，所述三極體Q6的基極經所述電阻R3連接到所述微處理器單元U4的第一控制端，所述三極體Q6的集電極經所述電阻R4連接到電源，所述三極體Q6的發射極接地，所述三極體Q6的集電極和所述電阻R4的公共接點經所述電阻R5連接所述三極體Q7的基極，所述三極體Q7的發射極接電源，所述三極體Q7的集電極經所述電阻R6接地，所述三極體Q7的集電極和所述電阻R6的公共接點連接所述第二 H橋電路的第二使能端；所述第三驅動電路包括三極體Q8、電阻R7和電阻R8，所述三極體Q8的基極經所述電阻R7連接到所述微處理器單元U4的第二控制端，所述三極體Q8的集電極經所述電阻R8連接到電源，所述三極體Q8的發射極接地，所述三極體Q8的集電極和所述電阻R8的公共接點連接所述第二 H橋電路的第三使能端；所述第四驅動電路包括三極體Q9、三極體Q10、電阻R9、電阻R10、電阻Rll和電阻R12，所述三極體Q9的基極經所述電阻R9連接到所述微處理器單元U4的第二控制端，所述三極體Q9的集電極經所述電阻RlO連接到電源，所述三極體Q9的發射極接地，所述三極體Q9的集電極和所述電阻RlO的公共接點經所述電阻Rll連接所述三極體QlO的基極，所述三極體QlO的發射極接電源，所述三極體QlO的集電極經所述電阻R12接地，所述三極體QlO的集電極和所述電阻R12的公共接點連接所述第二 H橋電路的第四使能端。本實用新型相對現有技術具有實質性特點和進步，具體的說，本實用新型在一級恆溫控制的基礎上，採用簡單的二級恆溫控制對半導體雷射器進行恆溫控制，很好地穩定了半導體雷射器的溫度，提高了半導體雷射器的工作環境適應能力，並儘可能地減小了保溫腔體的體積，降低了功耗。
圖I是本實用新型的結構示意圖。 圖2是一級恆溫控制電路的電路原理圖。圖3是二級恆溫控制裝置的電路原理圖。
具體實施方式
下面通過具體實施方式
，對本實用新型的技術方案做進一步的詳細描述。如圖I所示，一種二級恆溫控制半導體雷射器，它包括半導體雷射器I、用於控制所述半導體雷射器I溫度的一級恆溫控制電路2、恆溫控制腔、二級恆溫控制裝置和散熱塊3，所述恆溫控制腔由保溫腔體4和設置在所述保溫腔體4腔口的導熱塊5構成，所述二級恆溫控制裝置包括二級恆溫控制電路6、溫度傳感器TS7和熱電製冷片TEC8。所述恆溫控制腔能有效阻止其內部環境與外部環境進行熱交換，以使恆溫控制的效果不受外部環境的影響，所述保溫腔體4的材料可以選用隔熱材料；所述熱電製冷片TEC8 一側設置在所述導熱塊5的外側，以實現所述熱電製冷片TEC8與所述恆溫控制腔內部環境之間的熱交換，所述散熱塊3設置在所述熱電製冷片TEC8的另一側，以使所述熱電製冷片TEC8能與外部環境進行有效的熱交換，其中，所述導熱塊5和所述散熱塊3的材料均可以使用銅或鋁等導熱金屬製作；為了便於所述熱電製冷片TEC8與所述導熱塊5和所述散熱塊3之間很好地進行熱交換，所述導熱塊5、所述散熱塊3和所述熱電製冷片TEC8接觸的地方可以塗上導熱矽脂。所述半導體雷射器I、所述一級恆溫控制電路2和所述溫度傳感器TS7均設置在所述恆溫控制腔內，所述二級恆溫控制電路6電連接所述溫度傳感器TS以便採集所述恆溫控制腔內的環境溫度，所述二級恆溫控制電路6連接所述熱電製冷片TEC8以便根據採集的環境溫度控制所述熱電製冷片TEC8的一側進行加熱或製冷。圖2、圖3是本實用新型中具體的恆溫控制的電路原理圖。如圖2所示，所述一級恆溫控制電路包括微處理器模塊Ul、DA轉換模塊U2、運算放大器A、型號為LTC1923的溫度控制晶片U3、第一 H橋電路以及分別集成在所述半導體雷射器內部的熱敏電阻RT和熱電製冷器CL ;所述微處理器模塊Ul連接所述DA轉換模塊U2的輸入端，所述DA轉換模塊U2的輸出端連接所述運算放大器A的反相輸入端，所述熱敏電阻RT的一端連接所述運算放大器A的同相輸入端，所述熱敏電阻RT的另一端接地；所述運算放大器A的輸出端接所述溫度控制晶片U3，所述溫度控制晶片U3連接所述第一 H橋電路，其中，所述第一 H橋電路包括P型MOS管Q11、P型MOS管Q13、N型MOS管Q12和N型MOS管Q14 ;所 述P型MOS管Qll的柵極連接所述溫度控制晶片U3的第一控制端，所述P型MOS管Qll的漏極接電源，所述P型MOS管Qll的源極接所述N型MOS管Q12的漏極，所述N型MOS管Q12的源極接地，所述N型MOS管Q12的柵極連接所述溫度控制晶片U3的第二控制端，所述P型MOS管Q13的柵極連接所述溫度控制晶片U3的第三控制端，所述P型MOS管Q3的漏極接電源，所述P型MOS管Q13的源極接所述N型MOS管Q14的漏極，所述N型MOS管Q14的源極接地，所述N型MOS管Q14的柵極連接所述溫度控制晶片U3的第四控制端，所述P型MOS管Qll的源極作為所述第一 H橋電路的第一接入端，所述P型MOS管Q13的源極作為所述第一 H橋電路的第二接入端；所述熱電製冷器CL的正接入端CL+連接所述第
一H橋電路的第一接入端，所述熱電製冷器CL的負接入端CL-連接所述第一 H橋電路的第二接入端，所述溫度控制晶片U3根據所述運算放大器A比較的結果控制所述熱電製冷器CL的電流大小及方向，實現對所述半導體雷射器I的加熱或製冷，從而完成一級恆溫控制。如圖3所示，所述二級恆溫控制電路6包括微處理器單元U4、第二 H橋電路和H橋驅動電路，所述微處理器單元U4連接所述溫度傳感器TS以便採集所述恆溫控制腔內的環^!■溫度；所述第二 H橋電路包括P型MOS管Q1、P型MOS管Q3、N型MOS管Q2和N型MOS管Q4 ;所述P型MOS管Ql的柵極作為所述H橋電路的第一使能端，所述P型MOS管Ql的漏極接電源，所述P型MOS管Ql的源極接所述N型MOS管Q2的漏極，所述N型MOS管Q2的源極接地，所述N型MOS管Q2的柵極作為所述H橋電路的第二使能端；所述P型MOS管Q3的柵極作為所述H橋電路的第三使能端，所述P型MOS管Q3的漏極接電源，所述P型MOS管Q3的源極接所述N型MOS管Q4的漏極，所述N型MOS管Q4的源極接地，所述N型MOS管Q4的柵極作為所述H橋電路的第四使能端；所述P型MOS管Ql的源極作為所述第二 H橋電路的第一接入端，所述P型MOS管Q3的源極作為所述第二 H橋電路的第二接入端；所述熱電製冷片TEC的正接入端TEC+連接所述第二 H橋電路的第一接入端，所述熱電製冷片TEC的負接入端TEC-連接所述第二 H橋電路的第二接入端。 所述微處理器單元U4通過所述H橋驅動電路連接所述第二 H橋電路，所述H橋驅動電路包括四路驅動電路，其中，所述第一驅動電路包括三極體Q5、電阻Rl和電阻R2，所述三極體Q5的基極經所述電阻Rl連接到所述微處理器單元U4的第一控制端，所述三極體Q5的集電極經所述電阻R2連接到電源，所述三極體Q5的發射極接地，所述三極體Q5的集電極和所述電阻R2的公共接點連接所述第二H橋電路的第一使能端，通過所述微處理器單元U4控制所述三極體Q5的導通來驅動所述P型MOS管Ql的導通；所述第二驅動電路包括三極體Q6、三極體Q7、電阻R3、電阻R4、電阻R5和電阻R6，所述三極體Q6的基極經所述電阻R3連接到所述微處理器單元U4的第一控制端，所述三極體Q6的集電極經所述電阻R4連接到電源，所述三極體Q6的發射極接地，所述三極體Q6的集電極和所述電阻R4的公共接點經所述電阻R5連接所述三極體Q7的基極，所述三極體Q7的發射極接電源，所述三極體Q7的集電極經所述電阻R6接地，所述三極體Q7的集電極和所述電阻R6的公共接點連接所述第二 H橋電路的第二使能端，通過所述微處理器單元U4控制所述三極體Q6、Q7的導通來驅動所述N型MOS管Q2的導通；所述第三驅動電路包括三極體Q8、電阻R7和電阻R8，所述三極體Q8的基極經所述電阻R7連接到所述微處理器單元U4的第二控制端，所述三極體Q8的集電極經所述電阻R8連接到電源，所述三極體Q8的發射極接地，所述三極體Q8的集電極和所述電阻R8的公共接點連接所述第二 H橋電路的第三使能端，通過所述微處理器單元U4控制所述三極體Q8的導通來驅動所述P型MOS管Q3的導通；所述第四驅動電路包括三極體Q9、三極體Q10、電阻R9、電阻R10、電阻Rll和電阻R12，所述三極體Q9的基極經所述電阻R9連接到所述微處理器單元U4的第二控制端，所述三極體Q9的集電極經所述電阻RlO連接到電源，所述三極體Q9的發射極接地，所述三極體Q9的集電極和所述電阻RlO的公共接點經所述電阻Rll連接所述三極體QlO的基極，所述三極體QlO的發射極接電源，所述三極體QlO的集電極經所述電阻R12接地，所述三極體QlO的集電極和所述電阻R12的公共接點連接所述第二H橋電路的第四使能端，通過所述微處理器單元U4控制所述三極體Q9、Q10的導通來驅動所述N型MOS管Q4的導通；需要特別說明的是，所述三極體Q7和所述三極體QlO為P型管，其餘的三極體為N型管。進一步的，為了保證流經所述熱電製冷片TEC8和所屬熱電製冷器CL的電流的穩定，所述熱電製冷片TEC8的正接入端TEC+和所述第二 H橋電路的第一接入端之間連接有由電感LI和電容Cl組成的LC濾波電路，所述熱電製冷片TEC的負接入端TEC-和所述第
二H橋電路的第二接入端之間連接有由電感L2和電容C2組成的LC濾波電路，在其它的實施例中同樣可以採用這樣的方式來連接H橋電路和熱電製冷器。所述一級恆溫控制電路2採用負反饋，進行一級恆溫控制時，首先由所述微處理器模塊Ul設定一個與所述半導體雷射器I工作溫度相對應電壓的數字量，經所述DA轉換模塊U2的數模轉換為一個電壓值。所述熱敏電阻RT反饋的電壓值，反應了所述半導體雷射器I的溫度，該電壓值與設定的電壓值輸入所述運算放大器A比較後，比較的結果輸入所述溫度控制晶片U3，所述溫度控制晶片U3通過所述第一 H橋電路控制所述熱電製冷器CL上的電流大小及方向，從而實現對所述半導體雷射器I進行加熱或製冷，使所述半導體雷射器I穩定在設定的溫度。恆溫控制開始之前，所述微處理器單元U4首先設定一個溫度值，開始後，所述微處理器單元U4不斷採集所述溫度傳感器TS7檢測的溫度值，然後將採集的溫度值與設定的溫度值相比較，經過計算，再根據比較的結果控制通過所述熱電製冷片TEC8的電流大小及方向，使所述熱電製冷片TEC8對所述恆溫控制腔進行加熱或製冷，從而滿足所述恆溫控制腔內部恆溫的要求；當採集的溫度值高於設定的溫度值時，所述微處理器單元U4經過計算輸出，控制所述H橋驅動電路,設置所述P型MOS管Ql、所述N型MOS管Q4同時導通，使所述第二 H橋電路的電流按照從TEC+流入，TEC-流出的方向通過所述熱電製冷片TEC8，所述熱電製冷片TEC8對所述恆溫控制腔進行製冷；當採集的溫度值低於設定的溫度值時，所述微處理器單元U4控制所述H橋驅動電路，設置所述P型MOS管Q3、所述N型MOS管Q2同時導通，自動反轉所述第二 H橋電路的電流流向，即所述第二 H橋電路的電流按照從TEC-流入，TEC+流出的方向通過所述熱電製冷片TEC8，使所述熱電製冷片TEC8對所述恆溫控制腔進行加熱，從而實現對所述恆溫控制腔的恆溫控制。該二級恆溫控制半導體雷射器在一級恆溫控制的基礎上，採用簡單的二級恆溫控制對所述半導體雷射器I進行恆溫控制，很好地穩定了所述半導體雷射器I的溫度，提高了所述半導體雷射器I的工作環境適應能力，並儘可能地減小了所述恆溫控制腔的體積，降低了功耗。最後應當說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型的技術方案而非對其限制；儘管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細的說明，所屬領域的普通技術人員應當理解依然可以對本實用新型的具體實施方式
進行修改或者對部分技術特徵進行等同替換；而不脫離本實用新型技術方案的精神，其均應涵蓋在本實用新型請求保護的技術方案範圍當中。·
權利要求1.一種二級恆溫控制半導體雷射器，包括半導體雷射器和用於控制所述半導體雷射器溫度的一級恆溫控制電路，其特徵在於它還包括恆溫控制腔和二級恆溫控制裝置；所述恆溫控制腔由保溫腔體和設置在所述保溫腔體腔口的導熱塊構成，所述二級恆溫控制裝置包括二級恆溫控制電路、溫度傳感器TS和熱電製冷片TEC ;所述半導體雷射器、所述一級恆溫控制電路和所述溫度傳感器TS均設置在所述恆溫控制腔內，所述熱電製冷片TEC —側設置在所述導熱塊外側，所述二級恆溫控制電路電連接所述溫度傳感器TS以便採集所述恆溫控制腔內的環境溫度，所述二級恆溫控制電路連接所述熱電製冷片TEC以便根據採集的環境溫度控制所述熱電製冷片TEC的一側進行加熱或製冷。
2.根據權利要求I所述的二級恆溫控制半導體雷射器，其特徵在於它還包括散熱塊，所述散熱塊設置在所述熱電製冷片TEC另一側。
3.根據權利要求I或2所述的二級恆溫控制半導體雷射器，其特徵在於所述一級恆溫控制電路包括微處理器模塊Ul、DA轉換模塊U2、運算放大器A、溫度控制晶片U3、第一 H橋電路以及分別集成在所述半導體雷射器內部的熱敏電阻RT和熱電製冷器CL ;所述微處理器模塊Ul連接所述DA轉換模塊U2的輸入端，所述DA轉換模塊U2的輸出端連接所述運算放大器A的反相輸入端，所述熱敏電阻RT的一端連接所述運算放大器A的同相輸入端，所述熱敏電阻RT的另一端接地，所述運算放大器A的輸出端接所述溫度控制晶片U3，所述溫度控制晶片U3通過所述H橋電路連接所述熱電製冷器CL以便控制所述熱電製冷器CL的一側進行加熱或製冷。
4.根據權利要求3所述的二級恆溫控制半導體雷射器，其特徵在於所述溫度控制晶片U3是型號為LTC1923的溫度控制晶片。
5.根據權利要求I所述的二級恆溫控制半導體雷射器，其特徵在於所述二級恆溫控制電路包括微處理器單元U4、第二 H橋電路和H橋驅動電路，所述微處理器單元U4連接所述溫度傳感器TS，所述微處理器單元U4通過所述H橋驅動電路連接所述第二 H橋電路，所述熱電製冷片TEC跨接在所述第二 H橋電路的兩個接入端之間，所述熱電製冷片TEC的正接入端連接所述第二 H橋電路的第一接入端，所述熱電製冷片TEC的負接入端連接所述第二 H橋電路的第二接入端。
6.根據權利要求5所述的二級恆溫控制半導體雷射器，其特徵在於所述熱電製冷片TEC的正接入端和所述第二 H橋電路的第一接入端之間以及所述熱電製冷片TEC的負接入端和所述第二 H橋電路的第二接入端之間均連接有LC濾波電路，所述LC濾波電路由一個電感和一個電容組成。
7.根據權利要求3或5所述的二級恆溫控制半導體雷射器，其特徵在於所述H橋電路包括兩個P型MOS管和兩個N型MOS管；所述第一 P型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第一使能端，所述第一 P型MOS管的漏極接電源，所述第一 P型MOS管的源極接所述第一N型MOS管的漏極，所述第一 N型MOS管的源極接地，所述第一 N型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第二使能端；所述第二 P型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第三使能端，所述第二 P型MOS管的漏極接電源，所述第二 P型MOS管的源極接所述第二 N型MOS管的漏極，所述第二 N型MOS管的源極接地，所述第二 N型MOS管的柵極作為所述H橋電路的第四使能端；所述第一 P型MOS管的源極作為所述H橋電路的第一接入端，所述第二 P型MOS管的源極作為所述H橋電路的第二接入端。
8.根據權利要求5或6所述的二級恆溫控制半導體雷射器，其特徵在於所述H橋驅動電路包括四路驅動電路，其中，所述第一驅動電路包括三極體Q5、電阻Rl和電阻R2，所述三極體Q5的基極經所述電阻Rl連接到所述微處理器單元U4的第一控制端，所述三極體Q5的集電極經所述電阻R2連接到電源，所述三極體Q5的發射極接地，所述三極體Q5的集電極和所述電阻R2的公共接點連接所述第二H橋電路的第一使能端；所述第二驅動電路包括三極體Q6、三極體Q7、電阻R3、電阻R4、電阻R5和電阻R6，所述三極體Q6的基極經所述電阻R3連接到所述微處理器單元U4的第一控制端，所述三極體Q6的集電極經所述電阻R4連接到電源，所述三極體Q6的發射極接地，所述三極體Q6的集電極和所述電阻R4的公共接點經所述電阻R5連接所述三極體Q7的基極，所述三極體Q7的發射極接電源，所述三極體Q7的集電極經所述電阻R6接地，所述三極體Q7的集電極和所述電阻R6的公共接點連接所述第二 H橋電路的第二使能端；所述第三驅動電路包括三極體Q8、電阻R7和電阻R8，所述三極體Q8的基極經所述電阻R7連接到所述微處理器單元U4的第二控制端，所述三極體Q8的集電極經所述電阻R8連接到電源，所述三極體Q8的發射極接地，所述三極體Q8的集電極和所述電阻R8的公共接點連接所述第二H橋電路的第三使能端；所述第四驅動電路包括三極體Q9、三極體Q10、電阻R9、電阻R10、電阻Rll和電阻R12，所述三極體Q9的基極經所述電阻R9連接到所述微處理器單元U4的第二控制端，所述三極體Q9的集電極經所述電阻RlO連接到電源，所述三極體Q9的發射極接地，所述三極體Q9的集電極和所述電阻RlO的公共接點經所述電阻Rll連接所述三極體QlO的基極，所述三極體QlO的發射極接電源，所述三極體QlO的集電極經所述電阻R12接地，所述三極體QlO的集電極和所述電阻R12的公共接點連接所述第二 H橋電路的第四使能端。
專利摘要本實用新型提供一種二級恆溫控制半導體雷射器，它包括半導體雷射器、用於控制所述半導體雷射器溫度的一級恆溫控制電路、恆溫控制腔和二級恆溫控制裝置；所述恆溫控制腔由保溫腔體和設置在所述保溫腔體腔口的導熱塊構成，所述二級恆溫控制裝置包括二級恆溫控制電路、溫度傳感器TS和熱電製冷片TEC；所述半導體雷射器、所述一級恆溫控制電路和所述溫度傳感器TS均設置在所述恆溫控制腔內，所述熱電製冷片TEC一側設置在所述導熱塊外側，所述二級恆溫控制電路分別連接所述溫度傳感器TS和所述熱電製冷片TEC。本實用新型具有體積小、功耗低、溫度適用範圍廣、性能可靠、使用方便的優點。
文檔編號H01S5/024GK202712682SQ201220373098
公開日2013年1月30日 申請日期2012年7月31日 優先權日2012年7月31日
發明者王書潛, 陳海永, 郭東歌, 賈林濤, 楊清永 申請人:河南漢威電子股份有限公司