太陽能電池用基板的表面處理方法

2023-04-27 19:47:11 2

太陽能電池用基板的表面處理方法
【專利摘要】本發明涉及一種太陽能電池用基板的表面處理方法。根據本發明的表面處理方法，對於太陽能電池用基板進行第一溼式蝕刻工序、反應離子蝕刻工序及第二溼式蝕刻工序，以在基板表面上形成金字塔結構。這種金字塔結構降低光反射率，以提高太陽能電池的光吸收效率。根據本發明，能夠不受結晶的種類和方向性的限制，而有效地對類單晶基板進行表面處理，從而提高太陽能電池的效率。
【專利說明】太陽能電池用基板的表面處理方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種太陽能電池用基板的表面處理方法。更具體地，涉及一種能夠不受基板的格子結構的種類或者品質的限制而有效地進行表面結構化的太陽能電池用基板的表面處理方法。
【背景技術】
[0002]近年來，預料到石油或者煤炭等現有能源的枯竭，將替代這些能源的替代能源越來越受到關注。其中，太陽能電池作為一種利用直接將太陽能轉換為電能的半導體元件的下一代電池，受人矚目。太陽能電池分為娃太陽能電池(silicon solar cell)、化合物半導體太陽能電池(compound semiconductor solar cell)及層壓型太陽能電池(tandemsolar cell)這幾大類型。
[0003]另一方面，現在批量生產的作為大部分太陽能電池的矽類太陽能電池，使用娃作為半導體基板，而娃作為間接帶間躍遷半導體(indirect interband transitionsemiconductor),由於只有具有大於娃的帶隙能量的光才能產生電子-空穴對，所以光的吸收率偏低。因此，矽類太陽能電池使射入太陽能電池內部的30%以上的光從作為基板的矽晶表面反射，因此太陽能電池的效率就會降低。
[0004]為了減少這種光學損失，在矽太陽能電池中使用表面處理(texturing)方法。表面處理方法為了使最多的光能被吸入晶片基板內部，在矽太陽能電池的矽基板表面上形成凹凸，以提高表面粗糙度。開始光線到達並碰撞到傾斜的金字塔牆壁上，一部分被吸收，一部分反射回去，此時，使返回的光線繼續碰撞到其他金子塔牆壁上，以增加光吸收量。如此，金子塔結構增加光吸收量，結果能夠提高電池效率。因此，若通過表面處理方法製造矽太陽能電池基板，就能夠實現太陽能電池的表面反射的減少、載流子收集效果的提高以及通過太陽能電池的內部反射的光約束效果。
[0005]作為表面處理方法，大體有用酸性或者鹼性溶液的溼式表面處理和用反應離子氣體的乾式表面處理這兩種方式。在溼式表面處理中使用鹼性溶液或者酸性溶液，鹼性溶液適合於單晶晶片，酸性溶液適合於多晶晶片的表面處理。而且，乾式表面處理使用反應離子氣體，並適合於多晶晶片。
[0006]另一方面，最近有一種將類單晶基板用於製造太陽能電池的方法正處於開發當中，該方法由於工藝簡單、一次能夠大量製造而具有高的價格競爭力。
[0007]對於所述類單晶矽，例如在美國公開專利第20100193031號，歐洲專利第0748884號等中公開了利用晶種(seed)使類單晶矽生長的方法。
[0008]由於類單晶矽根據生長方法，將單晶區和多晶區均包含在一起，所以很難對所有區域均勻地進行表面處理。因此，為了將類單晶矽用於太陽能電池，有必要對使基板的光吸收變最大化的表面處理方法進行研究。

【發明內容】
[0009]為解決上述問題，本發明的目的在於提供一種對於太陽能電池用基板，尤其對於類單晶基板，不受結晶的種類和方向性的限制而有效地進行表面處理的方法。
[0010]為達到上述目的，本發明提供一種太陽能電池用基板的表面處理方法，包括以下的步驟:對於太陽能電池用基板進行第一溼式蝕刻；進行反應離子蝕刻(reactive ionetching);以及進行第二溼式蝕刻。
[0011]根據本發明，能夠對太陽能電池用基板有效地進行表面處理，從而降低反射度，增加光吸收率，進而製造高效率的太陽能電池。
[0012]而且，不受根據結晶性分為不同種類的類單晶基板的種類的限制，而僅用一種方法就能夠均勻地進行表面處理，因此能夠簡化工藝，減少費用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為用電子顯微鏡，將對於單晶基板和多晶基板進行溼式表面處理的結果放大5000倍拍攝的照片。
[0014]圖2為顯不多種品質的基板的圖。
[0015]圖3為用顯微鏡，將分別用鹼性溶液和酸性溶液對類單晶基板進行表面處理的結果放大拍攝的照片。
[0016]圖4為用掃描電子顯微鏡，將在所述實施例1中進行到反應離子蝕刻工序之後的基板的表面放大70000 倍拍攝的照片。
[0017]圖5為用掃描電子顯微鏡，將在所述實施例1中進行到反應離子蝕刻工序和第二溼式蝕刻工序之後的基板的表面放大5000倍拍攝的照片。
[0018]圖6為顯示進行表面處理之前的基板的反射度和在所述實施例1和比較例I中進行表面處理工藝之後的基板的反射度的圖表。
【具體實施方式】
[0019]本發明的表面處理方法，包括以下步驟:
[0020]對於太陽能電池用基板進行第一溼式蝕刻；
[0021]進行反應離子蝕刻(reactive ion etching);以及
[0022]進行第二溼式蝕刻。
[0023]在本發明中用第一、第二等用語說明各種結構要素，所述用語的使用目的僅在於區分一個結構要素與其他結構要素。
[0024]而且，在本說明書中使用的用語只是為了說明例示性實施例，其意圖不在於限定本發明。單數的表述除非在上下文中有明確不同的意思，則包括複數。在本說明書中，「包括」、「具有」或者「有」等用語是想指定所實施的特徵、數字、步驟、結構要素或者這些要素組合的存在，不應理解為預先排除一個或者一個以上的其他特徵或者數字、步驟、結構要素或者這些要素組合的存在或者附加的可能性。
[0025]而且，在本發明中，當涉及各層或者要素形成於各層或者要素之「上」或者「上面」時，表示各層或者要素直接形成於各層或者要素之上，或者表示其他層或者要素可進一步形成於各層之間、對象體或基材上。
[0026]本發明可進行多種變更，可具有多種形態，下面示出特定實施例，並進行詳細說明。但這並不是為了將本發明限定於所公開的特定形態而提供的，而是應理解為包括本發明的思想及技術範圍內的所有變更、等同物以及代替物。
[0027]下面，參照附圖詳細說明本發明的太陽能電池用基板的表面處理方法。
[0028]在太陽能電池用半導體中所需的基板根據純度、準備基板時採用的技術精度等，在品質和價格方面有很大的差異。所需的主要條件有使雜質的濃度最小化的高純度、使結晶缺陷最小化的高品質以及能夠批量生產的低價等，這些條件是決定太陽能電池的批量生產的最重要的部分。根據這種趨勢，最近開發的基板有同時具有單晶和多晶這兩種形態的類單晶基板(mono-like multi wafer, MLM wafer)。
[0029]類單晶基板結合了單晶和多晶的優點，利用多晶錠生長法等進行生產。可使用常規多晶錠生長法之一的換熱法(HEM.Heat Exchange Method)製備單晶錠,並用於生產高效率的太陽能電池。多晶錠生長法由於工藝簡單，一次能夠進行大量生產，因此具有價格競爭力高的特性，最近為了用作太陽能電池用基板而處於開發當中。
[0030]另一方面，為了提高太陽能電池的光吸收，對基板表面進行制絨處理(texturing，也稱為「表面組織化」或者「表面處理」)工序。若通過制絨處理製造太陽能電池基板，就能實現太陽能電池的表面反射的減少、載流子收集效果的提高以及通過太陽能電池的內部反射的光約束效果。
[0031]單晶基板是指整體具有一致的結晶方位的單一結晶的基板，對於所述單晶基板，用NaOH或者KOH等鹼性溶液，對基板表面進行制絨(texturing)的各向異性蝕刻是有效的。
[0032]相反，多晶基板是指多個隨機配向的結晶在基板的主體內的結晶基板，對於所述多晶基板，因結晶方向不一樣，利用酸溶液的各向同性蝕刻比利用鹼的蝕刻更有效。
[0033]圖1為用掃描電子顯微鏡，將對單晶基板和多晶基板進行溼式表面處理的結果放大5000倍拍攝的照片。
[0034]在圖1中，左側照片為用鹼性溶液對單晶基板進行溼式表面處理的照片，右側照片為用酸性溶液對多晶基板進行溼式表面處理的照片。參照圖1，單晶基板和多晶基板根據結晶的特徵，各自的形態不同，但在單一基板內顯示均勻的蝕刻形態。
[0035]但是，類單晶基板根據生長方法和條件分為100%單晶的基板、單晶區和多晶區混合在一起的基板以及100%多晶的基板，大體上將單晶區和多晶區均包含在內，因此很難對所有的區域均勻地進行表面處理。
[0036]圖2為顯示多種品質(grade)的基板的圖。
[0037]參照圖2可知，從左到右為100%單晶基板(Mono wafer)、單晶區和多晶區混合在一起的類單晶基板(MLM wafer grade A, B)及100%多晶基板(Multi wafer)等多種品質的基板。
[0038]一般來說，類單晶基板根據單晶(mono)區所佔的比率可分為三種級別，即單晶區所佔的比率為90%以上的為A級，70%以上的為B級，25%以上的為C級。
[0039]一般來說，A級的類單晶基板，幾乎與單晶晶片相同，因此可用鹼性溶液進行蝕刻。但低於A級的基板，即B級或者C級的基板由於分別包含多個單晶區和多晶區，因此用鹼性或者酸性溶液處理時，難以實現最佳的制絨。
[0040]圖3為用顯微鏡將分別用鹼性溶液和酸性溶液對類單晶基板進行表面處理的結果放大拍攝的照片。在圖3中，左側照片為用鹼性溶液對類單晶基板進行表面處理的照片，右側照片為用酸性溶液對類單晶基板進行表面處理的照片。
[0041]如用鹼性溶液對類單晶基板進行表面組織化，則由於單晶區的結晶方向相同，因此能夠蝕刻出具有低反射率的顯微金字塔結構，但多晶區由於結晶方向不同，因此顯示出與單晶不同的蝕刻形態。因這種單晶和多晶的不均勻的表面組織化，如圖3的左側照片，可看到出現像楓葉形狀的楓葉現象。由於這種現象會成為降低商品價值的原因，因此不適合。
[0042]相反，當用酸性溶液進行表面組織化時，不受結晶方向限制而以相同的蝕刻速度形成隨機形狀的金子塔(random pyramid),因此如圖3的右側照片，並不出現楓葉形狀(maple-shape)。但是，通過酸性溶液進行表面組織化的基板，比通過鹼性溶液進行表面組織化的基板，顯示更高的反射度。因此通過酸性溶液的表面組織化也不合適。
[0043]根據本發明的表面處理方法，能夠不受基板表面的單晶區或者多晶區等晶格結構的限制而進行表面組織化。因此能夠實現均勻的表面組織化，並能夠解決根據晶格結構顯示不同的表面組織化的現象即產生楓葉形狀(maple-shape)的問題，而且由此能夠防止因楓葉形狀(maple-shape)的產生而導致商品價值的降低。而且，由於工藝步驟簡單，因此具有能夠減少工藝時間和費用的優點。
[0044]根據本發明的表面處理方法，作為表面處理對象的太陽能電池用基板可為類單晶基板。如上所述，所述類單晶基板可為單晶基板、單晶區和多晶區混合在一起的基板或者多晶基板，並可為多種級別的基板。根據本發明的表面處理方法，能夠不受基板的種類或者級別的限制而適用於工藝上。因此，即使使用價格相對低的低級基板，也能獲得相當於使用高級級別的基板的表面處理結果，因此能夠顯著減少生產費用。
[0045]根據本發明的一實施例，所述太陽能電池用基板例如可為由P型導電型的矽構成的基板。當所述太陽能電池用基板具有P型導電類型時，含有硼(B)、鎵或銦等三價元素雜質。
[0046]或者，所述太陽能電池用基板可為由如η型導電性類型的矽構成的基板。當所述太陽能電池用正基板具有η型 導電類型時，可含有磷(P)、砷(As )、銻(Sb )等五價元素雜質。
[0047]對上述太陽能電池用基板,首先進行第一溼式蝕刻(wet etching)。
[0048]通過所述第一溼式蝕刻，能夠同時實現去除切割損傷(sawing damage removal)和第一制絨(texturing)。所述去除切割損傷是去除因基板的切割而產生的缺陷，並去除形成在表面上的氧化膜的工序。
[0049]根據本發明的一實施例，所述第一溼式蝕刻使用酸(acid)溶液。
[0050]更具體地，在所述第一溼式蝕刻工序中使用的酸溶液包含HF、HNO3及H2O,體積比可約為1:2~4:1~3，優選地，可約為1:3:2。
[0051]而且，在進行所述第一溼式蝕刻時，可在溫度約為5~10°C的條件下，在所述溶液中浸潰基板約I~5分鐘，優選浸潰約I~2分鐘。
[0052]根據本發明的一實施例，在進行上述第一溼式蝕刻工序後，可進一步使用去離子水(DI rater)進行第一次清洗(rinse)，用KOH等鹼性溶液進行中和工序，用去離子水(DIwater)進行第二次清洗及HF清洗，並且用去離子水(DI water)進行第三次清洗工序。
[0053]通過進行上述第一溼式蝕刻，能夠去除基板的切割損傷，並且在通過第一次蝕刻的基板表面上形成高度約為2~10 μ m,優選約為3~5 μ m的凹凸結構。
[0054]然後,對於完成所述第一溼式蝕刻工序的基板進行反應離子蝕刻(reactive ionetching, RIE)工序。
[0055]所述反應離子蝕刻工序，可通過對蝕刻氣體進行等離子化，使之活化為強反應狀態，並使其與基板的表面進行碰撞而實施。作為所述蝕刻氣體可使用F2、SF6, CF4等氟系氣體、Cl2等氯系氣體及O2等中的一種或者兩種以上。
[0056]根據本發明的一實施例，在所述反應離子蝕刻工序中，為了調整蝕刻形態，在所述蝕刻氣體中可包含02。通過在所述蝕刻氣體中包含O2，在不被離子轟擊的側面形成起到掩模作用的氧化膜，並在被離子轟擊的下部不形成膜，從而能夠通過僅蝕刻下部的現象調節蝕刻形態。
[0057]根據本發明的一實施例，可使用Cl2、SF6及O2作為所述蝕刻氣體進行蝕刻工序。
[0058]更具體地，在腔室中配置所述基板後，將蝕刻氣體注入腔室。接著，對設置在所述基板之間的兩個電極施加規定大小的電力，從而在兩個電極之間的空間產生基於所述蝕刻氣體的等離子。所生成的等離子具有反應性強的自由基(radical)和離子(ion)。加速如此生成的等離子，使其與基板的表面進行碰撞。由此，通過物理衝擊和化學反應的結合，能在所述基板的表面上形成多個凹凸結構。
[0059]在所述反應離子蝕刻工序中，比一般的等離子蝕刻更高能量的離子衝撞到基板上，這是因為在電極上形成比接地電極更高的負電位。
[0060]通過上述反應離子蝕刻工序，對所述基板表面進行第二制絨處理，以在所述基板的表面上形成金字塔結構。
[0061]所述金字塔結構降低基板表面的光反射率，從而提高太陽能電池的光吸收效率。所述金字塔結構可通過控制反應離子蝕刻工序的工藝條件，即通過蝕刻氣體、壓力、溫度、電極高度或功率， 形成為多種形態和大小。
[0062]根據本發明的一實施例，在所述金字塔結構中，高寬比可約為0.75~1.1。而且，在維持所述比率的範圍內，可具有數納米至數百納米的高度和寬度。例如，所述金字塔的寬度可約為100~300nm,高度可約為150~350nm。根據本發明，分步進行上述第一溼式蝕刻工序和反應離子蝕刻工序，從而能夠不受基板的結晶結構的限制而在表面上形成均勻的金字塔結構。由此，能夠減少從表面反射的光量，從而實現低反射度。
[0063]但是，可能會產生因所述反應離子蝕刻工序的等離子衝擊而導致的表面損傷。若不去除表面損傷，因表面再結合速度的提高，電流值會降低，由此很難期待電池轉換效率的增加。即，通過反應離子蝕刻工序,反射度變低,進而可增加光吸收,但由於與此同時產生的表面損傷，電子-空穴對的消失也會加快，因此不能獲得增加光吸收的效果。這會成為低Voc和FF的原因。
[0064]而且，通過所述反應離子蝕刻工序生成的金字塔結構若維持得過於尖銳(needle),則在金字塔的上層部分會發生高的漏電(leakage current)。
[0065]因此，為了維持低反射度且去除電性表面損傷，在所述反應離子蝕刻工序之後，實施去除表面損傷(damage removal etching, DRE)工序。
[0066]所述去除表面損傷工序是為了去除在反應離子蝕刻工序中產生的表面損傷的，但若過多地進行所述去除表面損傷工序，則會過多地蝕刻表面，進而去除通過反應離子蝕刻工序形成的金字塔，從而不能獲得低反射度。因此，所述去除表面損傷工序有必要在能夠維持通過反應離子蝕刻工序形成的金字塔結構的同時去除通過O2產生的氧化膜且有效去除表面損傷的最佳條件下進行。
[0067]根據本發明的表面處理方法，作為所述去除表面損傷工序進行第二溼式蝕刻工序。更具體地，所述第二溼式蝕刻工序使用包含體積比約為1:13~17:15~19，優選為1:15:17的HF、HN03及H2O的酸溶液進行。通過以上述條件進行去除表面損傷工序，能夠在表面未被過多蝕刻的條件下，既維持通過反應離子蝕刻工序形成的金字塔結構，且維持所述金字塔結構的高寬比，並使金字塔結構的上層部分變得柔和(smoothly)，從而提高反射度，並防止產生漏電。而且，在後續的抗反射膜的形成工序中，能夠有效地進行抗反射膜的沉積(deposition)，並通過與此的協同效果能夠獲得反射度進一步提高的效果。根據本發明的一實施例，通過實施所述去除表面損傷工序，能夠使反射度比進行所述去除表面損傷工序之前進一步提高約I~3%。
[0068]此時，第二溼式蝕刻工序的工藝溫度為常溫，例如可約為20~30°C，可浸潰約10~60秒鐘，優選浸潰約20~50秒鐘。
[0069]根據本發明的一實施例，所述第二溼式蝕刻工序可按如下方式進行:通過所述第二溼式蝕刻工序的蝕刻量為進行所述第二溼式蝕刻工序之前的基板重量的約0.009~
0.035%。
[0070]用上述本發明的表面處理方法進行表面處理的基板，能夠顯示約9~12%的表面反射率。
[0071]對於經上述表面處理工藝的基板，後續可根據太陽能電池的一般製造方法，形成發射極層、抗反射膜、前面電極及背面電極，從而獲得高效率的太陽能電池。
[0072]更具體地，在經表面處理的所述太陽能電池用基板的上部形成發射極層。可在所述發射極層中摻 雜與所述基板相反的雜質，以形成P-N結(P-N junction)。根據本發明的一實施例，所述發射極層為約100~500nm厚度的淺結髮射極層，可適用於高效率太陽能電池。
[0073]而且，根據本發明的一實施例，所述發射極層可具有光電轉換效率高的表面電阻，例如約85~100 Ω /sq的表面電阻。
[0074]然後，在所述發射極層的上部形成抗反射膜。
[0075]所述抗反射膜可通過真空沉積法、化學氣相沉積法、旋轉塗覆、絲網印刷或者噴塗形成，然而並不受其限定。而且，所述抗反射膜可具有例如氮化矽膜、含氫氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、MgF2、ZnS、Ti02及CeO2中的任一個單膜或者組合兩個以上的膜的多層膜結構，然而並受其限定。根據本發明的一實施例，所述抗反射膜為具有約2.0~2.2的折射率的氮化娃膜，可形成為約75~85nm的厚度。
[0076]接著，絲網印刷銀(Ag)漿後，可進行熱處理形成前面電極，並在基板的背面印刷鋁漿後進行熱處理形成背面電極，從而製造太陽能電池。對所述鋁(Al)漿進行熱處理時，鋁通過基板的背面擴散，從而能夠在背面電極和基板的邊界面上形成背電場(Back Surfacefield)層。若形成背電場層，則能夠防止載流子向基板的背面移動並進行再結合，若防止載流子的再結合，則開路電壓上升，從而能夠提高太陽能電池的效率。
[0077]下面，參照本發明的實施例，進一步詳細說明本發明。但這些實施例只不過是為舉例說明本發明而提出的，本發明的權利範圍並不取決於這些實施例。
[0078][0079]實施例1
[0080]準備摻雜有第III族元素雜質的P型類單晶基板(MLM wafer, Grade B)。在包含體積比為1:3:2的HF、HN03及H2O的溶液中，在溫度為7°C條件下浸潰基板I分30秒鐘，以進行第一溼式蝕刻，從而同時進行去除切割損傷和第一制絨處理。通過所述第一制絨處理，從表面的蝕刻厚度達到3~5 μ m。
[0081]然後，作為蝕刻氣體使用Cl2/SF6/02實施反應離子蝕刻工序。通過所述反應離子蝕刻工序生成的金字塔結構，其高度(Height)與寬度(width)之比H/W分布在0.75~1.1的範圍內。
[0082]在包含體積比為1:15:17的HF、HNO3及H2O的溶液中，在溫度為25°C的條件下浸潰基板30秒鐘，以進行第二溼式蝕刻，經過該蝕刻後，與進行該蝕刻之前相比，基板重量減少0.025%，此時完成表面處理。
[0083]通過使用POCL3的擴散工序，摻雜磷(P)，形成具有85Q/Sq電阻的發射極層。用PECVD設備在所述發射極層上形成具有2.0~2.2範圍折射率的兩層氮化矽膜，其總厚度為85nm。
[0084]用Al漿糊在背面進行絲網印刷，並在低於200°C的溫度條件下進行乾燥工序後，用Ag漿糊以70 μ m大小的寬度形成前面電極，並在低於200°C的溫度條件下進行乾燥工序後,在940°C的帶式燒成爐(belt firing furnace)中進行燒結形成前面電極和背面電極。
[0085]比較例1
[0086]除了不進行反應離子蝕刻工序之外，用與所述實施例1相同的方法製造太陽能電池。
[0087]
[0088]表面處理結果的評價
[0089]圖4為用掃描電子顯微鏡，將在所述實施例1中進行至反應離子蝕刻工序之後的基板的表面放大70000倍拍攝的照片。
[0090]圖5為用掃描電子顯微鏡，將在所述實施例1中進行至反應離子蝕刻工序和第二溼式蝕刻工序之後的基板的表面放大5000倍拍攝的照片。
[0091]圖6為顯示進行表面處理之前的基板的反射度和在所述實施例1和比較例I中進行表面處理工藝之後的基板的反射度的圖表。
[0092]太陽能電池的電氣性能評價
[0093]根據ASTM 6-173-03，在麼11.5光照條件下，採用在中國的韓華新能源公司(Hanwha Solarone limited, HS0L)的光伏測試儀(solar tester),即 H.a.1.m cetisPV-PiOducts測定在所述實施例1及比較例I中製造的太陽能電池的電氣性能，並將其結果示於下表1。在下表1中，Isc表示當阻抗低時，通過相應於短路條件的太陽能電池所傳送的最大電流或者當一個太陽能電池的兩端電壓為O時所流過的電流，每單位面積所流過的電流為Jsc，Voc為當電流為O時，形成在太陽能電池兩端的電壓，表示能夠從太陽能電池獲得的最大電壓，並聯電阻Rsh是指並聯連接某電路的電阻，低的並聯電阻會引起漏電，從而減少電流和電壓。串聯電阻Rs為在太陽能電池的上部和下部電極之間通過串聯(series)起作用的電阻，通過發射極和基極的電流流過該電阻，即將垂直電阻成分定義為Rs，受到的影響大的參數為FF。對於太陽能電池的品質，FF[%]是最重要的尺度，填充因子(FillFactor，FF)通過比較最大功率與由開路電壓和短路電流輸出的理論功率來計算，Eta [%]表示效率，是顯示太陽能電池性能的最重要的因子，被定義為輸出能量與從太陽射入的能量之比。
[0094][表1]
【權利要求】
1.一種太陽能電池用基板的表面處理方法，包括以下步驟: 對於太陽能電池用基板進行第一溼式蝕刻； 進行反應離子蝕刻；以及 進行第二溼式蝕刻。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中通過所述第一溼式蝕刻，同時進行去除切割損傷和第一制絨處理。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中在進行所述第一溼式蝕刻時，使用包含體積比為1:2~4:1~3的HF、HNO3及H2O的溶液。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中通過所述反應離子蝕刻進行第二制絨處理，以在所述基板的表面上形成金字塔結構。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中在進行所述反應離子蝕刻時，使用包含Cl2、SF6及O2的氣體。
6.根據權利要求4所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中所述金字塔結構的高寬比為0.75~1.1。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中在進行所述第二溼式蝕刻時，使用包含體積比為1:13~17:15~19的HF、HNO3及H2O的溶液。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中所述第二溼式蝕亥丨J，在溫度為20~30°C的條件下進行10~60秒鐘。
9.根據權利要求1所述的太陽能電池用基板的表面處理方法，其中所述太陽能電池用基板為選自單晶基板、單晶區和多晶區混合在一起的基板以及多晶基板中的一種類單晶基板。
【文檔編號】H01L31/18GK103849937SQ201310488489
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年10月17日 優先權日:2012年11月29日
【發明者】尹起燦, 郭將榮, 金起弘, 金鍊起, 李秉喆, 崔鍾亨, 韓奭奎, 洪定義 申請人:韓化石油化學株式會社