絕緣化處理前基板、及基板的製造方法
2023-04-23 07:16:06
專利名稱：絕緣化處理前基板、及基板的製造方法
技術領域：
本發明涉及配有用於防止對表面的具有導電性的部位的一部分進行絕緣化處理的保護膜的絕緣化處理前基板、及對該絕緣化處理前基板進行絕緣化處理的基板的製造方法、彈性表面波振子的製造方法、並且通過該製造方法製造的彈性表面波振子、彈性表面波裝置、電子設備。
背景技術：
用於電驅動或檢測彈性表面波(Surface Acoustic Wave，以下簡稱為「SAW」)的彈性表面波振子是在水晶片等的壓電體的表面上，通過鋁等的薄膜形成交叉指傳感器(Interdigital transducer、以下簡稱為「IDT」)、反射器、導通墊而製造的。在這樣的彈性表面波振子中，如果在IDT的表面上附著了具有導電性的異物，則會產生頻率變動、不能得到穩定的共振特性等的不便。因此，最好用絕緣物質覆蓋IDT的表面。另一方面，以為導通墊是用於連接外部配線的部位，所以最好不用絕緣物質覆蓋其表面，使其保持導電性。
作為用於製造滿足這樣條件的彈性表面波振子的技術，公知的是在專利文獻1中所示出的技術。該技術利用光刻法，在導通墊上形成作為對陽極氧化的保護膜的抗蝕膜，只在IDT的表面及反射器的表面形成陽極氧化的氧化膜。之後如果剝離抗蝕膜，IDT及反射器的表面被作為絕緣物質的氧化膜覆蓋，導通墊的表面得到了露出鋁薄膜的狀態下的彈性表面波振子。
而且近年來，提出一種通過噴墨法只在導通墊上有選擇地形成作為保護膜的抗蝕膜的方法。根據該方法，可以削減抗蝕劑的使用量。另外因為省略了顯影抗蝕劑的工序，所以不需要光掩膜，可以控制製造成本。並且，可以避免由於抗蝕劑顯影液引起的鋁薄膜的表面劣化的不便。
專利文獻1日本專利文獻特開平11-330882號公報。
但是，若通過噴墨法來形成抗蝕膜，則有抗蝕膜的厚度不夠的傾向。特別地，如果抗蝕膜的外緣部的厚度不夠，則有如下的問題在陽極氧化的工序中，陽極氧化液從抗蝕膜的外周側滲入到導通墊與抗蝕膜的分界面，在配置抗蝕膜的區域也形成了一部分氧化膜。另外，如果抗蝕膜的中央部的厚度不夠，則就不能充分保證對於該部位的陽極氧化液的強度(密接的強度)，在陽極氧化時，抗蝕膜的中央部的一部分有時會脫落。在這種情況下，在本來不應該形成氧化膜的區域也形成了一部分的氧化膜。
發明內容
本發明是鑑於以上情況而做出的發明，其一個目的在於提供一種絕緣化處理前基板，其配有對於絕緣化處理具有足夠強度(密接的強度)的保護膜。另外，本發明還有個目的在於提供一種基板的製造方法、彈性表面波振子的製造方法，其在表面的導電部上可以只對所希望的區域進行絕緣化處理。並且，本發明的另外一個目的在於，提供一種具有高可靠性的彈性表面波振子、彈性表面波裝置及電子設備。
本發明的絕緣化處理前基板具有用於防止表面的具有導電性的部位的一部分被絕緣化處理的保護膜，其特徵在於，包括基體；表面上包括具有導電性的部位，保護膜；被配置成在所述基體表面上覆蓋所述具有導電性的部位的一部分的狀態，所述保護膜具有具有圍牆狀的隔壁部的第一保護層；和被配置成被埋入由所述圍牆狀的隔壁部圍成的區域內的第二保護層。根據上述結構而得到的一個效果是，對於在所述基體表面上施加的絕緣化處理，所述保護膜具有足夠的強度(密接的強度)。因此，例如在將所述基體浸在絕緣化處理液內，對所述基體的表面進行絕緣化處理時，絕緣化處理液難以滲入基體的表面與保護膜之間。另外，在進行該絕緣化處理時，保護膜的一部分不會脫落。
所述第一保護層可以由所述圍牆狀的隔壁部；和與所述圍牆狀的隔壁部一體形成的、被配置在由該圍牆狀的隔壁部圍成的區域內的襯底膜構成。並且，優選的是所述保護膜的所述圍牆狀的隔壁部的高度是所述襯底膜的厚度的兩倍以上且十倍以下。根據上述結構而得到的一個效果是，對於在所述基體表面上施加的絕緣化處理，所述保護膜具有足夠的強度(密接的強度)。此時保護膜由具有隔壁部及襯底膜的第一保護層；和重疊配置在該第一保護層的襯底膜上的第二保護層構成。根據該結構，例如在將所述基體浸在絕緣化處理液內，對所述基體的表面進行絕緣化處理時，即使絕緣化處理液滲入到第一保護層與第二保護層的間隙內，絕緣化處理液也達不到基體的表面。
此處，可以用相同材料形成所述第一保護層與所述第二保護層。根據上述結構而得到的一個效果是，可以簡化基板的製造裝置，且可以縮短基板的製造工序。
另外，所述第一保護層的材料及所述第二保護層的材料可以是抗蝕劑。根據上述結構而得到的一個效果是，通過使用規定的方法可以容易地剝離所述保護膜。
本發明的基板的製造方法是通過對基體表面的除去具有導電性的部位的一部分的區域進行絕緣化處理來製造基板，其特徵在於，包括第一工序，對在表面上包括具有導電性的部位的基體施加第一功能液；第二工序，乾燥所述第一功能液，在所述基體上形成具有圍牆狀的隔壁部的第一保護層；第三工序，對由所述隔壁部圍成的區域施加第二功能液；第四工序，乾燥所述第二功能液並形成第二保護層，在所述基體上，在覆蓋所述具有導電性的部位的一部分的狀態下，形成由所述第一保護層與所述第二保護層構成的保護膜；第五工序，在包括所述基體與所述保護膜的絕緣化處理前基板的表面上進行絕緣化處理；第六工序，剝離所述保護膜。因為在該製造過程中，形成在所述基體上的保護膜包括具有圍牆狀的隔壁部的第一保護層，所以例如在將所述基體浸在絕緣化處理液內，對所述基體的表面進行絕緣化處理時，絕緣化處理液難以滲入基體的表面與保護膜之間。另外，因為在由所述圍牆狀的隔壁部圍成的區域內配置第二保護層，所以在保護膜的整體上可以確保足夠的膜的厚度，在進行絕緣化處理時保護膜的一部分不會脫落。
根據上述方法而得到的一個效果是，對於在所述基體表面上施加的絕緣化處理，所述保護膜具有足夠的強度(密接的強度)，通過利用該保護膜，可以容易地得到只對所述基體表面上的所希望的範圍進行絕緣化處理的基板。
此處，所述第一功能液可以包括沸點在170℃以上、且250℃以下的溶劑。溶劑的沸點在170℃以上、且250℃以下的第一功能液在被乾燥時候，容易形成圍牆狀的隔壁部。通過利用這樣的第一功能液，在上述基板的製造工程中，可以更容易地形成具有所述圍牆狀的隔壁部的第一保護層。
在所述第一工序之前，可以包括加熱所述基體的工序。如果在被加熱了的基體上施加第一功能液，則在乾燥該第一功能液時，容易形成圍牆狀的隔壁部。因此，通過包括這樣的加熱工序的基板的製造方法，在該製造工程中，可以更容易地形成具有所述圍牆狀的隔壁部的第一保護層。
另外，所述絕緣化處理可以包括陽極氧化法的處理。根據陽極氧化法，在所述基體表面的具有導電性的部位上的沒有配置所述保護膜的區域上，可以確切地進行絕緣化處理。根據包括陽極氧化法的絕緣化處理工序的上述製造方法，對於在所述基體表面上施加的絕緣化處理，所述保護膜具有足夠的強度(密接的強度)，通過利用該保護膜，可以容易地得到只對所述基體表面上的所希望的範圍進行絕緣化處理的基板。
此處，所述第一保護層可以由所述圍牆狀的隔壁部；和與所述圍牆狀的隔壁部一體形成的、被配置在由該圍牆狀的隔壁部圍成的區域內的襯底膜構成。此時保護膜由被配置在保護膜形成區域整體上的第一保護層；和重疊配置在該第一保護層上的第二保護層構成。根據該結構，在對所述基體表面進行絕緣化處理時，即使用於絕緣化處理的液體滲入到第一保護層與第二保護層的間隙內，該液體也達不到基體的表面。
而且，優選的是所述第一保護層的所述圍牆狀的隔壁部的高度是所述襯底膜的厚度的兩倍以上且十倍以下。
根據上述方法而得到的一個效果是，對於在所述基體表面上施加的絕緣化處理，所述保護膜具有足夠的強度(密接的強度)，通過利用該保護膜，可以容易地得到只對所述基體表面上的所希望的範圍進行絕緣化處理的基板。
在上述的基板的製造方法中，優選的是加熱所述基體的工序將所述基體加熱到30℃以上且120℃以下的溫度。更加優選的是將所述基體加熱到40℃以上且60℃以下的溫度。通過將基體加熱到包括在這樣的範圍內的溫度，可以在具有適當的高度的隔壁部的狀態下乾燥第一功能液，形成第一保護層。根據上述方法而得到的一個效果是，對於在所述基體表面上施加的絕緣化處理，所述保護膜具有足夠的強度(密接的強度)。
此處，可以由相同材料構成所述第一功能液與所述第二功能液。根據上述結構而得到的一個效果是，可以簡化基板的製造裝置，且可以縮短基板的製造工序。
另外，在上述的基板的製造方法中使用的所述功能液可以含有抗蝕劑。根據上述方法而得到的一個效果是，通過使用規定的方法可以容易地剝離所述保護膜。
本發明可以以各種方式來實現，例如，可以作為彈性表面波振子的製造方法來實現。另外，在所述基體表面的具有導電性的部位上的、由所述保護膜保護沒有被絕緣化處理的部位上，通過該彈性表面波振子的製造方法製造的彈性表面波振子可以容易且確切地連接外部配線。另一方面，即使在所述基體表面的具有導電性的部位上的、被進行了絕緣化處理的部位上附著了導電性異物等，也不會產生不便。因此，通過上述的彈性表面波振子的製造方法而製造的彈性表面波振子具有高可靠性。另外，配有該彈性表面波振子的彈性表面波裝置及電子設備也可以實現高可靠性。
圖1是表示基板的製造裝置的示意圖。
圖2是表示液滴噴出裝置的示意性立體圖。
圖3是表示液滴噴出裝置的頭部的一部分，(a)是示意性立體圖；(b)是側視截面圖。
圖4是表示液滴噴出裝置的控制部的功能框圖。
圖5是表示具有SAW模板的基體的示意性俯視圖。
圖6(a)及(b)是基體的放大立體圖；(c)是彈性表面波振子的示意性立體圖。
圖7(a)及(b)是形成第一保護層的導通墊的放大圖。
圖8(a)及(b)是形成由第一保護層及第二保護層構成的保護膜的導通墊的放大圖。
圖9(a)到(d)是說明本發明的實施方式的基板的製造方法的模式側視圖。
圖10(a)到(c)是說明本發明的實施方式的基板的製造方法的模式側視圖。
圖11(a)到(c)是說明在基板上形成第一保護層的過程的模式側視圖。
圖12是表示陽極氧化裝置的示意圖。
圖13表示本發明的實施方式的振蕩器，(a)是側視截面圖；(b)是平面截面圖。
圖14是本發明的實施方式的手機的示意性立體圖。
圖15(a)及(b)是形成配有隻由隔壁部構成的第一保護層的保護膜的導通墊的放大圖。
圖16(a)及(b)是形成配有隻由隔壁部構成的第一保護層的保護膜的導通墊的放大圖。
其中，1彈性表面波振子、2製造裝置、10水晶片、11基體、12絕緣化處理前基板、21構成基體表面的具有導電性的部位的導通墊、22構成基體表面的具有導電性的部位的IDT、23構成基體表面的具有導電性的部位的反射器、30保護膜、31A作為第一功能液的第一保護材料、31第一保護層、32A作為第二功能液的第二保護材料、32第二保護層、33隔壁部、34襯底膜、40絕緣膜、50水晶晶片、51SAW模板、60作為彈性表面波裝置的振蕩器、300傳送裝置、310清洗裝置、320加熱裝置、331、332液滴噴出裝置、341、342乾燥裝置、350陽極氧化裝置、360剝離裝置、500作為電子設備的手機。
具體實施例方式
以下，參考
本發明的實施方式。
(A、彈性表面波振子)圖6(c)是利用本發明的基板製造方法製造的彈性表面波振子的示意性立體圖，圖10(c)是沿著圖6(c)中的B-B線橫截該彈性表面波振子時的側視截面圖。彈性表面波振子1包括水晶片10；由鋁薄膜製成的導通墊21、IDT22及反射器23；及由鋁氧化膜形成的絕緣層40。此處，圖6(c)中的斜線部分表示形成絕緣層40區域。而且，導通墊21、IDT22及反射器23對應於本發明的「基體表面的具有導電性的部位」。
水晶片10是將水晶晶片50(參考圖5)切割成長方體狀而製成的壓電體。在水晶片10的表面上，配置了兩個梳齒具有彼此相互進入並相互面對的形狀的一對IDT22。在IDT22上各自連接一個由鋁薄膜形成的導通墊21。導通墊21是用於連接外部配線(圖中未示出)的部位。導通墊21的大小的級別是一個邊一般為數百μm左右。另外配置一對反射器23使其夾著IDT22。反射器23是通過與IDT22及導通墊21相同的鋁薄膜形成過程而形成的。
如果通過導通墊21從外部配線向IDT22施加高頻信號，則在電極間產生電場，激發彈性表面波並將其傳送到水晶片10上。通過反射器23反覆反射該彈性表面波，在水晶片10上產生彈性表面波的駐波。這樣，彈性表面波振子1作為利用彈性表面波的反射鎖定彈性表面波的能量的諧振器發揮作用。
具有上述功能的彈性表面波振子1如果在IDT22的表面或反射器23的表面附著了異物，則會產生頻率變動、不能得到穩定的共振特性等的不便。另外，如果由於導電性異物縮短了一對IDT22間的距離，則不能得到作為彈性表面波振子的功能本身。為了避免這些不便，通過對鋁薄膜的表面進行氧化而形成的絕緣層40來覆蓋IDT22的表面、反射器23的表面及導通墊21的表面的一部分。通過絕緣層40覆蓋IDT22的表面及反射器23的表面，在配置了IDT22或反射器23的區域上附著導電性異物等時，防止了發生上述的不便。
(B、製造裝置)參考圖1，對於用於製造彈性表面波振子1的製造裝置2進行說明。
以下，將在表面上具有由鋁薄膜製成的導通墊21、IDT22、反射器23、連接線52及接線柱53的水晶晶片50(參考圖5)標記為「基體11」。基體11在水晶晶片50的表面上形成了12個SAW模板51。SAW模板51分別包括導通墊21、IDT22及反射器23，一個SAW模板對應於一個彈性表面波振子1。而且，在本實施方式中，為了便於說明而將SAW模板51的數量定為12，但是實際的基體11對應於水晶晶片50的大小及製造的彈性表面波振子1的大小，一般都具有更多數量的SAW模板51。
圖1所示的製造裝置2在基體11的表面的規定區域形成了絕緣層40，並且是用於製造包括多個彈性表面波振子1的基板的裝置。製造裝置2包括清洗裝置310；加熱裝置320；液滴噴出裝置331；乾燥裝置341；液滴噴出裝置332；乾燥裝置342；陽極氧化裝置350及剝離裝置360，所述清洗裝置310對基體11的表面進行清洗；所述加熱裝置320對基體進行加熱；所述液滴噴出裝置331對基體11的表面的規定區域噴出液狀材料的第一保護材料31A(參考圖9(b))；所述乾燥裝置341乾燥基體11上的第一保護材料31A並且形成第一保護層31；所述液滴噴出裝置332對基體11的表面的規定區域噴出液狀材料的第二保護材料32A(參考圖9(d))；所述乾燥裝置342乾燥基體11上的第二保護材料32A並且形成第二保護層32；所述陽極氧化裝置350使導通墊21及IDT22的表面陽極氧化、並在導通墊21及IDT22的表面上的沒有形成由第一保護層31及第二保護層32構成的保護膜30(參考圖10(a))的區域上形成絕緣層40；所述剝離裝置360從基體11上剝離保護膜30。
而且，製造裝置2還包括傳送裝置，其按照清洗裝置310、加熱裝置320、液滴噴出裝置331、乾燥裝置341、液滴噴出裝置332、乾燥裝置342、陽極氧化裝置350、剝離裝置360的順序傳送基體11。
而且，第一保護材料31A及第二保護材料32A分別對應於本發明的「第一功能液」及「第二功能液」。第一保護材料31A及第二保護材料32A是後述的液狀材料111(參考圖2、圖3)的一種。
(C、液滴噴出裝置的整體結構)接著利用圖2說明液滴噴出裝置331的整體結構。圖2所示的液滴噴出裝置331是基本用於噴出液狀材料111(第一保護材料31A)的噴墨裝置。更具體地說，液滴噴出裝置331包括保持液狀的材料111的液體箱101；管道110；地基板GS；噴頭部103；底板106；第一位置控制裝置104；第二位置控制裝置108；控制部112及支持部104a。而且，因為除了噴出的材料是第二保護材料32A之外，另一個液滴噴出裝置332的結構及功能與液滴噴出裝置331的結構及功能基本相同，所以省略液滴噴出裝置332的結構及功能的說明。
噴頭部103保持頭部114(參考圖3)。該頭部114對應於來自控制部112的信號噴出液狀的材料111的液滴。而且，噴頭部103的頭部114通過管道110連接在液體箱101上，因此，從液體箱101向頭部114提供液狀的材料111。
底板106提供用於固定基體11的平面。而且底板106還具有利用引力固定基體11的位置的功能。
第一位置控制裝置104通過支持部104a被固定在離地基板GS的規定的高度位置上。該第一位置控制裝置104具有對應於來自控制部112的信號，使噴頭部103沿著X軸方向、與X軸方向正交的Z軸方向移動的功能。而且，第一位置控制裝置104還有使噴頭部103在與Z軸平行的軸周圍旋轉的功能。此處，在本實施方式中，Z軸方向是與鉛直方向(即，重力加速度的方向)平行的方向。
第二位置控制裝置108對應於來自控制部112的信號，使底板106在地基板GS上在Y軸方向上移動。此處，Y軸方向是與X軸方向及Z軸方向的兩方向都正交的方向。
可以通過使用利用了直線電動機或伺服電動機的公知的XY機器人來實現具有上述功能的第一位置控制裝置104的結構與第二位置控制裝置108的結構。因此，此處省略了其詳細的結構的說明。
如上所述，通過第一位置控制裝置104，噴頭部103在X軸方向上移動。而且，通過第二位置控制裝置108，基體11與底板106共同在Y軸方向上移動。其結果是頭部114的對於基體11的相對位置發生變化。更具體地說，通過這些動作，噴頭部103、頭部114、還有噴嘴118(參考圖3)對於固定在底板106上的基體11，在Z軸方向上保持了規定的距離，並且在X軸方向及Y軸方向上相對移動，即相對掃描。「相對移動」或「相對掃描」表示噴出液狀的材料111的一側、與噴出物到達側(被噴出部)的至少一方對於另一方相對移動。
構成控制部112使得從外部信息處理裝置接收噴出數據，所述噴出數據表示應該噴出液狀的材料111的液滴的相對位置。控制部112將接收的噴出數據保存在內部的存儲裝置，並對應於保存的噴出數據，控制第一位置控制裝置104、第二位置控制裝置108及頭部114。而且，噴出數據是用於將液狀的材料111以規定模式施加在基體11上的數據。在本實施方式中，噴出數據具有位圖數據的形式。
具有上述結構的液滴噴出裝置331對應於噴出數據，使頭部114的噴嘴118(參考圖3)對於基體11相對移動，並面向被噴出部從噴嘴118噴出液狀的材料111。
而且，所謂的用噴墨法形成層、膜或膜板，就是利用液滴噴出裝置331這樣的裝置在規定的物體上形成層、膜或膜板。
(D、頭部)如圖3(a)及(b)所示，液滴噴出裝置331的頭部114是具有多個噴嘴118的噴墨頭。具體地說，頭部114包括振動板126及確定噴嘴118的開口的噴嘴板128。並且，液池129位于振動板126與噴嘴板128之間，該液池129時常填充有通過孔131從圖中未示出的外部箱提供的液狀的材料111。
另外，多個隔壁122也位於在振動板126與噴嘴板128之間。而且，通過振動板126、噴嘴板128及一對的隔壁122所圍起來的部分形成空腔120。因為與噴嘴118相對應地設置了空腔120，所以空腔120的數目與噴嘴118的數目相同。在空腔120上，通過位於一對隔壁122之間的供給口130，從液池129提供液狀的材料111。而且，在本實施方式中，噴嘴118的直徑大約是27μm。
對應於各自的空腔120，各自的振子124位于振動板126上。各自的振子124包括壓電單元124C及夾著壓電單元124C的一對電極124A、124B。控制部112通過在該一對電極124A、124B之間施加驅動電壓，從對應的噴嘴118噴出液狀的材料111的液滴。此處，從噴嘴118噴出的材料的體積在0p1以上到42p1(皮升)以下之間可以變化。而且，調整噴嘴118的形狀，使得從噴嘴118在Z軸的方向上噴出液狀的材料111的液滴D。
在本說明書中，也將包括了一個噴嘴118、與噴嘴118相對應的空腔120及與空腔120相對應的振子124的部分標記為「噴出部127」。根據該標記，一個頭部114具有數目與噴嘴118相同的噴出部127。噴出部127可以具有電熱變換單元，來代替壓電單元。即，噴出部127可以具有通過電熱變換單元利用材料的熱膨脹來噴出材料的結構。
(E、控制部)然後說明控制部112的結構。如圖4所示，控制部112包括輸入緩衝存儲器200；存儲裝置202、處理部204、掃描驅動部206及頭部驅動部208。輸入緩衝存儲器200與處理部204可以相互通信地連接在一起。處理部204、存儲裝置202、掃描驅動部206及頭部驅動部208通過圖中未示出的線路可以相互通信地連接在一起。
掃描驅動部206與第一位置控制裝置104及第二位置控制裝置108可以相互通信地連接在一起。同樣地，頭部驅動部208與頭部114可以相互通信地連接在一起。
輸入緩衝存儲器200從位於液滴噴出裝置331的外部的外部信息處理裝置(未圖示)接收用於噴出液狀的材料111的液滴的噴出數據。輸入緩衝存儲器200將噴出數據提供給處理部204，處理部204將噴出數據保存在存儲裝置202中。在圖4中，存儲裝置202是RAM。
處理部204基於存儲裝置202的噴出數據，將表示對於被噴出部的噴嘴118的相對位置的數據提供給掃描驅動部206。掃描驅動部206將對應於該數據與噴出周期的底板驅動信號提供給第一位置控制裝置104及第二位置控制裝置108。其結果是噴頭部103的對於被噴出部的相對位置發生變化。另一方面，處理部204基於存儲在存儲裝置202中的噴出數據，將液狀的材料111的噴出所必要的噴出信號提供給頭部114。其結果是從頭部114的對應的噴嘴118噴出液狀的材料111的液滴D。
控制部112是包括CPU、ROM、RAM、線路的電腦。因此，控制部112的上述功能是通過電腦執行軟體程序來實現的。當然控制部112也可以通過專用的迴路(硬體)來實現。
(F、液狀的材料)所謂上述的「液狀的材料111」是指從頭部114的噴嘴118作為液滴噴出的具有粘度的材料。此處，液狀的材料111並不限於水性或油性。只要具有可以從噴嘴118噴出的流動性(粘度)就可以，即使混入了固體物質但整體是流動體也可以。此處，液狀的材料111的優選的粘度是1mPa·s以上50mPa·s以下。在粘度為1mPa·s以上的情況下，在噴出液狀的材料111的液滴D時，噴嘴118的周圍部難以被液狀的材料111汙染。另一方面，在粘度為50mPa·s以下的情況下，噴嘴118的阻塞頻率小，因此可以實現圓滑地噴出液滴D。並且，「液狀的材料111」因為在被提供到被噴出部之後發揮固定的作用，所以也被稱為「功能液」。
在本實施方式中使用的第一保護材料31A及第二保護材料32A是滿足上述條件的液狀的材料111。第一保護材料31A及第二保護材料32A是相同的材料，並含有抗蝕劑，使用N-甲基-2-吡咯烷酮作為溶劑。如果使從頭部114的噴嘴118向被噴出部噴出的第一保護材料31A及第二保護材料32A乾燥，則溶劑蒸發。其結果是在被噴出部上形成了由抗蝕劑構成的第一保護層31及第二保護層32。另外，可以利用抗蝕劑剝離用的藥液來剝離第一保護層31及第二保護層32。
對於第一保護材料31A及第二保護材料32A，除了在本實施方式中使用的N-甲基-2-吡咯烷酮之外，還可以利用各種的溶劑。例如，除了水之外，還可以列舉出甲醇、乙醇、丙醇及丁醇等的醇類；正庚烷、正辛烷、癸烷、甲苯、二甲苯、甲基異丙基苯、暗煤、茚、二戊烯、四氫萘、十氫萘、環己基苯等的碳氫化合物；或乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、雙(2-甲氧基乙基)醚、對二環氧乙烷等的醚類化合物、而且，丙烯碳酸酯、γ-丁內酯、二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、環己酮、乙酸乙酯、乳酸丁酯等的極性化合物。
另外，對於保護材料30A，不包括溶劑，可以使用所謂的無溶劑類的材料。具體地說，可以列舉出聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸羥乙酯、聚甲基丙烯酸環己酯等的丙烯酸類樹脂；聚二乙二醇雙烯丙基碳酸酯、聚碳酸酯等的烯丙基類樹脂；甲基丙烯酸樹脂；聚氨基甲酸乙酯類樹脂；聚酯類樹脂；聚氯乙烯類樹脂；聚乙酸乙烯類樹脂；纖維素類樹脂；聚醯胺類樹脂、氟類樹脂；聚丙烯類樹脂；聚苯乙烯類樹脂等的熱可塑性或熱硬化性的樹脂，可以使用這其中的一種、或混合的多種。
(G、基板的製造方法)
然後，參考圖1、及從圖5到圖11，對於使用了包括上述的液滴噴出裝置331、332的製造裝置2的彈性表面波振子1的製造方法進行說明。
首先，利用公知的成膜技術與布圖技術，在水晶晶片50上形成包括由鋁薄膜製成的導通墊21、IDT22及反射器23的SAW模板51；連接線52及接線柱53，來製造基體11(參考圖5)。導通墊21、IDT22、反射器23、連接線52及接線柱53通過一次的鋁薄膜形成工序可以同時成膜。圖6(a)是著眼於具有基體11的多個SAW模板51中的一個的示意圖，圖9(a)是用圖6(a)中的A-A線截斷基體11時的截面圖。
形成SAW模板51的基體11被送入圖1所示的製造裝置2中，通過傳送裝置300被傳送到清洗裝置310。此處，通過純水超聲波清洗法、或UV清洗法等，進行基體11的表面的清洗。
經過清洗工序的基體11通過傳送裝置300被傳送到加熱裝置320。在此處加熱基體11到50℃。可以考慮各種方法作為加熱基體11的方法，此處，利用將溫度可調的恆溫槽的槽內溫度設定為50℃，將基體11放置在其中一定時間的方法。
然後，基體11通過傳送裝置300被傳送到液滴噴出裝置331的底板106上。而且，如圖9(b)所示，液滴噴出裝置331從頭部114的噴出部127噴出第一保護材料31A。此處，因為從通過上述的加熱裝置320加熱基體11，到在基體11上噴出第一保護材料31A的時間很短，所以噴出第一保護材料31A時的基體11的溫度依然保持在大約50℃。
在基體11上的全部保護區域形成了第一保護材料31A的層時，傳送裝置300將基體11傳送到乾燥裝置341內。然後，乾燥裝置341使基體11上的第一保護材料31A完全乾燥。對於該乾燥，使用的方法是將基體11放置在120℃的環境下30分鐘。在該過程中，第一保護材料31A中的溶劑蒸發，如圖9(c)所示，在噴出第一保護材料31A的區域上，形成了由包含在第一保護材料31A中的抗蝕劑形成的第一保護層31。這樣得到的第一保護層31具有圍牆狀的隔壁部33，該隔壁部33比與隔壁部33一體形成的襯底膜34的厚度還高(參考圖7)。這裡，本文所稱的「圍牆狀」是指呈現出圍繞某一圖形封閉的曲線或折線的形狀。
第一保護層31的隔壁部33比襯底膜34的厚度還高的理由如下所述。圖11(a)表示在導通墊21上施加的乾燥前的第一保護材料31A。在第一保護材料31A的上部，存在很多第一保護材料31A中的溶劑氣化的氣體35。因此，對於第一保護材料31A的側面附近，第一保護材料31A的周圍的溶劑的蒸汽壓力在上部更高。因此，如圖11(b)中的箭頭36所示，溶劑主要從第一保護材料31A的側面氣化出去。而且，第一保護材料31A內的溶劑向區域37移動(箭頭38)，使得去填補從第一保護材料31A的側面附近的區域37氣化的溶劑。在該溶劑的移動時，被包含在第一保護材料31A中的抗蝕劑也同時向區域37移動(箭頭38)。由此，由從側面附近的區域37的溶劑的氣化，與向區域37的溶劑及抗蝕劑的移動形成了一個循環，到第一保護材料31A乾燥為止，重複進行上述循環。這樣，如圖11(c)所示，在抗蝕劑偏向與區域37相對應的隔壁部33的狀態下來乾燥第一保護材料31A，其結果是，形成了如圖7所示的圍牆狀的隔壁部33比襯底膜34的厚度還高的第一保護層31。
此處，如圖7(a)所示的隔壁部33的高度a與襯底膜34的厚度b的比率a/b，根據基體11的溫度或溶劑的沸點而變化。首先，如果基體11的溫度高，則比率a/b變大。推測該原因是因為施加在高溫的基體11上的第一保護材料31A被保持在與基體11的溫度大致相等的溫度，所以作為液體的粘度下降，到第一保護材料31A乾燥為止，上述的循環的箭頭38的移動速度變高。其結果是，因為在乾燥時的抗蝕劑向第一保護材料31A的隔壁部33的偏離變大，所以比率a/b變大。另外，在溶劑的沸點高時，比率a/b也變大。推測該原因是如果溶劑的沸點高，因為包含在第一保護材料31A中的溶劑難以氣化，所以到第一保護材料31A乾燥為止，上述的循環的進行箭頭38的移動的時間增加。其結果是，因為在乾燥時的抗蝕劑向第一保護材料31A的隔壁部33的偏離變大，所以比率a/b變大。
此處，利用圖6(b)及圖7，對於通過液滴噴出裝置331應該噴出第一保護材料31A的保護區域，即，對於應該形成保護膜30的保護區域進行說明。圖6(b)是在形成了第一保護層31的狀態的基體11中，著眼於一個SAW模板的示意圖，而且，圖6(b)中的斜線部表示形成第一保護層31的區域。圖7(b)是將圖6(b)中的導通墊21附近放大的示意圖。圖7(a)是用圖7(b)中的C-C線截斷基體11時的截面圖。保護區域相當於在圖6(b)及圖7中形成第一保護層31的區域。更詳細地說，保護區域是在導通墊21的表面上的，除去導通墊21的外緣部的區域。如前所述，該區域是用於連接外部配線的區域，並且是在後述的陽極氧化工序中，事先不形成絕緣層40(參考圖10(c))而最好維持表面的導電性的區域，相當於本發明的「(基體)表面的具有導電性的部位的一部分」。
而且，為了實現連接外部配線的目的，圖6(b)及圖7所示的保護區域是事先應該確保最低限的區域，而不是表示能夠取得的保護區域的範圍的上限。在與應該形成絕緣層40的區域無關的範圍內可以擴大保護區域。例如，越過導通墊21的區域，可以涉及到水晶晶片50。但是，利用液滴噴出裝置331的第一保護層31的形成方法的優點是可以減少第一保護材料31A的使用量，為了最大限度地發揮上述優點，最好將如圖6(b)及圖7所示的區域作為保護區域。
如圖7所示，這樣在保護區域上形成的第一保護層31由圍牆狀的隔壁部33，與平坦的襯底膜34構成，所述襯底膜34與該隔壁部33形成一體，被配置在由隔壁部33圍成的區域。另外，隔壁部33變得比襯底膜34的厚度還高。在後述的陽極氧化工序中，陽極氧化液不會從第一保護層31的外周側滲入到導通墊21與第一保護層31的分界面，這樣充分確保隔壁部33的高度的第一保護層31對於陽極氧化具有足夠的強度(密接的強度)。
在表面上形成第一保護層31的基體11通過傳送裝置300被傳送到液滴噴出裝置332的底板106上。然後，如圖9(d)所示，液滴噴出裝置332從頭部114的噴出部127噴出第二保護材料32A，使得在由第一保護層31上的隔壁部33圍成的區域上形成第二保護材料32A的層。
在第一保護層31上的由隔壁部33圍成的全部區域上形成了第二保護材料32A的層時，傳送裝置300將基體11傳送到乾燥裝置342內。然後，乾燥裝置342使基體11上的第二保護材料32A完全乾燥。對於該乾燥，使用的方法是將基體11放置在120℃的環境下30分鐘。在該過程中，第二保護材料32A中的溶劑蒸發，如圖10(a)所示，在噴出第二保護材料32A的區域上，形成了由包含在第二保護材料32A中的抗蝕劑形成的第二保護層32。由第一保護層31及第二保護層32合成的是保護膜30，以下，將在表面上形成保護膜30的、且處於進行絕緣化處理之前的階段的基體11稱為「絕緣化處理前基板」。
圖8表示具有由第一保護層31及第二保護層32構成的保護膜30的基體11的一部分。圖8(b)是放大了該基體11的導通墊21附近的示意圖，圖8(a)是用圖8(b)中的D-D線截斷基體11時的截面圖。保護膜30是由覆蓋所述的保護區域整體而配置的第一保護層31；及在第一保護層31的襯底膜34上，以加強其的形態配置的第二保護層32構成，在整個表面上具有足夠的厚度。因此，在後述的陽極氧化工序中，襯底膜34難以脫離。另外，在後述的絕緣化處理工序中，即使萬一陽極氧化液55(參考圖12)滲入到第一保護層31與第二保護層32的間隙內，因為該陽極氧化液55被第一保護層31的表面遮蓋而達不到基體11的表面，所以保護膜30也依然具有保護基體11的表面的功能。
另外，在通過液滴噴出裝置332將第二保護材料32A施加在第一保護層31上時，第一保護層31的隔壁部33具有防止第二保護材料32A流出到保護區域以外的作用。因此，關於第二保護材料32A的噴出位置精度，液滴噴出裝置332最好具有將第二保護材料32A噴出到由隔壁部33圍成的區域的精度。
在保護區域上形成了由第一保護層31及第二保護層32構成的保護膜30的基體11(即絕緣化處理前基板12)通過傳送裝置300被傳送到陽極氧化裝置350。圖12表示陽極氧化裝置350的示意圖。陽極氧化裝置350由槽54、陽極氧化液55、電源56、陰極57及夾子58構成。在槽54中裝入了陽極氧化液55，在陽極氧化液55中浸有連接到電源56的負極的陰極57。另外，電源56的正極連接到夾子58上，夾子58保持浸在陽極氧化液55中的基體11上的接線柱53。如圖5所示，基體11上的接線柱53是由連接線52、導通墊21、IDT22及反射器23一體形成的鋁薄膜。此處，基體11上的全部的SAW模板51浸在陽極氧化液55中。
在這樣的結構的陽極氧化裝置350中，將陰極57作為陰極，基體11側作為陽極，通過從電源56流過電流來進行陽極氧化。在本實施方式中，為了通過陽極氧化在鋁薄膜的表面上形成無孔性的氧化膜，使用了磷酸鹽的溶液或硼酸鹽的溶液的混合液。此外，也可以使用檸檬酸鹽或己二酸鹽等的中性左右的鹽的溶液。另外，為了避免成為多孔性的氧化膜，液體溫度最好是室溫左右，例如，在使用硼酸鹽的溶液時，最好在20℃到30℃左右。
如圖10(b)所示，通過在這樣的條件下進行陽極氧化，在IDT22的表面、反射器23的表面、及導通墊21的表面上，形成了由具有與施加電壓大致成比例的厚度的鋁氧化膜構成的絕緣層40。但是，在導通墊21的表面上，形成保護膜30的區域，即保護區域由於沒有接觸陽極氧化液55而沒有形成絕緣層40。由此，保護膜30對於陽極氧化保護導通墊21的表面。
保護膜30的對於陽極氧化的密接的強度根據第一保護層31的上述的比率a/b而變化。為了使保護膜30對於陽極氧化具有足夠的密接的強度，比率a/b優選的是2以上，且10以下。如果比率a/b在2以上，則因為保護膜30的外緣部具有足夠的厚度(第一保護層31的隔壁部33的高度)，所以陽極氧化液55不會從保護膜30的外周側滲入到導通墊21與保護膜30的分界面。因此，不會在導通墊21的保護區域上形成絕緣層40。另外，如果比率a/b在10以下，則第一保護層31的襯底膜34具有某一程度的厚度b。因此，即使萬一陽極氧化液55滲入到第一保護層31與第二保護層32的間隙內，因為該陽極氧化液被第一保護層31的表面遮蓋而達不到基體11的表面，所以也不會在導通墊21的保護區域上形成絕緣層40。
根據發明人的實驗，在通過所述的加熱裝置320的基體11的加熱工序中，如果基體11的加熱溫度下降到30℃左右，則第一保護層31的所述的比率a/b有達不到2的情況。另外，如果基體11的加熱溫度上升到120℃以上，則比率a/b有超過10的情況。因此，加熱裝置320的基體11的加熱溫度最好在30℃以上且120℃以下。而且，基體11的加熱溫度在40℃以上且60℃以下時，認識到保護膜30的對於陽極氧化的強度變得最高。在本實施方式中，在加熱裝置320的加熱工序中，因為基體11被加熱到50℃，所以保護膜30具有對於陽極氧化的足夠的強度。具體地說，陽極氧化液55不會滲入到保護膜30(第一保護層31)與導通墊21的分界面，而在保護區域的一部分上形成絕緣層40。另外第一保護層31的襯底膜34具有一定的厚度，即使萬一陽極氧化液55滲入到第一保護層31與第二保護層32的間隙內，該陽極氧化液被第一保護層31的表面遮蓋而達不到基體11的表面。由此，基體11上的全部的保護區域得到保護而不被陽極氧化。
在IDT22的表面、反射器23的表面、及導通墊21的表面的一部分上形成了絕緣層40的基體11通過傳送裝置300被傳送到剝離裝置360。剝離裝置360使用規定的藥液剝離在基體11上的保護區域形成的由抗蝕劑構成的保護膜30。由此，導通墊上的保護區域再次變成具有導電性的鋁露出的狀態，形成適宜外部配線的連接的結構。而且，根據用於保護膜30的抗蝕劑的種類，在通過所述加熱裝置320的加熱工序中，基體11如果被加熱到比120℃還高的溫度，則會出現難以剝離的情況。從這點也希望加熱工序的基體11的加熱溫度在120℃以下。
這樣，得到了在基體11的表面上的規定範圍形成了絕緣層40的、包括多個彈性表面波振子1的基板。根據本實施方式的基板的製造方法，第一保護層31具有比襯底膜34的厚度還高的隔壁部33；第二保護層32被配置在由隔壁部33圍成的區域，通過使用配有由所述第一保護層31及第二保護層32形成的保護膜30的絕緣化處理前基板12，能夠製造只對基板表面上的所希望的範圍進行絕緣化處理並形成絕緣層40的基板。
(H、彈性表面波振子的製造方法)將通過上述方法製造出的基板分別分割成包括一個SAW模板51的小片，由此得到圖6(c)及圖10(c)所示的彈性表面波振子1。該彈性表面波振子1作為利用彈性表面波的反射鎖定彈性表面波的能量的諧振器發揮作用。該彈性表面波振子1因為導通墊21上的保護區域變成具有導電性的鋁露出的狀態，所以可以容易且確切地連接外部配線。因此，難以發生由於外部配線的連接不良而導致的不便。另外，因為IDT22的表面、反射器23的表面、及導通墊21的表面的一部分被通過對鋁薄膜的表面進行氧化而形成的絕緣層40所覆蓋，所以在配置了IDT22或反射器23的區域上即使附著了導電性異物等也不會產生不便。由此，根據包括本實施方式的基板的製造方法的彈性表面波振子的製造方法，可以製造可靠性高的彈性表面波振子1。
另外，本實施方式的基板的製造方法除了適用於作為諧振器發揮作用的彈性表面波振子的製造方法之外，還適用於以具有頻率選擇功能的彈性表面波振子為首的各種的彈性表面波振子的製造方法。
(I、彈性表面波裝置)上述的彈性表面波振子1可以作為組裝在各種裝置中的彈性表面波裝置來使用。圖13(a)是振蕩器60的側視截面圖；圖13(b)是振蕩器60的平面截面圖。振蕩器60由箱體61、基部62、集成電路63、配線64、金屬絲65、66及彈性表面波振子1構成。在基部62的上表面，安裝了用於驅動彈性表面波振子1的集成電路63，另外，對用於電連接彈性表面波振子1與集成電路63的配線64進行了布圖。彈性表面波振子1與配線64、及配線64與集成電路63，分別通過金屬線等製成的金屬絲65、66電連接在一起。此處，在導通墊21上的鋁露出的區域，即保護區域上，通過引線接合法將彈性表面波振子1與金屬絲65連接在一起。箱體61覆蓋並密封基部62、及配置在基部62上的全部部件。
因為彈性表面波振子1的導通墊21上的保護區域成為了具有導電性的鋁露出的狀態，所以本實施方式的振蕩器60可以容易且確切地連接彈性表面波振子1與金屬絲65。因此，難以發生由於金屬絲的連接不良而導致的不便。另外，因為通過絕緣層40覆蓋了彈性表面波振子1上的IDT22及反射器23，所以即使假設箱體61內混入了導電性異物，該導電性異物等附著在IDT22或反射器23上，也不會產生不便。由此，通過在彈性表面波裝置上使用本實施方式的彈性表面波振子，可以實現高可靠性。
並且，本實施方式的彈性表面波振子除了適用于振蕩器60以外，還適用於以頻率濾波器為首的各種彈性表面波裝置。
(J、電子設備)然後，對於在電子設備上使用上述的彈性表面波裝置的例子進行說明。圖14是將作為彈性表面波裝置的振蕩器60組裝進內部的手機500的模示圖。該手機500由於配有具有高可靠性的振蕩器60，所以可以長時間維持適當的工作。本實施方式的彈性表面波裝置除了適用於手機500以外，還可以適用於以個人計算機、便攜型電子終端及鐘錶等為首的各種電子設備。
以上雖然對於本發明的實施方式進行了說明，但是對於上述實施方式，在沒有脫離本發明的主旨的範圍內可以增加各種變形。作為變形例可以考慮例如以下的例子。
(變形例一)為了形成隔壁部33比襯底膜34的厚度高的第一保護層31，上述實施方式包括用加熱裝置320加熱基體11的工序；和利用液滴噴出裝置331將第一保護材料31A噴出到基體11上的工序，但也可以包括利用液滴噴出裝置331將溶劑的沸點在170℃以上、且250℃以下的第一保護材料31A施加到基體11上的工序，來代替上述工序。這是基於除了提高基體11的溫度以外，通過提高第一保護材料31A的溶劑的沸點，也可以擴大比率a/b的變形例。根據發明人的實驗認識到即使在沒有加熱基體的情況下，在第一保護材料31A的溶劑的沸點在170℃以上、且250℃以下時，也可以形成保護膜30，該保護膜30配有具有比襯底膜34的厚度高的隔壁部33的第一保護層31，且對於陽極氧化具有足夠的強度(密接的強度)。
在本變形例的基板的製造方法中，通過清洗裝置310清洗的基體11沒有經過加熱裝置320的加熱工序就被傳送到液滴噴出裝置331，並被施加了溶劑的沸點在170℃以上、且250℃以下的第一保護材料31A。除去這點，本變形例與上述的實施方式基本相同。根據本變形例，因為省去了基體11的加熱工序，所以可以縮短基板的製造工序。
而且，本變形例在使用溶劑的沸點在170℃以上、且250℃以下的第一保護材料31A時，並沒有表示必須省略加熱裝置320的加熱工序的意思。在通過加熱裝置320加熱基體11之後，施加溶劑的沸點在170℃以上、且250℃以下的第一保護材料31A的情況下，可以更容易地形成具有比襯底膜34的厚度高的隔壁部33的第一保護層31。
(變形例二)在上述實施方式中，被包括在保護膜30中的第一保護層31雖然由圍牆狀的隔壁部33；和與該隔壁部33一體形成的襯底膜34構成，但是也可以不用襯底膜34。利用圖15說明該變形例。圖15是表示在表面上具有保護膜30的基體11的一部分的示意圖，所述保護膜30由以下部分構成只由配置在保護區域的外緣部的圍牆狀的隔壁部33構成的第一保護層31；和被配置成被埋入由該隔壁部圍成的區域內的第二保護層32。圖15(b)是該基體11的導通墊21附近的放大圖，圖15(a)是用圖15(b)中的E-E線截斷基體11時的截面圖。這樣，在陽極氧化工序中，陽極氧化液55不會從第一保護層31的外周側滲入到導通墊21與第一保護層31的分界面，具有不用襯底膜只由隔壁部33構成的第一保護層31的保護膜30，對於陽極氧化也具有足夠的強度(密接的強度)。
此處，隔壁部33不僅可以被配置在外緣部，還可以被配置在保護區域的內部。圖16(b)是表示這樣的配置的一個例子的俯視圖，圖16(a)是用圖16(b)中的F-F線截斷基體11時的截面圖。圖16中的第一保護層31具有隔壁部33，而沒有襯底膜，所述隔壁部33被配置在保護區域的外緣部與將該外緣部圍成的區域分成兩部分的線上，可以說是形成「日」字狀。而且，通過該第一保護膜31；和被配置成被埋入由第一保護膜31的隔壁部33圍成的區域內的第二保護層32，構成了保護膜30。在陽極氧化工序中，陽極氧化液55不會從第一保護層31的外周側滲入到導通墊21與第一保護層31的分界面，這樣的保護膜30對於陽極氧化也具有足夠的強度(密接的強度)。而且，通過「日」字狀的隔壁部33，由於應該配置第二保護層32的區域被細分，所以可以更加穩定地形成第二保護層32。
在根據本變形例的基板製造方法中，在利用液滴噴出裝置331噴出第一保護材料31A時，噴出到應該形成上述隔壁部33的位置，沒有噴出到其他區域。根據該製造方法，在通過乾燥裝置341乾燥第一保護材料31A時，形成了只由上述的隔壁部33構成的第一保護層31。除去這點，本變形例與上述的實施方式基本相同。
(變形例三)在上述的實施方式中，雖然使用了陽極氧化法來作為用於使鋁薄膜的表面絕緣化的處理，但該絕緣化處理只要是在基體11的表面上可以形成具有絕緣性的層，可以使用任何方法。例如，除了陽極氧化法之外，也可以使用熱氧化法，該方法將基體11裝入密封了氧氣等的氣體的處理室，通過加熱在基體11的表面上形成氧化膜。根據這樣的包括絕緣化處理的基板的製造方法，可以製造只在基板表面上的所希望的範圍內形成絕緣層40的基板。
(變形例四)在上述的實施方式中，雖然通過作為加熱裝置320的恆溫槽來加熱基體11，但是基體11的加熱方法除此之外，只要是在基體11上施加第一保護材料31A時，將基體11加熱到規定溫度，任何方法都可以。例如，可以採用這樣的方式在液滴噴出裝置331的底板106上設置基體加熱單元，通過該基體加熱單元加熱被傳送到底板106的基體11。另外，也可以採用這樣的方式在液滴噴出裝置331上設置可以加熱底板106的位置的燈等的熱放射裝置，通過該熱放射裝置加熱被傳送到底板106的基體11。根據這樣的包括加熱工序的基板的製造方法，保護膜30具有對於襯底膜34、隔壁部33相對較厚的第一保護層31，利用該保護膜30可以製造只在基板表面上的所希望的範圍內形成絕緣層40的基板。
(變形例五)上述實施方式雖然包括了通過加熱裝置320來加熱基體11的加熱工序，但是只要滿足可以在具有隔壁的狀態下乾燥第一功能液31A的條件，可以省掉該加熱工序。作為上述條件的例子，可以列舉出使用的第一功能液的溶劑的沸點在170℃以上、且250℃以下；使用流動性高的第一功能液的溶劑；並且，是在第一功能液的溶劑的蒸汽壓力高的氣氛下進行第一功能液的乾燥，還是在氣氛的對流少的環境下進行，或者將其組合起來進行等。
(變形例六)在上述的實施方式中，基於在水晶晶片50上形成鋁薄膜的基體11來製造基板，除此之外，只要是具有在表面上具有導電性的部位的基體，可以基於任何基體來製造。例如，可以使用表面上具有金屬配線的矽晶片等作為基體。在使用這樣的基體的情況下，也可以製造只在基板表面上的所希望的範圍內形成絕緣層的基板。
(變形例七)在上述的實施方式中，兩個不同的液滴噴出裝置331、332分別噴出第一保護材料31A及第二保護材料32A。也可以形成如下的結構來代替這樣的結構一個液滴噴出裝置(例如液滴噴出裝置331)噴出所有的液狀材料，即第一保護材料31A及第二保護材料32A。在這種情況下，這些液狀材料可以從液滴噴出裝置331上的各自的噴嘴118噴出，也可以從液滴噴出裝置331上的一個噴嘴118噴出。在從一個噴嘴118噴出這兩種液狀材料的情況下，在切換液狀材料時，可以追加清洗從液體箱101到噴嘴118的路徑的工序。但在第一保護材料31A及第二保護材料32A相同的情況下，不需要上述的清洗工序。在這種情況下，可以進一步簡化基板的製造裝置，並可以更加縮短基板的製造工序。
(變形例八)在上述的實施方式中，雖然使用了液滴噴出裝置331、332來噴出保護材料31A、32A，但也可以使用能夠定量噴出液狀材料的裝置來代替上述裝置。具體地說，可以使用通過活塞壓出密封在注射器內的液狀材料，通過噴嘴分配器噴出的分配器等。
權利要求
1.一種絕緣化處理前基板，具有用於防止表面的具有導電性的部位的一部分被絕緣化處理的保護膜，其特徵在於，具有基體，其在表面上包括具有導電性的部位；和保護膜，其以在所述基體表面上覆蓋所述具有導電性的部位的一部分的狀態進行配置，所述保護膜具有具有圍牆狀的隔壁部的第一保護層；和埋入由所述圍牆狀的隔壁部圍成的區域而配置的第二保護層。
2.根據權利要求1所述的絕緣化處理前基板，其特徵在於，所述第一保護層由所述圍牆狀的隔壁部、和與所述圍牆狀的隔壁部形成為一體且被配置在由該圍牆狀的隔壁部圍成的區域內的襯底膜構成。
3.根據權利要求2所述的絕緣化處理前基板，其特徵在於，所述第一保護層中的所述圍牆狀的隔壁部的高度是所述襯底膜的厚度的兩倍以上且十倍以下。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的絕緣化處理前基板，其特徵在於，由相同材料形成所述第一保護層與所述第二保護層。
5.根據權利要求4所述的絕緣化處理前基板，其特徵在於，所述第一保護層的材料及所述第二保護層的材料是抗蝕劑。
6.一種基板的製造方法，通過對基體表面的除了具有導電性的部位的一部分之外的區域進行絕緣化處理來製造基板，其特徵在於，包括第一工序，對在表面上包括具有導電性的部位的基體上施加第一功能液；第二工序，通過對所述第一功能液進行乾燥，在所述基體上形成具有圍牆狀隔壁部的第一保護層；第三工序，對由所述隔壁部圍成的區域施加第二功能液；第四工序，對所述第二功能液進行乾燥而形成第二保護層，在所述基體上，將由所述第一保護層和所述第二保護層構成的保護膜以覆蓋所述具有導電性的部位的一部分的狀態形成；第五工序，對包括所述基體和所述保護膜的絕緣化處理前基板的表面進行絕緣化處理；第六工序，剝離所述保護膜。
7.根據權利要求6所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述第一功能液包含沸點在170℃以上且250℃以下的溶劑。
8.根據權利要求6或7所述的基板的製造方法，其特徵在於，在所述第一工序之前包括對所述基體進行加熱的工序。
9.根據權利要求6至8中任一項所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述絕緣化處理包括基於陽極氧化法的處理。
10.根據權利要求6至8中任一項所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述第一保護層由所述圍牆狀的隔壁部、和與所述圍牆狀的隔壁部形成為一體且被配置在由所述隔壁部圍成的區域內的襯底膜構成。
11.根據權利要求10所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述第一保護層中的所述圍牆狀的隔壁部的高度是所述襯底膜的厚度的兩倍以上且十倍以下。
12.根據權利要求6或8所述的基板的製造方法，其特徵在於，在對所述基體進行加熱的工序中，將所述基體加熱至30℃以上且120℃以下的溫度。
13.根據權利要求6或8所述的基板的製造方法，其特徵在於，在對所述基體進行加熱的工序中，將所述基體加熱至40℃以上且60℃以下的溫度。
14.根據權利要求6至13中任一項所述的基板的製造方法，其特徵在於，由相同材料構成所述第一功能液和所述第二功能液。
15.根據權利要求14所述的基板的製造方法，其特徵在於，所述第一功能液及所述第二功能液含有抗蝕劑。
16.一種彈性表面波振子的製造方法，其包括如權利要求6至15中任一項所述的基板的製造方法。
17.一種彈性表面波振子，其由如權利要求16所述的製造方法製造。
18.一種彈性表面波裝置，其具備如權利要求17所述的彈性表面波振子。
19.一種電子設備，其具備如權利要求18所述的彈性表面波裝置。
全文摘要
本發明提供一種具備對絕緣化處理具有足夠的密接強度的保護膜的絕緣化處理前基板，及基體表面的僅所希望的範圍被絕緣化處理的基板的製造方法。基板的製造方法包括對基體(11)表面的具有導電性部位的一部分施加功能液並進行乾燥，從而形成具有圍牆狀的隔壁部(33)的第一保護層(31)的工序；對由該隔壁部圍成的區域施加第二功能液並進行乾燥，從而形成第二保護層(32)，在基體(11)的表面上形成具有第一保護層(31)和第二保護層(32)的保護膜(30)的工序；對具有基體(11)及保護膜(30)的絕緣化處理前基板(12)(圖10a)的表面進行絕緣化處理的工序(圖10b)；剝離保護膜(30)的工序。
文檔編號H03H3/08GK1816245SQ200610006248
公開日2006年8月9日 申請日期2006年1月24日 優先權日2005年2月4日
發明者長谷井宏宣 申請人:精工愛普生株式會社