可撓性基板的表面處理方法
2023-04-23 02:20:46
可撓性基板的表面處理方法
【專利摘要】本發明是有關於一種可撓性基板的表面處理方法，其中包括提供可撓性絕緣基板，該可撓性絕緣基板的表面上具有至少一個缺陷；以及對該可撓性絕緣基板進行等離子體刻蝕步驟，以圓滑化缺陷的輪廓，進而可提升後續製造工藝合格率及產品可靠度。
【專利說明】可撓性基板的表面處理方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種表面處理方法，特別是涉及一種可撓性基板的表面處理方法。
【背景技術】
[0002]軟性基板相較於一般硬質基板的應用更為廣泛，其優點在於可捲曲、重量輕便、方便攜帶、符合安全性及產品應用廣。
[0003]現有的軟性基板製造工藝技術，由於軟性基板的表面無法如原始玻璃基板表面潔淨平整，即會有細小刮痕、凸起或凹陷。因此，後續形成於其上的薄膜電晶體易於製造工藝過程中因上述缺陷導致結構破損或者可靠度降低。
[0004]由此可見，上述現有的軟性基板在製造方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發展完成，而一般方法又沒有適切的製造方法能夠解決上述問題，此顯然是相關業者急欲解決的問題。因此，如何能創設一種有效改善軟性基板的表面缺陷的新型的可撓性基板的表面處理方法，便成為當前業界亟欲解決的重要課題之一，亦成為當前業界急需改進的目標。
[0005]有鑑於上述現有的軟性基板的製造工藝存在的缺陷，本發明人基於從事此類產品設計製造多年豐富的實務經驗及專業知識，並配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新型的可撓性基板的表面處理方法，能夠改進一般現有的軟性基板的製造工藝，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，並經過反覆試作樣品及改進後，終於創設出確具實用價值的本發明。
【發明內容】
[0006]本發明的目的在於，克服現有的軟性基板的製造工藝存在的缺陷，而提供一種可撓性基板的表面處理方法，其可圓滑化可撓性基板表面的缺陷，可提升後續製造工藝合格率及產品可靠度。
[0007]本發明的目的及解決其技術問題是採用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種可撓性基板的表面處理方法，其包括以下步驟。提供可撓性絕緣基板，可撓性絕緣基板的表面上具有至少一個缺陷。對可撓性絕緣基板進行等離子體刻蝕步驟，以圓滑化缺陷的輪廓。
[0008]本發明的目的及解決其技術問題還可採用以下技術措施進一步實現。
[0009]前述的可撓性基板的表面處理方法，其中所述的可撓性絕緣基板的材質包括聚苯二甲酸二乙酯(Poly (ethylene Terephthalate), PET)、聚亞酸氨(Polyimide, PI)或萘二甲酸乙二酯(Poly (Ethylene Naphthalate), PEN)等等)。
[0010]前述的可撓性基板的表面處理方法，其中所述的等離子體刻蝕步驟的電力介於100瓦特至2000瓦特。
[0011]前述的可撓性基板的表面處理方法，其中所述的等離子體刻蝕步驟的反應氣體包括氧氣、氧氣混合六氟化硫或氧氣混合惰性氣體。
[0012]前述的可撓性基板的表面處理方法，其中所述的等離子體刻蝕步驟的反應氣體的流量範圍介於50sccm至lOOOsccm。
[0013]前述的可撓性基板的表面處理方法，其中所述的缺陷包括至少一個凸起或至少一個凹陷。
[0014]本發明與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。藉由上述技術方案，本發明可撓性基板的表面處理方法可達到相當的技術進步性及實用性，並具有產業上的廣泛利用價值，其至少具有下列優點:由於本發明是通過進行等離子體刻蝕步驟來圓滑化可撓性絕緣基板上的缺陷，因此降低可撓性絕緣基板的表面與缺陷之間的高低落差，意即使可撓性絕緣基板的表面趨於平緩化，進而可提升後續製造工藝合格率及產品可靠度。
[0015]綜上所述，本發明可撓性基板的表面處理方法具有使可撓性絕緣基板的表面趨於平緩化和提升後續製造工藝合格率及產品可靠度的優點。本發明在技術上有顯著的進步，並具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
[0016]上述說明僅是本發明技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本發明的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，並且為了讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，並配合附圖，詳細說明如下。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1A至圖1B為本發明的一個實施例的一種可撓性基板的表面處理方法的剖面示意圖。
[0018]圖2A至圖2B為本發明的另一個實施例的一種可撓性基板的表面處理方法的剖面示意圖。
[0019]【主要元件符號說明】
[0020]100a、IOOb:可撓性基板
[0021]110a、110a』、110b、110b』:可撓性絕緣基板
[0022]112a、112a』、112b、112b』:表面
[0023]120a、120a，、120b、120b，:缺陷
【具體實施方式】
[0024]為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所採取的技術手段及功效，以下結合附圖及較佳實施例，對依據本發明提出的可撓性基板其【具體實施方式】、製造方法、步驟、特徵及其功效，詳細說明如後。
[0025]圖1A至圖1B為本發明的一個實施例的一種可撓性基板的表面處理方法的剖面示意圖。請參閱圖1A，依照本實施例的可撓性基板的表面處理方法，首先，提供可撓性絕緣基板110a，其中可撓性絕緣基板IlOa的表面112a上具有至少一個缺陷120a。此處，可撓性絕緣基板IlOa的材質例如是聚苯二甲酸二乙酯(Poly (ethylene Terephthalate), PET)、聚亞醯氨(Polyimide,PI)或萘二甲酸乙二酯(Poly (Ethylene Naphthalate) ,PEN)等等)。而缺陷120a例如是至少一個凸起(圖1A中僅示意地顯於圖示一個)。如圖1A所示,缺陷120a為具有尖銳端的凸起，但並不以此為限。[0026]之後，請參閱圖1B，對可撓性絕緣基板IlOa進行等離子體刻蝕步驟，以圓滑化缺陷120a的輪廓。詳細來說，本實施例是利用等離子體刻蝕步驟的非等向性刻蝕的特性，在一定反應時間內對可撓性絕緣基板IlOa上的缺陷120a進行修補，以降低可撓性絕緣基板IlOa的表面112a與缺陷120a之間的高低落差。如圖1B所示，等離子體刻蝕步驟後的可撓性絕緣基板110a』的厚度小於未進行等離子體刻蝕步驟之前的可撓性絕緣基板110a。而缺陷120a(例如是具有尖銳端的凸起)經過等離子體刻蝕步驟之後，形成具有平緩化表面的缺陷120a』，即原缺陷120a的尖銳端變為圓滑，以使得缺陷120a』與可撓性絕緣基板110a』的表面112a』之間趨於平緩，而形成表面趨於平坦化的可撓性基板100a。
[0027]更具體來說，本實施例的等離子體刻蝕步驟的電力介於100瓦特至2000瓦特，而等離子體刻蝕步驟的反應氣體包括氧氣、氧氣混合六氟化硫或氧氣混合惰性氣體，且等離子體刻蝕步驟的反應氣體的流量範圍介於50sccm至lOOOsccm。
[0028]由於本實施例是通過進行等離子體刻蝕步驟來圓滑化可撓性絕緣基板IlOa上的缺陷120a，因而得到具有平緩化缺陷120a』的可撓性絕緣基板110a』。如此一來，可降低可撓性絕緣基板110a』的表面112a』與缺陷120a』之間的高低落差，意即使可撓性絕緣基板110a』的表面112a』趨於平緩化，以利於後續形成於其上的主動元件(如薄膜電晶體)的製造工藝穩定度，進而可提高製造工藝合格率及產品可靠度。
[0029]值得一提的是，本發明並不限定缺陷120a的形態，雖然此處所提及的缺陷120a具體化為具有尖銳端的凸起。但在其他實施例中，請參閱圖2A，缺陷120b亦可為至少一個凹陷(圖2A中僅示意地顯於圖示一個)，其中此缺陷120b與可撓性絕緣基板IlOb的表面112b的連接處實質上具有稜角(edge)。通過等離子體刻蝕步驟之後，請參閱圖2B，缺陷120b』與可撓性絕緣基板110b』的表面112b』之間趨於平緩，即圓滑化缺陷120b』的輪廓，使得可撓性絕緣基板110b』的表面112b』與缺陷120b』之間的高低落差得以降低，而形成表面趨於平坦化的可撓性基板100b。或者是，在其他未顯於圖示的實施例中，缺陷亦可是由凸起與凹陷所組成。簡言之，本發明不限定缺陷120a、120b的形態，只要是採用等離子體刻蝕步驟來圓滑化可撓性絕緣基板IlOaUlOb的表面112a、110b，其仍屬於本發明所要保護的範圍。
[0030]綜上所述，由於本發明是通過進行等離子體刻蝕步驟來圓滑化可撓性絕緣基板上的缺陷，因此降低可撓性絕緣基板的表面與缺陷之間的高低落差，意即使可撓性絕緣基板的表面趨於平緩化，進而可提升後續製造工藝合格率及產品可靠度。
[0031]以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，並非對本發明做任何形式上的限制，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而並非用以限定本發明，任何熟悉本專業的技術人員，在不脫離本發明技術方案範圍內，當可利用上述揭示的技術內容做出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬於本發明技術方案的範圍內。
【權利要求】
1.一種可撓性基板的表面處理方法，其特徵在於包括: 提供可撓性絕緣基板，該可撓性絕緣基板的表面上具有至少一個缺陷；以及 對該可撓性絕緣基板進行等離子體刻蝕步驟，以圓滑化該缺陷的輪廓。
2.根據權利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法，其特徵在於其中所述的可撓性絕緣基板的材質包括聚苯二甲酸二乙酯、聚亞醯氨或萘二甲酸乙二酯。
3.根據權利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法，其特徵在於其中所述的等離子體刻蝕步驟的電力介於100瓦特至2000瓦特。
4.根據權利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法，其特徵在於其中所述的等離子體刻蝕步驟的反應氣體包括氧氣、氧氣混合六氟化硫或氧氣混合惰性氣體。
5.根據權利要求4所述的可撓性基板的表面處理方法，其特徵在於其中所述的等離子體刻蝕步驟的反應氣體的流量範圍介於50sccm至lOOOsccm。
6.根據權利要求1所述的可撓性基板的表面處理方法，其特徵在於其中所述的缺陷包括至少一個凸起或至少一個凹陷。
【文檔編號】H01L21/84GK103871971SQ201310340205
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年8月1日 優先權日:2012年12月11日
【發明者】詹立雄, 林懷正, 江明盛, 王志誠 申請人:元太科技工業股份有限公司