放射線固化型切割用粘合帶的製作方法

2023-04-23 10:00:46 1

放射線固化型切割用粘合帶的製作方法
【專利摘要】本發明提供一种放射線固化型切割用粘合帶，其即使對設置有貫通電極的半導體晶片等也能在拾取工序時容易地進行拾取而不會產生殘膠。本發明的放射線固化型切割用粘合帶(1)，其特徵在於，其是在基材片(2)上設置有放射線固化型粘合劑層(3)的放射線固化型粘合帶(1)，其在放射線固化後的楊氏模量相對於其在放射線固化前的楊氏模量的比即放射線固化後的楊氏模量/放射線固化前的楊氏模量為1.0～1.8。
【專利說明】放射線固化型切割用粘合帶

【技術領域】
[0001]本發明涉及在為了使半導體晶片等實現元件小片化而對其進行切割(dicing)時用於固定該半導體晶片等被切斷體的粘合帶。

【背景技術】
[0002]以往的半導體裝置通過使設置於基板上的半導體晶片通過引線接合(wirebonding)進行導電連接而製造。近年來，對應於使機器進一步小型化、薄型化、輕量化的要求，對以這些機器內部所使用的半導體裝置為代表的電子部件也有同樣的要求。為了實現電子部件的小型化，提出了例如層疊半導體晶片以實現高密度安裝的三維安裝技術(例如參照專利文獻I)。此外，作為進行三維安裝技術的方法，例如提出了形成貫通晶片的電極(貫通電極)、並經由該電極層疊有稱為插入物(interposer)的安裝用晶片的半導體封裝結構(例如參照專利文獻2)。
[0003]目前正在研究如下技術:使形成有貫通電極的晶片切斷分離成元件小片(半導體晶片)(切割(dicing)工序)，並且在對這些半導體晶片進行拾取的工序(拾取(pick-up)工序)中使用具有放射線固化型粘合層的晶片切割加工用粘合帶。
[0004]在使用具有放射線固化型粘合層的切割用粘合帶時，在切割工序中必須充分地保持晶片。然而，設置有貫通電極的晶片通常在一面或兩面具有高度為3?幾十ym的貫通電極的突起部。因此，即便貼合以往的切割加工用粘合帶，大多也無法追隨該突起部而無法保持晶片。另外，該結果會導致在貫通電極的突起周邊部產生空隙。通常，在切割工序中利用被稱為刀片(blade)的旋轉刀刃對晶片進行單片化。在粘合劑層與貫通電極的突起周邊部之間具有空隙而無法充分地保持晶片時，因切削時的衝擊而使晶片振動，引起刀片與晶片的衝撞，產生晶片缺損(破裂(chipping))而降低晶片的成品率。
[0005]為了消除切割工序時的不良情況，提出了使粘合劑層的凝膠分率及10°C的儲存彈性模量在特定範圍內的放射線固化型切割用粘合帶(例如參照專利文獻3)。對於專利文獻3的放射線固化型切割用粘合帶而言，通過使其具有使凝膠分率和儲存彈性模量在特定範圍內的粘合劑層，從而消除了切割工序時的上述不良情況。
[0006]現有技術文獻
[0007]專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開2002-50738號公報
[0009]專利文獻2:日本特開2005-236245號公報
[0010]專利文獻3:日本特開2006-202926號公報


【發明內容】

[0011]發明要解決的課題
[0012]然而，對於上述專利文獻3的放射線固化型切割用粘合帶而言，在進行切割後，對粘合劑層照射放射線而使其固化，由此使粘合力降低，此時，由於粘合劑層固化收縮，因此使粘合劑層包住(日文原文:嚙> 二 ti.)貫通電極等的晶片表面的突起，導致產生無法良好地拾取經切割後的半導體晶片的問題。在上述專利文獻3的放射線固化型切割用粘合帶中，使用含有因刺激而產生氣體的氣體產生劑的粘合劑。然而，在粘合劑中產生氣體的機制中，由於粘合劑變脆，因此可能產生粘合劑碎屑對晶片的附著(殘膠)、使成品率降低。
[0013]因此，本發明的目的在於提供一种放射線固化型切割用粘合帶，其即使對設置有貫通電極的半導體晶片等也能在拾取工序中容易地進行拾取而不會產生殘膠。
[0014]用於解決上述課題的手段
[0015]為了解決上述課題，本發明的放射線固化型切割用粘合帶，其特徵在於，其是在基材片上設置有放射線固化型粘合劑層的放射線固化型粘合帶，其在放射線固化後的楊氏模量相對於其在放射線固化前的楊氏模量的比為1.0?1.8。
[0016]上述放射線固化型切割用粘合帶優選使上述粘合劑層在放射線固化前的儲存彈性模量 G』 為 1.8 X 14 ?4.7 X 14Pa0
[0017]此外，上述放射線固化型切割用粘合帶優選使上述粘合劑層在放射線固化前的損失係數tan δ為0.20?0.35。
[0018]此外，上述放射線固化型切割用粘合帶適合在切割半導體晶片時使用。
[0019]此外，上述放射線固化型切割用粘合帶適合使用在上述半導體晶片在與上述粘合劑層貼合的面具有突起物或段差的情況。
[0020]發明效果
[0021]根據本發明，可減少切割工序中的破裂，且即使對設置有貫通電極的半導體晶片也能在拾取工序中容易地進行拾取而不會產生殘膠。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是表示本發明的實施方式的放射線固化型切割用粘合帶的結構的示意性剖面圖。
[0023]圖2是表示使用本發明的實施例的放射線固化型切割用粘合帶所切斷的晶片的結構的示意性俯視圖平面圖。

【具體實施方式】
[0024]以下對本發明的實施方式進行詳細說明。
[0025]本發明的實施方式的放射線固化型切割用粘合帶I在基材片2的至少一側形成至少I層粘合劑層3。圖1是表示本發明的放射線固化型切割用粘合帶I的優選實施方式的示意性剖面圖，放射線固化型切割用粘合帶I具有基材片2，並且在基材片2上形成粘合劑層3。
[0026]對本發明的實施方式的放射線固化型切割用粘合帶I而言，其在放射線固化後的楊氏模量相對於其在放射線固化前的楊氏模量的比(放射線固化後的楊氏模量/放射線固化前的楊氏模量)為1.0?L 8。
[0027]在放射線固化型切割用粘合帶I的貼合粘合劑層3的面將具有突起物(bump)或段差的晶片貼合於放射線固化型切割用粘合帶I時，優選使突起物或段差大致完全埋入粘合劑層3中。在突起物或段差與放射線固化型切割用粘合帶I之間具有空隙時，因切割工序中的旋轉刀刃(刀片)的振動而使晶片大幅振動，引起晶片與刀片或相鄰的晶片接觸，產生晶片缺損。
[0028]另一方面，在突起物或段差大致完全埋入粘合劑層3的情況下，可減低旋因轉刀刃振動的影響，在構成粘合劑層3的粘合劑中使用放射線固化型粘合劑組成的情況下，由於粘合劑層3在密接於突起物或段差的狀態下固化，因此在拾取工序時粘合劑層3會覆蓋突起物或段差而產生無法拾取的不良情況。
[0029]此處，放射線固化型粘合劑是指:至少含有在分子內末端具有碳-碳不飽和鍵的化合物(a)及接受放射線而產生自由基的稱為引發劑的化合物的粘合組合物。通過照射放射線，使引發劑活化，並利用所產生的自由基使末端的碳-碳不飽和鍵連續活化，由此化合物(a)逐漸鍵合而使化合物(a)彼此間形成交聯。
[0030]在形成交聯前，由於通過使分散於粘合劑中的多個化合物(a)交聯而使其聚集並鍵合，因此粘合劑在交聯後較交聯前變得更硬。在密接於突起物或段差的狀態下引起該交聯反應時，由於變硬的粘合劑覆蓋突起物或段差而阻害平順地剝離。特別是在具有貫通電極的晶片中，由於貫通晶片內部而形成突起物，因此使晶片強度顯著減弱，在阻礙剝離時，容易引起晶片破損。通過調整粘合劑的固化程度，可以使因該粘合劑固化而引起的對突起物或段差的覆蓋得到抑制。
[0031]作為粘合劑的固化程度的指標，有放射線固化型切割用粘合帶I的拉伸彈性模量。放射線固化前的拉伸彈性模量與固化後的拉伸彈性模量之比(放射線固化後的拉伸彈性/固化前的拉伸彈性模量)越接近1，意味著與交聯形成前相比硬度變化越小。如上所述，放射線固化型的粘合劑層3通過照射放射線而發生固化反應，因此上述的比例通常大於I。該比例為1.8以下時，對突起物或段差的覆蓋較小，可容易地進行拾取。該比例大於 1.8時，產生對突起物或段差的覆蓋，在拾取工序的上頂(日文原文:突t上(f )時施加於晶片的應力變大，無法進行拾取或產生晶片破損。
[0032]另外，此處的拉伸彈性模量是依照JIS K 7127:1999所得的值。此外，一般而言基材片2較粘合劑層3的厚度更厚，且剛性更高，通過取得放射線固化型切割用粘合帶I的拉伸彈性模量的比例，可比較僅粘合劑層3的拉伸彈性模量。
[0033]此處，放射線的照射量沒有特別的限制，例如在照射紫外線時，優選為100~1000mJ/cm2，更優選為 200 ~500mJ/cm2。
[0034]為了防止半導體晶片破裂時，放射線固化前的粘合劑層3的儲存彈性模量G』優選為 1.8X 14 ~4.7X 104pa,更優選為 2.0XlO4 ~4.7X 104pa。G，低於 1.8X 104pa 時，可使粘合劑層3充分地密接於突起物或段差，由於粘合劑層3過於柔軟，因此無法抑制切割工序中的旋轉刀刃振動，導致產生破裂。此外，G』大於4.7X 104pa時，無法使粘合劑層3充分地密接於突起物或段差而導致產生空隙，因此因切割工序中的旋轉刀刃振動而導致產生破
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[0035]此外，為了維持粘合劑層3充分地密接於突起物或段差的狀態，放射線固化前的粘合劑層3的損失係數tan δ優選為0.20~0.35，更優選為0.25~0.35。損失係數tan δ以儲存彈性模量G』與損失彈性模量G」之比(G」/G』)來表示。在tanS過小時，即使在粘合劑層3可充分地密接於突起物或段差的情況下，也會由於排斥能力大而不易維持密接的狀態。在tan δ過大時，由於排斥能力小，因此在單片化後進行拾取時變得不易傳導來自下方的上頂夾具的應力。在粘合劑層3的損失係數tan δ小於0.20時，無法維持密接的狀態，導致在晶片與粘合帶之間產生空隙，可能會因上述的機制而使破裂惡化。在粘合劑層3的損失係數tan δ大於0.35時，由於在單片化後進行拾取時不易傳導來自下方的上頂夾具的應力，不得不提聞上頂聞度，晶片破損的可能性變聞。
[0036]以下，詳細說明有關本實施方式的放射線固化型切割用粘合帶I的各構成要素。
[0037](基材片2)
[0038]關於構成基材片2的樹脂，沒有特別的限制，可使用可形成片狀的樹脂。例如可使用聚丙烯、高密度聚乙烯(HDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-丙烯共聚物、丙烯共聚物、乙烯-丙烯-二烯共聚物硫化物、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸甲酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚氨酯、聚醯胺、離聚物、腈橡膠、丁基橡膠、苯乙烯異戊二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、天然橡膠及其氫化物或改性物等。這些樹脂可單獨使用或2種以上混合使用，此外，也可採用2層以上的多層構成。
[0039]基材片2的厚度沒有特別的限制，在該厚度過薄時，不易處理，在該厚度過厚時，由於在拾取工序時不易傳導上頂夾具的應力，因此優選為50?150 μ m，更優選為70?100 μ m。
[0040]為了提高密接性時，也可對基材片2的與粘合劑層3接觸的面實施電暈處理或底漆(primer)等的處理。
[0041](粘合劑層3)
[0042]構成粘合劑層3的粘合劑組合物優選使用例如日本特開平7-135189號公報等中記載的粘合劑組合物，但並不限定於此，可以使用對橡膠系或丙烯酸系的基礎聚合物配合分子中具有至少2個放射線聚合性碳-碳雙鍵的化合物(以下稱為光聚合性化合物)及光聚合引發劑而成的粘合劑組合物、或者對丙烯酸系的基礎聚合物加成具有碳-碳雙鍵的化合物而成的粘合劑組合物。
[0043]作為在丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵的方法，沒有特別的限制，例如可列舉如下方法等:使用具有官能基的單體作為共聚性單體進行共聚，製備成含有官能基的丙烯酸系聚合物後，使具有能夠與含官能基的丙烯酸系聚合物中的官能基反應的官能基及碳-碳雙鍵的化合物，在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性(放射線聚合性)的狀態下，與含有官能基的丙烯酸系聚合物進行縮合反應或加成反應，製備分子內具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物。
[0044]上述橡膠系或丙烯酸系的基礎聚合物可以使用:天然橡膠、各種合成橡膠等橡膠系聚合物；或者聚(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸烷基酯與可同這些物質共聚的不飽和單體形成的共聚物等丙烯酸系聚合物。在使用丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸甲氧基乙酯作為構成基礎聚合物的單體時，由於可更為提高拾取性，故優選。
[0045]作為光聚合性化合物，可列舉例如:三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6_己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯化物；酯丙烯酸酯低聚物；2_丙烯基-二-3-丁烯基氰脲酸酯等具有含碳-碳雙鍵基團的氰脲酸酯系化合物?三(2-丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、2-羥基乙基雙(2-丙烯醯氧基乙基)異氰脲酸酯、雙(2-丙烯醯氧基乙基)2-[(5_丙烯醯氧基己基)-氧基]乙基異氰脲酸酯、三(1，3_ 二丙烯酸氧基_2_丙基-氧基擬基氨基正己基)異氰服酸酯、二(1_丙烯酸氧基乙基_3_甲基丙烯醯氧基-2-丙基-氧基羰基氨基正己基)異氰脲酸酯、三(4-丙烯醯氧基正丁基)異氰脲酸酯等具有含碳-碳雙鍵基團的異氰脲酸酯系化合物等。這些光聚合性化合物可單獨使用或2種以上組合使用。
[0046]在放射線固化前後的拉伸楊氏模量比為1.8以下時，一分子中的碳-碳雙鍵數沒有特別的限制，一分子中的碳-碳雙鍵數優選為2~6個。此外，光聚合性化合物的配合量也沒有特別的限制，相對於粘合劑的上述基礎聚合物100質量份，優選為10~90質量份，更優選為20~70質量份，進一步優選為20~60質量份。
[0047]放射線固化型粘合劑可通過在粘合劑中混入光聚合引發劑而產生基於放射線照射的聚合固化反應。作為此種光聚合引發劑，可列舉例如:苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷基醚系引發劑；二苯甲酮、苯甲醯基苯甲酸、3，3』 - 二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引發劑；α-羥基環己基苯基酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α，α 』 - 二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2- 二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2- 二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1-酮等芳香族酮系引發劑；苯偶醯二甲基縮酮等芳香族縮酮系引發劑；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2-十二烷基噻噸酮、2，4_ 二氯噻噸酮、2，4_ 二甲基噻噸酮、2，4_ 二乙基噻噸酮、2，4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系引發劑；苯偶醯等苯偶醯系引發劑；苯偶姻等苯偶姻系引發劑;以及α-酮醇(ketol)系化合物(2-甲基-2-羥基苯丙酮等)、芳香族磺醯氯系化合物(2-萘磺醯氯等)、光活性肟系化合物(1-苯酮-1，1-丙烷二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等)、樟腦醌、滷化酮、醯基氧化膦、醯基膦酸酯等。光聚合引發劑可單獨使用或2種以上組合使用。
[0048]光聚合引發劑的配合量沒有特別的限制，相對於粘合劑的上述基礎聚合物100質量份，優選為I~10質量份，更優選為2~7質量份。
[0049]此外，在上述粘合劑中可以根據需要配合異氰酸酯系固化劑。作為異氰酸酯系固化劑，具體而言，可以使用多價異氰酸酯系化合物，例如2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6_甲苯二異氰酸酯、1，3-二甲苯二異氰酸酯、1，4_ 二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷_4，4』 - 二異氰酸酯、二苯基甲烷-2，4』_ 二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷_4，4』 - 二異氰酸酯、二環己基甲烷_2，4』 - 二異氰酸酯、賴氨酸異氰酸酯等。
[0050]固化劑的配合量沒有特別的限制，相對於粘合劑的上述基礎聚合物100質量份，優選為0.01~10質量份,更優選為0.1~5質量份。
[0051]在用於形成放射線固化型粘合劑的粘合劑組合物中，也可以根需要含有例如增粘劑、抗老化劑、填充劑、著色劑、阻燃劑、防靜電劑、軟化劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、增塑劑、表面活性劑等公知的添加劑等。
[0052]本發明的粘合劑層3可利用公知的粘合劑層3的形成方法來形成。例如可以利用以下方法在基材片2上形成粘合劑層3，所述方法為:將上述粘合劑組合物塗布於基材片2的規定面而形成粘合劑層3的方法；或者將粘合劑組合物塗布於隔件(例如塗布有脫模劑的塑料制薄膜或薄片等)上而形成粘合劑層3後，將該粘合劑層3轉印於基材片2的規定面的方法。粘合劑層3的厚度只要比突起物或段差高即可，沒有特別的限制。
[0053]另外，圖1示出了粘合劑層3具有單層形態的放射線固化型切割用粘合帶1，也可具有層疊有多層的粘合劑層3的形態。在層疊有多層的粘合劑層3時，優選:在切割時具有貼合晶片的面的粘合劑層3為放射線固化型粘合劑層3，放射線固化前的儲存彈性模量G』為1.8X 14?4.7X 14Pa,放射線固化前的損失係數tan δ為0.20?0.35。
[0054]此外，在直至供實際使用的期間，為了保護粘合劑層3，可以根據需要將通常作為隔件使用的合成樹脂薄膜貼附於粘合劑層3側。作為合成樹脂薄膜的構成材料，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等的合成樹脂薄膜或紙等。為了提高自粘合劑層3的剝離性，可以根據需要對合成樹脂薄膜的表面實施矽酮處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。合成樹脂薄膜的厚度通常為10?100 μ m、優選為25?50 μ m左右。
[0055]〈使用方法〉
[0056]以下，對本發明的放射線固化型切割用粘合帶I的使用方法進行說明。
[0057]在將本發明的放射線固化型切割用粘合帶I貼附到作為被切斷物的半導體構件的安裝(mount)工序後，依照常法進行切割，再移至放射線照射、拾取工序。作為半導體構件，可列舉矽半導體、化合物半導體、半導體封裝體、玻璃、陶瓷等，放射線固化型切割用粘合帶I可適合用於切割具有貫通電極的半導體晶片。
[0058]在安裝工序中，通常將被切斷物與放射線固化型切割用粘合帶I重疊，邊利用使用壓接輥的擠壓方法等公知的擠壓方法進行擠壓，邊進行被切斷物與粘合帶的貼附。在粘合帶與被切斷物的密接性不充分時，也可採用對被切斷物進行加熱的方法。
[0059]切割工序中，使刀片高速旋轉，將被切斷物切斷成規定的尺寸。切割時可採用切入至部分切割帶的稱為全切割(full cut)的切斷方式等。
[0060]在切割後，通過照射紫外線使粘合劑層3固化，以降低粘合性。通過照射紫外線，可使粘合劑層3的粘合性因固化而降低，使其容易剝離。此處，紫外線的照射量沒有特別的限制，優選為100?1000mJ/cm2，更優選為200?500mJ/cm2。
[0061]在紫外線照射後，進行拾取工序。在拾取工序中可設置擴大工序。作為拾取方法，沒有特別的限制，可採用以往公知的各種拾取方法。例如利用針等夾具將各切斷片自切割帶上頂，並通過拾取裝置對被上頂後的切斷片進行拾取的方法等。
[0062]實施例
[0063]以下，依照實施例更詳細地說明本發明，但本發明不受這些實施例的限制。
[0064]〈構成粘合劑層的樹脂組合物〉
[0065]作為構成粘合劑層的樹脂組合物，製備了以下的A?H。
[0066](粘合劑組合物A)
[0067]相對於丙烯酸系聚合物(由丙烯酸乙酯23mol%、丙烯酸丁酯56mol%、丙烯酸甲氧基乙酯21mol %形成的丙烯酸系共聚物(重均分子量90萬))100質量份，加入聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯工業株式會社制、商品名CORONATE L) 2質量份、作為光聚合性化合物的四羥甲基甲烷四丙烯酸酯30質量份、及光聚合引發劑(BASF公司制、商品名IRGACURE184) 2質量份並進行混合，製備成放射線固化性的粘合劑組合物A。
[0068](粘合劑組合物B)
[0069]除了將光聚合性化合物設定為季戊四醇三丙烯酸酯60質量份以外，與粘合劑組合物A同樣地製備了粘合劑組合物B。
[0070](粘合劑組合物C)
[0071]除了將丙烯酸系聚合物設定為由丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羥基乙酯形成的共聚物(重均分子量50萬)以外，與粘合劑組合物A同樣地製備了粘合劑組合物C。
[0072](粘合劑組合物D)
[0073]除了將光聚合性化合物設定為二季戊四醇六丙烯酸酯、且將配合量設定為20質量份以外，與粘合劑組合物C同樣地製備了粘合劑組合物D。
[0074](粘合劑組合物E)
[0075]除了將光聚合性化合物的配合量設定為50質量份以外，與粘合劑組合物D同樣地製備了粘合劑組合物E。
[0076](粘合劑組合物F)
[0077]除了將光聚合性化合物的配合量設定為80質量份以外，與粘合劑組合物D同樣地製備了粘合劑組合物F。
[0078](粘合劑組合物G)
[0079]使由丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羥基乙酯形成的丙烯酸系共聚物100質量份，與作為具有光聚合性碳-碳雙鍵及官能基的化合物的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(昭和電工株式會社制、商品名KARENZ Μ0Ι)0.2質量份反應，得到對主鏈的重複單位鍵合了具有丙烯酸系單體部的殘基的聚合物(重均分子量60萬)，所述丙烯酸系單體部具有含放射線固化性碳-碳雙鍵基團。相對於上述聚合物100質量份，加入聚異氰酸酯化合物(日本聚氨酯株式會社制、商品名CORONATE L)1質量份、及光聚合引發劑(BASF公司制、商品名IRGA⑶RE 184) 2質量份並進行混合，製備成放射線固化性的粘合劑組合物G。
[0080](粘合劑組合物H)
[0081]除了將聚異氰酸酯化合物的配合量設定為0.5質量份以外，與粘合劑組合物G同樣地製備成粘合劑組合物H。
[0082](粘合劑組合物I)
[0083]除了將與丙烯酸系共聚物反應的2-甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯的配合量設定為0.6質量份以外，與粘合劑組合物G同樣地製備了粘合劑組合物I。
[0084]
[0085]作為基材片，準備了以下的J?L。
[0086](基材片J)
[0087]利用雙軸混練機，在約200°C下使乙烯-甲基丙烯酸_(丙烯酸2-甲基-丙酯)-Zn++離聚物樹脂(Du Pont-Mitsui Polychemicals C0.,Ltd.制、商品名 High MilanAM7316)進行薄膜擠出成形，並製造了厚度100 μ m的基材片J。
[0088](基材片K)
[0089]利用雙軸混練機，在約200 °C下使乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(Nippon UnicarCompany Limited制、商品名NUC-3758)進行薄膜擠出成形,並製造了厚度100 μ m的基材片K0
[0090](基材片L)
[0091]準備了含有相對於聚氯乙烯樹脂100質量份為30質量份的鄰苯二甲酸二辛酯的聚氯乙烯片(厚度100 μ m)。
[0092]
[0093]如表1及表2所示，以使乾燥後的厚度分別達到20 μ m的方式，將上述粘合劑組合物A~I塗布於各基材片J~L，形成粘合劑層，並製造了實施例1、3~9、比較例1、2的放射線固化型切割用粘合帶。此外，以使乾燥後的厚度達到25μπι的方式，塗布粘合組合物A，形成粘合劑層，並製造了實施例2的放射線固化型切割用粘合帶。
[0094]
[0095]使用實施例1~9及比較例1、2的放射線固化型切割用粘合帶，依據JISΚ7127/2/300，製作試驗片並實施拉伸試驗，計算出紫外線照射前的楊氏模量。此外，自粘合帶試驗試料的基材片側照射200mJ/mm2的紫外線,使粘合劑層固化後，實施同樣的試驗，計算出紫外線照射後的楊氏模量。任一試驗的試驗結果均為測定數η = 5的平均值。由這些結果計算出楊氏模量比((紫外線照射後)/(紫外線照射前))。其結果如表1及表2所示。
[0096]
[0097]以使乾燥後的厚度分別達到20 μ m的方式，將粘合劑組合物A~I塗布於脫模薄膜上，形成粘合劑層後，自脫模薄膜剝離粘合劑層，以使總厚度約為2mm的方式將其進行重疊，製作試驗樣品。將該試驗樣品衝切成直徑8mm的圓盤狀，以平行刀片將其夾持，使用粘彈性測定裝置(TA Instruments公司制、商品名ARES)，以下述條件進行測定。從所取得的數據記錄儲存彈性模量G』的最大值及最小值、以及損失係數tan δ的最小值。其結果如表I及表2所示。
[0098](測定條件)
[0099]測定溫度:23~80°C
[0100]升溫速度:5°C/min
[0101]測定頻率:0.15Hz
[0102]
[0103]準備了以100 μ m間隔形成有直徑10 μ m的球狀突起物5 (參照圖2)，的8英寸、厚度30 μ m的Si晶片。然後，將實施例1~8及比較例1、2的放射線固化型切割用粘合帶與環架(ring frame) 一起貼合。
[0104](埋入性評價)
[0105]以目視從貼合後的放射線固化型切割用粘合帶面的上方觀察球狀突起物周圍有無氣泡。將無氣泡的情況設定為「 ◎」，將氣泡大小為ΙΟμπι以下的情況設定為「〇」，將氣泡大小大於10 μ m的情況設定為「 X 」。其結果如表1及表2所示。
[0106](貼合後的經時變化評價)
[0107] 在貼合後，在切割卡匣(cassette)上放置I小時後，實施與評價埋入性同樣的評價。將與埋入性評價相比沒有變化的情況設定為「〇」，將氣泡尺寸的擴大幅度為5μπι以下的情況設定為「Λ」，將氣泡尺寸的擴大幅度大於5 μ m的情況設定為「 X 」。其結果如表1及表2所示。
[0108]然後，使用切割裝置(DISCO株式會社制、商品名DAD-340)，如圖2所示，以使晶片4的尺寸達到1mm見方的方式，以下述條件實施了切割。另外，球狀突起物5如圖2所示那樣形成，而並未形成在切割道(scribe line)上。
[0109](切割條件)
[0110]刀片:DISCO株式會社制「27HECC」
[0111]刀片轉速:40000rpm
[0112]切割速度:50mm/sec
[0113]切割深度:25 μ m
[0114]切割模式:向下切割
[0115](拾取性評價)
[0116]自放射線固化型切割用粘合帶的基材片側照射200mJ/mm2的紫外線，使粘合劑層固化後，將單片化的晶片使用晶片拾取裝置(Canon Machinery株式會社制、商品名CAP-300II)進行拾取。將任意的50個晶片以下述條件A及條件B進行拾取，計算成功拾取的晶片數，將成功地拾取全部50個晶片的情況設定為「〇」，將成功地拾取45~49個半導體晶片的情況設定為「Λ」，除此以外設定為「 X 」，由此評價了拾取性。其結果如表1及表2所示。另外，拾取失敗是指無法剝離的情況及在拾取到的晶片上帶入裂紋的情況。
[0117](拾取條件A)
[0118]針數:5根
[0119]針的間隔:7.8X7.8mm
[0120]針尖端曲率:0.25mm
[0121]針上頂量:0.30mm
[0122](拾取條件B)
[0123]針數:5根
[0124]針的間隔:7.8X7.8_
[0125]針尖端曲率:0.25mm
[0126]針上頂量:0.40mm
[0127](破裂性評價)
[0128] 以光學顯微鏡觀察30片在破裂性評價中採取的晶片的裡面，測定破裂的大小。將從晶片前端至破裂最深處的距離為5μπι以下的情況設定為「〇」，將從晶片前端至破裂最深處的距離為6~15 μ m的情況設定為「Λ」，將從晶片前端至破裂最深處的距離大於15 μ m的情況設定為「 X 」。其結果如表1及表2所示。
[0129][表1]
[0130]

【權利要求】
1.一种放射線固化型切割用粘合帶，其特徵在於，其是在基材片上設置有放射線固化型粘合劑層的放射線固化型粘合帶， 其在放射線固化後的楊氏模量相對於其在放射線固化前的楊氏模量的比例即放射線固化後的楊氏模量/放射線固化前的楊氏模量為1.0?1.8。
2.根據權利要求1所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特徵在於，所述粘合劑層在放射線固化前的儲存彈性模量G』為1.8X 14?4.7X 14Pa0
3.根據權利要求1或2所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特徵在於，所述粘合劑層在放射線固化前的損失係數tan δ為0.20?0.35。
4.根據權利要求1?3中任一項所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特徵在於，其在切割半導體晶片時使用。
5.根據權利要求4所述的放射線固化型切割用粘合帶，其特徵在於，所述半導體晶片在與所述粘合劑層貼合的面具有突起物或段差。
【文檔編號】C09J201/00GK104081500SQ201380007115
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2013年9月20日 優先權日:2012年9月27日
【發明者】大田鄉史, 玉川有理, 矢吹朗, 服部聰 申請人:古河電氣工業株式會社