晶片版圖的檢測方法
2023-05-03 22:49:46
專利名稱：晶片版圖的檢測方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造技術領域，尤其涉及一種晶片版圖的檢測方法。
背景技術：
為了保證集成電路晶片在生產中成功量產，並得到高的良率，晶片製造工廠要求版圖設計者在版圖設計的時候按照一定的設計規則(Design Rule,DR)來設計晶片版圖，所述設計規則包括導線交叉條件、最小線寬、多晶矽在場區的最小伸出長度等等。由於集成電路晶片的晶片版圖設計需要遵守若干條設計規則，並且所述晶片版圖包括若干圖形，版圖設計軟體設計的圖形不可避免會存在一些誤差或者版圖設計者在設計過程中可能會出現失誤。因此，當版圖設計完成後，在進入工廠開始製造以前，首先需要根據每一設計規則，對設計的晶片版圖中與所述設計規則相關的圖形進行檢測，即設計規則檢查(Design Rule Check, DRC)，獲得與若干圖形對應的多個違反值(不滿足設計規則的這些違反結果)。然而並不是每個違反值都是需要修改的，通常需要根據工廠的工藝水平對所述違反值對應的圖形進行分析，判斷這些違反值對應的圖形中是否存在不能滿足工廠的圖形設計需求的情況，找出不滿足工廠的圖形設計需求的違反值對應的圖形，由版圖設計者更改版圖中這些不滿足工廠的圖形設計需求的違反值對應的圖形後，晶片才能進入生產環節進行生產。因此，所述設計規則檢查是確保晶片版圖布局滿足設計規則的一個檢查過程。但是隨著超大規模集成電路(Ultra Large Scale Integration, ULSI)的快速發展，電路在設計端的複雜性增加，版圖的複雜性也隨之增加，這使得晶片製造工廠對於先進工藝的設計要求更加嚴格，設計規則複雜，使得設計的版圖經設計規則檢測後，得到的違反值的數量成倍的增長。同一條設計規則在版圖中可能會檢查出成千上萬甚至上千萬條的違反值，例如某條設計規則的違反值的個數為1000個，其中的999個違反值可以根據生產線的經驗將其忽略，版圖設計者沒有必要對版圖中的進行修改，另外I個違反值則必須由版圖設計者修改版圖中該違反值對應的圖形，否則產品會有質量問題。由於傳統設計的版圖結構以及設計規則相對簡單，設計規則檢查得到的違反值相對較少，可以通過人工的方法對違反值逐一審查。目前半導體製造業對設計規則檢測的審查仍然停留在傳統的水平，當違反某條設計規則的違反值多達上千萬時，只能根據抽樣法則隨機查看一定比例的違反值。例如，以5%的抽樣頻率隨機抽取1000個違反值中的50個進行檢測，這樣雖然節省了檢測的時間，然而卻有高達95%的概率無法檢測到最需要修改的那I個違反值對應的圖形，直到產品出現低良率的時候才發現版圖設計存在問題。需要重新修改版圖，製作晶片，不僅增加了工廠的製造成本，還大大延長了產品流向最終客戶端的周期，為晶片製造工廠帶來巨大的無法計算的損失。如何快速準確的對眾多的違反值進行分析，判斷是否存在不滿足工廠的圖形設計需求情況，對這些不能滿足工廠的圖形設計需求的違反值對應的圖形作出修改，使晶片成功量產並提高產品的良率，成為亟需解決的問題。
更多關於晶片版圖的檢測方法請參考公開號為「US20060117283A1」的美國專利。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種晶片版圖的檢測方法，能夠快速準確的判斷是否存在不滿足工廠的圖形設計需求情況，修改這些不能滿足工廠的圖形設計需求的違反值對應的圖形，使晶片成功量產並提高產品的良率。為解決上述問題，本發明的實施例提供了一種晶片版圖的檢測方法，包括:步驟S1:提供晶片版圖，所述晶片版圖包括若干圖形；所述晶片版圖具有與所述圖形尺寸相關的設計規則；步驟S2:根據所述設計規則對相關的圖形進行第一圖形檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值；步驟S3:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，並對與最小違反值對應的圖形按圖形結構分類；步驟S4:選擇所述類中一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足製造工藝條件，則修改與所述設計規則相關的所有圖形；若選擇的圖形滿足製造工藝條件，則循環執行步驟S4，選擇下一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。可選地，所述圖形結構為圖形形狀，或者違反設計規則的圖形的形狀、所述違反設計規則的圖形的周邊圖形的形狀、及兩者的位置關係。可選地，對與最小違反值對應的圖形按圖形結構分類的方法包括:獲得與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，選取一個違反所述設計規則的圖形為參考圖形，逐一比較剩餘的違反所述設計規則的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率大於等於95%的違反所述設計規則的圖形與參考圖形歸為一類。可選地，將重疊率等於100%的違反所述設計規則的圖形與參考圖形歸為一類。可選地，對與最小違反值對應的多個圖形按圖形結構分類的方法包括:獲得與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，以每一所述違反設計規則的圖形的中心為中心，形成若干個大小、形狀相同的參考區域，每一所述參考區域至少包括所述違反設計規則的圖形、部分與所述違反設計規則的圖形相鄰的周邊圖形；選取任一個參考區域作為標準參考區域，逐一比較剩餘的參考區域中的違反設計規則的圖形和周邊圖形、與標準參考區域中的違反設計規則的圖形和周邊圖形的重疊率，將重疊率大於等於95%的參考區域中的違反設計規則的圖形歸為一類。可選地，所述參考區域的形狀為方形、圓形、橢圓形、扇形或三角形。可選地，所述參考區域的形狀為正方形，所述正方形的邊長為0.2-1 μ m。可選地，所述圖形設計需求包括:違反值對應的圖形的安全距離內沒有MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種。與現有技術相比，本發明的實施例具有以下優點:根據科學有效的分類方法，對每一設計規則下違反設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值進行了篩選，僅對每一設計規則下與最小違反值對應的圖形按圖形結構進行分類，對所述類中一類的一個圖形進行圖形檢測，判斷選擇的圖形是否滿足製造工藝條件，若存在製造工藝條件的圖形，則修改與所述設計規則相關的所有圖形，提高了檢測效率，且不易漏掉不滿足圖形設計需求的圖形，利於後續形成的晶片成功量產，並提聞廣品的良率。進一步的，對與最小違反值對應的多個圖形按圖形結構分類時，以每一所述違反所述設計規則的圖形的中心為中心，形成若干個大小、形狀相同的參考區域，比較每一參考區域中違反所述設計規則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關係，將每一參考區域中違反所述設計規則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關係相同或相近的歸為一類，然後進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，得到的檢測結果更加準確，更有利於後續形成的晶片成功量廣，進一步提聞了廣品的良率。
圖1是本發明實施例的晶片版圖的檢測方法的流程示意圖；圖2-圖4是本發明第一實施例的晶片版圖的檢測過程的結構示意圖；圖5是本發明第二實施例的晶片版圖的檢測過程的結構示意圖；圖6是本發明第二實施例的比較兩個參考區域中圖形的重疊率的方法示意圖。
具體實施例方式正如背景技術所述，現有技術難以快速準確的對眾多的違反值進行分析，判斷是否存在不滿足工廠的圖形設計需求情況，對這些不能滿足工廠的圖形設計需求的違反值對應的圖形作出修改，晶片無法成功量產，產品的良率低。經過研究後，發明人發現，設計規則大多與圖形尺寸有關，例如圖形沿某一方向的尺寸、相鄰圖形之間的距離、圖形的線寬等。在這些與圖形尺寸有關的設計規則中，真正影響圖形設計需求的是與最小違反值對應的那類圖形。因此，當選擇與圖形尺寸相關的設計規則時，無需對該設計規則下的每一違反值對應的圖形進行檢測，而是只需對具有最小違反值的那類圖形進行檢測，這樣可以大大提高檢測的效率。更進一步的，發明人發現，在集成電路或超大規模集成電路晶片中，即使只對最小違反值的那類圖形進行檢測，仍然有成千上萬個圖形。因此需要根據圖形結構進行再次分類，然後逐一對所述類中的一類中的一個圖形進行檢測，判斷是否存在不滿足工廠的圖形設計需求情況，對這些不能滿足工廠的圖形設計需求的違反值對應的圖形作出修改，可以更加聞效準確的檢測所述晶片版圖，使晶片成功量廣，提聞廣品的良率。經過進一步研究後，請參考圖1，發明人提供了一種晶片版圖的檢測方法，包括:步驟S1:提供晶片版圖，所述晶片版圖包括若干圖形；所述晶片版圖具有與所述圖形尺寸相關的設計規則；步驟S2:根據所述設計規則對相關的圖形進行第一圖形檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值；步驟S3:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，並對與最小違反值對應的圖形按圖形結構分類；步驟S4:選擇所述類中一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足製造工藝條件，則修改與所述設計規則相關的所有圖形；若選擇的圖形滿足製造工藝條件，則循環執行步驟S4，選擇下一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。為使本發明的上述目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。第一實施例本發明第一實施例的晶片版圖的檢測方法，包括:步驟SI』:提供晶片版圖，所述晶片版圖包括若干圖形；所述晶片版圖具有與所述圖形尺寸相關的設計規則；步驟S2』:根據所述設計規則對相關的圖形進行第一圖形檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值；步驟S3』:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，並對與最小違反值對應的圖形按圖形形狀分類；步驟S4，:選擇所述類中一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足製造工藝條件，則修改與所述設計規則相關的所有圖形；若選擇的圖形滿足製造工藝條件，則循環執行步驟S4，選擇下一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。具體的請參考圖2-圖4，圖2-圖4示出了本發明第一實施例的晶片版圖的檢測過程的結構示意圖。請參考圖2，提供晶片版圖200，所述晶片版圖200包括若干圖形(未標示)；所述晶片版圖具有與所述圖形尺寸相關的設計規則。所述晶片版圖200為大規模集成電路的設計版圖，用於後續形成流片(即製作晶片時的模板)，以在工程中批量生產晶片。所述晶片版圖通常由專門的版圖設計者根據晶片製造工廠的需求和設計規則設計而成。所述晶片版圖200中的圖形用於形成實際電路中的金屬線、導電插塞、焊盤、電晶體等。所述設計規則為晶片行業需要共同遵守的一個準則，用於保證半導體行業生產的半導體器件的良率。所述設計規則涉及多個方面，例如圖形的寬度、相鄰圖形之間的距離、相鄰兩個導線的交叉條件、圖形的最小線寬、多晶矽在場區的最小伸出長度等。其中，大多數的設計規則與圖形尺寸相關，例如圖形的寬度、相鄰圖形之間的距離、圖形的最小線寬、多晶矽在場區的最小伸出長度等。在本發明的實施例中，所述與尺寸有關的設計規則有若干個，例如，第一設計規則(Rule I)和第二設計規則(Rule 2)。其中第一設計規則是圖形沿Y方向的尺寸為0.72 μ m，第二設計規則是圖形沿X方向的尺寸為0.5 μ m (圖2所示)。需要說明的是，在本發明的實施例中，僅用第一設計規則和第二設計規則進行示範性說明，實際的晶片版圖通常有成千上萬甚至更多條設計規則，需要按照每一所述設計規則分別進行檢測。請繼續參考圖2，根據所述設計規則對相關的圖形進行第一圖形檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值(未圖示)。雖然版圖設計者是根據晶片的眾多設計規則來設計晶片版圖的，但是由於設計規則較多，比較複雜，尤其是超大規模集成電路的版圖設計，更是為版圖設計者增加了不少難度，而且可能由於人為或設計軟體的原因，設計出的晶片版圖跟理想的(即嚴格按照設計規則設計出的晶片版圖)存在出入，有可能會影響後續工藝。因此，工廠在獲得版圖設計者設計的晶片版圖後，需要對所述晶片版圖進行第一圖形檢測，即將版圖設計者設計的晶片版圖導入到專門用於檢測晶片版圖的軟體中，根據每一設計規則，對與所述設計規則相關的圖形進行檢測，判斷檢測的圖形是否滿足該設計規則，獲得違反設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值。例如，根據第一設計規則(每一圖形沿Y方向的尺寸為0.72μπι)對相關的圖形第一圖形檢測的方法為:檢測得到每一圖形沿Y方向的尺寸，將其與第一設計規則相比較，若檢測的圖形沿Y方向的尺寸大於或小於0.72 μ m，則認為所述檢測的圖形不滿足第一設計規則。獲得所有沿Y方向的尺寸不等於0.72 μ m的圖形，這些圖形即為違反第一設計規則的圖形，這些圖形沿Y方向的尺寸即為基於違反所述第一設計規則的圖形的違反值。需要說明的是，在現有的集成電路設計的晶片版圖中，每一個設計規則下均存在成千上萬甚至上百萬個違反值。但是並非所有不符合設計規則的圖形都需要修改，這些不符合設計規則的圖形中，有一部分是可以滿足工廠的製造工藝條件的，所述滿足工廠的製造工藝條件的圖形即使不經過修改，也不會影響到後續晶片的量產和產品的良率；而另一部受工廠的製造工藝條件的限制，如果不進行修改，就會使得後續晶片無法成功量產，形成的產品的良率低。其中，所述製造工藝條件包括:不符合設計規則的圖形的安全距離(即不會影響產品良率的最大距離)內沒有MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種。這些不符合設計規則的圖形能否滿足工廠的製造工藝條件，指的是所述不符合設計規則的圖形的安全距離內是否存在MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種。需要說明的是，受不同工廠的工藝水平限制，不同工廠製造工藝條件的標準並不相同，需要根據工廠的實際工藝水平確定。例如，A工廠要求，在距離不符合第一設計規則的圖形10 μ m內，不存在MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種，則滿足A工廠的製造工藝條件出工廠要求，在距離不符合第一設計規則的圖形15 μ m內，不存在MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種，則滿足B工廠的製造工藝條件。在本發明的實施例中，首先根據第一設計規則(Rule I)對所述晶片版圖200進行第一圖形檢測後，得到多個不符合所述第一設計規則的圖形和基於違反所述第一設計規則的圖形的違反值，所述不符合第一設計規則的圖形和基於違反所述第一設計規則的圖形的違反值包括成千上萬甚至更多個，例如第一圖形和第一違反值、第二圖形和第二違反值、第三圖形和第三違反值、第四圖形和第四違反值等。需要說明的是，為了繪圖方便和便於理解，圖2中僅示出了部分不符合第一設計規則的圖形。請參考圖3，選擇該設計規則下，違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形。發明人發現，由於在每一設計規則下檢測得到的不符合所述設計規則的圖形較多，如果對不符合所述設計規則的圖形逐一進行是否滿足製造工藝條件的檢查，花費的時間和精力較大，而如果採用抽樣的方式則又可能漏掉一些不滿足製造工藝條件的違反值，造成後續晶片無法成功量產和產品的良率低。
經過研究，發明人發現，與圖形尺寸有關的設計規則下，如果最小違反值對應的那類圖形能滿足圖形設計需求，則意味著該設計規則下的這些違反值所對應的圖形都是可以滿足圖形設計需求的，無需對該設計規則下的圖形進行修改。因此，當選擇與圖形尺寸相關的設計規則時，無需對該設計規則下的每一違反值對應的圖形進行檢測，而是只需對具有最小違反值的那類圖形進行檢測，這樣可以大大提高檢測的效率。本發明的實施例中，在第一設計規則下，獲得違反第一設計規則的圖形和基於違反所述第一設計規則的圖形的違反值；將所述違反值的數值相同的違反第一設計規則的圖形分為一類，例如將違反值為0.5μηι的違反第一設計規則的圖形歸為第一類al,將違反值為0.6 μ m的違反第一設計規則的圖形歸為第二類a2,將違反值為0.7 μ m的違反第一設計規則的圖形歸為第三類a3，所述第一類al、第二類a2和第三類a3各類的違反值數值相同，各自對應的圖形均具有各種形狀，例如三角形、長方形、平行四邊形、多邊形等；然後根據違反值數值的大小對第一類al、第二類a2和第三類a3進行排序，找出違反值最小的一類，即第一類al。需要說明的是，在本發明的其他實施例中，也可以直接找出違反值的數值最小的多個圖形，將其歸為一類。需要說明的是，實際檢測過程中，需要先排除掉由於軟體中程序錯誤，排除得到的違反值數值明顯小於其他違反值數值的那些違反值所對應的圖形，然後再進行檢測。例如，根據第一設計規則對相關的圖形進行第一圖形檢測後，獲得多個違反值，包括
0.01 μ m、0.5 μ m、0.6 μ m、0.7 μ m、0.8 μ m，0.01 μ m明顯小於其他幾個違反值，需要將違反值0.0lym排除，然後再剩下的違反值中找出違反值中最小的違反值。發明人發現，在集成電路或超大規模集成電路晶片中，即使只對最小違反值對應的那類圖形進行檢測，仍然有成千上萬個圖形。因此，需要根據圖形結構對最小違反值對應的圖形進行科學有效的分類，然後逐一對所述類中的一類中的一個圖形進行檢測，判斷是否存在不滿足工廠的製造工藝條件的情況，對這些不能滿足工廠的製造工藝條件的圖形作出修改，可以更加高效準確的檢測所述晶片版圖，使晶片成功量產，提高產品的良率。在本發明的第一實施例中，所述圖形結構為圖形形狀，將與最小違反值對應的圖形中圖形形狀相同或相似的歸為一類。請參考圖4，在最小違反值對應的圖形中，選取一個圖形為參考圖形，逐一比較剩餘的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率大於等於95%的圖形與參考圖形歸為一類。在本發明的實施例中，第一類al (圖3所示)中的違反值最小，為0.5 μ m。選取第一類al中的一個違反第一設計規則的圖形為參考圖形，逐一比較剩餘的違反第一設計規則的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率等於100%的違反所述設計規則的圖形與參考圖形歸為一類，即將圖形形狀相同的歸為一類，得到多個子類，例如第一子類bl中圖形全部為長方形、第二子類b2中的圖形全部為三角形、第三子類b3中的圖形全部為多邊形、第四子類b4中的圖形全部為平行四邊形。請繼續參考圖4，選擇所述類中一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，判斷該圖形是否滿足製造工藝條件，即在所述圖形的安全距離內是否存在MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種，在本發明的第一實施例中，對所述類中的一個圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測時，若選擇的圖形不滿足製造工藝條件，則修改與所述設計規則相關的所有圖形。例如，在本發明的第一實施例中，首先在第一子類bl中任選一個圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，發現選擇的所述圖形的安全距離內存在MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種，則表示該圖形不能滿足工廠的製造工藝條件，後續會影響到晶片的成功量產和產品的良率，需要對所述圖形進行修改。在本發明的實施例中，發明人發現，可以直接修改與所述設計規則相關的所有圖形。若選擇的圖形滿足製造工藝條件，則選擇下一類的一個圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至所檢測的類中選擇的圖形不滿足製造工藝條件，修改與所述設計規則相關的所有圖形。例如，首先在第一子類bl中任選一個圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，發現選擇的所述圖形的安全距離內並不存在MOS電晶體、金屬線和導電插塞中的一種或多種，該圖形滿足工廠的製造工藝條件，則檢測第二子類b2，在所述第二子類b2中任選一個圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，只有當檢測的類即第二子類b2中選擇的圖形的安全距離內存在MOS電晶體、金屬線和導電插塞中的一種或多種時，才需要修改該設計規則下相關的所有圖形，進入下一設計規則下的第一圖形檢測，否則繼續對下一類中的圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類，例如圖4中檢測完第一子類bl、第二子類b2、第三子類b3均滿足圖形設計需求，該設計規則下的基於製造工藝條件的第二圖形檢測結束，違反所述設計規則的圖形均滿足工廠的製造工藝條件，違反所述設計規則的圖形無需修改。當一個設計規則下的第一圖形檢測結束後，則開始下一設計規則(第二設計規則)下的第一圖形檢測和基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至對所有規則下的第一圖形檢測和基於製造工藝條件的第二圖形檢測完畢，則晶片版圖的檢測過程結束。所述下一設計規則下的第一圖形檢測和基於製造工藝條件的第二圖形檢測的方法和步驟，可以參考本發明實施例中有關第一設計規則下的第一圖形檢測和基於製造工藝條件的第二圖形檢測的方法和步驟，在此不再贅述。本發明第一實施例中，對最小違反值所對應的圖形按照圖形形狀進行分類，將圖形形狀相同或者相似(即重疊率大於等於95%)的圖形歸為一類，只需對所述類中一類中的一個圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，就可以判斷出所述類中選擇的圖形是否滿足工廠的製造工藝條件，大大提高了晶片版圖的檢測效率，並且能夠較準確的找出所述設計規則下是否存在不滿足工廠的製造工藝條件的圖形，修改與所述設計規則相關的所有圖形，使得後續晶片能夠成功量產，並提高了產品的良率。第二實施例與本發明的第一實施例不同，發明人發現，違反設計規則的圖形是否滿足工廠的製造工藝條件，不僅與違反設計規則的圖形本身有關，還與其周邊圖形或結構存在關聯，如果能夠綜合違反設計規則的圖形的形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設計規則的圖形與其周邊圖形的位置關係，將違反設計規則的圖形形狀相同、且其周邊圖形的形狀以及違反設計規則的圖形與周邊圖形的位置關係也相同或者相似的違反值歸為一類，則檢測人員的檢測的結果會更加準確。本發明第二實施例的晶片版圖的檢測方法，包括:
步驟SI」:提供晶片版圖，所述晶片版圖包括若干圖形；所述晶片版圖具有與所述圖形尺寸相關的設計規則；步驟S2」:根據所述設計規則對與所述設計規則相關的圖形進行第一圖形檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值；步驟S3」:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，並對與最小違反值對應的圖形按違反設計規則的圖形形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設計規則的圖形與其周邊圖形的位置關係分類；步驟S4」:選擇所述類中一類的一個圖形進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足製造工藝條件，則修改與所述設計規則相關的所有圖形；若選擇的圖形滿足製造工藝條件，則循環執行步驟S4，選擇下一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。具體請參考圖2_圖3、圖5_圖6,圖2_圖3、圖5_圖6不出了本發明第二實施例的晶片版圖的檢測過程的結構示意圖。請參考圖2，提供晶片版圖200，所述晶片版圖200包括若干圖形(未標示)；提供若干與所述圖形尺寸相關的設計規則；選擇一個設計規則，並根據所述設計規則對相關的圖形進行檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值(未圖示)。更多詳細的關於晶片版圖200、設計規則、違反值的說明，請參考本發明的第一實施例中的相關描述，在此不再贅述。請參考圖3，選擇該設計規則下，違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形。在本發明的第二實施例中，第一類al中圖形的違反值最小，為0.5μπι。選擇違反值為0.5 μ m的圖形進行下一步驟。所述選擇該設計規則下，違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形的方法，請參考本發明第一實施例中的方法，在此不再贅述。請參考圖5，對最小違反值對應的圖形按違反設計規則的圖形形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設計規則的圖形與其周邊圖形的位置關係分類，將違反設計規則的圖形形狀相同、且其周邊圖形的形狀以及違反值對應的圖形與周邊圖形的位置關係也相同或者相似的圖形歸為一類。在本發明的第二實施例中，所述按違反設計規則的圖形形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設計規則的圖形與其周邊圖形的位置關係分類的具體方法包括:獲得與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，以每一所述違反設計規則的圖形的中心為中心，形成若干個大小、形狀相同的參考區域，每一所述參考區域至少包括所述違反設計規則的圖形、部分與所述違反設計規則的圖形相鄰的周邊圖形；選取任一個參考區域作為標準參考區域，逐一比較剩餘的參考區域中的違反設計規則的圖形和周邊圖形、與標準參考區域中的違反設計規則的圖形和周邊圖形的重疊率，將重疊率大於等於95%的參考區域中的違反設計規則的圖形歸為一類。其中，所述參考區域的形狀不受限制，可以為方形、圓形、橢圓形、扇形或三角形等；所示參考區域的大小根據實際情況進行確定，只要保證每個違反設計規則的圖形所對應的參考區域是大小和形狀相同的即可。在本發明的第二實施例中，請參考圖6，比較兩個參考區域中的圖形的重疊率的方法為:找出第一參考區域305中的兩個頂點，例如Al和BI，找出第二參考區域311中與第一參考區域305中的頂點Al和BI相對應的頂點A2和B2 ;分別將頂點Al和頂點A2重合，將頂點BI和頂點B2重合，即第一參考區域305和第二參考區域311重疊；計算兩個參考區域中圖形的重疊率。需要說明的是，發明人發現，當兩個參考區域中的圖形的重疊率大於等於95%時，可以認為兩個參考區域中違反設計規則的圖形形狀相同或相似，其周邊圖形形狀相同或相似，且違反設計規則的圖形與周邊圖形的位置關係相同或相似。 與最小違反值對應的圖形均在第一類al (圖3所示)中，因此，在本發明的第二實施例中，只需對第一類al中的圖形按照上述方法進行分類。具體請參考圖5，圖5示出了根據某條設計規則(第一設計規則)檢測得到的部分違反設計規則的圖形。為方便起見，圖5中僅選取了第一類al中的三個圖形，例如第一圖形301、第二圖形307、第三圖形313，進行示範性說明。首先，以第一圖形301的中心為中心，形成第一參考區域305，所述第一參考區域305中還包括與第一圖形301相鄰的周邊圖形303 ;以第二圖形307的中心為中心，形成第二參考區域311，所述第二參考區域311中還包括與第二圖形307相鄰的周邊圖形309 ;以第三圖形313的中心為中心，形成第三參考區域317，所述第三參考區域317中還包括與第三圖形313相鄰的周邊圖形315。其中，所述第一參考區域305、第二參考區域311和第三參考區域317的大小和形狀均相同。所述第一參考區域305、第二參考區域311和第三參考區域317為邊長為
0.2-1 μ m正方形，在本發明的實施例中，正方形的邊長為0.5 μ m。其次，選取第一參考區域305、第二參考區域311和第三參考區域317中的一個作為標準參考圖形。例如，在本發明的實例2中，選取第一參考區域305作為標準參考區域。然後，分別比較第一參考區域305、第二參考區域311和第三參考區域317與標準參考區域中的違反設計規則的圖形和周邊圖形的重疊率，得到第一重疊率、第二重疊率和
第二重疊率。本發明實施例中，由於第一參考區域305為標準參考區域，因此所述第一重疊率為100%;所述第二重疊率由比較第二參考區域311中的第二圖形307和周邊圖形309與作為標準參考區域的第一參考區域305中的第一圖形301和周邊圖形303的重疊率後得到；所述第三重疊率由比較第三參考區域317中的第三圖形313和周邊圖形315與作為標準參考區域的第一參考區域305中的第一圖形301和周邊圖形303的重疊率後得到。若得到的第二重疊率和/或第三重疊率大於等於95%，則將相應的圖形歸為一類。採用本發明第二實施例中的方法對與最小違反值對應的圖形進行分類，由於考慮了最小違反值對應的圖形的周邊圖形的影響，將違反設計規則的圖形形狀、其周邊圖形和兩者的位置關係均相同或相近的歸為一類，檢測人員採用本發明第二實施例的檢測方法得到的結果更加精確。需要說明的是，所述周邊圖形指的是除違反設計規則的圖形外，位於所述違反設計規則的圖形對應的參考區域內的那些圖形。
需要說明的是，在本發明的其他實施例中，如果最小違反值對應的圖形的數量很多，還可以在按照圖形結構進行分類前，根據不同的分類規則，例如違反值對應的圖形的周長、面積等進行多次分類。需要說明的是，如果設計規則與尺寸無關，例如設計規則為導線的交叉情況時，若違反了設計規則，主要看違反設計規則的圖形(導線)周圍是否存在MOS電晶體，若其安全距離內存在MOS電晶體，則該違反設計規則的圖形(導線)不能滿足工廠的製造工藝條件，需要對所述違反設計規則的圖形即導線進行修改；若其安全距離內不存在MOS電晶體，則該違反設計規則的圖形滿足工廠的製造工藝條件，不需要對對應的導線進行修改。綜上，本發明實施例的晶片版圖的檢測方法中，根據科學有效的分類方法，對每一設計規則下違反設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值進行了篩選，僅對每一設計規則下與最小違反值對應的圖形按圖形結構進行分類，對所述類中一類的一個圖形進行圖形檢測，判斷選擇的圖形是否滿足製造工藝條件，若存在製造工藝條件的圖形，則修改與所述設計規則相關的所有圖形，提高了檢測效率，且不易漏掉不滿足圖形設計需求的圖形，利於後續形成的晶片成功量產，並提高產品的良率。進一步的，對與最小違反值對應的多個圖形按圖形結構分類時，以每一所述違反所述設計規則的圖形的中心為中心，形成若干個大小、形狀相同的參考區域，比較每一參考區域中違反所述設計規則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關係，將每一參考區域中違反所述設計規則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關係相同或相近的歸為一類，然後進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，得到的檢測結果更加準確，更有利於後續形成的晶片成功量廣，進一步提聞了廣品的良率。本發明雖然已以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限定本發明，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以利用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬於本發明技術方案的保護範圍。
權利要求
1.一種晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，包括: 步驟S1:提供晶片版圖，所述晶片版圖包括若干圖形；所述晶片版圖具有與所述圖形尺寸相關的設計規則； 步驟S2:根據所述設計規則對相關的圖形進行第一圖形檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值； 步驟S3:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，並對與最小違反值對應的圖形按圖形結構分類； 步驟S4:選擇所述類中一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足製造工藝條件，則修改與所述設計規則相關的所有圖形；若選擇的圖形滿足製造工藝條件，則循環執行步驟S4，選擇下一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。
2.如權利要求1所述的晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，所述圖形結構為違反設計規則的圖形形狀，或者違反設計規則的圖形的形狀、所述違反設計規則的圖形的周邊圖形的形狀、及兩者的位置關係。
3.如權利要求1所述的晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，對與最小違反值對應的圖形按圖形結構分類的方法包括:獲得與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，選取一個違反所述設計規則的圖形為參考圖形，逐一比較剩餘的違反所述設計規則的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率大於等於95%的違反所述設計規則的圖形與參考圖形歸為一類。
4.如權利要求3所述的晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，將重疊率等於100%的違反所述設計規則的圖形與參考圖形歸為一類。
5.如權利要求1所述的晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，對與最小違反值對應的多個圖形按圖形結構分類的方法包括:獲得與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，以每一所述違反設計規則的圖形的中心為中心，形成若干個大小、形狀相同的參考區域，每一所述參考區域至少包括所述違反設計規則的圖形、部分與所述違反設計規則的圖形相鄰的周邊圖形；選取任一個參考區域作為標準參考區域，逐一比較剩餘的參考區域中的違反設計規則的圖形和周邊圖形、與標準參考區域中的違反設計規則的圖形和周邊圖形的重疊率，將重疊率大於等於95%的參考區域中的違反設計規則的圖形歸為一類。
6.如權利要求5所述的晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，所述參考區域的形狀為方形、圓形、橢圓形、扇形或三角形。
7.如權利要求5所述的晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，所述參考區域的形狀為正方形，所述正方形的邊長為0.2-1 μ m。
8.如權利要求1所述的晶片版圖的檢測方法，其特徵在於，所述圖形設計需求包括:違反值對應的圖形的安全距離內沒有MOS電晶體、金屬線、導電插塞中的一種或多種。
全文摘要
一種晶片版圖的檢測方法，根據設計規則對晶片版圖相關的圖形進行第一圖形檢測，獲得違反所述設計規則的圖形和基於違反所述設計規則的圖形的違反值；選擇違反值中最小的違反值、與最小違反值對應的違反所述設計規則的圖形，對與最小違反值對應的圖形按圖形結構分類；選擇所述類中一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足製造工藝條件，則修改與所述設計規則相關的所有圖形；若選擇的圖形滿足製造工藝條件，則選擇下一類的一個圖形，進行基於製造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。採用本發明實施例的檢測方法，能夠高效、準確的找出並修改不滿足製造工藝條件的圖形，使晶片成功量產並提高產品的良率。
文檔編號G06F17/50GK103164552SQ20111041414
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月13日 優先權日2011年12月13日
發明者魏靖恆, 劉喆秋 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司