半導體裝置、半導體裝置的製造方法以及帶有粘接劑層的半導體晶片的製作方法

2023-05-03 13:30:26 1

專利名稱：半導體裝置、半導體裝置的製造方法以及帶有粘接劑層的半導體晶片的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置及其製造方法。此外，本發明涉及帶有粘接劑層的半導體晶片以及使用其的半導體裝置。
背景技術：
具有多段層疊的多個晶片的堆棧封裝型半導體裝置被用於存儲器等用途。在製造半導體裝置時，為了將半導體元件彼此粘接或將半導體元件與半導體元件搭載用支撐構件粘接而適用膜狀粘接劑。近年來，隨著電子部件的小型化、低背化，逐漸要求將該半導體用膜狀粘接劑進一步薄膜化。然而，在半導體元件或半導體元件搭載用支撐構件上存在由配 線等引起的凹凸的情況下，特別是如果使用薄膜化至IOym厚度以下左右的膜狀粘接劑，則有在將粘接劑粘貼於被粘接體時產生空隙、導致可靠性降低的傾向。此外，製造IOym厚度以下的膜狀粘接劑本身較困難，且薄膜化的膜對晶片的粘貼性、熱壓接性下降，因此難以製作使用其的半導體裝置。近年來，除了半導體元件的小型薄型化以及高性能化之外，還發展多功能化，從而層疊有多個半導體元件的半導體裝置正在劇增。作為這些半導體元件之間、或最下段的半導體元件與基板(支撐構件)之間的粘接劑層，膜狀粘接劑(晶片接合(die bonding)材料)作為主流而適用。隨著半導體裝置的進一步的薄型化發展，上述粘接劑層也逐漸提高薄膜化的必要性。此外，在使用膜狀晶片接合材料(以下，稱為晶片接合膜)的半導體裝置的組裝工序中，為了簡化該工序，有時通過使用在晶片接合膜的一面上貼合有切割片的粘接片，即、使切割片和晶片接合膜一體化而成的膜(以下，視情況稱為「切割一晶片接合一體型膜」。)的方法來謀求在晶片背面的貼合工藝的簡化。根據該方法可以簡化將膜貼合到晶片背面的工藝，因此可以減輕半導體晶片破裂的危險。此外，在通過背面研磨工序而變薄的半導體晶片中，為了抑制由背面研磨帶的剝離導致的半導體晶片的破裂，在半導體晶片的一面上貼合有背面研磨帶的狀態下將上述切割一晶片接合一體型膜貼合到半導體晶片的另一面上的工藝對特別是對進行了極薄化的半導體晶片破裂的危險的減輕有效。上述切割片和背面研磨帶的軟化溫度通常為100°C以下。另外，需要抑制大型化及薄型化的半導體晶片翹曲。因此，在電路面上設有背面研磨帶的狀態的半導體晶片的背面上形成粘接劑層(晶片接合材料層)時，最好通過100°c以下的加熱、或者在不伴隨加熱的情況下形成粘接劑層。對粘接劑層(晶片接合材料層)的薄膜化的要求增強時，難以通過粘接劑組合物的塗布來得到低於20 μ m的厚度的膜狀晶片接合材料，即使得到了，也有製造方面的操作性降低的傾向。為了使半導體元件之間的粘接劑層、以及作為最下段的半導體元件與基板之間的粘接劑層薄膜化，以及降低半導體製造成本，例如像專利文獻I和2那樣研究了如下方法通過將含有溶劑的液狀粘接劑組合物(樹脂糊)塗布在半導體晶片背面，並利用加熱使溶劑從塗布的樹脂糊中揮發的方法，從而形成B階化的粘接劑層。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本特開2007 - 110099號公報專利文獻2 :日本特開2010 - 37456號公報
發明內容、
發明要解決的問題然而，在使用含有溶劑的樹脂糊時，存在為了使溶劑揮發並進行B階化而需要較長時間、或者半導體晶片被溶劑汙染這樣的問題。此外，由於用於使溶劑揮發的乾燥的加熱，使得在帶有可剝離粘著帶的晶片上塗布樹脂糊時，存在粘著帶不能容易地剝離、或者產生晶片翹曲這樣的問題。如果在低溫下乾燥，則可以在一定程度上抑制由加熱引起的不良狀況，但是在該情況下，殘存溶劑變多，因此存在加熱固化時產生孔隙和/或剝離而使可靠性下降的傾向。如果為了降低乾燥溫度而使用低沸點溶劑，則有在使用過程中粘度變化較大的傾向。進一步，由於在乾燥時粘接劑表面的溶劑進行揮發而導致溶劑殘留在粘接劑層內部，因而還有可靠性下降的傾向。在使用含有溶劑的液狀晶片接合材料(樹脂糊)的情況下，塗布在半導體晶片背面之後，在B階化時，為了使溶劑揮發，需要進行高溫下的加熱。如果用於B階化的加熱溫度超過100°C，則難以在半導體晶片的電路面上層疊有軟化溫度為100°C以下的背面研磨帶的狀態下形成B階化的粘接劑層。此外，還有容易產生薄型化的半導體晶片翹曲的傾向。如果為了將用於B階化的加熱溫度低溫化而使用含有沸點更低的溶劑的液狀晶片接合材料，則由於塗布液的粘度穩定性受損而不易形成具有均勻厚度的粘接劑層。因此，存在得不到充分的粘接強度的傾向。本發明鑑於如上所述的情況而進行，其主要目的在於提供一種可以維持半導體裝置的高可靠性，並且可以使粘接半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片的粘接劑層變得更薄的方法。進而，本發明的目的在於提供一種即使將粘接劑層薄膜化時也可以得到充分的粘接強度的帶有粘接劑層的半導體晶片，其為不需要高溫下的加熱就可以得到的帶有粘接劑層的半導體晶片。解決問題的方法本發明涉及一種半導體裝置的製造方法，其包括使粘接劑組合物在半導體晶片的與電路面相反側的面上成膜而形成粘接劑層的工序；通過光照射對粘接劑層進行B階化的工序；將半導體晶片與經B階化的粘接劑層一起切斷而切成多個半導體晶片的工序；以及對於半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片，在它們之間夾著粘接劑組合物的狀態下進行壓接，從而進行粘接的工序。根據上述本發明的方法，通過使粘接劑組合物在半導體晶片的與電路面相反側的面(背面)上成膜，可以容易使粘接劑層變薄。進而，由於不需要通過加熱使溶劑從粘接劑組合物中揮發的工序，因而即使在使粘接半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片的粘接劑層變薄時，也可以維持半導體裝置的高可靠性。
根據本發明的方法，可以在半導體晶片的電路面上設有背面研磨帶的狀態下使粘接劑組合物成膜。優選通過光照射進行B階化之前的粘接劑組合物在25°C時的粘度為10 30000mPa · S。優選通過光照射進行了 B階化的粘接劑組合物的膜厚為30 μ m以下。優選半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片粘接後的剪切粘接強度在260°C時為O. 2MPa以上。優選通過旋塗法或噴塗法將粘接劑組合物塗布在半導體晶片的背面。優選在通過光照射進行B階化之後進一步通過加熱而固化的粘接劑組合物的5% 失重溫度為260°C以上。優選上述粘接劑組合物含有光引發劑。此外，優選上述粘接劑組合物含有具有醯亞胺基的化合物。具有醯亞胺基的化合物可以為聚醯亞胺樹脂之類的熱塑性樹脂、或者具有醯亞胺基的(甲基)丙烯酸酯等低分子化合物。本發明還涉及一種可以通過上述本發明的製造方法來得到的半導體裝置。本發明的半導體裝置即使在粘接半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片的粘接劑層薄時，也具有充分高的可靠性。本發明涉及一種具有半導體晶片和在半導體晶片的與電路面相反側的面上形成的粘接劑層的帶有粘接劑層的半導體晶片。粘接劑層通過曝光而進行B階化，粘接劑層在20 60°C時的最大熔融粘度為5000 IOOOOOPa · S。上述本發明的帶有粘接劑層的半導體晶片不需要高溫下的加熱就可以得到。其結果，能夠維持半導體裝置的高可靠性，並且能夠抑制B階化後的半導體晶片翹曲。此外，上述本發明的帶有粘接劑層的半導體晶片即使在將粘接劑層極薄化至例如20 μ m厚度以下時也可以顯示出充分的粘接強度。為了以晶片背面塗布方式、使用極薄晶片來製造層疊多個半導體元件而成的半導體裝置，可以適宜地使用構成本發明的帶有粘接劑層的半導體晶片所具備的粘接劑層的粘接劑組合物。通過使用上述粘接劑組合物，可以不加熱且在短時間內將粘接劑層形成在晶片背面，從而可以大幅減小對晶片的熱應力。其結果，即使在使用大徑化且薄化的晶片的情況下，也能夠顯著抑制翹曲等問題的發生。優選粘接劑層在80 200°C時的最低熔融粘度為5000Pa-s以下。另外，上述最低熔融粘度的下限不特別設定，但從能夠抑制加熱壓接時的發泡的觀點考慮，優選為IOPa · s以上。此外，將上述帶有粘接劑層的半導體晶片單片化而得到的帶有粘接劑層的半導體元件可以通過粘接劑層在更低溫度下壓接固定到另一個半導體元件或支撐構件等被粘接體上，而且可以在低溫、低壓且短時間的條件下進行晶片粘接。此外，還具有能夠在晶片粘接時、在低壓下填埋基板上的配線段差的熱流動性。由於與半導體元件和支撐構件等被粘接體的粘接性良好，因而能夠有助於半導體裝置組裝工藝的效率化。即，根據本發明，該粘接劑層還可以確保能夠良好地填埋基板表面的配線段差的熱流動性。因此，可以適宜地針對層疊有多個半導體元件的半導體裝置的製造工序。進而，由於能夠確保高溫時的高粘接強度，因而能夠提高耐熱性和耐溼可靠性，並且能夠簡化半導體裝置的製造工序。優選粘接劑層為在半導體晶片的電路面上設有背面研磨帶的狀態下成膜的層。通過在半導體晶片的電路面上層疊有背面研磨帶的狀態下形成上述粘接劑層，可以在經背面研磨工序的半導體晶片背面上形成粘接劑層時，在不加熱的條件下，在貼合有軟化溫度低的背面研磨帶的半導體晶片背面形成粘接劑層。因此，不會對背面研磨帶造成熱損傷，並且可以在不加熱的條件下完成將具有粘著性的切割片貼合到在半導體晶片背面形成的粘接劑層側的一面上，然後從半導體晶片剝離上述背面研磨帶的一系列工藝。由此，能夠抑制極薄化的半導體晶片翹曲，此外還能夠抑制膠帶剝離所致的半導體晶片的破裂，從而可以實現使用極薄半導體晶片的「低應力」或「無損傷」的半導體裝置製造工藝。本發明的帶有粘接劑層的半導體晶片可以 進一步具有切割片。該切割片設置在粘接劑層的與半導體晶片相反側的面上。優選切割片具有基材膜和設置在該基材膜上的粘著劑層，並且以該粘著劑層位於粘接劑層側的朝向設置。上述半導體晶片進一步具有切割片，通過將該切割片設置在上述粘接劑層側的面上，可以得到容易操作的半導體晶片，同時由於具備切割片的帶有粘接劑層的半導體晶片具備兼具切割片和晶片接合材料二者的功能的粘接劑層，因此能夠更加簡化半導體裝置的製造工序。進而，本發明在切割時的晶片飛濺的抑制、拾取性等製造半導體裝置時的操作性或生產率的提高方面也有利。此外，面對封裝體的組裝熱歷程，可以維持穩定的特性。優選粘接劑層由B階化之前在25°C時的粘度為10 30000mPa · s的粘接劑組合物形成。優選粘接劑層為對含有(A)具有碳-碳雙鍵的化合物和(B)光引發劑的粘接劑組合物進行B階化而形成的層。(A)具有碳-碳雙鍵的化合物優選包含單官能(甲基)丙烯酸酯化合物。單官能(甲基)丙烯酸酯化合物優選包含具有醯亞胺基的化合物。本發明還涉及一種具備I個或2個以上的半導體元件和支撐構件的半導體裝置。I個或2個以上的半導體元件中的至少I個是從上述本發明的帶有粘接劑層的半導體晶片的半導體晶片上切出的半導體元件，該半導體元件通過粘接劑層與其它半導體元件或支撐構件粘接。本發明的半導體裝置是簡化了製造工序的、可靠性優異的裝置。本發明的半導體裝置能夠充分實現在安裝半導體元件時所要求的耐熱性和耐溼性。上述本發明的半導體裝置能夠同時實現內置的極薄半導體元件的多段層疊化和小型薄層化，並且具有高性能、高功能和高可靠性(特別是耐回流性(reflow resistance)、耐熱性、耐溼性等)，此外，經過引線接合等使用超聲波處理的工序，可以以高效率進行製造。發明效果根據本發明，即使在使粘接半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片的粘接劑層變薄時，也可以製造可靠性高的半導體裝置。根據本發明，可以提供一種即使將粘接劑層薄膜化時也可以得到充分的粘接強度的帶有粘接劑層的半導體晶片，其為不需要高溫下的加熱就可以得到的帶有粘接劑層的半導體晶片。其結果，能夠維持半導體裝置的高可靠性，並且能夠抑制B階化後的半導體晶片翹曲，從而可以實現粘接半導體元件和支撐構件或其它半導體元件的粘接劑層的極薄化。


圖I是表不半導體晶片的一個實施方式的不意截面圖。圖2是表示帶有粘接劑層的半導體晶片的實施方式的示意截面圖。圖3是表示粘接劑層為在導體晶片的電路面上設有背面研磨帶的狀態下成膜的層的帶有粘接劑層的半導體晶片的一個實施方式的示意截面圖。圖4是表不半導體裝置的一個實施方式的不意截面圖。
圖5是表示半導體裝置的其他的實施方式的示意截面圖。圖6是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖7是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖8是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖9是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖10是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖11是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖12是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖13是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖14是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖15是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖16是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。圖17是表示半導體裝置的製造方法的一個實施方式的示意圖。
具體實施例方式以下，一邊根據需要參照附圖，一邊對用於實施本發明的方式進行詳細說明。但本發明並不限定於以下的實施方式。在附圖中，對相同或相當的要素賦予相同符號。適當省略重複的說明。只要沒有特別說明，上下左右等位置關係基於附圖所示的位置關係。尺寸比例並不限於圖示比例。本說明書中，「B階」是指固化反應的中間階段、即熔融粘度上升的階段。B階化的樹脂組合物受熱軟化。具體地說，B階化的粘接劑層在20°C 60°C時的熔融粘度的最大值(最大熔融粘度)優選為5000 IOOOOOPa · S，從良好的操作性和拾取性的觀點考慮，更優選為 10000 IOOOOOPa · S。本實施方式的帶有粘接劑層的半導體晶片具有半導體晶片和通過曝光進行了 B階化的粘接劑層。粘接劑層形成在半導體晶片的與電路面相反側的面上。經B階化的粘接劑層在20 60°C時的最大熔融粘度優選為5000 IOOOOOPa .S。由此，可以得到粘接劑層的良好的自支撐性。上述最大熔融粘度更優選為IOOOOPa *s以上。由此，粘接劑層表面的粘著性降低，帶有粘接劑層的半導體晶片的保存穩定性提高。上述最大熔融粘度更優選為30000Pa · s以上。由此，粘接劑層的硬度上升，因而容易通過加壓進行與切割膠帶的貼合。上述最大熔融粘度更優選為50000Pa*s以上。由此，粘接劑層表面的粘性強度充分降低，因而能夠確保良好的切割工序後的從切割膠帶的剝離性。如果剝離性良好，則能夠適當確保切割工序後的帶有粘接劑層的半導體晶片的拾取性。如果上述最大熔融粘度低於5000Pa · S，則有B階化後的粘接劑層表面的粘力變得過強的傾向。因此，在將通過切割對帶有粘接劑層的半導體晶片進行單片化而得到的半導體晶片與粘接劑層一起拾取時，從切割片剝離粘接劑層的剝離力過高，因而有半導體晶片容易破裂的傾向。從抑制半導體晶片翹曲的觀點考慮，上述最大熔融粘度優選為IOOOOOPa · s 以下。通過光照射進行了 B階化的粘接劑組合物(粘接劑層)在20°C 300°C時的熔融粘度(粘度)的最小值(最低熔融粘度)優選為30000Pa · s以下。上述最低熔融粘度更優選為20000Pa · s以下，進一步優選為18000Pa · s以下，特別優選為15000Pa*s以下。通過使粘接劑組合物具有這些範圍內的最低熔融粘度，可以確保粘接劑層的更優異的低溫熱壓接性。進而，可以對粘接劑層賦予良好的相對於具有凹凸的基板等的密合性。從操作性等方面考慮，上述最低熔融粘度優選為IOPa · s以上。粘接劑層在80 200°C時的熔融粘度的最小值(最低熔融粘度)優選為5000Pa-s以下。由此，200°C以下的溫度下的熱流動性提高，且可以確保晶片接合時的良好的熱壓接性。此外，上述最低熔融粘度更優選為3000Pa · s以下。由此，在200°C以下的較低溫度下對表面上形成有段差的基板等被粘接體熱壓接半導體晶片時，粘接劑層更容易充分填埋段差。上述最低熔融粘度更優選為IOOOPa · s以下。由此，可以保持薄粘接劑層熱壓接時的良好的流動性。此外，可以在更低壓下進行熱壓接，特別有利於半導體晶片極薄的情況。從抑制加熱時的發泡的方面考慮，上述最低熔融粘度的下限優選為IOPa · s以上，更優選為IOOPa-S以上。如果上述最低熔融粘度超過5000Pa*s，則有可能由於熱壓接時的流動不充分而不能確保對支撐基板或半導體元件等被粘接體的充分的潤溼性。如果潤溼性不充分，則在其後的半導體裝置組裝中不能保持充分的粘接性，所得到的半導體裝置的可靠性降低的可能性升高。此外，為了確保粘接劑層的充分的流動性，需要高熱壓接溫度，因而存在粘接固定後的半導體元件的翹曲等對周邊構件的熱損傷變大的傾向。上述最大熔融粘度和最低熔融粘度是利用如下方法測定的值。首先，將粘接劑組合物塗布在PET膜上，使得膜厚為50 μ m,對於所得到的塗膜，在室溫空氣下，使用高精度平行曝光機(0RC製作所制，「EXM — 1172 — B —①，，(商品名))，從與PET膜相反面的一側以1000mJ/cm2進行曝光，從而形成B階化的粘接劑層。將所形成的粘接劑層貼合到Teflon(註冊商標)片上，用輥(溫度60°C、線壓4kgf/cm、傳送速度O. 5m/分鐘)進行加壓。其後，剝離PET膜，在粘接劑層上重疊通過曝光而進行了 B階化的另一粘接劑層，並一邊加壓一邊層疊。重複該步驟，得到厚度為約200 μ m的粘接劑樣品。使用粘彈性測定裝置(RHE0METRICSCIENTIFIC FE株式會社制，商品名ARES)，將直徑25mm的平行板作為測定板，在升溫速度為10°C /min、頻率為IHz的條件下，在20 200°C或20 300°C的測定溫度下，測定所得到的粘接劑樣品的熔融粘度。由所得到的熔融粘度和溫度之間的關係讀取在20 60°C時的最大熔融粘度以及在80 200°C時的最低熔融粘度。上述粘接劑層的B階化之前在25°C時的粘度、即在半導體晶片上成膜的粘接劑 組合物的粘度優選為10 30000mPa · S。由此，可以使塗布粘接劑組合物時的凹陷或針孔產生的抑制和優異的薄膜形成性並存。上述粘度更優選為30 20000mPa · S。由此，可以均勻控制在通過旋塗等塗布粘接劑組合物時的塗布量。上述粘度進一步優選為50 IOOOOmPa *s。由此,更容易通過旋塗等塗布而形成薄的粘接劑層。上述粘度進一步優選為100 5000mPa · S。由此，更容易通過旋塗等將粘接劑組合物塗布在大口徑的半導體晶片上而形成薄的粘接劑層。如果上述粘度低於IOmPa · S，則有在塗布粘接劑組合物時容易產生凹陷或針孔的傾向。如果上述粘度超過30000mPa· S，則有所得到的粘接劑層難以薄膜化、或者通過旋塗等進行塗布時難以從噴嘴中吐出粘接劑組合物的傾向。上述粘度是使用東京計器株式會社制E型粘度計(EHD型旋轉粘度計、標準圓錐)，在測定溫度25°C、樣品容量4cc的條件下，從測定開始經過10分鐘後測定的值。如表I所示，粘度計的轉數可根據估計的樣品粘度來設定。表I
權利要求
1.一種半導體裝置的製造方法，其特徵在於，包括 使粘接劑組合物在半導體晶片的與電路面相反側的面上成膜而形成粘接劑層的エ序; 通過光照射對所述粘接劑層進行B階化的エ序； 將所述半導體晶片與經B階化的所述粘接劑層一起切斷而切成多個半導體晶片的エ序；以及 對於所述半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片，在它們之間夾著所述粘接劑層的狀態下進行壓接，從而進行粘接的エ序。
2.如權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，在所述半導體晶片的電路面上設有背面研磨帶的狀態下，使所述粘接劑組合物成膜。
3.如權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，通過光照射進行B階化之前的所述粘接劑組合物在25°C時的粘度為10 30000mPa · S。
4.如權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，通過光照射進行了B階化的所述粘接劑層的膜厚為30 μ m以下。
5.如權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，所述半導體晶片和所述支撐構件或所述其它半導體晶片粘接後的剪切粘接強度在260°C時為O. 2MPa以上。
6.如權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，利用旋塗法或噴塗法將所述粘接劑組合物塗布在所述半導體晶片的與電路面相反側的面上，從而成膜。
7.如權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，在通過光照射進行了B階化之後進ー步通過加熱而固化的所述粘接劑組合物的5%失重溫度為260°C以上。
8.如權利要求I所述的製造方法，其特徵在於，所述粘接劑組合物含有(A)具有碳-碳雙鍵的化合物和(B )光引發劑。
9.如權利要求8所述的製造方法，其特徵在於，所述(A)具有碳-碳雙鍵的化合物包含單官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
10.如權利要求9所述的製造方法，其特徵在於，所述單官能(甲基)丙烯酸酯化合物包含具有醯亞胺基的化合物。
11.一種半導體裝置，其特徵在幹，能夠通過權利要求I 10中任一項所述的製造方法來得到。
12.—種帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在於，具有半導體晶片和在所述半導體晶片的與電路面相反側的面上形成的粘接劑層， 所述粘接劑層通過光照射進行了 B階化，所述粘接劑層在20 60°C時的最大熔融粘度為 5000 IOOOOOPa · S。
13.如權利要求12所述的帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在於，所述粘接劑層在80 200°C時的最低熔融粘度為5000Pa · s以下。
14.如權利要求12所述的帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在幹，進ー步具有切割片，該切割片設置在所述粘接劑層的與所述半導體晶片相反側的面上。
15.如權利要求14所述的帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在於，所述切割片具有基材膜和設置在該基材膜上的粘著劑層，並以該粘著劑層位於所述粘接劑層側的朝向設置。
16.如權利要求12所述的帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在於，所述粘接劑層由B階化之前在25°C時的粘度為10 30000mPa · s的粘接劑組合物形成。
17.如權利要求12所述的帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在於，所述粘接劑層為對含有(A)具有碳-碳雙鍵的化合物和(B)光引發劑的粘接劑組合物進行B階化而形成的層。
18.如權利要求17所述的帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在於，所述(A)具有碳-碳雙鍵的化合物包含單官能(甲基)丙烯酸酯化合物。
19.如權利要求18所述的帶有粘接劑層的半導體晶片，其特徵在於，所述單官能(甲基)丙烯酸酯化合物包含具有醯亞胺基的化合物。
20.一種半導體裝置，其是具備I個或2個以上的半導體元件和支撐構件的半導體裝置，其特徵在幹， 所述半導體元件中的至少I個是從權利要求12 19中任一項所述的帶有粘接劑層的半導體晶片的半導體晶片上切出的半導體元件，該半導體元件通過所述粘接劑層而與其它半導體元件或所述支撐構件粘接。
全文摘要
一種半導體裝置的製造方法，其包括使粘接劑組合物在半導體晶片的與電路面相反側的面上成膜而形成粘接劑層的工序；通過光照射對粘接劑層進行B階化的工序；將半導體晶片與經B階化的所述粘接劑層一起切斷而切成多個半導體晶片的工序；以及對於半導體晶片和支撐構件或其它半導體晶片，在它們之間夾著粘接劑層的狀態下進行壓接，從而進行粘接的工序。
文檔編號H01L21/301GK102687257SQ201080050769
公開日2012年9月19日 申請日期2010年11月10日 優先權日2009年11月13日
發明者加藤木茂樹, 增子崇, 川守崇司, 滿倉一行, 藤井真二郎 申請人:日立化成工業株式會社