一種半導體製冷器溫控裝置的製作方法
2023-04-23 06:20:46
專利名稱：一種半導體製冷器溫控裝置的製作方法
技術領域：
本發明屬於半導體控制技術領域，涉及一種溫度控制裝置，具體是一種半導體製冷器溫控裝置。
背景技術：
溫度特性是考量許多光電器件及裝置性能的一項極其重要的指標，尤其在某些特定應用場合，對於一些溫度敏感的器件及裝置，溫度性能成為制約其應用的最重要因素之一。例如，在航空環境、軍事應用等惡劣條件下，一些精密光學測量單元，如光纖陀螺，即對環境溫度極為敏感。極端的溫度環境使光纖陀螺內部的光電器件性能惡化，從而導致陀螺穩定性和可靠性下降，甚至不能工作。因此，對溫度敏感的光電器件和設備進行大範圍溫度性能測試是考究系統穩定性和可靠性的重要環節。當然，除了考察光電器件大範圍溫度穩定性和可靠性之外，往往還需考慮系統承受溫度衝擊的能力。在測試器件和設備的抗溫度衝擊能力時，需要測試系統能夠極其快速的溫變。同時，諸如陀螺及其類似光電器件或者系統，對振動也異常敏感，在進行溫度相關性能測試時，期望測試設備不引入振動。因此，對於光纖陀螺及其類似光電器件或者系統的溫度性能測試來說，對測試系統提出了三個最基本的要求:有較大的溫變範圍；可控的溫變速率，能夠快速溫變；不引入振動。同時，還希望溫控裝置結構簡單、穩定可靠、控制方便、體積小巧適合小型光電器件。傳統的溫度測 試設備為壓縮機式的溫箱，其存在幾個缺點:對於小巧的光電器件來說，體積過於龐大；耗電大；壓縮機振動嚴重影響測試結果等。
發明內容
本發明的目的是針對現有技術的不足，提供一種半導體製冷器溫控裝置。本發明包括一個主控板電路、三個結構相同的驅動電路、五個結構相同的半導體製冷器；五個半導體製冷器中的四個半導體製冷器在同一水平面上，構成矩形狀，四個半導體製冷器以兩個為一組，每組的兩個半導體製冷器串聯，且每組的兩個半導體製冷器由一個驅動電路驅動；另一個半導體製冷器設置在四個半導體製冷器之上，且位於其他四個半導體製冷器構成的矩形狀正中心，該半導體製冷器通過導熱矽酯與下層的四個半導體製冷器固定，由第三個驅動電路驅動。所述的主控板電路包括主控電路和串口電路；
主控電路包括主控晶片U1、第一晶振CY1、第一電阻R1、第一電容Cl和第二電容C2,主控晶片Ul的4腳接第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端接+5V電源；主控晶片Ul的14腳與第一晶振CYl的一端、第一電容Cl的一端相連接,主控晶片Ul的15腳與第一晶振CYl的另一端、第二電容C2的一端,相連接,第一電容Cl的另一端和第二電容C2的另一端均接地；主控晶片Ul的6腳、17腳、38腳接+5V電源，主控晶片Ul的16腳、28腳、39腳接地；
串口電路包括主控串口晶片U2、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5 ;主控串口晶片U2的2腳與第二電阻R2的一端相連接，3腳與第三電阻R3的一端相連接，4腳與第四電阻R4的一端相連接，5腳與第五電阻R5的一端相連接；第二電阻R2的另一端與主控晶片Ul的7腳相連接，第三電阻R3的另一端與主控晶片Ul的12腳相連接，第四電阻R4的另一端與主控晶片Ul的13腳相連接，第五電阻R5的另一端與主控晶片Ul的5腳相連接；主控串口晶片U2的13腳和14腳接+5V電源；主控串口晶片U2的6腳和7腳接地；
所述的主控晶片Ul為ATmegal62L-8AI晶片；
所述的主控串口晶片U2為7LB180晶片；
所述的驅動電路包括驅動控制電路、驅動串口電路和H橋控制電路；
驅動控制電路包括驅動控制晶片U3、第二晶振CY2、第六電阻R6、第三電容C3和第四電容C4 ;驅動控制晶片U3的4腳與第六電阻R6的一端相連接，第六電阻R6的另一端接+5V電源；驅動控制晶片U3的7腳與第二晶振CY2的一端、第三電容C3的一端相連接，8腳與第二晶振CY2的另一端、第四電容C4的一端相連接；第三電容C3的另一端和第四電容C4的另一端接地；驅動控制晶片U3的5腳、17腳、27腳、29腳、38腳接+5V電源；驅動控制晶片U3的6腳、18腳、28腳、39腳接地；
驅動串口電路包括驅動串口晶片U4、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻RlO ;驅動串口晶片U4的2腳與第七電阻R7的一端相連接，3腳與第八電阻R8的一端相連接，4腳與第九電阻R9的一端相連接，5腳與第十電阻RlO的一端相連接；第七電阻R7的另一端與驅動控制晶片U3的10腳相連接，第八電阻R8的另一端與驅動控制晶片U3的3腳相連接，第九電阻R9的另一端與驅動控制晶片U3的2腳相連接，第十電阻RlO的另一端與驅動控制晶片U3的9腳相連接；驅動串口晶片U4的13腳和14腳接+5V電源；驅動串口晶片U4的6腳和7腳接地；驅動串口晶片U4的9腳接主控串口晶片U2的12腳，驅動串口晶片U4的10腳接主控串口晶片U 2的11腳，驅動串口晶片U4的11腳接主控串口晶片U2的10腳，驅動串口晶片U4的12腳接主控串口晶片U2的9腳；
H橋控制電路包括H橋控制晶片U5、第i^一電阻R11、第十二電阻R12、第十三電阻Rl3、第十四電阻R14、第十五電阻R15、第十六電阻R16、第十七電阻R17、第十八電阻R18、第十九電阻R19、第二十電阻R20、第四電容C5、第四電容C6、第一NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4 ； H橋控制晶片U5的21腳與第i^一電阻Rll的一端相連接，22腳與第十二電阻R12的一端相連接，23腳與第十三電阻R13的一端相連接，24腳與第十四電阻R14的一端相連接,25腳與第十五電阻R15的一端相連接,26腳與第十六電阻R16的一端相連接；第十一電阻Rll的另一端與驅動控制晶片U3的16腳相連接，第十二電阻R12的另一端與驅動控制晶片U3的15腳相連接，第十三電阻R13的另一端與驅動控制晶片U3的14腳相連接，第十四電阻R14的另一端與驅動控制晶片U3的13腳相連接，第十五電阻R15的另一端與驅動控制晶片U3的12腳相連接，第十六電阻R16的另一端與驅動控制晶片U3的11腳相連接；H橋控制晶片U5的5腳與第十七電阻R17的一端相連接，第十七電阻R17的另一端與第一 NMOS管NI的柵極相連接；H橋控制晶片U5的3腳與第十八電阻R18的一端相連接，第十八電阻R18的另一端與第二 NMOS管N2的柵極相連接；H橋控制晶片U5的10腳與第十九電阻R19的一端相連接，第十九電阻R19的另一端與第三NMOS管N3的柵極相連接；H橋控制晶片U5的12腳與第二十電阻R20的一端相連接，第二十電阻R20的另一端與第四NMOS管N4的柵極相連接；H橋控制晶片U5的6腳與第五電容C5的一端相連接，4腳與第五電容C5的另一端、第一 NMOS管NI的漏極、第二 NMOS管N2的源極相連接，並將該4腳作為串聯組中一個半導體製冷器TEC的驅動端或直接作為非串聯組中單個半導體製冷器的一個驅動端；H橋控制晶片U5的9腳與第六電容C6的一端相連接，11腳與第六電容C6的另一端、第三NMOS管N3的漏極、第四NMOS管N4的源極相連接，並將該11腳作為串聯組中另一個半導體製冷器TEC的驅動端或直接作為非串聯組中單個半導體製冷器的另一個驅動端；第一 NMOS管NI的源極和第三NMOS管N3的源極接+15V電源，第二 NMOS管N2的漏極和第四NMOS管N4的漏極接地。其中驅動控制晶片U3為ATmegal6_16MC晶片；
其中驅動串口晶片U4為7LB180晶片；
其中H橋控制晶片U5為A3940晶片，NMOS管為IRF3205NM0S管。每個驅動電路中H橋控制電路的兩個半導體製冷器TEC的驅動端分別與串聯組中半導體製冷器TEC的輸入端相連接。主控板電路通過串口電路向三個驅動電路的驅動串口電路發送控制信號，驅動電路得到控制信號之後，驅動控制電路的驅動控制晶片U3產生相應脈寬的PWM波及邏輯控制信號，並將PWM波及邏輯控制信號發送給H橋控制電路，H橋控制電路接收到PWM波及邏輯控制信號，直接控制第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4這四個NMOS管的有序通斷，從而控制半導體製冷器TEC的驅動端輸出電流的通斷，達到控制串聯組中半導體製冷器TEC驅動電流的大小，不同脈寬的PWM對應不同大小的驅動電流，通過改變PWM波脈寬，能夠改變半導體製冷器驅動電流的大小，從而達到不同的溫控量。同時，通過改變發送給H橋控制電路的邏輯控制信號，使H橋控制電路工作於不同模式下，即可改變H橋控制電路半導體製冷器TEC的驅動端輸出電流的電流方向，從而使半導體製冷器工作於加熱或者製冷狀態。
本發明有益效果:
相比傳統裝置，本發明裝置使用TEC作為加熱和製冷部件，本身體積小巧，適合光電器件的測試。同時，TEC工作時不會引入振動，有利於對振動敏感的器件的測試。本發明中，五個半導體製冷器中的四個半導體製冷器在同一水平面上，構成矩形狀，另一個半導體製冷器設置在四個半導體製冷器之上，且位於正中心，這樣設置，保證了上下兩層TEC之間達到最大傳熱效率，安裝方便，同時測試系統能夠極其快速的溫變，也能夠獲得較大的溫變範圍。而將下層4塊TEC兩兩串聯，充分利用電源的驅動能力，提高電源利用率，增加了溫度控制的靈活度。
圖1是本發明溫控裝置結構示意 圖2是本發明主控板電路示意 圖3是本發明驅動電路意 圖4是本發明H橋控制電路。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明做進一步說明。
如圖1所示，一種半導體製冷器溫控裝置，包括一個主控板電路、三個結構相同的驅動電路、五個結構相同的半導體製冷器；五個半導體製冷器中第一半導體製冷器TEC1、第二半導體製冷器TEC2、第三半導體製冷器TEC3、第四半導體製冷器TEC4在同一水平面上，構成矩形狀，且第一半導體製冷器TEC1、第二半導體製冷器TEC2串聯為一組，第三半導體製冷器TEC3、第四半導體製冷器TEC4串聯為另一組；兩組串聯的半導體製冷器分別第一驅動電路、第二驅動電路驅動；第五半導體製冷器TEC5設置在四個半導體製冷器之上，且位於其他四個半導體製冷器構成的矩形狀正中心，第五半導體製冷器TEC5通過導熱矽酯與下層的四個半導體製冷器固定，由第三驅動電路驅動。如圖2所示，所述的主控板電路包括主控電路和串口電路；
主控電路包括主控晶片U1、第一晶振CY1、第一電阻R1、第一電容Cl和第二電容C2,主控晶片Ul的4腳接第一電阻Rl的一端,第一電阻Rl的另一端接+5V電源；主控晶片Ul的14腳與第一晶振CYl的一端、第一電容Cl的一端相連接,主控晶片Ul的15腳與第一晶振CYl的另一端、第二電容C2的一端,相連接,第一電容Cl的另一端和第二電容C2的另一端均接地；主控晶片Ul的6腳、17腳、38腳接+5V電源，主控晶片Ul的16腳、28腳、39腳接地； 串口電路包括主控串口晶片U2、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5 ;主控串口晶片U2的2腳與第二電阻R2的一端相連接，3腳與第三電阻R3的一端相連接，4腳與第四電阻R4的一端相連接，5腳與第五電阻R5的一端相連接；第二電阻R2的另一端與主控晶片Ul的7腳相連接，第三電阻R3的另一端與主控晶片Ul的12腳相連接，第四電阻R4的另一端與主控晶片Ul的13腳相連接，第五電阻R5的另一端與主控晶片Ul的
5腳相連接；主控串口晶片U2的13腳和14腳接+5V電源；主控串口晶片U2的6腳和7腳接地；
所述的主控晶片Ul為ATmegal62L-8AI晶片；
所述的主控串口晶片U2為7LB180晶片；
所述的驅動電路包括驅動控制電路、驅動串口電路和H橋控制電路；
如圖3所示，驅動控制電路包括驅動控制晶片U3、第二晶振CY2、第六電阻R6、第三電容C3和第四電容C4 ;驅動控制晶片U3的4腳與第六電阻R6的一端相連接，第六電阻R6的另一端接+5V電源；驅動控制晶片U3的7腳與第二晶振CY2的一端、第三電容C3的一端相連接，8腳與第二晶振CY2的另一端、第四電容C4的一端相連接；第三電容C3的另一端和第四電容C4的另一端接地；驅動控制晶片U3的5腳、17腳、27腳、29腳、38腳接+5V電源；驅動控制晶片U3的6腳、18腳、28腳、39腳接地；
如圖3所示，驅動串口電路包括驅動串口晶片U4、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻RlO ;驅動串口晶片U4的2腳與第七電阻R7的一端相連接，3腳與第八電阻R8的一端相連接，4腳與第九電阻R9的一端相連接，5腳與第十電阻RlO的一端相連接；第七電阻R7的另一端與驅動控制晶片U3的10腳相連接，第八電阻R8的另一端與驅動控制晶片U3的3腳相連接，第九電阻R9的另一端與驅動控制晶片U3的2腳相連接，第十電阻RlO的另一端與驅動控制晶片U3的9腳相連接；驅動串口晶片U4的13腳和14腳接+5V電源；驅動串口晶片U4的6腳和7腳接地；驅動串口晶片U4的9腳接主控串口晶片U2的12腳，驅動串口晶片U4的10腳接主控串口晶片U2的11腳，驅動串口晶片U4的11腳接主控串口晶片U2的10腳，驅動串口晶片U4的12腳接主控串口晶片U2的9腳；
如圖4所示，H橋控制電路包括H橋控制晶片U5、第十一電阻R11、第十二電阻R12、第十三電阻R13、第十四電阻R14、第十五電阻R15、第十六電阻R16、第十七電阻R17、第十八電阻R18、第十九電阻R19、第二十電阻R20、第四電容C5、第四電容C6、第一 NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4 ; H橋控制晶片U5的21腳與第i^一電阻Rll的一端相連接，22腳與第十二電阻R12的一端相連接，23腳與第十三電阻R13的一端相連接，24腳與第十四電阻R14的一端相連接，25腳與第十五電阻R15的一端相連接，26腳與第十六電阻R16的一端相連接；第^ 電阻Rll的另一端與主控晶片Ul的16腳相連接，第十二電阻R12的另一端與主控晶片Ul的15腳相連接，第十三電阻R13的另一端與主控晶片Ul的14腳相連接，第十四電阻R14的另一端與主控晶片Ul的13腳相連接，第十五電阻R15的另一端與主控晶片Ul的12腳相連接，第十六電阻R16的另一端與主控晶片Ul的11腳相連接；H橋控制晶片U5的5腳與第十七電阻R17的一端相連接，第十七電阻R17的另一端與第一 NMOS管NI的柵極相連接；H橋控制晶片U5的3腳與第十八電阻R18的一端相連接，第十八電阻R18的另一端與第二 NMOS管N2的柵極相連接；H橋控制晶片U5的10腳與第十九電阻R19的一端相連接，第十九電阻R19的另一端與第三NMOS管N3的柵極相連接；H橋控制晶片U5的12腳與第二十電阻R20的一端相連接，第二十電阻R20的另一端與第四NMOS管N4的柵極相連接；H橋控制晶片U5的6腳與第五電容C5的一端相連接，4腳與第五電容C5的另一端、第一 NMOS管NI的漏極、第二 NMOS管N2的源極相連接，並將該4腳作為串聯組中一個半導體製冷器TEC的驅動端或直接作為非串聯組中單個半導體製冷器的一個驅動端；H橋控制晶片U5的9腳與第六電容C6的一端相連接，11腳與第六電容C6的另一端、第三NMOS管N3的漏極、第四NMOS管N4的源極相連接，並將該11腳作為串聯組中另一個半導體製冷器TEC的驅動端或直接作為非串聯組中單個半導體製冷器的另一個驅動端；第一 NMOS管NI的源極和第三NMOS管N3的源極接+15V電源，第二 NMOS管N2的漏極和第四NMOS管N4的漏極接地。其中驅動控制晶片U3為ATmegal6_16MC晶片；
其中驅動串口晶片U4為7LB180晶片；
其中H橋控制晶片U5為A3940晶片，NMOS管為IRF3205NM0S管；
每個驅動電路中H橋控制電路的兩個半導體製冷器TEC的驅動端分別與串聯組中半導體製冷器TEC的輸入端相連接。主控板電路通過串口電路向三個驅動電路的驅動串口電路發送控制信號，驅動電路得到控制信號之後，驅動控制電路的驅動控制晶片U3產生相應脈寬的PWM波及邏輯控制信號，並將PWM波及邏輯控制信號發送給H橋控制電路，H橋控制電路接收到PWM波及邏輯控制信號，直接控制第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4這四個NMOS管的有序通斷，從而控制半導體製冷器TEC的驅動端輸出電流的通斷，達到控制串聯組中半導體製冷器TEC驅動電流的大小，不同脈寬的PWM對應不同大小的驅動電流，通過改 變PWM波脈寬，能夠改變半導體製冷器驅動電流的大小，從而達至IJ不同的溫控量。同時，通過改變發送給H橋控制電路的邏輯控制信號，使H橋控制電路工作於不同模式下，即可改變H橋控制電路半導體製冷器TEC的驅動端輸出電流的電流方向，從而使半導體製冷器工作於加熱或者製冷狀態。
權利要求
1.一種半導體製冷器溫控裝置，包括一個主控板電路、三個結構相同的驅動電路、五個結構相同的半導體製冷器；其特徵在於: 五個半導體製冷器中的四個半導體製冷器在同一水平面上，構成矩形狀，四個半導體製冷器以兩個為一組，每組的兩個半導體製冷器串聯，且每組的兩個半導體製冷器由一個驅動電路驅動；另一個半導體製冷器設置在四個半導體製冷器之上，且位於其他四個半導體製冷器構成的矩形狀正中心，該半導體製冷器通過導熱矽酯與下層的四個半導體製冷器固定，由第三個驅動電路驅動； 所述的主控板電路包括主控電路和串口電路； 主控電路包括主控晶片U1、第一晶振CY1、第一電阻R1、第一電容Cl和第二電容C2,主控晶片Ul的4腳接第一電阻Rl的一端，第一電阻Rl的另一端接+5V電源；主控晶片Ul的14腳與第一晶振CYl的一端、第一電容Cl的一端相連接,主控晶片Ul的15腳與第一晶振CYl的另一端、第二電容C2的一端,相連接,第一電容Cl的另一端和第二電容C2的另一端均接地；主控晶片Ul的6腳、17腳、38腳接+5V電源，主控晶片Ul的16腳、28腳、39腳接地； 串口電路包括主控 串口晶片U2、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4和第五電阻R5 ;主控串口晶片U2的2腳與第二電阻R2的一端相連接，3腳與第三電阻R3的一端相連接，4腳與第四電阻R4的一端相連接，5腳與第五電阻R5的一端相連接；第二電阻R2的另一端與主控晶片Ul的7腳相連接，第三電阻R3的另一端與主控晶片Ul的12腳相連接，第四電阻R4的另一端與主控晶片Ul的13腳相連接，第五電阻R5的另一端與主控晶片Ul的5腳相連接；主控串口晶片U2的13腳和14腳接+5V電源；主控串口晶片U2的6腳和7腳接地； 所述的驅動電路包括驅動控制電路、驅動串口電路和H橋控制電路； 驅動控制電路包括驅動控制晶片U3、第二晶振CY2、第六電阻R6、第三電容C3和第四電容C4 ;驅動控制晶片U3的4腳與第六電阻R6的一端相連接，第六電阻R6的另一端接+5V電源；驅動控制晶片U3的7腳與第二晶振CY2的一端、第三電容C3的一端相連接，8腳與第二晶振CY2的另一端、第四電容C4的一端相連接；第三電容C3的另一端和第四電容C4的另一端接地；驅動控制晶片U3的5腳、17腳、27腳、29腳、38腳接+5V電源；驅動控制晶片U3的6腳、18腳、28腳、39腳接地； 驅動串口電路包括驅動串口晶片U4、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第十電阻RlO ;驅動串口晶片U4的2腳與第七電阻R7的一端相連接，3腳與第八電阻R8的一端相連接，4腳與第九電阻R9的一端相連接，5腳與第十電阻RlO的一端相連接；第七電阻R7的另一端與驅動控制晶片U3的10腳相連接，第八電阻R8的另一端與驅動控制晶片U3的3腳相連接，第九電阻R9的另一端與驅動控制晶片U3的2腳相連接，第十電阻RlO的另一端與驅動控制晶片U3的9腳相連接；驅動串口晶片U4的13腳和14腳接+5V電源；驅動串口晶片U4的6腳和7腳接地；驅動串口晶片U4的9腳接主控串口晶片U2的12腳，驅動串口晶片U4的10腳接主控串口晶片U2的11腳，驅動串口晶片U4的11腳接主控串口晶片U2的10腳，驅動串口晶片U4的12腳接主控串口晶片U2的9腳； H橋控制電路包括H橋控制晶片U5、第i^一電阻R11、第十二電阻R12、第十三電阻Rl3、第十四電阻R14、第十五電阻R15、第十六電阻R16、第十七電阻R17、第十八電阻R18、第十九電阻R19、第二十電阻R20、第四電容C5、第四電容C6、第一 NMOS管N1、第二 NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4 ； H橋控制晶片U5的21腳與第i^一電阻Rll的一端相連接，22腳與第十二電阻R12的一端相連接，23腳與第十三電阻R13的一端相連接，24腳與第十四電阻R14的一端相連接,25腳與第十五電阻R15的一端相連接,26腳與第十六電阻R16的一端相連接；第十一電阻Rll的另一端與驅動控制晶片U3的16腳相連接，第十二電阻R12的另一端與驅動控制晶片U3的15腳相連接，第十三電阻R13的另一端與驅動控制晶片U3的14腳相連接，第十四電阻R14的另一端與驅動控制晶片U3的13腳相連接，第十五電阻R15的另一端與驅動控制晶片U3的12腳相連接，第十六電阻R16的另一端與驅動控制晶片U3的11腳相連接；H橋控制晶片U5的5腳與第十七電阻R17的一端相連接，第十七電阻R17的另一端與第一 NMOS管NI的柵極相連接；H橋控制晶片U5的3腳與第十八電阻R18的一端相連接，第十八電阻R18的另一端與第二 NMOS管N2的柵極相連接；H橋控制晶片U5的10腳與第十九電阻R19的一端相連接，第十九電阻R19的另一端與第三NMOS管N3的柵極相連接；H橋控制晶片U5的12腳與第二十電阻R20的一端相連接，第二十電阻R20的另一端與第四NMOS管N4的柵極相連接；H橋控制晶片U5的6腳與第五電容C5的一端相連接，4腳與第五電容C5的另一端、第一 NMOS管NI的漏極、第二 NMOS管N2的源極相連接，並將該4腳作為串聯組中一個半導體製冷器TEC的驅動端或直接作為非串聯組中單個半導體製冷器的一個驅動端；H橋控制晶片U5的9腳與第六電容C6的一端相連接，11腳與第六電容C6的另一端、第三NMOS管N3的漏極、第四NMOS管N4的源極相連接，並將該11腳作為串聯組中另一個半導體製冷器TEC的驅動端或直接作為非串聯組中單個半導體製冷器的另一個驅動端 』第一 NMOS管NI的源極和第三NMOS管N3的源極接+15V電源，第二 NMOS管N2的漏極和第四NMOS管N4的漏極接地。
2.如權利要求1所述的一種半導體製冷器溫控裝置，其特徵在於: 所述的主控晶片Ul為ATmegal62L-8AI晶片； 所述的主控串口晶片U2 為7LB180晶片； 其中驅動控制晶片U3為ATmegal6-16MC晶片； 其中驅動串口晶片U4為7LB180晶片； 其中H橋控制晶片U5為A3940晶片，NMOS管為IRF3205NM0S管。
全文摘要
本發明公開了一種半導體製冷器溫控裝置。本發明包括一個主控板電路、三個結構相同的驅動電路、五個結構相同的半導體製冷器；五個半導體製冷器中的四個半導體製冷器在同一水平面上，構成矩形狀，四個半導體製冷器以兩個為一組，每組的兩個半導體製冷器串聯，且每組的兩個半導體製冷器由一個驅動電路驅動；另一個半導體製冷器設置在四個半導體製冷器之上，且位於其他四個半導體製冷器構成的矩形狀正中心，該半導體製冷器通過導熱矽酯與下層的四個半導體製冷器固定，由第三個驅動電路驅動。本發明本身體積小巧，充分利用電源的驅動能力，提高電源利用率，增加了溫度控制的靈活度。
文檔編號F25B49/00GK103234316SQ20131010802
公開日2013年8月7日 申請日期2013年3月29日 優先權日2013年3月29日
發明者羅明, 施申蕾, 龐斌, 賀青, 黃河, 郭文正, 黃騰超, 胡慧珠, 舒曉武, 劉承 申請人:浙江大學