一種側蝕小的銅蝕刻液的製作方法
2023-04-22 17:39:36
本發明涉及半導體加工
技術領域：
，特別涉及一種側蝕小的銅蝕刻液。
背景技術：
：蝕刻就是用化學方法按一定的深度除去不需要的金屬。蝕刻技術被廣泛用在裝飾、電路板、精密加工和電子零件加工等領域。蝕刻開始時，金屬板表面被圖形所保護，其餘金屬面均和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進行。當金屬表面被蝕刻到一定深度後，裸露的兩側出現新的金屬面，這時蝕刻液除向垂直方向還向兩側進行蝕刻。隨著蝕刻深度的增加，兩側金屬面的蝕刻的面積也在加大。側蝕最後導致的結果是使凸面的圖形(泛指陽圖)線條或網點變細變小，凹圖的線條或網點變粗變大，使圖形變形或尺寸超差，嚴重時使產品報廢。所以側蝕是蝕刻中的大敵。目前市場上大部分金屬銅蝕刻液存在側蝕較大、形成大量泡沫或穩定性較差等問題。本發明就是為了提供一種新的銅蝕刻液來解決以上問題。技術實現要素：本發明的主要目的在於提供一種側蝕小的銅蝕刻液。本發明通過如下技術方案實現上述目的：一種側蝕小的銅蝕刻液，其配方包括：1-15wt％過氧化氫，1-25wt％無機酸，1-20wt％有機酸，1-30wt％鹽類，0.5-2wt％表面活性劑以及餘量的去離子水；表面活性劑為聚二甲基矽氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一種。具體的，所述無機酸為鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、次氯酸、高錳酸中的一種。具體的，所述有機酸為冰醋酸、甲酸、草酸、檸檬酸、羥基乙酸、丁酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸中的一種。具體的，所述鹽類為鹽酸鹽、硫酸鹽或乙酸鹽。採用上述技術方案，本發明技術方案的有益效果是：本發明銅蝕刻液蝕刻均勻，降低了側蝕現象，而且不會形成泡沫，穩定性好。具體實施方式下面結合具體實施例對本發明作進一步詳細說明。一種側蝕小的銅蝕刻液，其配方包括：1-15wt％過氧化氫，1-25wt％無機酸，1-20wt％有機酸，1-30wt％鹽類，0.5-2wt％表面活性劑以及餘量的去離子水；表面活性劑為聚二甲基矽氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一種。實施例1～10：按照表1的配方配製銅蝕刻液。表1：註：表1內總配比不到100wt％的部分均為去離子水。以現有市面上買到的以過氧化氫和無機酸為主要成分的銅蝕刻液作為對照例，同實施例1～10製得的銅蝕刻劑採用下部噴淋的方法分別對電路板蝕刻60s，然後清洗蝕刻面，對蝕刻面的厚度誤差率、蝕刻量和側蝕率進行測量，觀察是否存在泡沫引起的表面不良，得到如下結果。表2：厚度誤差率側蝕量/μm側蝕率有無氣泡不良實施例1＜10％0.720.31無實施例2＜10％0.640.32無實施例3＜10％0.550.43無實施例4＜10％0.660.26無實施例5＜10％0.870.30無實施例6＜10％0.970.48無實施例7＜10％0.930.38無實施例8＜10％0.770.32無實施例9＜10％0.580.42無實施例10＜10％0.840.39無對照例＜15％2.00±0.200.7±0.1有從表2所示的測試結果可以看出，在同樣沒有氣泡不良的前提下，新的銅蝕刻液使用後的厚度誤差率更小，意味著蝕刻更加均勻；新的銅蝕刻液在60s內的側蝕量普遍小於1μm，明顯低於對照例。而側蝕率低表徵銅蝕刻液能夠更好地往銅面的厚度方向腐蝕，在蝕刻時間合理的條件下蝕刻一定厚度的銅面能造成更小的側蝕，也就降低了側蝕現象，所得到的產品質量穩定性更好。因此相比於原技術，本方案蝕刻效果更佳。以上所述的僅是本發明的一些實施方式。對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明創造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。當前第1頁1 2 3