背面照光感測器的製作方法

2023-05-03 13:50:36 1

專利名稱：背面照光感測器的製作方法
技術領域：
本發明涉及圖像感測器，尤其涉及互補式金屬氧化物半導體
(complementary metal-oxide-semiconductor, CMOS)圖像衝則器(CMOS image sensor， CIS)。
背景技術：
CIS已經廣泛的使用在許多不同的應用場合中，譬如說，如數位相機 (digital camera)的應用。 一般而言，CIS是用來感測投射到半導體基底上的入 射光的光量。為了達到此目的，圖像感測器採用排成陣列的多個像素(pixel)， 或稱為圖像感測元件(image sensor elements),來收集光能，並轉化圖像成為 電子信號，而電子信號就可以有各樣的應用。 一個CIS像素可以具有光電感 測器(photodetector)，如光電二極體(photodiode)、光電柵(photogate)感測器、 光電電晶體(phototransistor)等，來收集光能。
有一種CIS稱為背面照光(backside-illuminated， BSI)感觀U器，其使用位 於感測器的基底的正面的像素，來感測由該基底的背面照射進來的入射光的 光量。基底必須要相當的薄，如此，照射到該基底背面的入射光才能夠有效 地到達正面的像素。BSI感測器的好處是能提供較高的感測區比例(fill factor) 以及比較低的破壞性幹涉(destructiveinterference)。而且，要降低像素間彼此 的幹擾(crosstalk)的話， 一個很薄的基底是必要的。然而，薄的基底卻會降低 圖像感測器的量子效率(quantum efficiency)。量子效率代表著感測器轉換光 能成為信號的能力，會隨著不同波長的光而有不同的反應。特別的是，BSI 針對具有長波長的光的量子效率一般是比較差的。譬如說，對於紅光的量子 效率一般會少約20%-50%左右。
傳統的CIS，不僅僅是BSI感測器，還有其它的缺點。譬如說，CIS還 有噪聲的問題，如kT/C噪聲(以計算噪聲量的公式來命名)。這樣的噪聲量同 時也包含有可以被量測到的入射光的準確度。噪聲量跟CIS所使用的光電感測器的類型有關。相較於光電二極體類型的CIS，光電柵(photogate)感測器 類型的CIS可以有較低的噪聲。但是，光電柵感測器類型的CIS卻可能遭受 到感測靈敏度降低的問題，因為入射光並沒有完全被感測器所捕捉。 因此，BSI感測器的改進是有必要的。

發明內容
本發明實施例提供一種背面照光感測器。該背面照光感測器，包含有具 有正面(front surface)以及背面(back surface)的半導體基底。多個像素形成於 該半導體基底的正面。至少一個像素具有光電柵(photogate)結構。該光電柵 結構具有柵極，且該柵極具有光反射層。
如上所述的背面照光感測器，其中，該光反射層設於該柵極上，即與該 半導體基底相反的一邊。
如上所述的背面照光感測器，其中，所述至少一個像素包含有N型光電 感測器。
如上所述的背面照光感測器，其中，該光反射層包含有金屬矽化物。 如上所述的背面照光感測器，其中，該光反射層包含有以下多種金屬矽 化物其中之一矽化鎳、矽化鈷、矽化鎢、矽化鈦、矽化鉭、矽化鉑、矽化
鉺、以及矽化鈀。
如上所述的背面照光感測器，其中，該柵極為多晶矽/金屬矽化物柵。 如上所述的背面照光感測器，其中，該柵極為金屬柵。 如上所述的背面照光感測器，其中，該光反射層包含有以下金屬其中之
一銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、矽化鎳、以及矽化鈷。
如上所述的背面照光感測器，其中，該金屬柵包含有金屬層以及金屬矽
化物層。
如上所述的背面照光感測器，還包含有傳送電晶體、復位電晶體、源 極跟隨電晶體、以及選擇電晶體。
如上所述的背面照光感測器，其中，該半導體基底的厚度約介於2微米
到4微米之間。
本發明實施例也提供背面照光感測器的另一個實施例。該背面照光感測 器的基底具有正面以及背面。該感測器也具有感測入射光的裝置，用以感測入射於該基底的背面的光線。該感測器也具有反射光線的裝置，用以反射光 線，其包含有光反射層，形成於該基底的正面。
本發明實施例也提供了具有半導體基底的一種圖像感測器。該半導體基 底具有光電感測器，其包含有光反射層。該光反射層形成於該半導體基底的 第一面。入射光照射於該半導體基底的第二面。該第一面與該第二面相反。 該入射光被該光電感測器所檢測。在實施例中，該光電感測器包含有光電子 收集區域，耦接至柵極。
本發明可以增加感測器的敏感度。
復位電晶體
選擇「B-


圖1顯示圖像感測器裝置。
圖2為像素或是圖像感測元件的電路結構圖。 圖3a顯示一圖像感測元件的實施例的剖面圖。 圖3b顯示多種光電柵結構中，各種波長光的穿透 圖4顯示一種操作BSI感測器的方法。 其中，附圖標記說明如下 100圖像感測器裝置 200圖像感測元件 204源極跟隨電晶體 208 恆流源 212傳送電晶體 300圖像感測元件 304光電子收集產生區 308防護環阱 312柵介電層 316光反射層 320、 322柵電極層 326反射光 332 曲線
110 202
206 wwss' 210電源 214光電感測器 302半導體基底 306隔離結構 310浮動擴散區 314柵電極層 318柵介電層 324入射光線 328穿透光線
334a、 334b、 334c、 334d曲線
具體實施例方式
以下所公開的大致上關於圖像感測器，尤其關於BSI感測器。可以了解 的是，以下所採用的實施例只是當成一些例子，提供以明了更上位的發明概 念。而且本領域技術人員可以很簡單的運用以下公開的內容，來實施在其它 的方法或是裝置上。此外，以下所揭示的方法與裝置中包含有一些傳統已知 的結構或是工藝。因為這些傳統已知的結構或是工藝是廣為本領域技術人員 所熟知的，所以僅對其進行大略的介紹或解釋。而且，圖示中的元件符號或 是數字，如果重複出現的話，是為了方便以及舉例的考量，而並非是要用來 指明圖與圖之間有什麼特別的特徵組合或是步驟組合。而且，此技術說明中 所描述的第一特徵形成於第二特徵之上時，可能包含兩個第一與第二特徵直 接接觸在一起的實施例，也可能包含有第一與第二特徵之間插有另一個特 徵，所以第一與第二特徵沒有直接接觸在一起的實施例。此外，當描述一個 特徵形成在一個基底上的時候，或是形成在基底表面上的時候，是意味著包 含有許多種不一樣的實施例，例如該特徵形成在基底表面的上方、該特徵形 成且鄰接在基底表面、該特徵直接的形成在基底表面、或是該特徵形成且會 延展到基底表面底下(如同離子注入區)等的實施例。
請參考圖1，其顯示圖像感測器裝置100包含有排成陣列的多個像素 110。圖像感測器裝置100是CIS或是有源像素感測器。圖像感測器裝置100 也是BSI感測器。像素110包含有光電感測器，用以記錄光線的亮度或是強 度。在實施例中，光電感測器具有光電柵類型的光電感測器。像素110也可 以包含有復位電晶體(reset transistors)、源極跟隨電晶體(source follower transistors)、 選擇晶4本管(selector transistors)、 或4專送電晶體(transfer transistors)。其它的一些電路或是輸入輸出一般是放置在緊鄰像素110的陣 列旁，用來提供像素110的操作環境，並提供像素110的對外通訊的管道。 為了簡潔與清楚的原因，以下僅以單一一個像素作為例子，但是，當用多個 像素組合成一個陣列的時候，就可以形成如圖l所示的感測器。
請參閱圖2，其為像素或是圖像感測元件200的電路結構圖。圖像感測 元件200具有復位電晶體202、源極跟隨電晶體204、選擇電晶體206、傳送 電晶體(或稱為傳送柵電晶體)212、以及光電感測器214。光電感測器214與 復位電晶體202相串聯。源極跟隨電晶體204的柵極連接到復位電晶體202的源極。源極跟隨電晶體204的漏極連接到電源210。選擇電晶體206與源 極跟隨電晶體204相串聯。復位電晶體202可以用來對圖像感測元件200進 行復位的動作。源極跟隨電晶體204可以使圖像感測元件200的電壓在沒有 移動所收集的電荷的條件下被觀察到。選擇電晶體206可以是行選擇電晶體 (row select transistor);當選擇電晶體206被開啟的時候，允許位於像素陣列(如 圖1所示)中單一行的像素被讀取。傳送電晶體212的漏極，同時也是復位晶 體管202的源極，是對應到浮動擴散區(floating diffusion region),稍後將會 在圖3a中介紹。傳送電晶體212可以將光電感測器214中所累積收集的信 號電荷轉移到浮動擴散區中。因為浮動擴散區連接到源極跟隨電晶體204的 柵極，如果選擇電晶體206是處於開啟的狀態(該行被選取到了)，數據就會 被像素所輸出。在實施例中，傳送電晶體212可以容許進行相關二次取樣 (correlated double sampling)。在圖中的實施例中，光電感測器214是光電柵 類型的光電感測器214(也有稱之為柵類型光電二極體或是光電柵結構)。光 電感測器214耦接地(ground)。光電感測器214的柵極可以施加一個電壓， 以使柵極底下產生一個溝道(channel)。恆流源208可以用以驅動圖像感測元 件200。
請參閱圖3a，其顯示圖像感測元件300的實施例的剖面圖。如圖所示， 圖像感測元件300具有傳送電晶體以及光電感測器。光電感測器具有光電柵 結構。可以了解的是，圖像感測元件300還可以具有各式各樣的電晶體，如 復"f立電晶體(resettransistor)、源極足艮隨電晶體(source follower transistor)、《亍 選擇電晶體(row select transistor),或是其它類型的電晶體。而且，如圖所示， 圖像感測元件300具有像素。可能還有其它的像素，如同圖1所示。
圖像感測元件300可以使用CMOS工藝來製作。圖像感測元件300具有 半導體基底302。在實施例中，基底302是處於單晶結構(crystalline structure) 的矽(silicon)。基底302也可以是或包含有其它的元素半導體(dementary semiconductor),如鍺(germanium)。另一種可能的例子是，基底302包含有 化合物半導體(compound semiconductor),如碳化矽(silicon carbide)、石申化鎵 (Gallium Arsenide, GaAs)、石申化銦(Indium Arsenide)、與磷化銦(Indium phosphide)。在實施例中，基底302可以包含有P型矽基底(P-substrate)。 P 型基底可以用P型摻雜物，如硼(boron)、氟化硼(BF2)、或是其它適合的材料，摻雜矽基底而形成。而摻雜的方式可以用一般所熟知的離子注入或是擴散工
藝的方式來進行。在實施例中，矽基底的厚度大約介於2微米(micrometer) 到4微米之間。
圖像感測元件300還具有一些隔離結構306。在所示的實施例中，隔離 特徵306是淺溝槽隔離(shallow trench isolation, STI)結構。隔離結構306可 以定義並隔絕有源區(active regions),而有源區中可以用來形成圖像感測器 300中的各種微電子元件。隔離結構306可以用現有的工藝形成在基底302 中。舉例來說，STI結構可以先以光刻工藝於基底302上定義出圖案，接著 以等離子體蝕刻工藝蝕刻基底302來形成各種溝槽，之後以介電材料(如氧化 矽)填入那些溝槽中。防護環阱(guard-ring wdl)308也可以大致的形成在隔離 結構306下。防護環阱308可以是P型阱，以P型摻雜物(如硼(B)、 BF2、或 是其它適合的材料)摻雜於基底302中來形成。摻雜的方式可以用一般所熟知 的離子注入或是擴散工藝的方式，對一個通過光刻工藝步驟所定義的區域進 行離子注入或擴散工藝。
圖像感測元件300還包含有傳送電晶體(或稱為傳送柵電晶體)。傳送晶 體管可以將光電子收集區域(photodiode region)304中所產生的光電子傳送到 浮動擴散區310中，而浮動擴散區310也是傳送電晶體的漏極。浮動擴散區 310可以用離子注入的方式，將N型摻雜物，如砷(arsenic)、磷(phosophorus)、 或是其它適合的材料，摻雜入基底302中來形成。傳統的光刻方法可以用來 定義出所要進行注入的區域。傳送電晶體具有柵極，而柵極有柵介電層318 以及柵電極層320與322，均形成在基底302上。在實施例中，柵介電層318 是氧化矽。在其它的實施例中，柵介電層的材料可以有氮化矽(silicon nitride)、 氮氧化矽(oxynitride)、高介電常數(high-K)的介電材料、或是以上的組合。在 實施例中，柵極包含有多晶(polycrystalline)矽層320以及金屬矽化物層322。 金屬矽化物層322可以具有金屬矽化物，如矽化鎳(nickle silicide， NiSi)、 矽化鈷(cobalt silicide ， CoSi)、矽化鉤(tungsten silicide ， WSi)、矽化鈦(titanium silicide， TiSi)、矽化鉭(tantalum silicide, TaSi)、矽化銷(platinum silicide, PtSi)、矽化鉺(erbium silicide, ErSi)、矽化鈀(palladium silicide, PdSi)、或是 以上的組合。在其它的實施例中，可能沒有金屬矽化物層322。形成傳送晶 體管的柵極的工藝包含有光刻(photolithography)、沉積(deposition).蝕刻(etching)、熱退火(annealing)、離子注入(ion implantation)、或是本領士或所知 的各種工藝。也可能使用其它種柵極的形成方法或是其它材料。
圖像感測元件300也具有光電感測器。光電感測器具有光電柵結構，如 同先前圖2解釋時所述。光電柵結構具有光電子收集區304以及柵極，柵極 耦接到光電子收集區304。光電子收集區304可以對一個通過光刻工藝步驟 所定義的區域，用一般所熟知的離子注入方式，注入雜質進入基底302來形 成。在實施例中，光電子收集區304是N型光電感測器，注入N型摻雜物(例 如磷(phosphoms)、砷(arsenic)或是其它適合的材料)進入基底302來形成。
光電柵結構的柵極包含有柵介電層312。柵介電層312的材料可以有介 電材料，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介電常數的介電材料、或是以上 的組合。高介電常數的介電材料，舉例來說，可以是二氧化鉿(hafnkimoxide)、 氧化鋯(zirconium oxide)、氧化鋁(aluminum oxide)、 氧化鉿與氧化鋁 (hafnium-dioxide-aluminum-oxide, : 幻2-八1203)的合金、或是以上的組合。形 成柵介電層312的工藝可以包含有光刻、氧化(oxidation)、沉積、蝕刻、或 是本領域所知的各種工藝。
在實施例中，光電柵結構的柵極還包含有柵電極層314以及光反射層 316。柵電極層314包含有己摻雜的多晶矽(polysilicon)，而光反射層316具 有金屬矽化物。柵電極層314可以用傳統的方法形成，如光刻、離子注入、 沉積、蝕刻、或是業界所知的各樣工藝。光反射層316形成在多晶矽柵電極 層314上。具有多晶矽層314與金屬矽化物層316的柵電極有時被稱為金屬 矽化物-多晶矽柵極。在光反射層316的金屬矽化物的例子可能有矽化鎳、矽 化鈷、矽化鎢、矽化鈦、矽化鉭、矽化鉑、矽化鉺、矽化鈀、或是以上之組 合。金屬矽化物可以用已知的工藝來形成。譬如說，金屬矽化物是先沉積金 屬層，而此金屬層中的金屬可以形成金屬矽化物，如鎳、鈷、鴇、鈦、鉭、 鉑、鉺、或是鈀。而沉積的方法可以採用傳統的工藝，如物理氣相沉積法 (physical vapor deposition, PVD)(或稱為濺鍍法)、化學氣相沉積法(chemical vapor deposition, CVD)、等離子體加強(plasma-enhanced)CVD(PECVD)、大 氣 氣 壓 (atmospheric pressure)CVD(APCVD) 、 低 壓 (low-pressure)CVD(LPCVD)、 高密度等離子體(high density plasma)CVD(HDPCVD)、或是原子層(atomic layer)CVD(ALCVD)。金屬接著歷經退火(anneal)工藝，來形成金屬矽化物。退火工藝可以是在充滿著如氬氣 (Ar)、氦(He)、氮(N2)或是其它惰性氣體中進行的快速熱退火(rapid thermal anneal, RTA)。然後可以進行第二退火工藝，以產生穩定的金屬矽化物。接 著去除沒有反應的金屬。在實施例中，金屬矽化物是以自對準金屬矽化物工 藝(self-aligned silicide process, salicide process)來形成。在實方包例中，光電柵 結構上的光反射層316與傳送電晶體上的金屬矽化物322同時間形成。光電 柵結構上的柵電極可以有其它的層，可能可以反射光，也可能不會反射光。
在實施例中，光電柵結構上的柵電極是金屬柵。在這樣的實施例中，柵 電極層314是金屬層。如此，柵電極層314就是光反射層。適合用於柵電極 層314的金屬包含有銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、矽化鎳、矽化鈷、 或是以上的可能組合。柵電極層314可以用已知的工藝來形成。譬如說，金 屬可以由以下的工藝來形成PVD、 CVD、 PECVD、 APCVD、 LPCVD、 HDPCVD、或是ALCVD。光刻步驟可以用來圖案化金屬層來定義金屬柵的 位置，而等離子體蝕刻可以用來移除不想要的金屬部分。有的實施例可能沒 有反射層316，但是，其它的層(可能可以反射光，也可能不能反射光)可能 出現在柵電極結構的柵電極上。
在實施例中，柵電極結構的柵電極是金屬柵，具有可反射光的金屬柵電 極層，且該柵電極還另包含有第二光反射層。在此實施例中，柵電極層314 是可以反射光的金屬層，大致上如同前一個實施例中所描述的。第二光反射 層，也就是光反射層316，具有金屬矽化物。光反射層316可以形成在柵電 極層314上方或是下方。光反射層316的金屬矽化物材料可能有矽化鎳、矽 化鈷、矽化鎢、矽化鈦、矽化鉭、矽化鉑、矽化鉺、矽化鈀、或是以上的組 合。金屬矽化物可以用已知的工藝來形成，包含有先前所描述過的工藝。光 電柵結構上的柵電極上方可以有其它的層，可能可以反射光，也可能不會反 射光。
圖像感測元件300是一個BSI感測器。圖像感測元件300是設計來接收 從基底302背面照射進來的入射光，如同圖上所顯示的光線324。從基底302 背面來的光線可以免受柵結構或是金屬線等所阻礙的光線路徑。因此，光線 324對於光電子收集區304的曝光量就可以增加。基底302有一個厚度T。 這厚度T必須使光線324能夠有效地抵達光電子收集區304。在實施例中，此厚度T大約是2微米。在另一實施例中，此厚度T大約介於2微米到4微 米之間。光線324可能是可見光(visual light beam)、紅外線(infrared)光、紫 外光線(iiltraviolet)光、或是其它可能的光線。
光線324從基底302的背面進入，到達且穿過光電子收集區304。 一部 分的光線324被反射回光電子收集區304，如同圖上所示的反射光326。反 射光326是因為光線324抵達光電柵結構中的柵極的光反射層而產生。在實 施例中，反射光326是因為光線324抵達光反射層316而產生。在另一個實 施例中，反射光326是因為光線324抵達柵電極層314而產生。而在此實施 例中，柵電極層314就是一個光反射層，且內含在光電感測器中的金屬柵結 構裡。在另一個實施例中，光反射層326是由光線324抵達柵電極層314以 及光反射層316而產生，此時，柵電極層314也算是光反射層。光線324的 一部分可能穿透光電柵結構，如同圖中所示的穿透光線328。
穿透光線328越多，圖像感測元件300的敏感度越低。在傳統的圖像感 測器中，柵結構中的柵電極層是摻雜的多晶矽層，而柵結構中的柵介電層的 材料是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、高介電常數介電物、或是以上可能的組 合。這樣傳統的圖像感測器中並沒有光反射層，會讓大部分的入射光穿透光 電柵結構，導致一個很低的感測器敏感度。但沒有光反射層，使得沒有入射 光或是很少的入射光被反射。而圖3b將會加以詳細的介紹。
請參閱圖3b，其中顯示了圖330，作為一個例子，來顯示多種光電柵結 構中，各種波長光的穿透率。在圖3b中，Y軸表示穿透率(以百分比％為單 位)；X軸則為入射光的波長(以納米為單位)。穿透率是指穿透光電柵結構的 光線(圖3a中穿透圖像感測元件300的穿透光線328就是一個例子)的百分比。 穿透傳統多晶矽光電柵結構的各種波長光的穿透率以曲線332表示。穿透使 用金屬矽化物-多晶矽的光電柵結構(如同圖3a所介紹的)的各種波長光的穿 透率以曲線334a、 334b、 334c、 334d表示。曲線332，特別是對於長波長光 而言，顯示了傳統的多晶矽光電柵結構會有很高的穿透率。譬如說，在傳統 的例子中，對于波長為650nm的光(也就是紅光)，其穿透率大約是60%。但 是，在本發明的實施例中，有金屬矽化物-多晶矽的光電柵結構能夠提供較低 的光穿透率。譬如說，在實施例中，對于波長為650nm的光(也就是紅光)， 其穿透率是少於20%。因此，增加了光反射層(如金屬矽化物層)，可以降低穿透率，增加光線反射至光電子收集區，所以就可以增加圖像感測器的敏 感度。
請參閱圖4，顯示一種操作BSI感測器的方法400。方法400從步驟402 開始，其提供具有光電感測器的基底，且該光電感測器具有光反射層。基底 可以是圖3a中所示的基底302。光電感測器可以是圖3a中所示的光電感測 器。方法400接著進行步驟404，讓基底的背面照射光線。這光線可以是可 見光、紅外線光、紫外光光、或是其它可能的光線。方法400接著進行到步 驟406，其使一部分的光線被光反射層所反射，產生如同圖3a中所描述的反 射光326 —般。 一部分的光線可能沒有被反射，因此穿透光電感測器，產生 如同圖3a中所描述的穿透光328 —般。在實施例中，當光線的波長介於400nm 到800nm時(也就是藍光、綠光、紅光)，穿透光小於20%。在實施例中，光 反射層增加了光電感測器的光吸收率。在實施例中， 一個比較薄的基底，但 是其上的光電柵結構的柵電極具有光反射層，提供了跟相對比較厚的基底， 而其上並沒有該光反射層，有相同一樣的光吸收率。譬如說，光反射層的加 入，可以使具有2微米厚基底的感測器擁有跟具有4微米厚基底但是沒有光 反射層的感測器大約相同的光吸收能力。
儘管以上僅仔細介紹本發明的一些實施例，但本領域技術人員可以了 解，在沒有脫離說明書的教導與優點之下，所舉例的實施例中還可能有許多 種變化。譬如說，雖然以上都以具有光電柵結構的光電感測器的BSICIS作 為例子，但是採用其它種光電感測器的其它實施例也是可以實施的。
本說明書公開了一種背面照光感測器。該背面照光感測器，包含有具有 正面(front surface)以及背面(back surface)的半導體基底。多個像素形成於該 半導體基底的該正面。至少一個像素具有光電柵(photogate)結構。該光電柵 結構具有柵極，且該柵極具有光反射層。
本說明書也公開了背面照光感測器的另一個實施例。該背面照光感測器 的基底具有正面以及背面。該感測器也具有感測入射光的裝置，用以感測入 射於該基底的背面的光線。該感測器也具有反射光線的裝置，用以反射光線， 其包含有光反射層，形成於該基底的正面。
本說明書也公開了具有半導體基底的一種圖像感測器。該半導體基底具 有光電感測器，其包含有光反射層。該光反射層形成於該半導體基底的第一面。入射光照射於該半導體基底的第二面。該第一面與該第二面相反。該入 射光被該光電感測器所檢測。在實施例中，該光電感測器包含有光電子收集 區域，耦接至柵極。
本發明雖以優選實施例公開如上，然其並非用以限制本發明，任何本領 域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可做些許的變更與修飾， 因此本發明的保護範圍當視所附的權利要求書所界定的範圍為準。
權利要求
1. 一種背面照光感測器，包含有 半導體基底，具有正面以及背面；以及 多個像素，形成於該半導體基底的正面；其中，至少一個像素具有光電柵結構，該光電柵結構具有柵極，該柵極 具有光反射層。
2. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，該光反射層設於該柵極 上，即與該半導體基底相反的一邊。
3. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，所述至少一個像素包含 有N型光電感測器。
4. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，該光反射層包含有金屬 矽化物。
5. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，該光反射層包含有以下 多種金屬矽化物其中之一矽化鎳、矽化鈷、矽化鎢、矽化鈦、矽化鉭、矽 化鉑、矽化鉺、以及矽化鈀。
6. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，該柵極為多晶矽/金屬 矽化物柵。
7. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，該柵極為金屬柵。
8. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，該光反射層包含有以下 金屬其中之一銅、鎢、鈦、鉭、氮化鈦、氮化鉭、矽化鎳、以及矽化鈷。
9. 如權利要求7所述的背面照光感測器，其中，該金屬柵包含有金屬層 以及金屬矽化物層。
10. 如權利要求1所述的背面照光感測器，還包含有 傳送電晶體、復位電晶體、源極跟隨電晶體、以及選擇電晶體。
11. 如權利要求1所述的背面照光感測器，其中，該半導體基底的厚度 約介於2微米到4微米之間。
全文摘要
本發明提供一種背面照光感測器。該背面照光感測器，包含有具有正面的半導體基底。多個像素形成於該半導體基底的正面。至少一個像素具有光電柵結構。該光電柵結構具有柵極，且該柵極具有光反射層。本發明可以增加感測器的敏感度。
文檔編號H01L27/146GK101312202SQ20071014879
公開日2008年11月26日 申請日期2007年9月11日 優先權日2007年5月24日
發明者楊敦年, 王俊智, 許慈軒 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司