矽化處理過程中有選擇地清除層的清洗液及方法
2023-04-27 02:41:26
專利名稱：矽化處理過程中有選擇地清除層的清洗液及方法
技術領域：
本發明一般涉及到一種清除半導體器件中不期望的層的方法，並且更具體的涉及清除在矽化處理過程中形成的不期望的層的一種溶液及方法。
背景技術：
傳統的半導體製造過程包括在襯底上形成絕緣層和導電層以及一個光刻處理過程等。光刻處理過程包括在要刻圖形層的下面層上形成一個光阻圖形，蝕刻被光阻圖形暴露的層，然後清除光阻圖形。另外，從蝕刻的下層和蝕刻氣體之間的反應中可以得到有機物或者聚合物。傳統地，可以用氧等離子灰化和硫化剝除處理來清除光阻圖形和有機物或聚合物。
器件的工作速度與源極區/漏極區的阻抗有很緊密的聯繫。因此，為了提高器件的工作速度，要使用一種金屬矽化處理過程來形成半導體器件。矽化過程包括通過在預定溫度上鈷和矽之間起反應來形成一個電阻率比矽層的電阻率低的矽化鈷層。在矽化過程中沒有起反應的鈷應該被清除，而不清除矽化鈷層。
而且，在傳統的鈷矽化過程中，形成一個氮化鈦層來防止在矽化過程中鈷氧化以及矽化物層凝結。因此，在矽化物層形成以後應該清除氮化鈦層。
假如層沒有清除，層就成為雜質源並且導致其與鄰接導體短路。
傳統地，在矽化過程中，利用包含過氧化氫(H2O2)也就是一種強氧化劑的混合液來清除非反應金屬層以及氮化鈦層。
同時，隨著從經濟角度來使半導體器件高度集成化，傳統的多晶矽柵極並不能滿足固有的工作速度以及柵極的表面電阻特性的需要。因此，其電阻率低於多晶矽層的金屬層比如鎢層堆放在多晶矽柵極上來形成一個金屬柵極。因此，低電阻率的鎢柵極也應該不被蝕刻(或清除)。另外，與鎢層的金屬互連(也就是字線或比特線)也應該不被清洗液蝕刻。
相反，在矽化過程中傳統使用的過氧化氫蝕刻鎢。因此，使用傳統的過氧化氫就不能得到高速度的器件。
因此，隨著高速度器件需求的增加，也增加了可以有選擇地清除比如氮化鈦層和鈷層這樣的金屬層而不清除比如矽化鈷層或鎢層的清洗液的需求。
發明內容
本發明的一個方面是提供一種在矽化過程中有選擇地清除氮化鈦層和非反應金屬層的清洗液以及使用同樣的清洗液來清除氮化鈦層和非反應金屬層的方法。
本發明的另一個方面是提供一種在使用鎢柵極處理的矽化處理過程中有選擇地清除氮化鈦層和非反應金屬層但不清除鎢層和矽化物層的清洗液以及使用同樣的清洗液清除層的方法。
本發明的另一個方面是提供一種在矽化過程中可選擇地清除金屬層和光阻層以及有機物的清洗液以及使用同樣的清洗液清除層的方法。
根據本發明的至少一種實施例，清洗液包括一種酸液和一種含碘氧化劑。清洗液還可以包括水。這是為了增加酸液和含碘氧化劑的溶解度，因此提高了氧化劑和酸液的清洗能力。在示例性的實施例中，清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及0.003到10wt％量的含碘氧化劑。酸液可以包括硫酸、磷酸以及其混合物。含碘氧化劑包括一種或多種碘酸鹽比如KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、以及BaIO3。假如清洗液包括水，含碘氧化劑不僅包括碘，還可以包括KI、NH4I或其混合物。也就是含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種。假如使用硫酸作為酸液，硫酸的濃度可以為大約96％或更高。
酸液和含碘氧化劑有效地清除氮化鈦和鈷，並且還可以清除光阻層和有機物。相反，酸液和含碘氧化劑不蝕刻矽化鈷層和鎢。含碘氧化劑與金屬矽化層中的矽反應，並且在其上形成矽氧化物(SiOx)層作為鈍化層。矽氧化物層對硫酸有很強的抗酸性，因此就可以保護金屬矽化物層。另外，含碘氧化劑與鎢反應並在其上形成諸如三氧化鎢(WO3)的鈍化層。三氧化鎢鈍化層在酸液中非常穩定，因此就可以防止鎢被蝕刻。
清洗液的清洗能力與溫度成正比。例如，可以在大約從室溫到約120℃的溫度範圍內進行清洗。清洗液的清洗能力還與所加的水的量成正比。加到清洗液中的水的量大約是30％或更少。
根據本發明實施例的一種選擇清除金屬層的方法包括下述步驟。在矽襯底上形成電晶體，電晶體包括源極/漏極區以及柵極。形成矽化物層的金屬層在暴露的襯底上方形成。氮化鈦層形成在金屬層的上方。進行矽化熱處理使得矽與金屬層反應，也就是暴露的源極/漏極區的矽與直接接觸的金屬層之間彼此反應來形成金屬矽化物層。使用清洗液清除在矽化過程中沒有參與反應的非反應金屬層以及氮化鈦層。在這種條件下，清洗液包括酸液和含碘氧化劑。優選地，清洗液還包括水。清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及大約0.003到10wt％量的含碘氧化劑。
形成電晶體方法的示例性實施例包括下述步驟。
在矽襯底上依次形成柵絕緣層、多晶矽層、鎢層以及帽蓋絕緣層。在帽蓋氮化層上方形成光阻圖形，並且使用光阻圖形作為蝕刻掩膜，連續地蝕刻在其下方形成的層來形成柵極。通過實現離子注入過程在矽襯底上柵極的兩側形成源極和漏極。在這種條件下，使用清洗液來清除光阻圖形。金屬層包括鈷、鈦和鎳中的至少一種。
根據上述方法，清洗液不蝕刻矽化物層和組成低電阻率柵極的鎢層而是有選擇地蝕刻氮化鈦層和非反應金屬層。因此，矽化過程和鎢金屬柵極處理全部一起使用。
形成電晶體方法的實施例包括下述步驟。在矽襯底上方形成柵絕緣層和多晶矽層。在多晶矽層上方形成光阻圖形，並且通過使用光阻圖形作為蝕刻掩膜來連續地蝕刻在下面形成的層來形成柵極，然後清除光阻圖形。通過實現離子注入過程在矽襯底上柵極的兩側形成源極和漏極區。在柵極的側壁形成氮化物隔離物。當通過矽化熱處理後在源極/漏極區形成金屬矽化物層時，也在多晶矽的柵極上部形成金屬矽化物層。因此，本發明適用於使用雙多晶矽柵的CMOS電晶體，通過把P型雜質注入PMOS以及把N型雜質注入NMOS中來形成雙多晶矽柵。在這種條件下，使用清洗液可以清除光阻圖形。
從下述結合揭示本發明實施例的附圖所作的詳細描述將使本發明的其它方面和特點變得更加明顯。可是要理解的是圖型僅僅是為說明的目的而設計的，並不意味著規定本發明的限制。
圖1是根據本發明實施例帶有可選擇清除的鎢層、氮化鈦層、鈷層或光阻層的襯底的橫截面示意圖；圖2是不帶有從圖2中的襯底上可選擇清除的鎢層、氮化鈦層、鈷層或光阻層的襯底的合成結構示意圖；圖3到圖6示出了使用本發明的清洗液實施例來有選擇地清除金屬層的步驟的橫截面圖；圖7到圖12示出了根據一種示例性實施例在矽化過程中使用本發明的清洗液有選擇地清除金屬層的步驟的橫截面圖；圖13和圖14示出了根據另一種示例性實施例在矽化過程中使用本發明的清洗液有選擇地清除金屬層的步驟的橫截面圖。
具體實施例方式
參照其中示出本發明優選實施例的附圖將在下文中更加全面地描述本發明。可是本發明有許多其它實施方式，並不應該限制在其中所述的實施例中。而且，提供這些實施例使得本發明的揭示將是全面和完整的，並且將向本領域普通技術人員傳達本發明的適用範圍。在圖中，為了清楚放大了層和區的厚度。還要理解的是提及當一個層被作為」在」另一層或襯底上時，可以指就直接在其它層或襯底上，或者也可能存在中間層。
圖1示出了帶有應該不被蝕刻或清除的層13以及在其上形成並且應該被有選擇地蝕刻或清除的層15的襯底11的示意圖。應該不被蝕刻的層13是不被本發明中的清洗液蝕刻的任何層。例如，層13包括鎢或金屬矽化物層。同時，層15包括比如氮化鈦、鈷、有機物或光阻材料。
在襯底11和非蝕刻層13之間以及非蝕刻層13和蝕刻層15之間還可以進一步提供了中間層。
參照圖2，使用根據本發明的實施例清洗液，僅僅應該被蝕刻的層15在合適的溫度被有選擇地蝕刻。清洗液包括酸液和含碘(I)氧化劑。硫酸、磷酸及其混合物可以被用作酸液。含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種。
清洗液還包括水，用來提高酸液和含碘氧化劑的清洗能力。水增加了酸液和含碘氧化劑的溶解度。因此，氧化劑和酸液的清洗能力與所加水的量成正比。清洗液包含大約30wt％或更少量的水。清洗液還包含大約0.003到10wt％的含碘氧化劑。
清洗時間與溫度成反比。也就是清洗能力與溫度成正比。可以在大約室溫到大約120℃進行清洗。可是，取決於處理過程，處理條件可以被改變並且對本領域技術人員來說這是顯然的。
圖3到圖6示出了半導體製造過程的矽化過程中有選擇地清除不希望的層步驟的橫截面圖。
如圖3所示，提供的襯底31包括含有矽的導電圖形35。在矽圖形35和襯底31之間還有一個不含有矽的層33。含有矽的導電圖形35以任意形狀形成在不含有矽的層33的表面上。導電圖形35可以形成在層33的內部。在導電圖形35形成在層33的內部的情況下，矽導電圖形35僅僅暴露其上表面。另外，另一層比如絕緣層還可以形成在矽導電圖形35的兩側壁。在這種情況下，矽導電圖形35可以僅僅暴露其上表面。在任一條件下，暴露的矽導電圖形35和直接與其接觸的金屬層彼此反應並形成一個矽化物層。然後，形成的矽化物層在隨後的過程中通過互連來電連接。
參照圖4，在不含有矽的層33上依次形成金屬層37和氮化鈦層39，從而覆蓋矽導電圖形35。金屬層37可以由鈷、鈦、鎳或類似物組成。
參照圖5。通過進行矽化熱處理在暴露的矽導電圖形35上形成金屬矽化物層41。在這種情況下，在不含有矽的層33上形成的金屬層37a並不對矽化反應起作用。
使用清洗液來清除氮化鈦層39和非反應金屬層37a。因此，如圖6所示，就形成了其上帶有金屬矽化物層41的導電圖形35。
清洗液是一種包含酸液和含碘氧化劑的混合液。在示例性實施例中，清洗液還包括水。清洗液包含大約30wt％或更少量的水。另外，清洗液還包含大約0.003到10wt％的量的含碘氧化劑。清洗能力與溫度成反比。也就是清洗能力與溫度成正比。可以在大約室溫到大約120℃進行清洗處理過程。
不含有矽的層33還包括鎢圖形。清洗液與鎢圖形反應來在其表面上形成薄的三氧化鎢(WO3)層來作為鈍化層，因此保護鎢圖形。另外，清洗液與金屬矽化層41反應並且在其表面形成矽氧化物(SiOx)層作為鈍化層來保護金屬矽化層。
在清除氮化鈦層39和非反應金屬層37a後，堆砌絕緣層(圖中沒有示出)並且形成圖形後形成一個開口來露出金屬矽化物層41的預定部分。然後用導電材料比如說金屬來填充開口，以形成與矽導電圖形35電氣連接的金屬導電圖形(或導電栓塞)。
在矽導電圖形35與金屬導電圖形(或導電栓塞)之間插入一矽化物層，因此提高了接觸阻抗特性和矽導電圖形的阻抗特性。
參照圖7到圖12，根據一個示例性實施例將會說明清除不期望的層的方法。
圖7到圖12示出了根據一種示例性實施例在矽化過程中使用本發明的清洗液清除不想要的層的步驟的橫截面圖。為了清楚和簡化，在圖中僅僅說明了一個電晶體。
參照圖7，通過摻入雜質在矽襯底100上形成一個阱。執行一個器件隔離過程來形成器件隔離層120，然後注入溝道離子。由於器件隔離處理是傳統的並且是公知的，所以就省略對其詳細說明。接著，依次形成柵絕緣層140、多晶矽層160、鎢層180以及帽蓋氮化物層200。還在鎢層180和多晶矽層160之間形成一個導電勢壘層。鎢層180提高了器件工作速度。導電勢壘層防止了鎢層和多晶矽層之間的反應。
在帽蓋氮化物層200上形成的光阻圖形220限定了柵極。被光阻圖形220暴露的下層被蝕刻來形成與圖8中所說明的光阻圖形220對應的柵極240。在清除光阻圖形220後，注入離子，在襯底100中柵極240的兩側形成雜質擴散層260。注入的離子的導電極性與矽襯底的極性相反。例如，假如矽襯底100是P型，那麼注入的離子就是N型。雜質擴散層260與源極/漏極區對應。可以用本領域技術人員所公知的方式，通過用氧等離子灰化和硫酸剝除處理來清除光阻圖形220。另外，使用本發明的清洗液可以清除光阻圖形22。清洗液將會被說明。
在柵極240的兩側壁形成氮化物隔離物280，也就是，形成一個氮化矽層並且將其蝕刻來形成氮化物隔離物280。
參照圖9，在進行預清洗後，鈷層300被形成，從而形成一矽化物層。進行一個預清洗來清除矽襯底100上的固有氧化層以及矽襯底100上的破損層。例如，預清洗過程可以用兩次處理來進行。
也就是，使用NH4OH和H2O2的混合物來實現第一次處理並且用氟酸(HF)來連續地進行第二次處理，從而固化固有氧化層和襯底。同時，清洗過程包括使用CF4和O2的混合氣體的第一次處理以及使用HF的第二次處理過程。
鈦層或鎳層可以替代鈷層300。鈷層300可以通過本領域技術人員熟知的任何方法來形成，比如濺射法。
參照圖10，在鈷層300上形成氮化鈦層320。氮化鈦層320可以通過本領域技術人員熟知的任何方法來形成，比如濺射法。形成氮化鈦層320是為了防止鈷層300的氧化以及防止矽化物層的凝結。
參照圖11，進行矽化熱處理，使鈷層300與直接在鈷層300下面的矽襯底(也就是源極/漏極260)中的矽反應。因此，形成一個矽化鈷(CoSi2)層340。結果是，由於沒有與矽直接接觸，鈷層300a而不是源區/漏區260保持沒有反應。
參照圖12，通過清洗過程可以清除氮化鈦層320和非反應鈷層300a。清洗過程使用包含酸液和含碘氧化劑的清洗液。清洗液可以用來清除上述的光阻圖形220。
酸液包括硫酸、磷酸或其混合物。含碘氧化劑至少包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的一種。這僅僅是一個例子，並且可以使用其它含碘氧化劑。含碘氧化劑清除氮化鈦層320和非反應鈷層340a但並不清除(或蝕刻)組成柵極240的矽化鈷層340和鎢層180a。也就是，含碘氧化劑與矽化鈷層的矽反應來形成薄矽氧化物層(SiOx)，矽氧化物層比如是在矽化鈷層表面上的用作鈍化層的二矽氧化物層。另外，含碘氧化劑與鎢反應來在其表面形成在酸液中穩定的薄的三氧化鎢(WO3)層，作為鈍化層。
清洗液可以包括水。假如向清洗液中加水，參與清除反應中的活性離子就增加。在示例性實施例中，清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及大約0.003到10wt％的量的含碘氧化劑。
清洗時間與溫度成反比，也就是清洗能力與溫度成正比。可以在大約室溫到大約120℃來進行清洗。
更具體地，下文將會說明矽化熱處理。首先，在合適的溫度進行第一次熱處理。第一次熱處理過程形成一個由化學比量大部分為矽化鈷(CoSi)以及少量為二矽化鈷(CoSi2)組成的中間態矽化物層。在第一次熱處理後，使用清洗液來進行第一次清洗，從而清除非反應鈷層以及氮化鈦層。再次形成氮化鈦層，然後在合適的溫度進行第二次熱處理。第二次熱處理形成從化學比量上來說大部分包含二矽化鈷(CoSi2)的低阻抗矽化鈷層340。最後使用清洗液來進行第二次清洗來清除氮化鈦層以及非反應鈷層。
圖13和圖14示出了根據另一個示例性實施例在矽化過程中使用本發明的清洗液清除不想要的層的步驟的橫截面圖。與上述方法相反，組成柵極的導電材料僅僅包括多晶矽。在雙柵技術中使用柵極，雙柵技術摻入的雜質的導電類型與進入組成柵極的多晶矽中溝道的類型相同。雙柵的優點在於增強溝道的表面作用並且實現對稱的低功耗操作。
參照圖13簡單地說明，通過雜質摻雜，在矽襯底100中形成阱。然後通過器件隔離處理來形成器件隔離層120，並且注入溝道離子。形成通過柵極隔離層140a與矽襯底100電氣絕緣的多晶矽柵極160a。連續地，使用多晶矽柵極160a作為離子注入掩膜，離子被注入來形成雜質擴散層260。在多晶矽柵極160a的兩側壁上形成側壁隔離物280。
接著，將會進行矽化過程。金屬層和氮化鈦層形成，從而形成矽化物。金屬層不僅直接與雜質擴散層260直接接觸而且與多晶矽柵160a的上部的矽直接接觸。進行矽化熱處理來分別在雜質擴散區260和柵極160a上形成金屬矽化物層340以及360。
參照圖14，通過包含酸液和含碘氧化劑的清洗液用上面完全描述的方法來清除非反應金屬層300a和氮化鈦層320。
根據本發明的實施例，使用清洗液，可以在矽化過程中有效地清除非反應金屬，比如鈷、鈦以及氮化鈦層。
而且，清洗液不蝕刻鎢層，使得可以採用鎢柵處理。因此，可以提高器件工作特性，而且可以有效地清除光阻層和有機物。
在結合其中的特定和示例性實施例已經描述本發明，可以進行各種不離開本發明的精神和範圍的改變和修訂。應該明白，本發明的範圍並不限於上文中本發明的詳細描述，這種描述僅僅意味著說明，而不是理解為是下述權利要求所限定的主題。另外，它應該解釋為包括各種與權利要求一致的所有方法和器件。
權利要求
1.一種在製造半導體器件過程中有選擇地清除金屬層的方法，包括使用清洗液清除金屬層，清洗液包括酸液和含碘氧化劑。
2.根據權利要求1所述的方法，其中金屬層包括鈦層和鈷層的至少一種。
3.根據權利要求1所述的方法，其中清洗液還包括水。
4.根據權利要求1所述的方法，其中酸液包括硫酸和磷酸的至少一種，並且含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種。
5.根據權利要求3所述的方法，其中清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及約0.003到10wt％量的含碘氧化劑。
6.根據權利要求5所述的方法，其中鈦層包括氮化鈦和鈦的至少一種。
7.一種在製造半導體器件過程中有選擇地清除光阻層和有機物的方法，包括使用清洗液有選擇地清除光阻層和有機物，清洗液包括酸液和含碘氧化劑。
8.根據權利要求7所述的方法，其中清洗液還包括水。
9.根據權利要求7所述的方法，其中酸液包括硫酸和磷酸的至少一種，並且含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種。
10.根據權利要求8所述的方法，其中清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及約0.003到10wt％量的含碘氧化劑。
11.一種在形成矽化物層過程中有選擇地清除金屬層的方法，包括在襯底上方形成矽圖形；在襯底上方形成金屬層；實現矽化熱處理，以利用矽和金屬層之間的矽化反應來形成金屬矽化物層；使用清洗液來清除沒有參與矽化反應的非反應金屬層；其中清洗液包括酸液和含碘氧化劑。
12.根據權利要求11所述的方法，其中金屬層包括鈷、鈦和鎳的至少一種。
13.根據權利要求11所述的方法，其中清洗液還包括水。
14.根據權利要求11所述的方法，其中酸液包括硫酸和磷酸，並且含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種。
15.根據權利要求14所述的方法，其中清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及約0.003到10wt％量的含碘氧化劑。
16.根據權利要求11所述的方法，其中清洗在從大約室溫到大約120℃的溫度範圍內進行。
17.根據權利要求11所述的方法，還包括步驟在形成金屬層之前，依次使用NH4OH和H2O2的混合物來進行第一次處理並且使用HF來進行第二次處理或依次使用CF4和O2的混合氣體來實現第一次處理並且使用HF來實現第二次處理，使得清除固有的氧化層並固化襯底破損。
18.根據權利要求11所述的方法，其中矽化熱處理包括進行第一次熱處理；進行第一次清洗，使用清洗液清除非反應金屬層；以及進行第二次熱處理。
19.根據權利要求18所述的方法，其中清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及大約0.003到約10wt％量的含碘氧化劑。
20.根據權利要求19所述的方法，其中酸液包括硫酸和磷酸的至少一種，並且含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種。
21.根據權利要求19所述的方法，其中第一次清洗在從大約室溫到大約120℃的溫度範圍內進行。
22.根據權利要求11所述的方法，其中襯底還包括鎢層，並且清洗液不清除鎢層。
23.根據權利要求11所述的方法，還包括在形成金屬層之後和進行矽化物熱處理之前，在金屬層上方形成氮化鈦層；其中清洗液清除氮化鈦層。
24.根據權利要求23所述的方法，其中矽化熱處理包括進行第一次熱處理；進行第一次清洗，使用清洗液清除氮化鈦層和非反應金屬層；形成第二氮化鈦層；以及進行第二次熱處理；其中清洗液清除進一步形成的氮化鈦層和非反應金屬層。
25.一種在形成矽化物層過程中有選擇地清除金屬層的方法，包括在矽襯底上方形成帶有源極區/漏極區和柵極的電晶體；在襯底上方形成金屬層；在金屬層上方形成氮化鈦層；進行熱處理，利用源極區/漏極區的矽與直接接觸矽的金屬層之間的反應來形成金屬矽化物層；以及使用清洗液來進行清洗，清除氮化鈦層以及不與源極區/漏極區的矽直接接觸的非反應金屬層；其中清洗液包括酸液、含碘氧化劑以及水。
26.根據權利要求25所述的方法，其中形成電晶體的步驟包括在矽襯底上方形成柵絕緣層、多晶矽層、鎢層以及帽蓋絕緣層；在帽蓋氮化物層上方形成光阻圖形；通過使用光阻圖形作為掩膜來連續地蝕刻在柵極下方形成的層，來形成柵極；清除光阻圖形；進行離子注入過程，在矽襯底上柵極兩側形成源極區/漏極區；以及在柵極的兩側壁形成氮化物隔離物。
27.根據權利要求26所述的方法，其中使用清洗液清除光阻圖形。
28.根據權利要求25所述的方法，其中酸液包括硫酸和磷酸的至少一種，並且含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種，並且清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及大約0.003到約10wt％量的含碘氧化劑。
29.根據權利要求28所述的方法，其中清洗在從大約室溫到大約120℃的溫度範圍內進行。
30.根據權利要求29所述的方法，其中金屬層包括鈷、鈦和鎳的至少一種。
31.根據權利要求25所述的方法，其中形成電晶體的步驟包括在矽襯底上方依次形成柵絕緣層以及多晶矽層；在多晶矽層上方形成光阻圖形；通過使用光阻圖形作為蝕刻掩膜來連續地蝕刻在柵極下方形成的層，來形成柵極；清除光阻圖形；進行離子注入過程，在矽襯底上柵極兩側形成源極區/漏極區；以及在柵極的兩側壁形成氮化物隔離物；其中在通過進行矽化熱處理在源極區/漏極區形成金屬矽化物層時，在柵極的上部的多晶矽上形成金屬矽化物層。
32.根據權利要求31所述的方法，其中使用清洗液清除光阻圖形。
33.根據權利要求31所述的方法，其中酸液包括硫酸和磷酸的至少一種，並且含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種，並且清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及大約0.003到約10wt％量的含碘氧化劑。
34.根據權利要求33所述的方法，其中清洗在從大約室溫到大約120℃的溫度範圍內進行。
35.一種在矽化處理過程中有選擇地清除氮化鈦層和非反應金屬層的清洗液，其中清洗液包括酸液、含碘氧化劑以及水。
36.根據權利要求35所述的方法，其中酸液包括硫酸和磷酸的至少一種，並且含碘氧化劑包括從KIO3、NH4IO3、LiIO3、CaIO3、BaIO3、KI和NH4I組成的組中選出的至少一種。
37.根據權利要求35所述的方法，其中清洗液包含大約30wt％或更少量的水以及大約0.003到約10wt％量的含碘氧化劑。
38.根據權利要求35所述的方法，其中非反應金屬包括鈷、鈦和鎳的至少一種。
全文摘要
一種有選擇地清除氮化鈦層和非反應金屬層的清洗液。清洗液包括酸液和含碘氧化劑。清洗液還可以有效地清除光阻層和有機物。而且，清洗液可以在鎢柵極技術中使用，該技術能改進器件工作特性，因此已經被重視。
文檔編號H01L29/66GK1505106SQ20031011979
公開日2004年6月16日 申請日期2003年12月5日 優先權日2002年12月5日
發明者金相溶, 李根澤 申請人:三星電子株式會社