供體基底及利用其製造有機發光二極體顯示器的方法
2023-05-08 20:37:16
專利名稱：供體基底及利用其製造有機發光二極體顯示器的方法
技術領域：
本發明涉及用於平板顯示器的供體基底和利用其製造有機發光二極體顯示器的方法。更具體得講，本發明涉及一種供體基底，該供體基底具有能夠防止由於失敗的層轉印(layer transfer)導致的裝置基底圖案化缺陷或將這種缺陷最小化的結構。
背景技術：
通常，有機發光二極體(OLED)顯示器指具有陽極、陰極和置於陽極和陰極之間的多個有機層的平板顯示器。有機層可包括發射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層。發射層所使用的材料可決定OLED顯示器的類型，即聚合物OLED顯示器或小分子量OLED顯示器。對發射層的處理可決定OLED顯示器的功能性，比如對發射層進行的圖案化可有助於實現全彩有機發光二極體顯示器。
傳統的對OLED顯示器進行的圖案化可通過精細金屬掩模(fine metalmask)、噴墨印刷和雷射轉寫(laser induced thermal imaging，LITI)等來實現。例如，LITI方法可有助於對OLED顯示器進行的精細圖案化，並提供與溼式工藝(比如噴墨印刷)相對的OLED顯示器圖案化的乾式工藝。傳統的用於形成OLED顯示器的圖案化的發射層的LITI方法會需要形成供體基底，該供體基底具有基膜、光-熱轉化層和由有機材料形成的轉印層，使得可通過利用至少一個光源(比如雷射)將轉印層從供體基底轉印到裝置基底。
更具體地說，光可從光源發射至供體基底的光-熱轉化層的預定部分中，並在該預定部分中轉化為熱能。接下來，熱能可使光-熱轉化層的預定部分(即光源照射的部分)中的粘合劑發生改變，使得轉印層可與光-熱轉化層的預定部分分離並附著到裝置基底上。因此，轉印層的一部分可附著到裝置基底，而轉印層的另一部分可還保持與光-熱轉化層附著。因此，轉印層能否成功進行轉印會取決於所用材料的粘附性和內聚性，比如供體基底的光-熱轉化層和轉印層之間的粘附力、轉印層內的內聚力以及轉印層和裝置基底之間的粘附力。
例如，如果光-熱轉化層和轉印層之間的粘附力弱，則轉印層可與光-熱轉化層非常容易地分離，即轉印層中意圖與光-熱轉化層保持附著的部分也會與光-熱轉化層分離，由此，在OLED顯示器中造成缺陷。尤其是當轉印層由表現出不足的內聚力的小分子量材料形成時，則缺陷更經常發生。另一方面，如果轉印層和裝置基底之間的粘附力太強，則轉印層在轉印過程中不會被轉印或會被撕破。
因此，需要一種能夠以提高的效率將轉印層轉印到裝置基底上的供體基底。
發明內容
因此本發明提出了一種供體基底和一種利用其製造OLED顯示器的方法，本發明基本上克服了相關領域的一個或更多缺點。
因此本發明的特徵在於提供了一種用於平板顯示器的供體基底，該供體基底能夠防止轉印層轉印至裝置基底的缺陷或使這種缺陷基本上最小化。
本發明的實施例的另一特徵在於提供了通過利用供體基底來製造OLED顯示器的方法，其中，該供體基底能夠防止通過LITI方法將轉印層轉印至裝置基底的缺陷或使這種缺陷基本上最小化。
本發明的上述和其他特徵和優點中的至少一個可通過提供一種用於平板顯示器的供體基底來實現，其中，該供體基底包括基膜、位於基膜上的光-熱轉化(LTHC)層、位於LTHC層上並包含發射主體材料(an emission hostmaterial)的第一緩衝層、位於第一緩衝層上的轉印層、位於轉印層上並包含與第一緩衝層的發射主體材料相同的發射主體材料的第二緩衝層。該供體基底還可包括位於LTHC層和第一緩衝層之間的夾層。
第一緩衝層可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺類衍生物。第一緩衝層可包含磷光主體材料。第一緩衝層可具有大約1nm至大約3nm的厚度。
轉印層可包括發射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個。轉印層可包括至少一個含有小分子量材料的層。轉印層可包含發射主體材料和摻雜劑，發射主體材料可與第一緩衝層和第二緩衝層的發射主體材料相同。
第二緩衝層可包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺類衍生物。第二緩衝層可包含磷光主體材料。第二緩衝層可具有大約1nm至大約3nm的厚度。
在本發明的另一方面，提供了一種製造有機發光二極體顯示器的方法，該方法包括提供具有下電極的裝置基底；順序地沉積基膜、光-熱轉化層、包含發射主體材料的第一緩衝層、轉印層、包含與第一緩衝層的發射主體材料相同的發射主體材料的第二緩衝層以形成供體基底；在裝置基底上方設置供體基底，使得第二緩衝層直接在裝置基底的對面；將雷射照射到供體基底的預定區域以將部分第一緩衝層、部分轉印層和部分第二緩衝層轉印到下電極上以形成有機層圖案。
轉印層可包括發射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個有機層。轉印層可包含小分子量材料。轉印層可包含發射主體材料和摻雜劑，發射主體材料可與第一緩衝層和第二緩衝層的發射主體材料相同。
沉積第一緩衝層的步驟可包括旋轉塗覆、滾動塗覆、浸漬塗覆、凹版塗覆或沉積。相似的，沉積第二緩衝層的步驟可包括旋轉塗覆、滾動塗覆、浸漬塗覆、凹版塗覆或沉積。沉積第一緩衝層、轉印層和第二緩衝層的步驟可包括沉積相同的發射主體材料。
對於本領域普通技術人員來說，通過參照附圖詳細地描述本發明的示例性實施例，可將使本發明的上述特徵和優點和其它特徵和優點變得更加明了，在附圖中圖1示出了根據本發明的示例性實施例的用於平板顯示器的供體基底的剖面圖。
圖2示出了根據本發明的示例性實施例的OLED顯示器製造方法的剖面圖。
具體實施例方式
2006年5月3號在韓國知識產權局提交的標題為「用於平板顯示器的供體基底和利用其製造OLED的方法」的第10-2006-0040152號韓國專利申請通過引用而被完整地包含於此。
現在，在下文中將參照附圖對本發明進行更加充分的描述，本發明的示例性實施例示出在這些附圖中。然而，本發明可以不同的形式來實施，且不應被理解為局限於在此提出的實施例。相反，提供這些實施例將使本公開徹底和完全，並將本發明的範圍充分地傳達給本領域的技術人員。
在圖中，為了示出清晰，會誇大層和區域的尺寸。還應該理解的是，當層或元件被稱作在另一層或基底「上」時，該層或元件可直接在另一層或基底上，或者也可存在中間層。另外，應該理解的是，當層被稱作在另一層「下」時，該層可直接在另一層下，或者也可存在一個或多個中間層。另外，還應該理解的是，當層被稱作在兩個層「之間」時，該層可為這兩個層之間的唯一的層，或者也可存在一個或多個中間層。相同的標號始終表示相同的元件。
在下文中，將參照圖1更詳細地描述根據本發明的用於平板顯示器的供體基底及其製造方法的示例性實施例。如圖1所示，供體基底80可包括基膜50、光-熱轉化(LTHC)層55、夾層60、第一緩衝層65、轉印層70和第二緩衝層75。
基膜50可由透明聚合物材料形成，例如由聚酯(比如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET))、聚丙烯醯化物(polyacryl)、聚環氧化物(polyepoxy)、聚乙烯(polyethylene)和聚苯乙烯(polystyrene)等形成，並形成至厚度為大約10μm至大約500μm。基膜50可作為供體基底80的支持膜(a support film)，使得可將多個其他層塗覆到基膜50上。因此，基膜50可顯示出足夠的光學性質，比如對預定波長的光的高透射率和透明度，以及機械穩定性和熱穩定性，以提供堅固的支持(substantial support)。
供體基底80的LTHC層55可被沉積在基膜50上，以吸收處於紅外可見區的光並將所吸收的光的一部分轉化為熱。LTHC層55可包含在紅外可見區表現出光密度的光吸收材料。例如，光吸收材料可包括染料(比如紅外染料(an infrared dye))、顏料(比如碳黑和石墨)、金屬(比如鋁)、金屬化合物(比如氧化鋁和硫化鋁)、聚合物及其組合物。適宜的LTHC層55的一個示例可包括具有有機聚合物膜的金屬膜。可通過真空沉積、電子束沉積或濺射將金屬膜沉積至厚度為大約100埃(angstroms)至大約5000埃。可通過膜塗覆法(比如滾動塗覆、凹版塗覆、擠壓塗覆、旋轉塗覆、刮刀塗覆等)將聚合物膜沉積至厚度為大約0.1μm至大約10μm。
可在LTHC層55上形成由丙烯酸樹脂(acrylic resin)或醇酸樹脂(alkydresin)形成的供體基底80的夾層60。為了使轉印層70的汙染最小化，可在LTHC層55和轉印層70之間形成夾層60。可通過塗覆工藝(比如溶劑塗覆)和紫外光固化工藝等來形成夾層60。
可在LTHC層55上形成供體基底80的轉印層70。轉印層70可具有包括發射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層等中的至少一個的單層結構或多層結構。轉印層70可由如本領域一名普通技術人員所確定的任何適宜的有機材料形成，比如由小分子量有機材料形成。
更具體地講，轉印層70的發射層可包含發射主體材料與由小分子量材料形成的摻雜劑的特定組合物或者聚合物以提供預定的發光顏色。例如，發射主體材料(例如三-(8-羥基喹啉)鋁(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum，Alq3)、4，4′-N，N′-二咔唑聯苯(4，4′-N，N′-dicarbazolebiphenyl，CBP)等)與摻雜劑(例如4-二氰亞甲基-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-t-butyl-6-(1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran，DCJTB)、4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-對二甲胺基苯乙烯基-4H-吡喃(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(dimethylaminostyryl)-4H-pyran，DCM)、八乙基卟啉鉑(platinum octaethylporphyrin，PtOEP)等)的組合物或者聚合物(例如聚芴(polyfluorene，PFO)類聚合物、聚苯乙炔(polyphenylene-vinylene，PPV)類聚合物等)可提供紅色發光材料。發射主體材料(例如Alq3、CBP等)與摻雜劑(例如10-(2-苯並噻唑基)-2，3，6，7-四氫化-1，1，7，7-四甲基-1H，5H，11H-(1)-苯並焦吡喃並(6，7-8-i，j)喹嗪-11-酮(10-(2-benzothiazolyl)-2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7-tetramethyl-1H，5H，11H-(1)-benzopyropyrano(6，7-8-i，j)quinolizin-11-one，C545t)、三(2-苯基吡啶)銥(tris(2-phenylpirydine)iridium，IrPPy)等)的組合物或聚合物(例如PFO類聚合物、PPV類聚合物等)可提供綠色發光材料。小分子量材料(例如4，4′-二-(2，2-二苯乙烯基)-1，1′-聯苯(4，4′-bis-(2，2-diphenyl-vinyl)-1，1′-biphenyl，DPVBi)、螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基苯(distyryl benzene，DSB)、二苯乙烯基芳烴(distyryl arylene，DSA)等)和聚合物(例如PFO類聚合物、PPV類聚合物等)可提供藍色發光材料。優選地，發射層的發射主體材料與後面提到的第一緩衝層和第二緩衝層的發射主體材料相同，因為在那種情況下，發射層能夠具有對於第一緩衝層和第二緩衝層的良好的粘附力。
轉印層70的空穴注入層可由小分子量材料或聚合物形成，其中，所述小分子量材料例如銅酞菁(copper phthalocyanine，CuPc)、4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-三苯胺(4，4′，4″-tris(N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino)-triphenylamine，1-TNATA)、4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺(4，4′，4″-tris(N-carbazolyl)triphenylamine，TCTA)、1，3，5-三(N，N-二-(4，5-甲氧基苯基)-氨基苯基)苯(1，3，5-tris(N，N-bis-(4，5-methoxyphenyl)-aminophenyl)benzol，TDAPB)等，所述聚合物例如聚苯胺(polyaniline，PANI)、聚乙烯二氧基噻吩(polyethylene-dioxythiophene，PEDOT)等。轉印層70的空穴傳輸層可由小分子量材料或聚合物形成，其中，所述小分子量材料比如芳基胺類小分子、腙類(hydrazone-based)小分子、二苯乙烯類(stilbene-based)小分子、星形(starburst-based)小分子，例如N，N′-二苯基-N，N′-二(1-萘基)-1，1′-聯苯-4，4′-二胺(N，N′-diphenyl-N，N′-bis(1-naphthyl)-1，1′-biphenyl-4，4′-diamine，NPB)、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-對二氨基聯苯(N，N′-bis(3-methylphenyl)-N，N′-bis(phenyl)-benzidine，TPD)、s-TAD、4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯氨基)-三苯胺(4，4′，4″-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine，MTADATA)等，所述聚合物比如咔唑類(carbazole-based)聚合物、芳基胺類聚合物、苝類(perylene-based)聚合物、吡咯類(pyrrole-based)聚合物，例如聚9-乙烯基咔唑(poly(9-vinylcarbazole)，PVK)等。轉印層70的電子傳輸層可由聚合物或小分子量材料形成，其中，所述聚合物比如聚丁二烯(polybutadiene，PBD)、1，2，4-三唑(1，2，4-triazole，TAZ)衍生物或螺-PBD，所述小分子量材料比如Alq3、二(2-甲基-8-羥基喹啉)4-苯代苯酚基-鋁(III)(aluminum(III)bis(2-methyl-8-hydroxyquinolinato)4-phenylphenolate，BAlq)或二-(2-甲基-8-羥基喹啉)三苯甲矽烷氧基-鋁(III)(bis-(2-methyl-8-quinolinolato)(triphenylsiloxy)aluminum(III)，SAlq)。轉印層70的電子注入層可由小分子量材料或聚合物形成，其中，所述小分子量材料比如Alq3、Ga配合物(Gacomplex)或PBD，所述聚合物比如噁二唑類聚合物(oxadiazole-basedpolymer)。轉印層70的空穴阻擋層可由PBD、螺-PBD或TAZ形成。轉印層70的電子阻擋層可由BAlq、BCP、TAZ或螺-TAZ形成。
通過如本領域一名普通技術人員所確定的任何適宜的塗覆方法(比如擠壓塗覆、旋轉塗覆、刮刀塗覆、真空沉積、CVD等)可將轉印層70形成至厚度大約為100埃至大約50,000埃。
如關於圖2將在以下更詳細地討論的是，為了有助於將轉印層70轉印到裝置基底上，可在LTHC層55和轉印層70之間形成第一緩衝層65，以在轉印層70和LTHC層55之間授予粘附性。如果在LTHC層55上形成夾層60，則夾層60可位於第一緩衝層65和LTHC層55之間。第一緩衝層65可吸收由裝置基底發出的任意潛在的振動(potential vibrations)，以減少轉印過程中的圖案化缺陷。此外，由於一些小分子量材料可具有較低的熱穩定性，因此第一緩衝層65可控制轉印過程中在LTHC層55中產生的熱，並由此將轉印層70的熱損壞最小化。
第一緩衝層65可由發射主體材料形成。發射主體材料具有對於LTHC層55的足夠的粘附性，能夠被無缺陷地轉印，例如不希望的部分粘附在裝置基底上或希望的部分被撕破的缺陷。第一緩衝層65可包含芳香胺類材料(arylamine-based material)、咔唑類材料(carbazole-based material)、螺類材料(spiro-based material)等。更具體地講，第一緩衝層65可包含具有對於LTHC層55的更足夠的粘附性的磷光主體材料，例如CBP、CBP衍生物、N，N-二咔唑基-3，5-苯(N，N-dicarbazolyl-3，5-benzene，mCP)、mCP衍生物、螺類衍生物或TMM004(Covion)。因此，可在第一緩衝層65和LTHC層55之間授予足以平衡LTHC層55和轉印層70之間的粘附力Wbc1的粘附力。
粘附力Wbc1可足以使轉印層70和LTHC層55附著。當粘附力Wbc1太高時，則轉印層70在轉印過程中會被撕破。另一方面，當粘附力Wbc1太低時，則轉印層70可在轉印層70轉印到裝置基底上的過程中從供體基底80完全去除，從而由於裝置基底上的過量的有機材料部分而產生圖案化缺陷。
可通過旋轉塗覆、滾動塗覆、浸漬塗覆、凹版塗覆、沉積或如本領域一名普通技術人員可以確定的其他任何方法，將第一緩衝層65形成至厚度為大約1nm至大約3nm。當第一緩衝層65形成至厚度小於大約1nm時，粘附力Wbc1會不足以將轉印層70和LTHC層55結合。當第一緩衝層65形成至厚度大於大約3nm時，則形成第一緩衝層65的材料的過量的特性會授予到轉印層70上，由此增加了OLED顯示器的所需驅動電壓並加快了OLED顯示器的劣化。
可在轉印層70上形成供體基底80的第二緩衝層75，使得轉印層70可位於第一緩衝層65和第二緩衝層75之間。另外，第二緩衝層75可吸收由裝置基底發出的任意可能的振動，以減少轉印過程中的圖案化缺陷。
第二緩衝層75可由與第一緩衝層65相同的材料形成，以提高轉印層70和裝置基底之間的粘附力Wbc2。當粘附力Wbc2太強時，轉印層70會在轉印到裝置基底上的過程中被裝置基底撕破。另一方面，當粘附力Wbc2太弱時，則轉印層70不會恰當地附著到裝置基底，並由此導致圖案化缺陷。第二緩衝層75可由發射主體材料形成。發射主體材料具有對於裝置基底的足夠的粘附性，能夠被無缺陷地轉印，例如不希望的部分粘附在基底上或希望的部分被撕破的缺陷。用於第二緩衝層75的材料可包括芳香胺類材料、咔唑類材料和/或螺類材料。更具體地講，第二緩衝層75可包含具有對於裝置基底的更足夠的粘附性的磷光主體材料，例如CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物、螺類衍生物或TMM004(Covion)。另外，可通過旋轉塗覆、滾動塗覆、浸漬塗覆、凹版塗覆、沉積等將第二緩衝層75形成至厚度為大約1nm至大約3nm。當第二緩衝層75形成至厚度小於大約1nm時，則粘附力Wbc2不會得到足夠的提高。當第二緩衝層75形成至厚度大於大約3nm時，則形成第二緩衝層75的材料的過量的特性會授予到轉印層70上，由此增加了OLED顯示器的驅動電壓並劣化了OLED顯示器的性能。
若不意圖被理論束縛的話，相信位於LTHC層55和轉印層70之間的第一緩衝層65的形成可提高LTHC層55和轉印層70之間的粘附力Wbc1。更具體地說，在轉印層70包含具有由此提供一個可能易被撕破和/或難以控制轉印的層的較低的內聚力Wcc的小分子量材料的情況下，則會更有利。當與轉印層70相連地沉積第一緩衝層65時，轉印層70的轉印特性由第一緩衝層65和LTHC層55之間的粘附力來確定。這樣，可有助於控制轉印層70的轉印，比如轉印層70的預定部分的轉印。類似地，當沉積第二緩衝層75也就是形成轉印層70在第一緩衝層65和第二緩衝層75之間時，轉印層70的轉印特性由第二緩衝層75和裝置基底100之間的粘附性來確定。這樣，轉印層70在裝置基底100上的轉印特性可得到更進一步的提高。
根據本發明的另一示例性實施例，以下關於圖2將詳細描述OLED顯示器的製造方法。如圖2所示，可提供具有下電極110的裝置基底100。如圖2中進一步所示，可在基膜50上順序地沉積LTHC層55、夾層60、第一緩衝層65、轉印層70和第二緩衝層75，以形成供體基底80。前面已關於圖1對供體基底80及其組件進行了描述，因此這裡將不做重複描述。
接下來，可將供體基底80設置在裝置基底100上方，且在供體基底80和裝置基底100之間存在著預定的間隙，使得第二緩衝層75直接在裝置基底100的對面，如圖2所示。然後，可將雷射束95照射到供體基底80的預定區域A上，以改變第一緩衝層65和LTHC層55之間的粘附力。結果，對應於供體基底80的預定區域A的部分第一緩衝層65、部分轉印層70和部分第二緩衝層75可與供體基底80分離，並被轉印到下電極110上。第一緩衝層65、轉印層70和第二緩衝層75中被轉印的部分可在下電極110上形成具有第一緩衝層65a、轉印層70a和第二緩衝層75a的有機層圖案90，如圖2中進一步所示。有機層圖案90的轉印層70a可為單層或由多個有機層(比如發射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等)形成的多層。
下電極110可為陽極，可通過利用供體基底80在下電極110上形成有機層圖案90(比如發射層)。在下電極110上形成有機層圖案90之前，可直接在下電極110上形成其他層。例如，可通過旋轉塗覆或真空沉積在下電極110上形成空穴注入層和/或空穴傳輸層，隨後在其上形成有機層圖案90(比如發射層)。類似地，可直接在有機層圖案90上形成其他層。例如，可通過LITI、真空沉積或旋轉塗覆在有機層圖案90(比如發射層)上形成電子傳輸層和/或電子注入層。接下來，可在電子傳輸層和/或電子注入層上形成作為陰極的上電極(未示出)，以完成OLED顯示器的製造。
根據本發明的實施例的製造用於平板顯示器的供體基底的方法，通過在第一緩衝層和第二緩衝層之間形成供體基底中的轉印層而在提供轉印層和供體基底之間以及轉印層和裝置基底之間的提高了的粘附力方面具有優勢。這樣，轉印層可被轉印到裝置基底上，同時防止裝置基底中的圖案化缺陷或使這種缺陷基本上最小化。
已經在此公開了本發明的示例性實施例，雖然使用了特定的術語，然而這些特定的術語僅用於一般的和描述的目的，而不是出於限制的目的。因此，本領域普通技術人員應該理解，在不脫離如權利要求中所提出的本發明的精神和範圍的情況下，可對形式和細節做出各種變化。
權利要求
1.一種用於平板顯示器的供體基底，包括基膜；光-熱轉化層，位於所述基膜上；第一緩衝層，位於所述光-熱轉化層上，所述第一緩衝層包含發射主體材料；轉印層，位於所述第一緩衝層上；第二緩衝層，位於所述轉印層上，所述第二緩衝層包含與所述第一緩衝層的發射主體材料相同的發射主體材料。
2.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述轉印層包含發射主體材料和摻雜劑。
3.如權利要求2所述的供體基底，其中，所述轉印層的發射主體材料與所述第一緩衝層和所述第二緩衝層的發射主體材料相同。
4.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述第一緩衝層包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或者螺類衍生物。
5.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述第一緩衝層包含磷光主體材料。
6.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述第一緩衝層具有大約1nm至大約3nm的厚度。
7.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述轉印層包括發射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個。
8.如權利要求7所述的供體基底，其中，所述轉印層包括至少一個含有小分子量材料的層。
9.如權利要求1所述的供體基底，還包括位於所述光-熱轉化層和所述第一緩衝層之間的夾層。
10.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述第二緩衝層包含CBP、CBP衍生物、mCP、mCP衍生物或螺類衍生物。
11.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述第二緩衝層包含磷光主體材料。
12.如權利要求1所述的供體基底，其中，所述第二緩衝層具有大約1nm至大約3nm的厚度。
13.一種製造有機發光二極體顯示器的方法，包括提供具有下電極的裝置基底；順序地沉積基膜、光-熱轉化層、包含發射主體材料的第一緩衝層、轉印層和包含與所述第一緩衝層的發射主體材料相同的發射主體材料的第二緩衝層以形成供體基底；在所述裝置基底上方設置所述供體基底，使得所述第二緩衝層直接在所述裝置基底的對面；將雷射照射到所述供體基底的預定區域以將部分所述第一緩衝層、部分所述轉印層和部分所述第二緩衝層轉印到所述下電極上以形成有機層圖案。
14.如權利要求13所述的方法，其中，沉積所述轉印層的步驟包括沉積發射層、空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層和電子阻擋層中的至少一個有機層。
15.如權利要求14所述的方法，其中，沉積所述轉印層的步驟包括沉積小分子量材料。
16.如權利要求13所述的方法，其中，沉積所述第一緩衝層的步驟包括通過旋轉塗覆、滾動塗覆、浸漬塗覆、凹版塗覆或沉積來沉積。
17.如權利要求13所述的方法，其中，沉積所述第二緩衝層的步驟包括通過旋轉塗覆、滾動塗覆、浸漬塗覆、凹版塗覆或沉積來沉積。
18.如權利要求13所述的方法，其中，轉印層包含發射主體材料和摻雜劑。
19.如權利要求18所述的方法，其中，所述轉印層的發射主體材料與所述第一緩衝層和所述第二緩衝層的發射主體材料相同。
全文摘要
本發明公開了一種用於平板顯示器的供體基底，該基底包括基膜；光－熱轉化層，位於基膜上；第一緩衝層，位於光－熱轉化層上，第一緩衝層包含發射主體材料；轉印層，位於第一緩衝層上；第二緩衝層，位於轉印層上，第二緩衝層包含與第一緩衝層的發射主體材料相同的發射主體材料。
文檔編號B41M5/40GK101068042SQ2007101022
公開日2007年11月7日 申請日期2007年5月8日 優先權日2006年5月3日
發明者權寧吉, 李善姬, 李在濠, 金茂顯, 李城宅, 楊南喆 申請人:三星Sdi株式會社